TWI675200B - 定向自組裝方法的品質評估 - Google Patents

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TWI675200B
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戴格羅 保林納 亞珍德拉 瑞肯
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比利時商愛美科公司
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Abstract

一種用於評估用於產生定向自組裝圖案之一定向自組裝方法之品質之方法。用於評估之該方法包括獲得特徵化該定向自組裝方法因此特徵化用於產生一定向自組裝圖案之一特定定向自組裝方法之關於一經參數化組之處理步驟及材料性質之至少一組參數值。該方法進一步包括獲得使用特徵為該組參數值之該定向自組裝方法獲得之該定向自組裝圖案上之一散射輻射場型，因此獲得關於該定向自組裝圖案之散射輻射場型結果。該方法進一步包括基於該等散射輻射場型結果判定一合格性檢定分數且使該合格性檢定分數與該組參數值相互關聯。

Description

定向自組裝方法的品質評估
本發明係關於圖案化技術之品質評估之領域。更特定言之，本發明係關於用於評估用於產生定向自組裝圖案之一定向自組裝方法之品質之一方法及裝置。
使用化學磊晶之嵌段共聚物(BCP)之定向自組裝(DSA)係容許具有在使用當前微影工具可有之解析度以下之解析度之常規光柵之形成之一圖案化技術。其使用嵌段共聚物(BCP)之自發微相分離。DSA被認為係獲得使用實際光學技術不可獲得之特徵密度之潛在方法之一者。
最佳的，用於產生特定光柵之DSA技術具有一大處理窗口且對於變動的條件較少或不靈敏。為了界定最佳材料、處理條件及處理步驟，目前通常藉由研究使用DSA技術獲得之光柵而評估DSA技術。更特定言之，檢定光柵中之順序之合格性。後者通常係藉由具有約6μm2之一典型視野之光柵之一系列掃描電子顯微術(SEM)影像之手動分類而完成。對於此手動分類，(例如)使用描述光柵中之順序之量之自0至3之一離散標度。藉由圖解，圖1繪示如用於分類之DSA光柵之SEM影像。光柵之最左之影像將導致一分數0，最右之圖式將導致一分數3。分數0表示完全的無序而分數3表示完美的順序。
評分係一手動任務且因此係操作者相關且此外係耗時的。此外，為了使評估保持可行，探測之面積有限且因此測試可仍取決於使用SEM探測之確切位置。
因此仍存在對於用於為DSA圖案之品質評分之評分方法及裝置之改良之空間。
本發明之一目的為提供用於評估用於產生定向自組裝圖案之一定向自組裝方法之一有效方法。根據本發明之實施例之一優勢為(例如)相較於基於SEM量測之現存方法，關於檢查定向自組裝圖案之品質(例如，程序窗口及程序靈敏度)或用於獲得自組裝圖案之特定方法之品質之速度高。根據本發明之實施例之一優勢為可以一自動化方式執行關於評估自組裝圖案或獲得自組裝圖案之方法之品質之檢驗。本發明之實施例之一優勢為獲得一客觀品質參數，容許一更簡化且精確的評估/特徵化。藉由根據本發明之一方法及裝置完成上文中之目的。本發明係關於用於評估用於產生定向自組裝圖案之一定向自組裝方法之品質之一方法，用於評估之該方法包括：獲得特徵化該定向自組裝方法，因此特徵化用於產生一定向自組裝圖案之一特定定向自組裝方法之關於一經參數化組之處理步驟及材料性質之至少一組參數值；自使用特徵為該組參數值之該定向自組裝方法獲得之該定向自組裝圖案獲得一散射輻射場型，因此獲得關於該定向自組裝圖案之散射輻射場型結果；基於該散射輻射場型結果判定一合格性檢定分數且使該合格性檢定分數與該組參數值相互關聯。該合格性檢定分數可係藉由相對於該理想情況而評估之一分數。
