JP6508405B1 - 絶縁導体および絶縁導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この場合、低濃度フッ素層と高濃度フッ素層に含まれるフッ素樹脂は、表面自由エネルギーが低く、熱硬化性樹脂との相溶性が低いため、加熱することにより、絶縁皮膜の表面側に移動するので、絶縁皮膜表面の摩擦係数がより低くなり、潤滑性がより高くなる。
この場合、低濃度フッ素層は、熱硬化性樹脂の硬化物を含む海相とフッ素樹脂を含む島相とに分かれた非連続的な海島構造となるので、低濃度フッ素層中の熱硬化性樹脂の硬化物とフッ素樹脂との間の亀裂が成長しにくくなり、大きな亀裂がより生じにくくなる。
この場合、高濃度フッ素層のフッ素原子含有量が、前記低濃度フッ素層の厚み方向における中央領域のフッ素原子含有量よりも7原子%以上高いので、絶縁皮膜表面の摩擦係数が確実に低くなり、潤滑性が確実に高くなる。
この場合、高濃度フッ素層のフッ素原子含有量が35原子%以上であるので、絶縁皮膜表面の摩擦係数がより低くなり、潤滑性がより確実に高くなる。
この場合、低濃度フッ素層と高濃度フッ素層とが連続相であるので、コイル状に巻回させたときでも低濃度フッ素層と高濃度フッ素層とがより剥離しにくくなり、可撓性がより確実に向上する。
この場合、高濃度フッ素層の厚みが0.5μm以上5μm以下の範囲内にあるので、高濃度フッ素層の強度が高くなり、潤滑性を安定して高くすることができる。
この場合、加熱工程における加熱時間が5分以上とされているので、熱可塑性フッ素樹脂粒子を確実に乾燥電着層の表面側に移動させることでき、これにより表面の潤滑性がより高い絶縁皮膜を備えた絶縁導体を製造することが可能となる。
図1は、本発明の一実施形態である絶縁導体の横断面図である。
本実施形態の絶縁導体10は、図1に示すように、導体11と、導体11の表面に備えられた絶縁皮膜12とを有する。
導体11の材質は、良好な導電性を有する銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属であることが好ましい。図1に記載されている導体11は、横断面が円形の金属線とされているが、導体11の横断面形状は特に制限はなく、例えば、楕円形、四角形であってもよい。また、導体11は、金属板であってもよい。
絶縁皮膜12は、導体11の表面側に配置された低濃度フッ素層13と、低濃度フッ素層13の外側表面(導体11側とは反対側の表面)の少なくとも一部に配置された高濃度フッ素層14とを有する。低濃度フッ素層13は、熱硬化性樹脂の硬化物およびフッ素樹脂を含み、相対的にフッ素原子含有量が高濃度フッ素層14よりも低い。高濃度フッ素層14は、熱硬化性樹脂の硬化物およびフッ素樹脂を含み、相対的にフッ素原子含有量が低濃度フッ素層13よりも高い。
低濃度フッ素層13は、導体11の表面を被覆して、導体11を絶縁する作用を有する。
低濃度フッ素層13は、熱硬化性樹脂の硬化物およびフッ素樹脂を含む。低濃度フッ素層13中のフッ素樹脂は、低濃度フッ素層13の比誘電率を低減させ、部分放電を発生し難くし、かつ部分放電開始電圧を高くする効果がある。
高濃度フッ素層14は、絶縁皮膜12表面の潤滑性を向上させる作用を有する。
高濃度フッ素層14は、熱硬化性樹脂の硬化物およびフッ素樹脂を含む。高濃度フッ素層14は、フッ素原子含有量が低濃度フッ素層13より相対的に高いので、摩擦係数が低く、潤滑性が高い。高濃度フッ素層14に含まれている熱硬化性樹脂の硬化物およびフッ素樹脂は、低濃度フッ素層13に含まれている熱硬化性樹脂の硬化物およびフッ素樹脂と同じであることが好ましい。また、低濃度フッ素層13と高濃度フッ素層14とが同じ熱硬化性樹脂の硬化物およびフッ素樹脂を含むことによって、低濃度フッ素層13と高濃度フッ素層14との密着性が高くなり、可撓性が向上する。
高濃度フッ素層14のフッ素原子含有量は、例えば、高濃度フッ素層14の厚み方向に沿って各元素の含有量を線分析し、高濃度フッ素層14に含まれる各元素の含有量を算出することによって求めることができる。
図2は、本発明の一実施形態である絶縁導体の製造方法のフロー図である。
本実施形態の絶縁導体の製造方法は、図2に示すように、電着工程S01と、乾燥工程S02と、加熱工程S03とを含む。
電着工程S01では、導体の表面に、熱硬化性樹脂粒子とフッ素樹脂粒子とを含む電着液を電着させて、電着層付き導体を得る。ここで、電着液について、熱硬化性樹脂粒子が、イミド結合を有するポリイミド系樹脂粒子である場合を例にとって説明する。
