JP6500999B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
更にスイッチ回路を介して前記ブートストラップコンデンサに並列的に設けられて前記ハイサイドスイッチング素子のオン時に前記ハイサイドスイッチング素子および前記ローサイドスイッチング素子との接続点に生起される中間電圧により充電される補助ブートストラップコンデンサと、
前記接続点に接続されて該補助ブートストラップコンデンサの充電開始電圧を規定するツェナーダイオードと、
前記ハイサイドスイッチング素子のオン時における前記ブートストラップコンデンサの充電電圧が所定電圧よりも低下したときに前記スイッチ回路を介して前記補助ブートストラップコンデンサの充電電圧を前記ハイサイド駆動回路に印加する制御回路と
を備えたことを特徴としている。
更に前記第1および第2のスイッチの導通時に前記ブートストラップコンデンサを前記ローサイド駆動回路の駆動電源から切り離す第5および第6のスイッチ、並びに前記第5および第6のスイッチに対して相補的に導通して前記補助ブートストラップコンデンサに前記充電基準電圧を印加する第7および第8のスイッチを設けて構成することも可能である。この場合、前記第5〜第8のスイッチについても双方向アナログスイッチを用いて実現すれば良い。
2 コントローラ
11 ハイサイド駆動回路
12 ローサイド駆動回路
13 インターフェース回路
14 レベルシフト回路
15 制御回路
15c 制御ロジック回路
16 電圧低下検出器
17 タイマー
XM1 ハイサイドスイッチング素子
XM2 ローサイドスイッチング素子
Dbs ブートストラップダイオード
Cbs ブートストラップコンデンサ
Cspl 補助ブートストラップコンデンサ
SW1,SW2〜SW8 スイッチ
ZD ツェナーダイオード
ibias 定電流源
D1,D2 ダイオード(スイッチ)
Claims (11)
- トーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子をそれぞれ相補的にオン・オフするハイサイド駆動回路およびローサイド駆動回路と、
ダイオードを介して前記ローサイド駆動回路の駆動電源に接続されて前記ローサイドスイッチング素子のオン時に充電され、その充電電圧を前記ローサイドスイッチング素子のオフ時に昇圧して前記ハイサイド駆動回路に印加するブートストラップコンデンサと、
スイッチ回路を介して前記ブートストラップコンデンサに並列的に設けられて前記ハイサイドスイッチング素子のオン時に前記ハイサイドスイッチング素子および前記ローサイドスイッチング素子との接続点に生起される中間電圧により充電される補助ブートストラップコンデンサと、
前記ハイサイドスイッチング素子のオン時における前記ブートストラップコンデンサの充電電圧が所定電圧よりも低下したときに前記スイッチ回路を介して前記補助ブートストラップコンデンサの充電電圧を前記ハイサイド駆動回路に印加する制御回路と
を具備したことを特徴とする半導体装置。 - 前記ハイサイドスイッチング素子および前記ローサイドスイッチング素子との接続点に接続されて前記補助ブートストラップコンデンサの充電基準電圧を規定するツェナーダイオードを備え、
前記ツェナーダイオードのカソードは前記接続点に接続され、前記ツェナーダイオードのアノードは前記中間電圧に対する負側の基準電位を規定し、前記ツェナーダイオードのアノード・カソード間電圧が前記充電基準電圧であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ハイサイド駆動回路は、前記接続点の電圧を動作基準電圧として動作するものであって、
前記ツェナーダイオードは、前記中間電圧を受けて充電される前記補助ブートストラップコンデンサの充電基準電圧を前記ローサイド駆動回路の駆動電源の電圧に規定することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記制御回路は、前記ハイサイドスイッチング素子のオン時間が予め設定した時間を上回るとき、前記ブートストラップコンデンサの充電電圧が所定電圧よりも低下したと判断することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記スイッチ回路は、前記ハイサイドスイッチング素子のオン時で前記ブートストラップコンデンサの充電電圧が所定電圧よりも低下したときに前記補助ブートストラップコンデンサを前記ハイサイド駆動回路の電源ラインに接続する第1のスイッチおよび第2のスイッチと、前記ハイサイドスイッチング素子がオンで前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチがオフのときに前記補助ブートストラップコンデンサに前記充電基準電圧を印加する第3のスイッチおよび第4のスイッチとを備えたことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1のスイッチ〜前記第4のスイッチは、それぞれ双方向アナログスイッチからなることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、トーテムポール接続された前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子との接続点電圧を動作基準電圧として動作するものであって、
前記ハイサイド駆動回路に印加される電源電圧の低下を検出して電圧低下検出信号を出力する電圧低下検出器と、
前記電圧低下検出信号に基づいて前記第1のスイッチ〜前記第4のスイッチをそれぞれオン・オフ制御するスイッチ信号を生成する制御ロジック回路とを備えて構成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチは、前記第3のスイッチおよび前記第4のスイッチと相補的にオン・オフすることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第1のスイッチは、前記補助ブートストラップコンデンサの充電電圧が前記ブートストラップコンデンサの充電電圧を上回ったときに導通する第1のダイオードからなり、前記第3のスイッチは、前記補助ブートストラップコンデンサの充電電圧が前記ツェナーダイオードにより規定される電圧を下回るときに導通する第2のダイオードからなることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 請求項5に記載の半導体装置において、
更に前記第1および第2のスイッチの導通時に前記ブートストラップコンデンサを前記ローサイド駆動回路の駆動電源から切り離す第5および第6のスイッチ、
並びに前記第5および第6のスイッチに対し相補的に導通して前記ブートストラップコンデンサに前記充電基準電圧を印加する第7および第8のスイッチを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第5のスイッチ〜前記第8のスイッチは、双方向アナログスイッチからなることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
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