根據本發明之實施例之一優勢為：可獲得一高擷取速度；可取樣DSA圖案之一大面積；存在一連續輸出標度；及可存在快速及自動化資料處理。
獲得一散射輻射場型包括獲得在藉由將特徵為該組參數值之一定向自組裝方法應用於包括若干誘發缺陷之一圖案上而獲得之一定向自組裝圖案上之一散射輻射場型，且其中該判定一合格性檢定分數包括判定識別該定向自組裝方法對於該圖案中之該等誘發缺陷之一穩健性之一合格性檢定分數。
藉由使用具有若干誘發缺陷之一圖案，可特徵化及量化對於缺陷之靈敏度及此等缺陷之DSA技術之傳播。後者提供針對DSA技術及其處理窗口之快速評估之一恰當度量。
該等誘發缺陷可包含非局部或局部間距偏移、線圖案中之中斷及局部或非局部CD偏置之一或多者。
可隨機分佈該等誘發缺陷。
可系統分佈該等誘發缺陷。可(例如)沿著該圖案之一對角線分佈該等誘發缺陷。
可依密度調諧該等誘發缺陷。可依強度調諧該等誘發缺陷。可定期引入該等誘發缺陷。此一定期引入可係各個預定數目之線。
該方法可包括獲得關於該經參數化組之處理步驟及材料性質之複數組參數值，該複數組參數值橫跨用於該定向自組裝方法之一程序窗口，執行獲得一散射輻射場型及判定關於該等組之參數之各者之一合格性檢定分數，且基於透過該程序窗口獲得之該等合格性檢定分數評估關於該定向自組裝方法之該程序窗口之該等步驟。
根據本發明之實施例之一優勢為可以一有效且精確之方式執行關於一定向自組裝方法之程序窗口分析。一優勢為該技術容許以一更短之時間標度獲得與使用SEM量測獲得之結果類似之結果。根據本發明之實施例之一優勢為其等可幫助加速DSA研究中之進展。
基於該等散射輻射場型結果判定一合格性檢定分數可包括執行該等散射輻射場型結果之一正規化。
執行一正規化可包括使用該等自組裝圖案之掃描電子顯微術量測之一分析使該等散射輻射場型結果正規化。根據本發明之實施例之一優勢為藉由使用正規化，獲得容許該程序之該品質之精確解譯之一精確度量。根據本發明之實施例之一優勢為獲得一好的再現性。根據本發明之實施例之一優勢為散射輻射場型技術實施簡單且不需要知道n、k及間距。
該方法可進一步包括比較與該組參數相互關聯之該合格性檢定分數與關於該組參數在較早時間獲得之一合格性檢定分數且基於該比較評估該定向自組裝方法是否需要修改。
比較該合格性檢定可包括與包括與特定組之參數值相互關聯之先前記錄之合格性檢定分數之一參考(諸如例如一查找表)比較。可在正規化之後或之時執行比較。該等合格性檢定分數可係相關數字。
該方法可包括藉由將特徵為該組參數值之一定向自組裝方法應用於包括若干誘發缺陷之一圖案上而獲得一定向自組裝圖案。
本發明亦係關於用於當在一處理單元上執行時執行如上文中描述之用於評估之一方法之一電腦程式產品。
本發明進一步係關於包括此一電腦程式產品或其經由一區域網路或廣域網路之傳輸之一資料載體。
本發明亦係關於儲存一組比較資料之一系統，該比較資料在一方面關聯特徵化一定向自組裝方法之關於一經參數化組之處理步驟及材料性質之參數值組及基於自一散射輻射場型技術獲得之在使用特徵為該組參數值之該定向自組裝方法獲得之一定向自組裝圖案上之散射輻射場型結果之一合格性檢定分數。
此等系統之一優勢為其等容許現場執行之程序之恰當評估。此一檢查不僅提供經使用之DSA方法之資訊，亦可容許指示影響DSA方法之材料之處理鏈中之另一改變。以此方式，可執行程序改變之快速 識別，導致問題之一較快識別及處理系統之較少停機時間。
在系統中，該比較資料在一方面關聯特徵化一定向自組裝方法之關於一經參數化組之處理步驟及材料性質之參數值組及基於自一散射輻射場型技術獲得之在使用特徵為該組參數值且應用至包括若干誘發缺陷之一引導圖案之該定向自組裝方法獲得之一定向自組裝層上之散射輻射場型結果之一合格性檢定分數。
可基於掃描電子顯微術參考資料正規化該比較資料。
該系統可進一步包括如上文所述之一電腦程式產品。
本發明亦係關於一組比較資料，該比較資料使在一方面之特徵化一定向自組裝方法之關於一經參數化組之處理步驟及材料性質之參數值組與基於自一散射輻射場型技術獲得之在使用特徵為該組參數值之該定向自組裝方法獲得之一定向自組裝圖案上之散射輻射場型結果之一合格性檢定分數相互關聯。
該比較資料可使在一方面之特徵化一定向自組裝方法之關於一經參數化組之處理步驟及材料性質之參數值組與基於自一散射輻射場型技術獲得之在使用特徵為該組參數值且應用至包括若干誘發缺陷之一圖案之該定向自組裝方法獲得之一定向自組裝圖案上之散射輻射場型結果之一合格性檢定分數相互關聯。
在隨附獨立技術方案及附屬技術方案中陳述本發明之特定及較佳態樣。若恰當且非僅如(若干)技術方案中明確陳述，來自附屬技術方案之特徵可與獨立技術方案之特徵且與其他附屬技術方案之特徵組合。
將自隨後描述之(若干)實施例瞭解且參考隨後描述之(若干)實施例闡明本發明之此等及其他態樣。
200‧‧‧評估方法
210‧‧‧第一步驟
220‧‧‧第二步驟
230‧‧‧第三步驟
701‧‧‧第一曲線
702‧‧‧第二曲線
801‧‧‧第一曲線
802‧‧‧第二曲線
圖1繪示根據一先前技術解決方案之DSA光柵之手動評分。
圖2繪示根據本發明之一實施例之用於評估用於產生DSA圖案之一DSA方法之品質之一例示性方法。
圖3繪示使用根據本發明之實施例之一方法獲得之合格性檢定分數。
圖4展示如其中基於基於SEM之一先前技術方法完成評分之圖2之相同DSA光柵中之順序之手動評分。
圖5展示圖3之經製圖資料。
圖6展示其中使用根據本發明之一方法獲得分數之依據劑量而變化之一非正規化合格性檢定分數。
圖7展示其中使用根據本發明之一方法獲得分數之依據劑量而變化之一第一及一第二晶圓之一第一及一第二非正規化散射輻射場型。
圖8展示使用根據本發明之一方法獲得之正規化合格性檢定分數。
圖9展示如可用於本發明之實施例中之用於產生一引導圖案之作為一遮罩圖案中之經程式化缺陷之間距步移。
圖10展示如可用於本發明之實施例中之用於產生一引導圖案之作為一遮罩圖案中之經程式化缺陷之局部CD偏置。
圖11展示如可用於本發明之實施例中之用於產生一引導圖案之作為一遮罩圖案中之一經程式化缺陷之間隙。
圖12展示如可用於本發明之實施例中之用於產生一引導圖案之作為一遮罩圖案中之經程式化缺陷之缺口。
圖13繪示如用於根據本發明之一實施例之一實例中之具有經程式化缺陷之一微影預圖案。
圖14繪示如用於根據本發明之一實施例之一實例中之關於四個不同樣本之關於依據間距步移缺陷大小(一20nm偏移出現之次數)而變化之樣本之品質之一正規化分數。
圖式僅為示意性且非限制性。在圖式中，可為了闡釋性目的誇大或未按比例繪製一些元件之大小。申請專利範圍中之任何參考符號不應理解為限制範疇。
在不同圖式中，相同參考符號係指相同或類似元件。
將關於特定實施例且參考某些圖式描述本發明，但本發明不限於此而僅由申請專利範圍限制。經描述之圖式僅為示意性且非限制性。在圖式中，可為了闡釋性目的誇大且未按比例繪製一些元件之大小。尺寸及相對尺寸不對應於至本發明之實踐之實際縮減。
此外，描述中及申請專利範圍中之術語第一、第二及類似者係用於在類似元件之間區分且不必須用於時間上、空間上、等級上或以任何其他方式描述一順序。應瞭解，如此使用之術語在適當情況下可互換且本文中描述之本發明之實施例能夠以不同於本文中描述或繪示之其他順序操作。
此外，描述及申請專利範圍中之術語頂部、下及類似者係用於描述性目的且非必然用於描述相對位置。應瞭解，如此使用之術語在適當情況下可互換且本文中描述之本發明之實施例能夠以不同於本文中描述或繪示之其他定向操作。
應注意，申請專利範圍中使用之術語「包括」不應解譯為限制於其後列舉之構件，其不排除其他元件或步驟。因此其待解譯為指定如提及之所述特徵、整數、步驟或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟或組件或其等之群組之存在或添加。因此，「一裝置包括構件A及B」之表達之範疇不應限於裝置僅由組件A及B組成。其意為關於本發明，裝置之唯一相關組件為A及B。
