JP6978928B2 - シリコンウェーハの評価方法 - Google Patents
シリコンウェーハの評価方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6978928B2 JP6978928B2 JP2017247117A JP2017247117A JP6978928B2 JP 6978928 B2 JP6978928 B2 JP 6978928B2 JP 2017247117 A JP2017247117 A JP 2017247117A JP 2017247117 A JP2017247117 A JP 2017247117A JP 6978928 B2 JP6978928 B2 JP 6978928B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- distortion
- determined
- evaluation method
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 97
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 97
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 97
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 100
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 claims description 13
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 7
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 24
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
- G01B11/168—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge by means of polarisation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/24—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet
- G01L1/241—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet by photoelastic stress analysis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
- G01L5/0047—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes measuring forces due to residual stresses
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N2021/217—Measuring depolarisation or comparing polarised and depolarised parts of light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8848—Polarisation of light
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
具体的には、シリコンウェーハの最終外観検査で用いられる表面検査装置(例えばKLA−Tencor社製のSurfscan SP2)を用いて、スリップの発生に起因した段差を検出して、スリップの発生を検出する検査方法が知られている。
また、シリコンウェーハの表面層に潜在している歪みを、熱処理によって顕在化させる手法も知られている(特許文献1参照)。
また、検査対象である熱処理後のシリコンウェーハを鏡面研磨したことによって、スリップに起因する段差が平滑化され、スリップの検出が困難であった。
このように、最終外観検査で用いられる表面検査装置を用いたスリップの検出方法にあっては、シリコンウェーハの表面状態や加工内容に依存するという技術的課題があった。また、熱処理によってシリコンウェーハの表面層に潜在している歪みを顕在化させる手法も、熱処理を施すという点では破壊検査となり、熱処理を許容しない条件下では適用することができない。
本発明の実施形態に係るシリコンウェーハの評価方法に用いる装置としては、SIRD(Scanning Infrared Depolarization)装置とも呼ばれる赤外光弾性測定装置を用いることができる。この赤外光弾性を利用した歪み測定装置は、応力を受けたサンプル内を偏光が透過する際の複屈折(光弾性)を利用して、サンプルに負荷されている応力を数値化して測定する装置である。サンプルとしてシリコンウェーハを用いる場合、シリコンに対する透過率が高い赤外光が一般に用いられる。
したがって、受光素子5が検出する光強度と受光素子6が検出する光強度との比は、シリコンウェーハWを透過することによって生じる偏光解消の程度を示す指標(デポラリゼーション値)となる。応力が負荷された箇所のシリコンウェーハWは光弾性が発生するので、デポラリゼーション値は、シリコンウェーハWに負荷されている応力の分布を示す指標となる。
ここで、図2から図7を参照しながら、赤外光弾性測定装置1で測定されるデポラリゼーション値およびこのデポラリゼーション値からスリップに関係する歪みの情報を顕在化させる処理について説明する。
図4および図5は、図2および図3に示されるデポラリゼーション値をスムージング処理することによって得られたものである。ここで、スムージング処理は、例えばフローティングアベレージング処理とすることができ、フローティングアベレージングの区間は、例えば0.5〜4mmとすることが好ましい。
より詳しくは、シリコンウェーハを1mm2以上25mm2以下の等間隔の区画に区分けし、当該区画内で短周期成分の振幅が所定の閾値を超えた場合に、その区画に歪みがあると判別する。
ここで、図8を参照しながら、シリコンウェーハの評価方法の手順を説明する。図8は、本発明の実施の形態に係るシリコンウェーハの評価方法を示すフローチャートである。なお、図8に示されるリコンウェーハの評価方法は、1枚のシリコンウェーハに関するものであるが、評価すべきシリコンウェーハが複数枚ある場合には、図8に示されるシリコンウェーハの評価方法をその枚数分繰り返せばよい。
このような表面粗さRaでは、表面検査装置を用いたスリップを適切に行うことができないが、本発明の実施の形態に係るシリコンウェーハの評価方法は、表面粗さRaは0.001μm以上であっても実施することが可能である。
後に、実験例を提示しながら説明するように、上記シリコンウェーハの評価方法は、X線トポグラフィーを用いて評価したシリコンウェーハのスリップの長さと良い相関がある。
したがって、予めX線トポグラフィーを用いて評価したシリコンウェーハのスリップの長さに基づいて隣接数の閾値を決定すれば、X線トポグラフィーを用いなくとも、それと同程度の精度でシリコンウェーハの評価を行うことができる。
ここで、図10および図11を参照しながら、本発明の実施形態に係るシリコンウェーハの評価方法の効果を説明する。図10は、隣接数の最大値とスリップ長との関係を示すグラフであり、図11は、代表的な測定例の面内マップを示す図である。
図11(a)および図11(b)からも分かるように、本発明の実施形態に係るシリコンウェーハの評価方法は、鏡面研磨前のシリコンウェーハと鏡面研磨後のシリコンウェーハの何れに対しても適切に適用可能である。なお、図11(a)および図11(b)に示される例において、歪みが生じている箇所がシリコンウェーハの外周部に集中しているのは、RTO処理の際にシリコンウェーハの保持部が歪みの発生源になっているものと考えられる。
2 赤外レーザ素子
3 アナライザ
4 ポラライザ
5,6 受光素子
7 偏光ビームスプリッタ
Claims (5)
- 熱処理された単結晶のシリコンウェーハを1mm2以上25mm2以下の等間隔の区画に区分けし、赤外偏光のデポラリゼーション値に基づいて前記区画の夫々における歪みの有無を判別する区画解析ステップと、
前記区画解析ステップにて歪みを有すると判別された区画の隣接数が所定の閾値を超えないものを良品として評価するスクリーニングステップと、を有し、