電着液は、分散媒と固形分とからなる。固形分は、ポリイミド系樹脂粒子とフッ素樹脂粒子とを含む。
(ポリイミド系樹脂ワニスの合成)
先ず、撹拌機、冷却管、窒素導入管及び温度計を備えた2リットルの四つ口フラスコ内に、極性溶剤と、イソシアネート成分と酸成分とを混合し、80〜130℃の温度に昇温してこの温度に2〜8時間保持して反応させることにより、ポリイミド系樹脂を得る。ここで、イソシアネート成分としては、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート(MDI)、ジフェニルメタン−3,3’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−3,4’−ジイソシアネート、ジフェニルエーテル−4,4’−ジイソシアネート、ベンゾフェノン−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルスルホン−4,4’−ジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート等が挙げられ、酸成分としてはトリメリット酸無水物(TMA)、1,2,5−トリメリット酸(1,2,5−ETM)、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物(OPDA)、ピロメリット酸二無水物(PMDA)、4,4’−(2,2’−ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸二無水物等が挙げられる。その後、上記合成したポリイミド系樹脂を、極性溶剤により希釈してポリイミド系樹脂ワニスを調製する。
次いで、上記得られたポリイミド系樹脂ワニスを、有機溶剤で更に希釈し、塩基性化合物を加えた後、撹拌しつつ、室温下で水を添加する。これにより、メジアン径が50nm以上400nm以下の範囲内にあるポリイミド系樹脂粒子の分散液が得られる。
市販のフッ素樹脂粒子のディスパージョンを水で希釈した後、撹拌することにより、メジアン径が50nm以上500nm以下の範囲内にあるフッ素樹脂粒子の分散液が得られる。
ポリイミド系樹脂粒子の分散液とフッ素樹脂粒子の分散液を混合することにより、電着液が得られる。
電着液を導体の表面に電着させる方法としては、電着液に対向電極と導体とを浸漬し、次いで、対向電極を陰極とし、導体を陽極として、直流電圧を印加する方法を用いることができる。印加する直流電圧は、1V以上600V以下の範囲内にあることが好ましい。直流電圧印加時の電着液の温度は、5℃以上40℃以下の範囲内にあることが好ましい。直流電圧の印加時間は0.01秒以上30秒以下の範囲内にあることが好ましい。
乾燥工程S02では、電着工程S01で得られた電着層付き導体を、加熱して乾燥させて、乾燥電着層付き導体を得る。電着層付き導体の乾燥雰囲気は、特に制限はなく、大気雰囲気であってもよいし、不活性雰囲気であってもよい。
乾燥温度は、ポリイミド系樹脂粒子の硬化温度以上、通常は、220℃以上で、かつフッ素樹脂粒子の融点以下の範囲内にあることが好ましい。乾燥温度がこの範囲にあると、フッ素樹脂粒子を外部に流出させずに、電着層を効率よく乾燥させることができる。この乾燥により、電着層中のポリイミド系樹脂粒子が硬化して、ポリイミド系樹脂硬化物を含む海相が形成され、その海相にフッ素樹脂粒子が分散した乾燥電着層が生成する。乾燥時間は、乾燥温度、導体のサイズや電着層の厚みなどの要因によって変動するが、通常は1分以上10分以下の範囲内である。
加熱工程S03では、乾燥工程S02で得られた乾燥電着層付き導体を、フッ素樹脂粒子の融点に対して−40℃以上+30℃以下の温度で加熱する。この加熱処理によって乾燥電着層中のフッ素樹脂粒子が溶融あるいは軟化して、乾燥電着層の表面にフッ素樹脂が移動し、これによって、高濃度フッ素層が生成する。加熱工程S03は、乾燥工程S02と同じ加熱装置を用いて、乾燥工程S02と連続して行うことが好ましい。
例えば、図1に記載されている絶縁導体10では、高濃度フッ素層14は低濃度フッ素層13の表面全体を覆うように形成されているが、この場合に限定されるものではない。高濃度フッ素層14は、低濃度フッ素層13の表面の一部に形成されていればよい。また、本実施形態の絶縁導体10においては、さらに絶縁導体10の潤滑性を向上させるために、絶縁皮膜12の高濃度フッ素層14の外周面にフッ素樹脂を単独で含むフッ素樹脂単独層を設けてもよい。この場合、高濃度フッ素層14とフッ素樹脂単独層とは、それぞれフッ素樹脂を含むので、密着性が高くなる。