貫穿此說明書指「一項實施例」或「一實施例」意為搭配實施例描述之一特定特徵、結構或特徵包含於本發明之至少一實施例中。 因此，片語「在一項實施例中」或「在一實施例中」在貫穿此說明書之多種地方中出現不必須都指相同實施例，但有可能。此外，在一或多個實施例中，可以任何方式組合特定特徵、結構或特徵，如一般技術者自本發明將瞭解。
類似地應瞭解，在本發明之例示性實施例之描述中，為了簡化本發明且協助多種發明態樣之一或多者之理解之目的，有時將本發明之多種特徵一起分組於一單項實施例、圖式或其等之描述中。然而，本發明之此方法不應被解釋為反映經申請之發明需要比明確陳述於每一請求項中更多之特徵之一意圖。實情係如下列申請專利範圍反映，發明態樣在於少於一單項前述所揭示實施例之全部特徵。因此，藉此將接著詳細描述之申請專利範圍明確併入此詳細描述中，其中每一請求項獨立地作為本發明之一單獨實施例。
此外，雖然本文中描述之一些實施例包含一些而非包含於其他實施例中之其他特徵，不同實施例之特徵之組合意欲在本發明之範疇內，且形成不同實施例，如熟習此項技術者將瞭解。舉例而言，在以下申請專利範圍中，任何經申請之實施例可用於任何組合中。
在本文中提供之描述中，提出許多特定細節。然而，應瞭解，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明之實施例。在其他例項中，未詳細展示熟知方法、結構及技術以不模糊此描述之一理解。
其中在根據本發明之實施例中參考一定向自組裝(DSA)方法之處，參考使用其中一圖案之組件自發地將其等自身組裝於基板上以形成一圖案之一現象之方法。
其中在本發明之實施例中參考一引導圖案之處，參考用於執行一自組裝方法之一圖案。
在一第一態樣中，本發明係關於用於評估用於產生定向自組裝圖案之一定向自組裝(DSA)方法之品質之一方法。藉由圖解，圖2繪 示評估方法200之不同步驟。根據實施例，一第一步驟210包括獲得特徵化定向自組裝方法，因此特徵化用於產生一定向自組裝圖案之一特定定向自組裝方法之關於一經參數化組之處理步驟及材料性質之至少一組參數值。在一第二步驟220中，在使用特徵為該組參數值之定向自組裝方法獲得之定向自組裝圖案上執行一散射輻射場型技術，因此獲得關於定向自組裝圖案之散射輻射場型結果。在一第三步驟230中，基於散射輻射場型結果，判定一合格性檢定分數且使合格性檢定分數與該組參數值相互關聯。在一些特定實施例中，該方法用於評估經應用之DSA方法之處理窗口及其對於(例如)在待產生之圖案中之誤差之靈敏度。在一些其他實施例中，該方法被用作用於評估經應用之DSA方法中之改變之一標準特徵化及/或檢查常式。為了最佳化對於誤差之靈敏度之評估，該方法可包括獲得關於應用至其中引入預期缺陷之一圖案之一DSA方法之結果且評估所得光柵。藉由圖解，本發明之實施例非藉此經限制，現將在下文中參考圖2進一步論述關於方法200之標準及選用步驟之標準及選用特徵。
在本發明之實施例中，第一步驟210包括選擇特徵化DSA方法之參數。此等參數可包括直接界定經使用之DSA方法之參數(諸如例如劑量及/或焦點)但亦可包含較間接影響DSA程序之其他參數，諸如例如進一步界定處理條件之參數(溫度、...)，關於待產生之圖案之參數等。在一些實施例中，具體可篩分DSA中之缺陷生長中涉及之參數，因為學習該方法關於缺陷生長之靈敏度係有用的。可控制DSA參數之一者亦可係經使用之DSA化學品。本發明之實施例可用於判定關於不同嵌段共聚物(BCP)樣本之DSA圖案化特徵中之差異。
包括選擇參數且其後給出一合格性檢定分數至所得DSA圖案之該方法之速度通常係高的，因為程序通常為自動化。因此可有不同參數之快速篩分。由於可更快地完成篩分，可有比使用相同時間窗口內之 SEM分析更廣之一篩分。