前記所定の閾値は、X線トポグラフィーを用いて評価したシリコンウェーハのスリップの長さと歪みを有すると判別された区画の隣接数との関係を予め取得することによって決定されることを特徴とするシリコンウェーハの評価方法。 - 前記歪みを有すると判別された区画の隣接数は、歪みを有すると判別された区画を中心とした周囲の前後左右斜め四方において歪みを有すると判別された区画の総数として定義されることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの評価方法。
- 前記デポラリゼーション値に基づいた歪みの有無の判別は、測定されたデポラリゼーション値をスムージング処理して長周期成分を抽出し、当該長周期成分を前記測定されたデポラリゼーション値から除去して得られた短周期成分を用いて行われることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの評価方法。
- 前記シリコンウェーハの表面粗さRaは、0.1μm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの評価方法。
- 前記シリコンウェーハの表面粗さRaは、0.001μm以上であることを特徴とする請求項4に記載のシリコンウェーハの評価方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017247117A JP6978928B2 (ja) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | シリコンウェーハの評価方法 |
PCT/JP2018/027425 WO2019130633A1 (ja) | 2017-12-25 | 2018-07-23 | シリコンウェーハの評価方法 |
CN201880083802.XA CN111512424B (zh) | 2017-12-25 | 2018-07-23 | 硅晶片的评价方法 |
KR1020207021707A KR102385259B1 (ko) | 2017-12-25 | 2018-07-23 | 실리콘 웨이퍼의 평가 방법 |
US16/957,612 US11060983B2 (en) | 2017-12-25 | 2018-07-23 | Evaluation method of silicon wafer |
EP18894615.6A EP3734648A4 (en) | 2017-12-25 | 2018-07-23 | METHOD OF EVALUATION OF SILICON WAFERS |
TW107128454A TWI684018B (zh) | 2017-12-25 | 2018-08-15 | 矽晶圓的評價方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017247117A JP6978928B2 (ja) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | シリコンウェーハの評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019114665A JP2019114665A (ja) | 2019-07-11 |
JP6978928B2 true JP6978928B2 (ja) | 2021-12-08 |
Family
ID=67066930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017247117A Active JP6978928B2 (ja) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | シリコンウェーハの評価方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11060983B2 (ja) |
EP (1) | EP3734648A4 (ja) |
JP (1) | JP6978928B2 (ja) |
KR (1) | KR102385259B1 (ja) |
CN (1) | CN111512424B (ja) |
TW (1) | TWI684018B (ja) |
WO (1) | WO2019130633A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7143828B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2022-09-29 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハのスリップ検出方法 |
CN111106027A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-05-05 | 武汉大学 | 一种soi顶层硅片的测量修饰系统 |
US20230197533A1 (en) * | 2020-06-01 | 2023-06-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for evaluating peripheral strain of wafer |
CN114061477B (zh) * | 2021-11-19 | 2022-09-23 | 楚赟精工科技(上海)有限公司 | 翘曲测量方法、翘曲测量装置及成膜系统 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19827202A1 (de) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur zerstörungsfreien Erkennung von Kristalldefektten |
EP1213578A1 (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-12 | Semiconductor300 GmbH & Co KG | Apparatus and method for detecting an amount of depolarization of a linearly polarized beam |
US6825487B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-11-30 | Seh America, Inc. | Method for isolation of wafer support-related crystal defects |
US7220978B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-05-22 | The University Of South Carolina | System and method for detecting defects in semiconductor wafers |
JP3746287B2 (ja) * | 2004-01-15 | 2006-02-15 | 学校法人東京電機大学 | 応力測定方法とその装置 |
JP4127233B2 (ja) | 2004-04-02 | 2008-07-30 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶ウェーハの評価方法およびこれを用いたシリコン単結晶ウェーハ |
JP5073523B2 (ja) * | 2008-02-16 | 2012-11-14 | 株式会社メガトレード | 自動検査装置の検査プログラムファイルの格納構造 |
JP5007979B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2012-08-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置 |
US9019498B2 (en) * | 2009-11-20 | 2015-04-28 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method for inspecting defects, inspected wafer or semiconductor device manufactured using the same, method for quality control of wafers or semiconductor devices and defect inspecting apparatus |
DE102010026351B4 (de) * | 2010-07-07 | 2012-04-26 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung einer Halbleiterscheibe |
