JP6482137B2 - フォトリソグラフィマスクの基板上のアラインメントマークの基準点の自動決定のための方法及びデバイス - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 19
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 9
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 claims description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000001314 profilometry Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
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Description
この効果は、吸収体マーク530の厚みに決定的に依存し、薄い吸収体マーク(<100nm)に対する材料の違いの効果に対して小さい。この効果は、マスク基板505の面に対する集束条件を満たす波長領域の強度の落ち込みを通して分光計675によって記録される。
905 第1の水平要素
910 第2の垂直要素
920 基準点
940 第1の線走査
Claims (24)
- フォトリソグラフィマスクの基板上のアラインメントマークの基準点の自動決定のための方法であって、
a.前記アラインメントマークの第1の要素を位置付けるために、該アラインメントマークが内部に配置された前記基板の開始領域内で、該基板の面上で第1の方向に第1の線走査を実行する段階と、
b.前記アラインメントマークの第2の要素を位置付けるために、前記開始領域内で、前記基板の前記面上で少なくとも前記第1の方向と交差する第2の方向に第2の線走査を実行する段階と、
c.コンピュータユニットを用いて前記アラインメントマークの前記位置付けられた第1の要素及び前記位置付けられた第2の要素から該アラインメントマークの前記基準点を推定する段階であって、該アラインメントマークの該基準点を推定する該段階は、前記第1の線走査及び前記第2の線走査を格納された基準マークと比較する段階を含む、該推定する段階と、
d.前記アラインメントマークの前記基準点を決定するために、該アラインメントマークの前記コンピュータユニットを用いて推定された推定基準点の周りのターゲット領域を結像する段階であって、該結像が、段階a.及びb.における前記線走査の前記実行よりも高い分解能で行われる該結像する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - e.段階c.の後に、前記アラインメントマークの前記コンピュータユニットを用いて推定された前記推定基準点の周りにあり、前記開始領域よりも小さくかつ前記ターゲット領域よりも大きい中間領域内で第3及び第4の線走査を実行する段階と、
f.前記コンピュータユニットを用いて、前記第3の線走査及び第4の線走査による前記アラインメントマークの前記第1の要素及び前記第2の要素の新たな位置付けから該アラインメントマークの前記基準点を再推定する段階と、
g.前記コンピュータユニットを用いて再推定された新しい推定基準点を用いて段階d.を実行する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 位置の不正確性が予め決められた閾値よりも小さい前記コンピュータユニットを用いる前記基準点の新たな推定に向けて段階e.からf.を繰り返す段階を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記予め決められた閾値は、100μmであることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- h.段階c.の後に、前記開始領域内で、且つ、前記アラインメントマークの前記コンピュータユニットを用いて推定された前記推定基準点の周りにあり、該開始領域よりも小さくかつ前記ターゲット領域よりも大きい中間領域の外側で第3及び第4の線走査を実行する段階と、
i.前記コンピュータユニットを用いて、前記第3の線走査及び第4の線走査による前記アラインメントマークの前記第1の要素及び前記第2の要素の新たな位置付けから該アラインメントマークの前記基準点を再推定する段階と、
j.前記コンピュータユニットを用いて再推定された新しい推定基準点を用いて段階d.を実行する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記基準点は、<10μmの位置の不正確性を有して決定されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の方法。
- k.段階c.で基準点が推定されない場合に前記開始領域を移す(シフトする)段階と、
l.段階a.、b.及びc.を繰り返す段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1及び前記第2の線走査を実行する段階は、共焦点分光反射率計の使用を含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1及び前記第2の線走査を実行する段階は、事前集束なしの前記共焦点分光反射率計の前記使用を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記フォトリソグラフィマスクの前記基板と前記共焦点分光反射率計の出力レンズとの間の距離を用いて前記第1及び前記第2の線走査の信号対ノイズ比を設定する段階を更に含むことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の方法。
- 前記ターゲット領域を前記結像する段階は、走査電子顕微鏡、及び/又は集束イオンビーム顕微鏡、及び/又は光顕微鏡の使用を含むことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の方法。
- フォトリソグラフィマスクの基板上のアラインメントマークの基準点の自動決定のためのデバイスであって、
a.前記アラインメントマークの第1の要素及び第2の要素を位置付けるために、該アラインメントマークが内部に配置された前記基板の開始領域内で、前記基板の面上で第1の方向に第1の線走査及び少なくとも前記第1の方向と交差する第2の方向に第2の線走査を実行するための手段と、
b.前記アラインメントマークの前記第1及び前記第2の要素から該アラインメントマークの前記基準点を推定するための、コンピュータユニットを含む手段であって、該アラインメントマークの該基準点を推定するための該手段は、前記第1の線走査及び前記第2の線走査を格納された基準マークと比較するよう構成された、該推定するための手段と、
c.前記アラインメントマークの前記基準点を決定するために、該アラインメントマークの前記コンピュータユニットを用いて推定された推定基準点の周りのターゲット領域を結像するための手段であって、前記第1の線走査及び前記第2の線走査を実行するための前記手段よりも高い分解能を有する該結像するための手段と、
を含むことを特徴とするデバイス。 - 第1の線走査及び第2の線走査を実行するための前記手段は、<100μmの横方向空間分解能を有することを特徴とする請求項12に記載のデバイス。