在本發明之實施例中，使用一基於角度解析之偏振反射量測法之散射計完成獲得一散射輻射場型之第二步驟220。藉此一優勢為可掃描一大面積，因此更代表出現於遮罩上之缺陷。散射計之視野因此比具有6μm2之一典型視野之一SEM影像之視野更大。為了獲得實質上相同資訊，相較於當使用SEM時需要之量測及處理時間之4小時，基於根據本發明之散射輻射場型技術之方法佔約10分鐘之一量測及處理時間。
在本發明之實施例中，在第三步驟230中，散射計容許檢定由DSA產生之光柵中之順序之合格性，因此導致一合格性檢定分數。如將進一步論述，在一些實施例中，關於應用至具有誘發缺陷之一圖案之一DSA方法做出合格性檢定，因此識別DSA方法對於圖案中之缺陷如何抵抗。在本發明之實施例中，基於藉由光柵繞射之光計算一光柵合格性檢定分數。
在本發明之實施例中，關於界定一組參數值之第一步驟210，關於獲得一散射輻射場型之第二步驟220及關於判定合格性檢定分數之第三步驟230之重複可用於執行DSA光柵上之處理窗口分析。藉由判定關於若干不同處理條件之合格性檢定分數，可做出程序窗口之一分析。
本發明之實施例之一優勢為可以一自動化方式執行該方法。此外此一自動化分析之一優勢為獲得一更客觀分析。
藉由圖解，在一第一實例中，比較50 DSA光柵之自動化及手動評分，其中變動判定缺陷生長之2個參數，在實例中2個參數為圖案之間距及寬度。在圖3中繪示根據本發明之一實施例之基於一散射輻射場型技術之自動化技術之結果(合格性檢定分數)。在圖4中展示手動技術之結果。如自圖3及圖4中可見，手動技術與自動化技術之間存在 一好的對應。仍可出現一些差異，因為基於散射輻射場型之技術在比基於SEM之技術更大(例如200倍大)之一區域上方平均化。舉例而言，1600μm2相較於關於基於SEM之技術之6μm2。藉此合格性檢定分數係較大區域上方之一平均化結果。因此，如由本實例所繪示，基於散射輻射場型之技術遞送比基於SEM之技術更少位置相關之一合格性檢定分數。如上文中所論述，由於基於散射輻射場型之技術係一自動化技術，所以基於散射輻射場型之技術亦遞送比基於SEM技術更少操作者相關且更快之一合格性檢定分數。由於所得合格性檢定分數係連續的(而非在手動評分情況中之離散的)，此容許經觀察趨勢之一更好理解，使偵測局部最大數及最小數更容易。作為一實例，在圖5中製圖根據本發明之一實施例之自基於散射輻射場型之技術獲得之合格性檢定分數。圖5中之圖表展示依據臨界尺寸(CD)而變化之合格性檢定分數。
藉由圖解，在一第二實例中，關於藉由其中對於各個DSA圖案使用一不同DSA劑量之一DSA方法獲得之一組DSA圖案獲得合格性檢定分數。在圖6中繪示此。展示三個DSA圖案之SEM影像。亦展示具有合格性檢定分數比DSA劑量之一圖表。很清楚一高合格性檢定分數對應於光柵中之一高順序且一低合格性檢定分數對應於光柵中之一低順序。
在若干特定實施例中，本發明亦係關於用於基於DSA方法對於藉由DSA產生之圖案之引導圖案中之缺陷之靈敏度而評量DSA方法之基準之一技術。在此等實施例中，第二步驟220包括在一定向自組裝(DSA)圖案上執行散射量測。藉由將特徵為一組參數值之一DSA方法應用於包括若干誘發缺陷之一圖案上而獲得DSA圖案。在第一步驟210中界定該組參數值。判定一合格性檢定分數包括判定識別該定向自組裝方法對於圖案中之該等誘發缺陷之一穩健性之一合格性檢定分 數。可篩分之其他設計特徵係臨界尺寸及經程式化缺陷。
在一例示性實施例中，將多種大小及類型之缺陷設計至圖案中。此等缺陷可導致DSA程序發生故障且誘發圖案化缺陷。在光柵中產生若干類型之缺陷以局部破壞圖案。此等缺陷可包含(例如)以下之一或多者：圖9展示用於產生一引導圖案之作為一遮罩圖案中之經程式化缺陷之間距步移。CD保持恒定且在圖案間距中產生一偏移。偏移之量值於目標目標間系統性變動。
圖10展示用於產生一引導圖案之作為一遮罩圖案中之經程式化缺陷之局部CD偏置。可在線之一大截面上方或較小之截面上方引入缺陷。另外截面之長度可用作一參數。