JP2012119512A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板の品質評価方法及びその装置 |
US8625083B2 (en) * | 2011-03-12 | 2014-01-07 | Ken Roberts | Thin film stress measurement 3D anisotropic volume |
JP5838114B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2015-12-24 | 株式会社リガク | X線トポグラフィ装置 |
JP6090752B2 (ja) * | 2013-10-04 | 2017-03-08 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの評価方法 |
WO2015142951A1 (en) * | 2014-03-17 | 2015-09-24 | Washington University | System and method for quantifying deformation, disruption, and development in a sample |
JP5976030B2 (ja) * | 2014-04-11 | 2016-08-23 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP6317700B2 (ja) * | 2015-04-01 | 2018-04-25 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
KR102659810B1 (ko) * | 2015-09-11 | 2024-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 결정화도 측정 장치 및 그 측정 방법 |
US10877193B2 (en) * | 2015-09-22 | 2020-12-29 | Robert Magnusson | Polarization independent wideband reflectors and methods for their manufacture |
CN106290388B (zh) * | 2016-08-03 | 2018-09-28 | 国网山东省电力公司电力科学研究院 | 一种绝缘子故障自动检测方法 |
JP7387751B2 (ja) * | 2018-10-31 | 2023-11-28 | コーニング インコーポレイテッド | 光散乱偏光測定を使用したガラス系試料の光学的リターダンスの特徴付け |
-
2017
- 2017-12-25 JP JP2017247117A patent/JP6978928B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-23 EP EP18894615.6A patent/EP3734648A4/en active Pending
- 2018-07-23 US US16/957,612 patent/US11060983B2/en active Active
- 2018-07-23 KR KR1020207021707A patent/KR102385259B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-23 CN CN201880083802.XA patent/CN111512424B/zh active Active
- 2018-07-23 WO PCT/JP2018/027425 patent/WO2019130633A1/ja unknown
- 2018-08-15 TW TW107128454A patent/TWI684018B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102385259B1 (ko) | 2022-04-08 |
EP3734648A4 (en) | 2021-09-15 |
US11060983B2 (en) | 2021-07-13 |
JP2019114665A (ja) | 2019-07-11 |
CN111512424B (zh) | 2023-04-07 |
TWI684018B (zh) | 2020-02-01 |
US20210055232A1 (en) | 2021-02-25 |
EP3734648A1 (en) | 2020-11-04 |
WO2019130633A1 (ja) | 2019-07-04 |
CN111512424A (zh) | 2020-08-07 |
KR20200098693A (ko) | 2020-08-20 |
TW201928378A (zh) | 2019-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6978928B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法 | |
TWI625806B (zh) | 量測最佳化檢驗 | |
US20040021097A1 (en) | Method for isolation of wafer support-related crystal defects | |
US20150069247A1 (en) | Method and system for real time inspection of a silicon wafer | |
JP5239346B2 (ja) | ラマン分光を用いた応力評価方法及び半導体装置の製造方法 | |
TW462100B (en) | Wafer surface inspection method | |
JP6090752B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法 | |
EP2261644B1 (en) | Method for judging whether a semiconductor wafer is a non-defective wafer by using a laser scattering method | |
JP6618354B2 (ja) | 欠陥を検査する方法、および欠陥検査装置 | |
JP2007115870A (ja) | ウエーハのワレ検査装置およびワレ検査方法並びにウエーハの製造方法 | |
JP2001083080A (ja) | 結晶欠陥計測装置 | |
KR20210020340A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 평가 방법 | |
TWI675200B (zh) | 定向自組裝方法的品質評估 | |
JP2021048367A (ja) | シリコン単結晶ウェーハのスリップ検出方法 | |
JP6809422B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法 | |
JP5733011B2 (ja) | 欠陥検査方法、半導体装置の製造方法及び欠陥検査装置 | |
JP2022092809A (ja) | エピタキシャルウェーハの欠陥検査方法 | |
JP6536517B2 (ja) | 結晶欠陥評価方法 | |
JP6729526B2 (ja) | 欠陥サイズ分布の測定方法 | |
JP2018146356A (ja) | 欠陥を検査する方法および欠陥検査装置、ならびに光源装置 | |
JP5018741B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置 | |
JPH10154734A (ja) | 半導体結晶の評価方法 | |
KR100838492B1 (ko) | 피검사물의 에지 결함 및 표면 거칠기 검사방법 및 그프로그램이 기록된 기록매체 | |
KR20200099712A (ko) | 웨이퍼손상평가방법 | |
Yarling et al. | Investigation of rapid thermal process-induced defects in ion-implanted Czochralski silicon |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180724 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6978928 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |