JP2021516796A - マスクを検査するための方法およびデバイス - Google Patents

Abstract

本発明は、マスクを検査するための方法およびデバイスに関し、方法は、少なくとも１つの回折次数における回折の結果として、瞳面におけるマスク上に存在するマスク構造（１１、２１）の照明により生成された第１の強度分布（１４、２４）を測定するステップであって、前記回折次数が、＋１次回折次数、−１次回折次数またはより高い回折次数である、第１の強度分布（１４、２４）を測定するステップと、前記回折次数における回折の結果として、瞳面における基準構造（１０、２０）の照明により生成された第２の強度分布（１３、２３）を測定するステップと、第１の強度分布と第２の強度分布との間の差に基づいて、マスク構造の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する、マスク上の少なくとも１つの領域を識別するステップとを含む。

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１８年３月２６日に出願したＧｅｒｍａｎ Ｐａｔｅｎｔ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ＤＥ １０ ２０１８ １０７ １１２．４の優先権を主張する。本出願の内容は、参照により本明細書に組み込まれている。

本発明は、マスクを検査するための方法およびデバイスに関する。

特にリソグラフィに使用するためのマスクの検査は、マスク上に存在する起こり得る欠陥により、結果として構成部品の相対的に大きな生産収率が使用不可能となる場合がある限り、非常に重要である。

ここで特定の課題は、例えばフラットスクリーンの製造またはそのようなフラットスクリーンに必要とされる導体トラック、駆動システムなどのリソグラフィ生産に使用されるなど、比較的大きな寸法を有するマスクのマスク検査である。そのようなフラットスクリーンの寸法測定およびリソグラフィ生産に通常使用される「転写システム」（１：１の結像スケールによる）に関して、関連マスクは、例えば１平方メートル以上の規模の寸法を有する場合がある。

マスクを特徴付けるために、とりわけ、単色照明放射線（ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｉｃ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ ｒａｄｉａｔｉｏｎ）を用いてマスクを照明すること、およびマスク上に存在する構造の回折パターン−プロセスに記録される−において、隣接回折次数の最大の強度の強度指数を突き止めることが知られている。このようにして、例えば、図１０ａに概略図で示すように、均一な「ピッチ」と仮定してマスクにわたる線幅（ＣＤ）の変動を検出することが可能である。この場合、「ピッチ」は、慣習的用語に従って、マスク上に存在する周期的構造の周期性を意味すると理解される。

図１０ａは、試験されるマスク構造１１１および基準構造１１０の両方を、単に概略的なおよび大幅に簡略化された図で示す。図１０ａの下方部分に概略的に示す回折パターンにおいて、試験されるマスク構造１１１に対する強度比Ｉ１’／Ｉ０’は、基準構造１１０に対して取得された強度比Ｉ１／Ｉ０と異なる。この強度比の変化は、線幅の変化に比例する。

しかし、実際に起きる１つの問題は、検査される関連マスクが図１０ａを参照して上記に説明した方法を使用して検出可能でない不規則性または欠陥を有する場合もあることである。その１つの実施例は、マスク上に存在する構造の横方向オフセット（すなわちマスク平面内で起きるオフセット）であり、その場合、理想的な構造と比較して、図１０ｂに単に概略的に示すように、ピッチおよび線幅（ＣＤ）の両方は変更されないままである。図１０ａを参照して説明した方法によって検出可能でないマスク欠陥の他の実施例は、理想的な欠陥のないマスクと再度比較して、図１０ｃに示すなど、局所的ピッチ変動によって構成される。

しかし、同様に、図１０ｂおよび１０ｃを参照して上記に説明した欠陥の種類は、例えばフラットスクリーンなどの構成部品のリソグラフィ生産中に製造欠陥をもたらし、したがって、実際にはそのようなマスク欠陥の信頼性のある検出も必要とされる。これは、特に、シミュレーションにより、画素密度の増加またはマスク上に存在する構造のさらなる低減またはピッチの低減に伴い、リソグラフィ製造プロセスにおけるマスク欠陥の影響が顕著に増加することが分かっているので、画素密度に関して、例えばフラットスクリーンの場合に、要件を増加させる文脈で一層事実である。

