JP6519641B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置10の平面図である。半導体装置10はIGBT12とダイオード14を備えたRC−IGBTで構成されている。ダイオード14は島状に4つ形成されている。ダイオード14を囲むようにIGBT12が形成されている。IGBT12の一部にはゲートパッド12aが設けられている。半導体装置10の最外周にはn+型のエミッタ層16がある。
図7は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の平面図である。図8は、図7の破線部分102の拡大図である。第1トレンチゲート20は平行に設けられた第1ストライプ部20d、20e、20f、20gを備えている。第2トレンチゲート30は平行に設けられた第2ストライプ部30d、30e、30f、30gを備えている。第2トレンチゲート30は、第1トレンチゲート20と離れることで第1トレンチゲート20と絶縁されている。なお、第2トレンチゲート30はエミッタ電極に接続されている。
図9は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置のIGBTとダイオードの境界部分の平面図である。実施の形態3に係る半導体装置は、IGBTとダイオードの境界構造に特徴がある。第2トレンチゲート30は、第1トレンチゲート20と離れて設けられることで、第1トレンチゲート20と絶縁されている。第2トレンチゲート30はエミッタ電極に接続されている。第1ストライプ部20h、20i、20j、20kの伸長方向にそれぞれ第2ストライプ部30h、30i、30j、30kがある。
図12は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置300の平面図である。半導体装置300はストライプ状のIGBT302A、302Bと、ストライプ状のダイオード304A、304B、304Cを備えている。IGBT302Aはダイオード304Aとダイオード304Bに挟まれている。IGBT302Bはダイオード304Bとダイオード304Cに挟まれている。このように、横長に形成されたIGBTとダイオードが交互に設けられている。なお、IGBT302A、302Bのゲート電流はゲートパッド302aから供給される。
Claims (6)
- 第1トレンチゲートとエミッタ層が基板の表面側に形成され、コレクタ層が前記基板の裏面側に形成されたIGBTと、
第2トレンチゲートとアノード層が前記基板の表面側に形成され、カソード層が前記基板の裏面側に形成されたダイオードと、を備え、
前記第2トレンチゲートは前記第1トレンチゲートと絶縁され、
前記第1トレンチゲートは複数の第1ストライプ部を備え、
前記第2トレンチゲートは複数の第2ストライプ部を備え、
前記第2トレンチゲートは、前記第1トレンチゲートの伸長方向に、前記第1トレンチゲートとギャップを設けて配置され、
前記ギャップは平面視で千鳥形となることを特徴とする半導体装置。 - 前記ギャップの長さは、前記複数の第1ストライプ部のストライプ間距離と前記複数の第2ストライプ部のストライプ間距離のうち大きい方の距離以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ギャップは、ギャップ間の最短距離が、前記複数の第1ストライプ部のストライプ間距離と前記複数の第2ストライプ部のストライプ間距離のうち大きい方の距離以上となるように設けられたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記エミッタ層に接続されたエミッタ電極を備え、
前記第2トレンチゲートは前記エミッタ電極と電気的に接続されたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第2トレンチゲートはフローティングとなっていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2トレンチゲートは、埋め込み酸化膜で形成されたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
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