圖11展示用於產生一引導圖案之作為一遮罩圖案中之一經程式化缺陷之間隙。線圖案(在此實例中在Y方向中)中之中斷(間隙)之大小可變動。
圖12展示用於產生一引導圖案之作為一遮罩圖案中之經程式化缺陷之缺口。可在線之一大截面上方或在較小截面上方引入缺陷。截面之長度亦可用作一參數。
全部經程式化缺陷係用於調查一旦應用DSA技術時BCP治癒圖案中之缺陷之能力。本發明之實施例容許給出處理方法治癒關於不同組之經程式化缺陷之光阻劑中之缺陷之一合格性檢定分數。本發明之實施例容許識別關於DSA之缺陷及/或識別其中DSA技術對於圖案中之缺陷較少靈敏之條件。程序相關之缺陷之其他實例包含微影步驟中獲得之預圖案中之缺陷，諸如不規則臨界尺寸(CD)或線邊緣粗糙度(LER)。另外，此處本發明之實施例容許調查BCP材料之矯正能力且取回將導致缺陷形成之關鍵處理參數。
在圖9至圖12之實例中，沿著目標之對角線自左頂部至右底部定 位缺陷。在其他實例中，可不同地分佈缺陷，其中可變動密度且可變動缺陷之相對定位。
透過基於一散射輻射場型之技術，可篩分程序在其處出現故障且產生指紋圖案或較少完美對準之偏移數目。
可評估各個缺陷在DSA程序之品質上之效應。目標上方之誘發缺陷之數目及位置可變動。依據缺陷之大小、類型或數目而變化之圖案化合格性檢定分數之分析給出關於DSA材料及/或程序之品質之資訊。本發明之實施例可用於執行關於一缺陷在DSA光柵上具有之效應之分析。其等容許自動化檢驗程序且提供一客觀合格性檢定分數。檢驗程序比先前技術SEM檢驗更快且因此容許關於其等在所得DSA圖案上具有之其等之效應評分更多缺陷類型/數目。
根據本發明之特定實施例，該方法可經調適以用於評估關於一DSA技術之程序窗口。第一步驟210包括獲得關於經參數化組之處理步驟及材料性質之複數組之參數值。複數組參數值藉此橫跨關於DSA方法之一程序窗口。在第二步驟220中，執行散射輻射場型技術且在第三步驟230中，獲得關於該等組之參數之各者之一合格性檢定分數。在第三步驟230中，基於透過程序窗口之合格性檢定分數評估關於DSA方法之程序窗口。有利的，該方法亦包括散射輻射場型結果之正規化。可(例如)基於SEM實驗執行此正規化。
在本發明之實施例中，該方法包括其中合格性檢定分數與一先前獲得之合格性檢定分數相比較之一步驟。兩個程序窗口都係使用相同組之參數值而完成。基於該比較，評估DSA方法是否遭受處理條件或判定DSA方法之成果之其他條件中之偏移。在本發明之實施例中，經獲得之合格性檢定分數及對應參數值儲存於一查找表中。可藉由瀏覽查找表而比較合格性檢定分數。替代地，亦可使用其他演算法執行比較。藉由實例，本發明之實施例不限於此，現在論述指示優於引用 之先前技術之特徵及優勢之實驗結果。使用基於散射圖案之技術測試若干樣本抵抗間距步移缺陷之彈性。使用具有經程式化間距步移缺陷之一漸增之嚴重性之P90微影預圖案。微影預圖案之每個第五行經偏移2nm之倍數(2、4、6、...)。在圖13中展示具有間距步移之一預圖案之一實例。關於4個樣本L1、M2、N3及O4測試彈力。圖14繪示當應用基於散射輻射場型之技術時之經正規化分數。可看到，當間距步移缺陷大小超過一特定大小時全部樣本都惡化。然而，可推斷樣本N3對於經程式化間距步移缺陷最抵抗，而樣本L1對於間距步移最不抵抗。藉由圖解，在圖7中，獲得關於藉由其中對於各個DSA圖案使用一不同DSA劑量之一DSA方法而獲得之一組DSA圖案之合格性檢定分數。在圖7之圖表中展示兩個曲線。一第一曲線701對應於一第一晶圓，且一第二曲線702對應於一第二晶圓。亦展示第一晶圓之SEM影像。一高合格性檢定分數對應於SEM影像中之高順序且一第合格性檢定分數對應於對應SEM影像中之低順序。然而，可自圖7中所見，當比較第一曲線701與第二曲線702時，術語高及低僅在一晶圓內有效。因此難以解譯絕對的分數且在當前實例中需要一恰當正規化。