先行技術に関して、単に実施例としてＤＥ １０ ２０１１ １２１ ５３２ Ａ１が参照される。

上記の背景に対して、例えばフラットスクリーンをリソグラフィにより生産するためのマスクなどの比較的大きな寸法を有するマスクの場合でも、耐えられる持続時間により信頼性のあるおよび再現可能な検査を可能にするマスクを検査するための方法およびデバイスを提供することが本発明の目的である。

この目的は、独立請求項１の特徴による方法および代替独立請求項１２の特徴によるデバイスによって実現される。

電磁放射の、マスクにおけるその回折の後の強度の測定に基づいてマスクを検査するための本発明による方法が、
− 少なくとも１つの回折次数における回折の結果として、瞳面（ｐｕｐｉｌ ｐｌａｎｅ）におけるマスク上に存在するマスク構造の照明により生成された第１の強度分布を測定するステップであって、前記回折次数が、＋１次回折次数、−１次回折次数またはより高い回折次数である、第１の強度分布を測定するステップと、
− 前記回折次数における回折の結果として、瞳面における基準構造の照明により生成された第２の強度分布を測定するステップと、
− 第１の強度分布と第２の強度分布との間の差に基づいて、マスク上の少なくとも１つの領域であって領域に対してマスク構造の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する領域を識別するステップとを含む。

本発明は、特に、マスク欠陥を決定するために、それぞれ試験されたマスク構造自体によって生じた回折パターンの強度差または指数を参照することだけでなく、＋１次回折次数、−１次回折次数またはより高い回折次数で瞳面における試験されるマスク構造によって生成された強度分布と、同じ回折次数で瞳面における欠陥のない基準構造によって生成された強度分布との間の差（例えば、それが以下に説明するやり方で表されているとき）を考慮することの概念に基づく。

この場合、基準構造は、試験されるマスク自体上または別個の（基準）マスク上のいずれかに位置することができ、好ましくは、どんなものであれ横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動を有さないことによって区別される。

この場合、本発明は、導入部で説明した横方向オフセットおよび局所的ピッチ変動の形の欠陥であって、図１０ａを参照して説明した方法によって識別可能でない前記欠陥は、関連（±１次またはより高い）回折次数で瞳面における試験されるマスク構造によって生成された強度分布と、同じ回折次数で瞳面における欠陥のない基準構造によって生成された強度分布との差で表現され、識別可能であるとの洞察を利用する。

この場合、視野平面における強度測定の場合に必要とされる焦点位置および／または最適コントラストを設定するステップが、瞳面において実行される測定の場合に不必要であり、マスクの比較的大きな領域に関する所望の強度情報が単一の測定ステップでも提供されるので、瞳面におけるそれぞれのマスク構造および基準構造によって生成された強度分布の本発明による測定は、瞳面において実行されたそのような測定が、視野測定と比較して顕著に速く実施することができるという利点をさらに有する。

これから進めると、本発明は、試験されるマスク構造および基準構造に対して実行される上記に説明した瞳面における強度分布の測定に基づいて、横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動が実際に予測される、試験されるマスク上の領域をまず識別することの−言わば、定性的に−次いで、その後の視野平面測定において、関連欠陥（すなわち横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動）の定量的決定を実行するために−それは、ついで、前に識別された領域だけに対して実行される必要がある−さらなる概念を含む。

本発明は、結果として、耐えられる時間で、したがって、比較的大きな面積のマスクの場合でも、特に、論じられる横方向オフセットおよび局所的ピッチ変動を考慮にいれた総合的なマスク検査を可能にする。

一実施形態によれば、横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動がマスク構造に存在する、少なくとも１つの領域を識別するステップが、
− 第１の強度分布と第２の強度分布との間の差に基づいて差分布を計算するステップと、
− 前記差分布に基づいて、マスク上の少なくとも１つの領域であって領域に対してマスク構造の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する領域を識別するステップとを含む。