[ポリイミド系樹脂ワニスの合成]
先ず、撹拌機、冷却管、窒素導入管及び温度計を備えた2リットルの四つ口フラスコ内に、有機溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン747g、イソシアネート成分として4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート298g(1.19モル)、及び酸成分として無水トリメリット酸227g(1.18モル)を投入して130℃まで昇温させた。この温度で約4時間反応させることにより、数平均分子量が17000のポリアミドイミド樹脂(PAI)を得た。その後、上記合成したポリアミドイミド樹脂を、有機溶媒としてN−メチル−2−ピロリドンを使用し、ポリアミドイミド樹脂(不揮発分)の濃度が20質量%となるように希釈したポリアミドイミドワニス(ポリアミドイミド樹脂:N−メチル−2−ピロリドン=20質量%:80質量%)を得た。
次いで、上記得られたポリアミドイミドワニス62.5gを、N−メチル−2−ピロリドン140gで更に希釈し、塩基性化合物であるトリ−n−プロピルアミン0.5gを加えた後、この液を回転速度10000rpmの高速で撹拌しつつ、常温下(25℃)で水を47g添加した。これにより、メジアン径160nmのポリアミドイミド樹脂粒子の分散液(ポリアミドイミド樹脂粒子:N−メチル−2−ピロリドン:水:トリ−n−プロピルアミン=5質量%:76質量%:18.8質量%:0.2質量%)250gを得た。
市販のペルフルオロアルコキシフッ素樹脂(PFA)ディスパージョンを水で希釈した後、攪拌し、PFA粒子分散液を得た(メジアン径200nm、PFA粒子:水=30質量%:70質量%)。
ポリアミドイミド樹脂(PAI)粒子分散液60gとフッ素樹脂(PFA)粒子分散液10gを混合し電着液を得た(PAI粒子:PFA粒子:N−メチル−2−ピロリドン:水:トリ−n−プロピルアミン=4.3質量%:4.3質量%:65質量%:26.2質量%:0.2質量%)。
上記調製した電着液を用いて絶縁銅線を作製した。具体的には、先ず、電着液を電着槽内に貯留し、この電着槽内の電着液の温度を20℃とした。次いで、長さが300mmで直径が1mmの銅線(導体)を陽極とし、上記電着槽内の電着液に挿入された円筒型の銅板を陰極とし、銅線と円筒型の銅板との間に直流電圧100Vを印加した状態で、銅線及び円筒型の銅板を電着槽内の電着液中に30秒間保持した。これにより銅線の表面に電着層が形成された電着層付き銅線を得た。次に、電着層付き銅線をマッフル炉に投入して、250℃で5分間加熱して、電着層を乾燥させて、乾燥電着層付き銅線を得た。その後、マッフル炉の温度を300℃に昇温し、その温度で乾燥電着層付き銅線を5分間加熱して、表面に厚み約40μmの絶縁皮膜が形成された銅線を得た。この絶縁皮膜付きの銅線(絶縁銅線)を本発明例1とした。
表1に示すように、フッ素樹脂粒子の種類をそれぞれ変えたこと以外は、本発明例1と同様にして、表面に厚み約40μmの絶縁皮膜が形成された銅線を得た。この絶縁皮膜付きの銅線(絶縁銅線)を本発明例2〜4とした。なお、表1中、「PFA」はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂であり、「FEP」は、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体であり、「PTFE」は、ポリテトラフルオロエチレンである。
乾燥電着層付き銅線の加熱処理を実施しなかったことは本発明例1と同様にして、表面に厚み約40μmの絶縁皮膜が形成された銅線を得た。この絶縁皮膜付きの銅線(絶縁銅線)を比較例1とした。
得られた絶縁銅線(絶縁導体)について、絶縁皮膜の元素分布およびフッ素原子含有量と、摩擦係数と、可撓性と、低濃度フッ素層の構造とを下記の方法により測定した。