藉由圖解，在圖8中展示此等經正規化曲線。將合格性檢定分數正規化為關於一高度有序之SEM影像之1。因此使用自組裝圖案之SEM量測之一分析完成此正規化。僅關於1高度有序之SEM影像之正規化需要SEM量測之分析。可基於自動化獲得之經正規化合格性檢定分數而完成剩餘分析。在合格性檢定分數之校準之後，第一曲線801及第二曲線802具有關於一高度有序之SEM影像之相同值1。
在一第二態樣中，本發明係關於用於儲存一組比較資料之一系統。比較資料藉此使參數值組及材料性質與一合格性檢定分數相關聯。參數值用於一經參數化組之處理步驟且與材料性質一起，其等特徵化一DSA方法。合格性檢定分數係基於在使用特徵為該組參數值之 DSA方法獲得之一DSA圖案上之散射輻射場型結果。此一系統可係一計算系統或一記憶體系統。資料可儲存於一查找表中或一任何其他結構化方法使合格性檢定分數與一特定技術之一識別連接。在一起實施例中，合格性檢定分數係基於自一散射輻射場型技術獲得之在使用特徵為該組參數值且應用至包括若干誘發缺陷之一圖案之DSA方法獲得之一DSA圖案上之散射輻射場型結果。後者容許研究一程序對於缺陷如何靈敏且可用於評估此等技術或用於評量基準。在本發明之一些實施例中，基於掃描電子顯微術參考資料正規化系統中之比較資料。
在一第三態樣中，本發明係關於一組比較資料。比較資料使參數值組及材料性質與一合格性檢定分數相互關聯。參數值用於一經參數化組之處理步驟且與材料性質一起，其等特徵化一DSA方法。合格性檢定分數係基於自一散射輻射場型技術獲得之在使用特徵為該組參數值之DSA方法獲得之一DSA圖案上之散射輻射場型結果。在一起實施例中，合格性檢定分數係基於自一散射輻射場型技術獲得之在使用特徵為該組參數值且應用至包括若干誘發缺陷之一圖案之DSA方法獲得之一DSA圖案上之散射輻射場型結果。
在又一進一步態樣中，本發明亦係關於用於評估如上文中描述之實施為一處理器中之一電腦實施發明之一DSA方法之一方法且係關於對應處理器。此一處理器之一組態可(例如)包含耦合至包含至少一形式之記憶體(例如，RAM、ROM等等)之一記憶體子系統之至少一可程式化計算組件。應注意，計算組件或若干計算組件可係一通用或一專用計算組件，且可包含於一裝置(例如，具有執行其他功能之其他組件之一晶片)中。因此，本發明之一或多個態樣可實施於數位電子電路中，或電腦硬體、韌體、軟體中或其等之組合中。舉例而言，方法步驟之各者可係一電腦實施步驟。因此，雖然一處理器本身係先前技術，但包含實施用於評估一DSA方法之方法之態樣之指令之一系統 非先前技術。
本發明因此亦包含當執行於一計算裝置上時提供根據本發明之方法之任何者之功能性之一電腦程式產品。
在另一態樣中，本發明係關於用於攜載用於評估根據如上文所述之一實施例之一DSA方法之一電腦程式產品之一資料載體。此一資料載體可包括切實體現於其上之一電腦程式產品且可攜載用於藉由一電腦可程式化處理器執行之電腦可讀碼。本發明因此係關於攜載當執行於計算構件上時提供用於執行如上文中所述之方法之任何者之指令之一電腦程式產品之一載體媒體。術語「載體媒體」指參與提供指令至一處理器用於執行之任何媒體。此一媒體可呈包含(但不限於)非揮發性媒體及傳輸媒體之許多形式。非揮發性媒體包含(例如)光碟或磁碟，諸如係大容量儲存器之部分之一儲存裝置。電腦可讀媒體之普通形式包含一CD-ROM、DVD、一軟性碟或軟碟、一磁帶，一記憶體晶片或匣或一電腦可自其讀取之任何其他媒體。多種形式之電腦可讀媒體可涉及將一或多個指令之一或多個序列攜載至一處理器用於執行。電腦程式產品亦可經由一網路(諸如一LAN、一WAN或網際網路)中之一載波而傳輸。傳輸媒體可呈聲波或光波之形式，諸如在無線電波及紅外線資料通信期間產生之該等聲波或光波。傳輸媒體包含同軸電纜、銅導線及纖維光學器件，其等包含包括一電腦內之一匯流排之導線。

Claims (17)