一実施形態によれば、前記領域を識別するステップが、差分布における最大値と最小値との間の差に基づいて実行される。

一実施形態によれば、少なくとも１つの領域であって領域に対してマスク構造に横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する領域を識別するステップが、
− 第１の強度分布と第２の強度分布との間の強度重心（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｃｅｎｔｒｏｉｄ）のシフトを突き止めるステップと、
− 前記シフトに基づいて、マスク構造の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する、少なくとも１つの領域を識別するステップとを含む。

一実施形態によれば、前記領域を識別するステップが、強度重心のシフトと所定の閾値との比較に基づいて実行される。

一実施形態によれば、方法は、
− 視野平面におけるマスク上に存在するマスク構造の照明により生成された第３の強度分布を測定するステップと、
− 前記第３の強度分布に基づいてマスク構造における少なくとも１つの横方向オフセットおよび／または少なくとも１つの局所的ピッチ変動を突き止めるステップとをさらに含む。

一実施形態によれば、方法は、
− 前記第３の強度分布に基づいて線縁部プロファイル（ｌｉｎｅ ｅｄｇｅ ｐｒｏｆｉｌｅ）を決定するステップであって、マスク構造における少なくとも１つの横方向オフセットを突き止めるステップが、前記線縁部プロファイルの変化に基づいて実行される、線縁部プロファイルを決定するステップをさらに含む。

一実施形態によれば、方法は、
− 前記第３の強度分布に基づいて線幅分布を決定するステップであって、マスク構造における少なくとも１つの局所的ピッチ変動を突き止めるステップが、前記線幅分布と、基準マスクに対して突き止めた線幅分布との間の差に基づいて実行される、線幅分布を決定するステップをさらに含む。

一実施形態によれば、視野平面における生成された強度分布を測定するステップは、マスク構造に横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する、前に識別された領域だけに対して実行される。

本発明の実施形態において、マスクは、リソグラフィに使用するために、特にフラットスクリーンの生産に使用されるために設計される。

本発明は、さらに、マスクを検査するためのデバイスに関し、デバイスは、上記に説明した特徴を有する方法を実行するように設計される。デバイスの利点および好ましい構成に関して、本発明による方法に関連した説明が参照される。

本発明の他の構成は、明細書本文および従属請求項から推測することができる。

本発明は、添付の図に示す例示的な実施形態に基づいて以下により詳細に説明される。

瞳面における強度分布の測定に基づいて横方向オフセットを識別するための本発明の基礎となる原理を明瞭にするための概略図である。 瞳面における強度分布の測定に基づいて横方向オフセットを識別するための本発明の基礎となる原理を明瞭にするための概略図である。 瞳面における強度分布の測定に基づいて局所的ピッチ変動を識別するための本発明の基礎となる原理を明瞭にするための概略図である。 瞳面における強度分布の測定に基づいて局所的ピッチ変動を識別するための本発明の基礎となる原理を明瞭にするための概略図である。 視野平面における強度分布の測定に基づいて横方向オフセットを突き止めるための本発明の基礎となる原理を明瞭にするための概略図である。 視野平面における強度分布の測定に基づいて局所的ピッチ変動を突き止めるための本発明の基礎となる原理を明瞭にするための概略図である。 二次元マスク構造に対する横方向オフセットを突き止めるための本発明の基礎となる原理を明瞭にするための概略図である。 二次元マスク構造に対する横方向オフセットを突き止めるための本発明の基礎となる原理を明瞭にするための概略図である。 二次元マスク構造に対する局所的ピッチ変動を突き止めるための本発明の基礎となる原理を明瞭にするための概略図である。 本発明による方法の可能な順序を明瞭にするための流れ図である。 瞳面における強度分布の測定に基づいて図８からの方法において実行される横方向オフセットの識別を示すための概略図である。 瞳面における強度分布の測定に基づいて図８からの方法において実行される横方向オフセットの識別を示すための概略図である。 マスク欠陥を識別するための従来の方法を明瞭にするための概略図である。 この方法に対して存在する限界を明瞭にするための概略図である この方法に対して存在する限界を明瞭にするための概略図である。