- 第1の線走査及び第2の線走査を実行するための前記手段は、前記基板の前記面を局所走査するための手段を含むことを特徴とする請求項12又は請求項13に記載のデバイス。
- 第1の線走査及び第2の線走査を実行するための前記手段は、
d.集束電磁放射線を前記基板上に向け、かつ該基板によって反射及び/又は透過された電磁放射線を受けるように具現化されたセンサと、
e.前記集束電磁放射線に対して垂直な平面内で前記センサ及び/又は前記基板を走査するように具現化された走査ユニットと、
f.前記センサに接続され、かつ該センサによって受けた前記電磁放射線から局所強度分布を決定するように具現化された制御ユニットと、
を含む、
ことを特徴とする請求項12から請求項14のいずれか1項に記載のデバイス。 - 前記制御ユニットは、更に、前記走査ユニットに接続され、かつ該走査ユニットの開ループ制御又は閉ループ制御に向けて具現化されることを特徴とする請求項15に記載のデバイス。
- 前記走査ユニットは、<20μmの空間分解能を有することを特徴とする請求項15又は請求項16に記載のデバイス。
- 前記センサは、共焦点分光反射率計を含むことを特徴とする請求項15から請求項17のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記センサは、事前集束なしで前記第1及び第2の線走査を実行するように具現化されることを特徴とする請求項18に記載のデバイス。
- 前記第1及び前記第2の線走査の信号対ノイズ比は、前記フォトリソグラフィマスクの前記基板と前記共焦点分光反射率計の出力レンズとの間の距離を用いて設定されることを特徴とする請求項18又は請求項19に記載のデバイス。
- 前記ターゲット領域を結像するための前記手段は、<200nmの空間的分解能を有することを特徴とする請求項15から請求項20のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記ターゲット領域を結像するための前記手段は、走査電子顕微鏡、及び/又は集束イオンビーム顕微鏡、及び/又は光顕微鏡を含むことを特徴とする請求項15から請求項21のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記アラインメントマークの前記基準点を推定するための前記コンピュータユニットは、前記位置付けられた第1及び第2の要素から該アラインメントマークの該基準点を推定するように、及び/又は前記ターゲット領域の前記結像から該アラインメントマークの該基準点を決定するように構成されたプロセッサを含むことを特徴とする請求項15から請求項22のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記アラインメントマークの前記基準点を推定するための前記コンピュータユニットは、基準マークを格納するためのメモリを含むことを特徴とする請求項15から請求項23のいずれか1項に記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013211403.6A DE102013211403B4 (de) | 2013-06-18 | 2013-06-18 | Verfahren und Vorrichtung zum automatisierten Bestimmen eines Referenzpunktes einer Ausrichtungsmarkierung auf einem Substrat einer photolithographischen Maske |
DE102013211403.6 | 2013-06-18 | ||
PCT/EP2014/062533 WO2014202517A2 (de) | 2013-06-18 | 2014-06-16 | Verfahren und vorrichtung zum automatisierten bestimmen eines referenzpunktes einer ausrichtungsmarkierung auf einem substrat einer photolithographischen maske |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016523379A JP2016523379A (ja) | 2016-08-08 |
JP2016523379A5 JP2016523379A5 (ja) | 2018-11-08 |
JP6482137B2 true JP6482137B2 (ja) | 2019-03-13 |
Family
ID=51014273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016520411A Active JP6482137B2 (ja) | 2013-06-18 | 2014-06-16 | フォトリソグラフィマスクの基板上のアラインメントマークの基準点の自動決定のための方法及びデバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9863760B2 (ja) |
JP (1) | JP6482137B2 (ja) |
DE (1) | DE102013211403B4 (ja) |
WO (1) | WO2014202517A2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014213198B4 (de) | 2014-07-08 | 2020-08-06 | Carl Zeiss Ag | Verfahren zur Lokalisierung von Defekten auf Substraten |
JP6718225B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2020-07-08 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスクおよびその製造方法 |
EP3800505A1 (en) * | 2019-10-03 | 2021-04-07 | ASML Netherlands B.V. | Measurement system and method for characterizing a patterning device |
DE102020007626A1 (de) | 2020-12-14 | 2022-06-15 | Innolite Gmbh | Spannsystem mit einer Grundträgerplatte, Fixiereinheit für ein Spannsystem sowie Verfahren zur Verwendung eines Spannsystems |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3587582D1 (de) * | 1985-03-14 | 1993-10-21 | Beltronics Inc | Gerät und Verfahren zum selbsttätigen Inspizieren von Objekten und zum Identifizieren oder Erkennen bekannter und unbekannter Teile davon, einschliesslich Fehler und dergleichen. |
JPS63166228A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Canon Inc | 位置検出装置 |
