JP7280889B2 - マスクを検査するための方法およびデバイス - Google Patents
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Description
本出願は、2018年3月26日に出願したGerman Patent Application DE 10 2018 107 112.4の優先権を主張する。本出願の内容は、参照により本明細書に組み込まれている。
- 少なくとも1つの回折次数における回折の結果として、瞳面(pupil plane)におけるマスク上に存在するマスク構造の照明により生成された第1の強度分布を測定するステップであって、前記回折次数が、+1次回折次数、-1次回折次数またはより高い回折次数である、第1の強度分布を測定するステップと、
- 前記回折次数における回折の結果として、瞳面における基準構造の照明により生成された第2の強度分布を測定するステップと、
- 第1の強度分布と第2の強度分布との間の差に基づいて、マスク上の少なくとも1つの領域であって領域に対してマスク構造の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する領域を識別するステップとを含む。
- 第1の強度分布と第2の強度分布との間の差に基づいて差分布を計算するステップと、
- 前記差分布に基づいて、マスク上の少なくとも1つの領域であって領域に対してマスク構造の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する領域を識別するステップとを含む。
- 第1の強度分布と第2の強度分布との間の強度重心(intensity centroid)のシフトを突き止めるステップと、
- 前記シフトに基づいて、マスク構造の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する、少なくとも1つの領域を識別するステップとを含む。
- 視野平面におけるマスク上に存在するマスク構造の照明により生成された第3の強度分布を測定するステップと、
- 前記第3の強度分布に基づいてマスク構造における少なくとも1つの横方向オフセットおよび/または少なくとも1つの局所的ピッチ変動を突き止めるステップとをさらに含む。
- 前記第3の強度分布に基づいて線縁部プロファイル(line edge profile)を決定するステップであって、マスク構造における少なくとも1つの横方向オフセットを突き止めるステップが、前記線縁部プロファイルの変化に基づいて実行される、線縁部プロファイルを決定するステップをさらに含む。
- 前記第3の強度分布に基づいて線幅分布を決定するステップであって、マスク構造における少なくとも1つの局所的ピッチ変動を突き止めるステップが、前記線幅分布と、基準マスクに対して突き止めた線幅分布との間の差に基づいて実行される、線幅分布を決定するステップをさらに含む。
[当初請求項1]
電磁放射の、マスクにおけるそれの回折の後の強度の測定に基づいて前記マスクを検査するための方法であって、
a) 少なくとも1つの回折次数における回折の結果として、瞳面における前記マスク上に存在するマスク構造(11、21)の照明により生成された第1の強度分布(14、24)を測定するステップであって、前記回折次数が、+1次回折次数、-1次回折次数またはより高い回折次数である、第1の強度分布(14、24)を測定するステップと、
b) 前記回折次数における回折の結果として、前記瞳面における基準構造(10、20)の照明により生成された第2の強度分布(13、23)を測定するステップと、
c) 前記第1の強度分布(14、24)と前記第2の強度分布(13、23)との間の差に基づいて、前記マスク上の少なくとも1つの領域であって該領域に対して前記マスク構造(11、21)の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する該領域を識別するステップとを含む、方法。
[当初請求項2]
ステップc)が、
前記第1の強度分布(14、24)と前記第2の強度分布(13、23)との間の前記差に基づいて差分布(15、25)を計算するステップと、
前記差分布(15、25)に基づいて、少なくとも1つの領域であって該領域に対して前記マスク構造(11、21)の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する該領域を識別するステップとを含むことを特徴とする、当初請求項1に記載の方法。
[当初請求項3]
前記領域を識別するステップが、前記差分布(15、25)における最大値と最小値との間の差に基づいて実行されることを特徴とする、当初請求項2に記載の方法。
[当初請求項4]
ステップc)が、
前記第1の強度分布(14、24)と前記第2の強度分布(13、23)との間の強度重心のシフトを突き止めるステップと、
前記シフトに基づいて、前記マスク上の少なくとも1つの領域であって該領域に対して前記マスク構造(11、21)の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する該領域を識別するステップとを含むことを特徴とする、当初請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。
[当初請求項5]
前記領域を識別するステップが、強度重心の前記シフトと所定の閾値との比較に基づいて実行されることを特徴とする、当初請求項4に記載の方法。
[当初請求項6]
d) 視野平面における前記マスク上に存在するマスク構造(31、41)の照明により生成された第3の強度分布を測定するステップと、
e) 前記第3の強度分布に基づいて前記マスク構造(31、41)における少なくとも1つの横方向オフセットおよび/または少なくとも1つの局所的ピッチ変動を突き止めるステップとをさらに含むことを特徴とする、当初請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。
[当初請求項7]
f) 前記第3の強度分布に基づいて線縁部プロファイルを決定するステップであって、少なくとも1つの横方向オフセットを突き止めるステップが、前記線縁部プロファイルの変化に基づいて実行される、線縁部プロファイルを決定するステップをさらに含むことを特徴とする、当初請求項6に記載の方法。
[当初請求項8]
g) 前記第3の強度分布に基づいて線幅分布を決定するステップであって、前記マスク構造(31、41)における少なくとも1つの局所的ピッチ変動を突き止めるステップが、前記線幅分布と、前記基準マスクに対して突き止めた線幅分布との間の差に基づいて実行される、線幅分布を決定するステップをさらに含むことを特徴とする、当初請求項6または7に記載の方法。