図１〜９を参照して本発明の実施形態を以下に説明する。

本発明は、第１の段階において、まず、領域であって領域に対して横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動が予測される領域が、（比較的高速の）瞳孔測定に基づいて識別される限りにおいて、とりわけ、特に比較的大きな寸法を有するマスク（例えばフラットスクリーンをリソグラフィにより生産するためのなど）を２段階検査として試験するためのマスク検査を実行することの概念を含む。次いで、その後の第２の段階において、関連した横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動が、第１のフェーズで識別された関連領域において（比較的低速の）視野測定だけに基づいて定量的に突き止められる。

以下、まず、図１ａ〜１ｂおよび図２ａ〜２ｂにおける概略図を参照して、上述の瞳孔測定（すなわち瞳面におけるマスク構造の照明により生成された強度分布の測定）に対する実施形態の説明を行う。その後、図３および図４における概略図を参照して、上記に記述した視野測定（すなわち視野平面におけるマスク構造の照明により生成された強度分布の測定）を同様に実行するための実施形態の説明を行う。ここで、それぞれの場合の図１〜４の図において−本発明がそれに制限されることなく−一次元構造（１Ｄ構造）が基礎とみなされ、その後、図５〜７を参照して二次元マスク構造（２Ｄ構造）への拡大を説明する。

図１ａは、まず、本発明に従って試験されるマスク構造１１および基準構造１０の両方を単に概略的なおよび大幅に簡略化された図で示す。試験されるマスク構造１１および基準構造１０は、周期的におよび均一なピッチ（すなわち一定の周期性）を有して、示される周期システムに対してｙ方向に延び、試験されるマスク構造１１は、図１ａに示すように横方向オフセット（すなわちｘ−ｙ平面に存在するオフセット）を有する。対照的に、基準構造１０は、どんなものであれ欠陥を何も有さない（横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動を含む）完全な構造である。

図１ａの下方部分に概略的に示すように、マスク構造１１における上記に説明した横方向オフセットを識別するために、次いで、本発明には、瞳面において生成されたそれぞれの回折パターンを記録するステップまたは前記瞳面において生成された強度分布を測定するステップが関与する。ＤＥ １０ ２０１１ １２１ ５３２ Ａ１から知られる（および前記ＤＥ １０ ２０１１ １２１ ５３２ Ａ１の図１および図２に説明され、例示される）測定セットアップをこれらの回折パターンを記録するために使用することができる。この場合、これらの回折パターンの記録または瞳面における強度分布の測定は、＋１次回折次数および／または−１次回折次数および／またはより高い回折次数で実行され、結果として、図１ａに概略的に示す強度分布１３（基準構造１０に対する）および１４（試験されるマスク構造１１に対する）となる。

図１ａから明らかなように、試験されるマスク構造１１に存在する横方向オフセットは、±１次回折次数に対して取得された強度分布の変化で表される。本発明によれば、次いで、まず、マスク構造１１に対して取得された（第１の）強度分布１４と、基準構造１０に対して取得された（第２の）強度分布１３との間の差として差分布を決定することが、方程式（１）により可能である。
ΔＩ＝Ｉ_target−Ｉ_ref （１）

この場合、Ｉ_targetは、マスク構造１１に対して実行された強度測定において取得された値を表し、Ｉ_refは、基準構造１０に対して実行された強度測定において取得された値を表す。結果として得られた差分布は、同様に概略的に示され、図１ａに「１５」で表される。

図１ｂの下方部分に示すように、次いで、横方向オフセットの存在に対する基準として、方程式（２）による前記差分布（ＰＶ値、ＰＶ＝「山部から谷部までの（Ｐｅａｋ ｔｏ Ｖａｌｌｅｙ）」）内の最大値と最小値との間の差を使用することが可能である。
ＰＶ＝ΔＩ_1MAX−ΔＩ_1MIN （２）

他の実施形態において、図１ｂの上方部分に概略的に示すように、横方向オフセットの存在に対する基準として、強度分布１３および１４におけるそれぞれの強度重心のシフトを使用することも可能である。この場合、ｘ方向への強度重心（ＣＯＧ＝「重心（Ｃｅｎｔｒｅ ｏｆ Ｇｒａｖｉｔｙ）」）の前記シフトを計算することが特に方程式（３）によりさらに可能であり、横方向オフセットは、この差が所定の閾値を超える場合と仮定する。
ΔＣＯＧ１_x＝ＣＯＧ１_x−ＣＯＧ１’_x （３）