JPS63191041A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-08 | Komori Printing Mach Co Ltd | 濃度測定位置合わせ方法 |
JP2622573B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-06-18 | キヤノン株式会社 | マーク検知装置及び方法 |
JPH0513306A (ja) | 1991-07-03 | 1993-01-22 | Fujitsu Ltd | マスク位置測定装置 |
KR100467858B1 (ko) * | 1996-02-05 | 2005-11-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 정렬,노광방법및노광장치 |
JP3580992B2 (ja) * | 1997-09-18 | 2004-10-27 | 旭化成マイクロシステム株式会社 | フォトマスク |
JP2000260699A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Canon Inc | 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置 |
JP4536845B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2010-09-01 | 株式会社キーエンス | 共焦点顕微鏡 |
KR20020077515A (ko) * | 2000-03-02 | 2002-10-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 위치계측장치 및 노광장치 |
US20040121069A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-06-24 | Ferranti David C. | Repairing defects on photomasks using a charged particle beam and topographical data from a scanning probe microscope |
JP2004111473A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Nikon Corp | 位置検出方法及び装置、露光方法及び装置 |
JP2004235354A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2004296921A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Canon Inc | 位置検出装置 |
JP2004356276A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Riipuru:Kk | 荷電粒子ビーム近接露光方法及び装置 |
IL156589A0 (en) * | 2003-06-23 | 2004-01-04 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and system for automatic target finding |
US20050205781A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-09-22 | Toshifumi Kimba | Defect inspection apparatus |
DE102004032933B3 (de) * | 2004-07-07 | 2006-01-05 | Süss Microtec Lithography Gmbh | Mittelpunktbestimmung von drehsymmetrischen Justiermarken |
JP4788229B2 (ja) * | 2005-08-08 | 2011-10-05 | 株式会社ニコン | 位置検出装置、アライメント装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
US7898653B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-03-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Foreign matter inspection apparatus |
KR101435124B1 (ko) * | 2008-04-29 | 2014-08-29 | 삼성전자 주식회사 | 노광 장치의 정렬 방법, 이를 이용한 감광막의 노광 방법및 감광막의 노광 방법을 수행하기 위한 노광 장치 |
JP2010219445A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2011066185A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Ushio Inc | ワークアライメントマークの検出方法および露光装置 |
JP6460617B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2019-01-30 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
-
2013
- 2013-06-18 DE DE102013211403.6A patent/DE102013211403B4/de active Active
-
2014
- 2014-06-16 WO PCT/EP2014/062533 patent/WO2014202517A2/de active Application Filing
- 2014-06-16 US US14/899,979 patent/US9863760B2/en active Active
- 2014-06-16 JP JP2016520411A patent/JP6482137B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014202517A2 (de) | 2014-12-24 |
US20160138907A1 (en) | 2016-05-19 |
US9863760B2 (en) | 2018-01-09 |
DE102013211403A1 (de) | 2014-12-18 |
JP2016523379A (ja) | 2016-08-08 |
WO2014202517A3 (de) | 2015-02-26 |
DE102013211403B4 (de) | 2020-12-17 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A601 | Written request for extension of time |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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