[当初請求項9]
前記視野平面における生成された前記強度分布を測定するステップが、ステップc)において識別された前記領域だけに対して実行されることを特徴とする、当初請求項6~8のいずれか1項に記載の方法。
[当初請求項10]
前記マスクが、リソグラフィに使用するために設計されることを特徴とする、当初請求項1~9のいずれか1項に記載の方法。
[当初請求項11]
前記マスクが、フラットスクリーンの生産に使用するために設計されることを特徴とする、当初請求項10に記載の方法。
[当初請求項12]
マスクを検査するためのデバイスであって、当初請求項1~11のいずれか1項に記載の方法を実行するように設計されることを特徴とするデバイス。
ΔI=Itarget-Iref (1)
PV=ΔI1MAX-ΔI1MIN (2)
ΔCOG1x=COG1x-COG1’x (3)
ΔCOG1y=COG1y-COG1’y (4)
Claims (9)
- 電磁放射の、マスクにおける前記電磁放射の回折の後の強度の測定に基づいて前記マスクを検査するための方法であって、
a) 少なくとも1つの回折次数における回折の結果として、前記マスク上に存在するマスク構造(11、21)の照明で生成された、瞳面における第1の強度分布(14、24)、を測定するステップであって、前記回折次数が、+1次回折次数、-1次回折次数またはより高い回折次数である、第1の強度分布(14、24)を測定するステップと、
b) 前記回折次数における回折の結果として基準構造(10、20)の照明で生成された前記瞳面における第2の強度分布(13、23)を測定するステップと、
c) 前記第1の強度分布(14、24)と前記第2の強度分布(13、23)との間の差に基づいて、前記マスク構造(11、21)の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する、前記マスク上の少なくとも1つの領域を識別するステップと、
d) 前記識別された領域に対して、前記マスク上に存在するマスク構造(31、41)の照明で生成された視野平面における第3の強度分布を測定するステップと、
e) 前記第3の強度分布に基づいて前記マスク構造(31、41)における少なくとも1つの横方向オフセットおよび/または少なくとも1つの局所的ピッチ変動を定量的に突き止めるステップと
を含み、
ステップc)が、
前記第1の強度分布(14、24)と前記第2の強度分布(13、23)との間の差に基づいて差分布(15、25)を計算するステップと、
前記差分布(15、25)に基づいて、前記マスク構造(11、21)の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する、少なくとも1つの領域を識別するステップとを含み、
前記領域を識別するステップが、前記差分布(15、25)における最大値と最小値との間の差に基づいて実行される、
方法。 - 電磁放射の、マスクにおける前記電磁放射の回折の後の強度の測定に基づいて前記マスクを検査するための方法であって、
a) 少なくとも1つの回折次数における回折の結果として、前記マスク上に存在するマスク構造(11、21)の照明で生成された、瞳面における第1の強度分布(14、24)、を測定するステップであって、前記回折次数が、+1次回折次数、-1次回折次数またはより高い回折次数である、第1の強度分布(14、24)を測定するステップと、
b) 前記回折次数における回折の結果として基準構造(10、20)の照明で生成された前記瞳面における第2の強度分布(13、23)を測定するステップと、
c) 前記第1の強度分布(14、24)と前記第2の強度分布(13、23)との間の差に基づいて、前記マスク構造(11、21)の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する、前記マスク上の少なくとも1つの領域を識別するステップと、
d) 前記識別された領域に対して、前記マスク上に存在するマスク構造(31、41)の照明で生成された視野平面における第3の強度分布を測定するステップと、
e) 前記第3の強度分布に基づいて前記マスク構造(31、41)における少なくとも1つの横方向オフセットおよび/または少なくとも1つの局所的ピッチ変動を定量的に突き止めるステップと
を含み、
ステップc)が、
前記第1の強度分布(14、24)と前記第2の強度分布(13、23)との間の強度重心のシフトを突き止めるステップと、
前記シフトに基づいて、前記マスク構造(11、21)の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する、前記マスク上の少なくとも1つの領域を識別するステップとを含む、
方法。 - 前記領域を識別するステップが、強度重心の前記シフトと所定の閾値との比較に基づいて実行されることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- f) 前記第3の強度分布に基づいて線縁部プロファイルを決定するステップであって、少なくとも1つの横方向オフセットを突き止めるステップが、前記線縁部プロファイルの変化に基づいて実行される、線縁部プロファイルを決定するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。
- g) 前記第3の強度分布に基づいて線幅分布を決定するステップであって、前記マスク構造(31、41)における少なくとも1つの局所的ピッチ変動を突き止めるステップが、前記線幅分布と、前記基準構造(10、20)に対して突き止めた線幅分布との間の差に基づいて実行される、線幅分布を決定するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記視野平面における生成された前記第3の強度分布を測定するステップが、ステップc)において識別された前記領域だけに対して実行されることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マスクが、リソグラフィに使用するために設計されることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マスクが、フラットスクリーンの生産に使用するために設計されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- マスクを検査するためのデバイスであって、請求項1~8のいずれか1項に記載の方法を実行するように設計されることを特徴とするデバイス。
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