図２ａおよび図２ｂは、瞳面における±１次回折次数で取得された強度分布の上記に説明した測定から同様に可能である局所的ピッチ変動の識別を明瞭にするのに役立つ。そのような局所的ピッチ変動は、試験されるマスク構造２１において起き、それは次いで図２ａに概略的に示し、このマスク構造２１に対して瞳面における取得された強度分布２４の測定および基準構造２０に対して取得された強度分布２３との比較によって図１ａ〜１ｂに類似したやり方で識別することができ、それは、次いで、方程式（２）に基づいてまたは方程式（４）によるｙ方向へのそれぞれの強度重心のシフトに基づいて差分布２５を計算することによって実行することができる。
ΔＣＯＧ１_y＝ＣＯＧ１_y−ＣＯＧ１’_y （４）

図３および図４は、横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動の上記に説明した識別の後に実行することができるこれらの欠陥のより徹底した（特にやはり定量的な）突き止めを明瞭にするための概略図を示す。図１および図２を参照して説明した実施形態と対照的に、前記突き止めは、瞳孔測定に基づいてではなく、むしろ視野測定に基づいて、すなわちそれぞれ視野平面において取得された強度分布を決定することによって実行される。さらに、定量的決定は、好ましくは、横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動がそれぞれ試験されるマスク構造において前に識別された領域だけに対して実行される。

図３によれば、視野平面において測定された強度分布に対してマスク構造３１における横方向オフセットを定量的に決定するために、線縁部プロファイルの変化を計算することが可能であり、前記変化は、次いで、所定の閾値と比較することができる。

図４によれば、試験されるマスク構造４１に存在する局所的ピッチ変動を突き止めるために、線幅分布は、突き止めることができ、欠陥のない基準構造４０に対して取得された線幅分布と比較することができ、特に、両方の線幅分布の間の差を計算することができる。この場合、任意選択で、マスク構造の暗領域（＝「線（ｌｉｎｅｓ）」）または明領域（＝「間隔（ｓｐａｃｅｓ）」）を評価のために使用することができる。

簡単にするために、それぞれの場合に上記の一次元（１Ｄ）マスク構造を参照してきたが、本発明は、類似したやり方で二次元（２Ｄ）マスク構造にも適用可能である。図５〜７は、それぞれ、欠陥のない基準構造５０、６０および７０と比較して、それぞれ、それぞれの場合に試験される二次元マスク構造５１、６１および７１に対して対応する概略図を示し、ここで関連マスク構造は、コンタクトホールによって形成される。図５は、異なるコンタクトホールの間に横方向オフセットを有する、試験されるマスク構造５１の実施例を示し、図６は、それぞれの場合にまったく同一のコンタクトホール内に起きる横方向オフセットを有する、試験されるマスク構造６１を示す。図７は、局所的ピッチ変動を有する、試験されるマスク構造７１を示す。

図８は、本発明によるマスク検査方法の可能な順序を明瞭にするための流れ図を示す。

図８によれば、第１のステップＳ８１には、例えば図１ａ〜１ｂおよび図２ａ〜２ｂを参照して説明した実施形態による、試験されるマスク構造および欠陥のない基準構造の両方に対して瞳面における強度測定に基づいて横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動を有する領域を識別するステップが関与する。ステップＳ８１において実行される瞳面における強度測定は、ここで関連マスクの試験される表面の全域走査により実施され、図９ａは、対応する測定点分布９１の概略図を示す。この場合、測定点の密度は、結像視野の利用可能サイズおよび隣接結像視野によって対応される重なり領域のサイズに依存し、前記重なり領域は、図９ａの下方部分に概略的に示す。

図８を再度参照すると、次いで、ステップＳ８２には、測定点または測定領域を画定するステップが関与し、それに対して、横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動の定量的決定が、その後の視野測定に基づいて実行されることが意図される。図９ｂは、試験されるマスク上の部分領域９１ａを概略図で示し、それに対して、ステップＳ８１において実行される瞳孔測定に基づいて、横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動の形の欠陥が予測され、および、それに対して、これらの影響を定量的にまとめるために、その後の視野測定が実行される。