  1. 一種用於評估用於產生定向自組裝圖案之一定向自組裝方法之品質之方法，用於評估之該方法包括獲得特徵化該定向自組裝方法因此特徵化用於產生一定向自組裝層之一特定定向自組裝方法之關於一經參數化組之處理步驟及材料性質之至少一組參數值；獲得在使用特徵為該組參數值之該定向自組裝方法獲得之該定向自組裝層上之一散射輻射場型，因此獲得關於該定向自組裝圖案之散射輻射場型結果，其中該獲得該散射輻射場型包括獲得藉由將特徵為該組參數值之一定向自組裝方法應用於包括若干誘發缺陷之一引導圖案上而獲得之一定向自組裝圖案上之一散射輻射場型；以及基於該等散射輻射場型結果判定一合格性檢定分數且使該合格性檢定分數與該組參數值相互關聯，其中該判定該合格性檢定分數包括判定識別該定向自組裝方法對於該引導圖案中之該等誘發缺陷之一穩健性之一合格性檢定分數。
  2. 如請求項1之方法，其中該等誘發缺陷包含非局部或局部間距偏移、線圖案中之中斷及局部或非局部CD偏置之一或多者。
  3. 如請求項1至2中任一項之方法，其中該等誘發缺陷具有一經調諧缺陷大小。
  4. 如請求項1至2中任一項之方法，其中該等誘發缺陷係系統分佈及/或隨機分佈。
  5. 如請求項1之方法，其中該方法包括獲得關於該經參數化組之處理步驟及材料性質之複數組參數值，該複數組參數值橫跨用於該定向自組裝方法之一程序窗口，執行獲得一散射輻射場型且 判定關於該等組之參數之各者之一合格性檢定分數且基於透過該程序窗口之該等所獲得合格性檢定分數而評估關於該定向自組裝方法之該程序窗口之步驟。
  6. 如請求項1之方法，其中該基於該等散射輻射場型結果判定一合格性檢定分數包括執行該等散射輻射場型結果之一正規化。
  7. 如請求項6之方法，其中執行一正規化包括使用該等自組裝層之掃描電子顯微術量測之一分析正規化該等散射輻射場型結果。
  8. 如請求項1之方法，其中該方法進一步包括比較與該組參數相互關聯之該合格性檢定分數與關於該組參數值在較早時間獲得之一合格性檢定分數且基於該比較而評估該定向自組裝方法是否需要修改。
  9. 如請求項8之方法，其中比較該合格性檢定包括與特定組之參數值相互關聯之先前記錄之合格性檢定分數之一參考之比較。
  10. 如請求項1之方法，其中該方法包括藉由將特徵為該組參數值之一定向自組裝方法應用於包括若干誘發缺陷之一引導圖案上而獲得一定向自組裝層，該引導圖案用於該自組裝方法。
  11. 一種用於當在一處理單元上執行時執行如請求項1至10中任一項之用於評估之一方法之電腦程式產品。
  12. 一種包括如請求項11之一電腦程式產品之資料載體。
  13. 一種如請求項11之電腦程式產品之傳輸，其係透過一區域網路或廣域網路。
  14. 一種儲存一組比較資料之系統，該比較資料使在一方面之特徵化一定向自組裝方法之關於一經參數化組之處理步驟及材料性質之參數值組與基於自一散射輻射場型技術獲得之在使用特徵為該組參數值且應用至包括若干誘發缺陷之一引導圖案之該定向自組裝方法獲得之一定向自組裝層上之散射輻射場型結果之 一合格性檢定分數相互關聯之該定向自組裝方法獲得之一定向自組裝層上之散射輻射場型結果之一合格性檢定分數相互關聯。
  15. 如請求項14中任一項之系統，其中該比較資料係基於掃描電子顯微術參考資料而正規化。
  16. 如請求項14中任一項之系統，該系統進一步包括如請求項11之一電腦程式產品。
  17. 一種比較資料組，該比較資料使在一方面之特徵化一定向自組裝方法之關於一經參數化組之處理步驟及材料性質之參數值組與基於自一散射輻射場型技術獲得之在使用特徵為該組參數值且應用至包括若干誘發缺陷之一引導圖案之該定向自組裝方法獲得之一定向自組裝圖案上之散射輻射場型結果之一合格性檢定分數相互關聯之該定向自組裝方法獲得之一定向自組裝圖案上之散射輻射場型結果之一合格性檢定分數相互關聯。
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