元素分布は絶縁銅線を樹脂埋めし研磨により断面を出した後、SEM−EDS分析装置(日立ハイテク社製、電子顕微鏡SU8230)により、絶縁銅線の絶縁皮膜断面のSEM写真と、その絶縁皮膜断面のフッ素原子の元素マッピング画像を撮影した。そして、得られたSEM写真と元素マッピング画像から、絶縁皮膜に低濃度フッ素層と高濃度フッ素層とが形成されているか、あるいは高濃度フッ素層が形成されず絶縁皮膜が絶縁層単層であるかを確認した。また、絶縁銅線の絶縁皮膜中のフッ素(F)、炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)、銅(Cu)の各元素について合計原子個数を100原子%としたときの元素含有量を線分析して、絶縁皮膜の厚み方向における元素分布を確認した。そして、線分析により得られたフッ素含有量から高濃度フッ素層の厚みを計測し、高濃度フッ素層および低濃度フッ素層または絶縁層のフッ素含有量を算出した。高濃度フッ素層のフッ素含有量は、高濃度フッ素層におけるフッ素含有量の平均値とした。低濃度フッ素層または絶縁層のフッ素含有量は、低濃度フッ素層または絶縁層の中央領域におけるフッ素含有量の平均値とした。その結果を、図3、図4および表1に示す。
速度変動摩擦係数測定器(トライボマスター type μv1000)により、静摩擦係数の測定を実施した。その結果を表1に示す。
JIS C 3216−3:2011(巻線試験方法−第3部:機械的特性)に規定された方法に準拠して測定を実施した。その結果を表1に示す。
上記絶縁皮膜の元素分布の測定により低濃度フッ素層が確認された本発明例1〜4および比較例1の絶縁銅線について、低濃度フッ素層の構造を、SEM−EDS分析装置(日立ハイテク社製、電子顕微鏡SU8230)により確認した。フッ素が検出されない連続した部分を、ポリアミドイミドを含む海相とし、フッ素が粒状に検出された部分を、フッ素樹脂を含む島相とし、海相を島相とが確認された場合は海島構造とした。その結果、本発明例1〜4および比較例1の絶縁銅線において海島構造が確認された。
これに対して、高濃度フッ素層が形成されている本発明例1〜4で得られた絶縁銅線は、いずれも静摩擦係数が低くなった。
11 導体
12 絶縁皮膜
13 低濃度フッ素層
14 高濃度フッ素層
15 海相
16 島相
Claims (9)
- 導体と、前記導体の表面に備えられた絶縁皮膜とを有する絶縁導体であって、
前記絶縁皮膜が、前記導体の表面側に配置された低濃度フッ素層と、前記低濃度フッ素層の外側表面の少なくとも一部に配置された高濃度フッ素層とを有し、
前記低濃度フッ素層は、熱硬化性樹脂の硬化物およびフッ素樹脂を含み、相対的にフッ素原子含有量が前記高濃度フッ素層よりも低く、
前記高濃度フッ素層は、熱硬化性樹脂の硬化物およびフッ素樹脂を含み、相対的にフッ素原子含有量が前記低濃度フッ素層よりも高いことを特徴とする絶縁導体。 - 前記低濃度フッ素層に含まれる前記フッ素樹脂は熱可塑性樹脂であり、前記高濃度フッ素層に含まれる前記フッ素樹脂は熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の絶縁導体。
- 前記低濃度フッ素層は、熱硬化性樹脂の硬化物を含む海相と、前記海相に分散されたフッ素樹脂を含む島相とから構成された海島構造を有することを特徴とする請求項1または2に記載の絶縁導体。
- 前記高濃度フッ素層のフッ素原子含有量と、前記低濃度フッ素層の厚み方向における中央領域のフッ素原子含有量との差が7原子%以上であることを特徴とする請求項1から3のうちいずれか1項に記載の絶縁導体。
- 前記高濃度フッ素層のフッ素原子含有量が35原子%以上であることを特徴とする請求項1から4のうちいずれか1項に記載の絶縁導体。
- 前記低濃度フッ素層と前記高濃度フッ素層とが連続相であることを特徴とする請求項1から5のうちいずれか1項に記載の絶縁導体。
- 前記高濃度フッ素層の厚みが0.5μm以上5μm以下の範囲内にあることを特徴とする請求項1から6のうちいずれか1項に記載の絶縁導体。
- 請求項1から7のうちいずれか1項に記載の絶縁導体を製造する絶縁導体の製造方法であって、
導体の表面に、熱硬化性樹脂粒子とフッ素樹脂粒子とを含む電着液を電着させて、電着層付き導体を得る電着工程と、
前記電着層付き導体を、加熱して乾燥させて、乾燥電着層付き導体を得る乾燥工程と、
前記乾燥電着層付き導体を、前記フッ素樹脂粒子の融点に対して−40℃以上+30℃以下の温度で加熱する加熱工程と、を含むことを特徴とする絶縁導体の製造方法。 - 前記加熱工程における加熱時間が5分以上であることを特徴とする請求項8に記載の絶縁導体の製造方法。
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