その後のステップＳ８３には、例えば図３および図４を参照して説明した実施形態により、横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動を定量的に突き止めるために、これらの視野測定（すなわち視野平面における強度測定）を実行するステップが関与する。ステップＳ８４は、その後、検出された横方向オフセットおよび／または局所的ピッチ変動を有する、対応するマップを出力するステップが関与する。

本発明を具体的な実施形態に基づいて説明してきたが、例えば、個々の実施形態の特徴の組合せおよび／または交換によって、数多くの変形形態および代替実施形態が当業者には明らかである。したがって、そのような変形形態および代替実施形態がそれに付随して本発明によって包含され、本発明の範囲が添付の特許請求の範囲の意図およびその同等のもの内だけに制限されることは、当業者には言うまでもない。

Claims (12)

1. 電磁放射の、マスクにおけるそれの回折の後の強度の測定に基づいて前記マスクを検査するための方法であって、
   ａ） 少なくとも１つの回折次数における回折の結果として、瞳面における前記マスク上に存在するマスク構造（１１、２１）の照明により生成された第１の強度分布（１４、２４）を測定するステップであって、前記回折次数が、＋１次回折次数、−１次回折次数またはより高い回折次数である、第１の強度分布（１４、２４）を測定するステップと、
   ｂ） 前記回折次数における回折の結果として、前記瞳面における基準構造（１０、２０）の照明により生成された第２の強度分布（１３、２３）を測定するステップと、
   ｃ） 前記第１の強度分布（１４、２４）と前記第２の強度分布（１３、２３）との間の差に基づいて、前記マスク上の少なくとも１つの領域であって該領域に対して前記マスク構造（１１、２１）の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する該領域を識別するステップとを含む、方法。
2. ステップｃ）が、
   前記第１の強度分布（１４、２４）と前記第２の強度分布（１３、２３）との間の前記差に基づいて差分布（１５、２５）を計算するステップと、
   前記差分布（１５、２５）に基づいて、少なくとも１つの領域であって該領域に対して前記マスク構造（１１、２１）の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する該領域を識別するステップとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記領域を識別するステップが、前記差分布（１５、２５）における最大値と最小値との間の差に基づいて実行されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
4. ステップｃ）が、
   前記第１の強度分布（１４、２４）と前記第２の強度分布（１３、２３）との間の強度重心のシフトを突き止めるステップと、
   前記シフトに基づいて、前記マスク上の少なくとも１つの領域であって該領域に対して前記マスク構造（１１、２１）の横方向オフセットまたは局所的ピッチ変動が存在する該領域を識別するステップとを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
5. 前記領域を識別するステップが、強度重心の前記シフトと所定の閾値との比較に基づいて実行されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
6. ｄ） 視野平面における前記マスク上に存在するマスク構造（３１、４１）の照明により生成された第３の強度分布を測定するステップと、
   ｅ） 前記第３の強度分布に基づいて前記マスク構造（３１、４１）における少なくとも１つの横方向オフセットおよび／または少なくとも１つの局所的ピッチ変動を突き止めるステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
7. ｆ） 前記第３の強度分布に基づいて線縁部プロファイルを決定するステップであって、少なくとも１つの横方向オフセットを突き止めるステップが、前記線縁部プロファイルの変化に基づいて実行される、線縁部プロファイルを決定するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
8. ｇ） 前記第３の強度分布に基づいて線幅分布を決定するステップであって、前記マスク構造（３１、４１）における少なくとも１つの局所的ピッチ変動を突き止めるステップが、前記線幅分布と、前記基準マスクに対して突き止めた線幅分布との間の差に基づいて実行される、線幅分布を決定するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項６または７に記載の方法。
9. 前記視野平面における生成された前記強度分布を測定するステップが、ステップｃ）において識別された前記領域だけに対して実行されることを特徴とする、請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. 前記マスクが、リソグラフィに使用するために設計されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
11. 前記マスクが、フラットスクリーンの生産に使用するために設計されることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
12. マスクを検査するためのデバイスであって、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法を実行するように設計されることを特徴とするデバイス。

Images