JP6476317B2 - アバランシェフォトダイオード - Google Patents
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Description
第1の導電型の基板に形成された上記第1の導電型の第1半導体層と、
上記第1半導体層下に形成され、上記第1の導電型とは反対の第2の導電型の第2半導体層と、
上記基板の上記第1半導体層の浅い部分に形成され、上記第1半導体層の不純物濃度よりも高濃度の上記第1の導電型の第3半導体層と、
上記第3半導体層の直下の上記第1半導体層内の領域に形成された上記第1の導電型の第4半導体層と、
上記第1半導体層と電気的に接続された第1コンタクトと、
上記第2半導体層と電気的に接続された第2コンタクトと
を備え、
上記第4半導体層の不純物濃度は、上記第1半導体層より高濃度でかつ上記第3半導体層より低濃度であり、
上記基板の上記第1半導体層の側方かつ上記第1コンタクトと上記第2コンタクトとの間の領域上に、絶縁膜を介して形成された電極を備えることを特徴とする。
上記基板は、上記第1の導電型のシリコン基板であり、
上記第3半導体層の不純物濃度がシリコンへの固溶度を超えている。
上記第4半導体層の不純物濃度が固溶度を超えない濃度である。
上記第4半導体層を超えて上記第3半導体層側に空乏層が広がらないように構成されている。
また、この発明のアバランシェフォトダイオードは、
第1の導電型の基板に形成された上記第1の導電型の第1半導体層と、
上記第1半導体層の直下に形成され、上記第1の導電型とは反対の第2の導電型の第2半導体層と、
上記基板の上記第1半導体層の浅い部分に形成され、上記第1半導体層の不純物濃度よりも高濃度の上記第1の導電型の第3半導体層と、
上記第3半導体層の直下の上記第1半導体層内の領域に形成された上記第1の導電型の第4半導体層と、
上記第1半導体層と電気的に接続された第1コンタクトと、
上記第2半導体層と電気的に接続された第2コンタクトと
を備え、
上記第4半導体層の不純物濃度は、上記第1半導体層より高濃度でかつ上記第3半導体層より低濃度であり、
上記第2半導体層の不純物濃度は、上記第1半導体層より高濃度でかつ上記第3半導体層より低濃度であり、
上記基板の上記第1半導体層の側方かつ上記第1コンタクトと上記第2コンタクトとの間の領域上に、絶縁膜を介して形成された電極を備えることを特徴とする。
まず、この発明のアバランシェフォトダイオードを説明する前に、基本的なアバランシェフォトダイオードを使用した回路構成について図1,図2を用いて説明する。
本発明の第1実施形態に係るアバランシェフォトダイオードの構成について、図4を参照して説明する。
本発明の第2実施形態に係るアバランシェフォトダイオードの構成について、図9を参照して説明する。
本発明の第3実施形態に係るアバランシェフォトダイオードの構成について、図10を参照して説明する。
次に、本発明のアバランシェフォトダイオードの製造方法について、第2実施形態の図9を参照して説明する。
第1の導電型の基板1に形成された上記第1の導電型の第1半導体層3と、
上記第1半導体層3下に形成され、上記第1の導電型とは反対の第2の導電型の第2半導体層2と、
上記基板の上記第1半導体層3の浅い部分に形成され、上記第1半導体層3の不純物濃度よりも高濃度の上記第1の導電型の第3半導体層7と、
上記第3半導体層7の直下の上記第1半導体層3内の領域に形成された上記第1の導電型の第4半導体層6と、
上記第1半導体層3と電気的に接続された第1コンタクト11と、
上記第2半導体層2と電気的に接続された第2コンタクト12と
を備え、
上記第4半導体層6の不純物濃度は、上記第1半導体層3より高濃度でかつ上記第3半導体層7より低濃度であることを特徴とする。
上記基板の上記第1半導体層3の側方かつ上記第1コンタクト11と上記第2コンタクト12との間の領域上に、絶縁膜10を介して形成された電極20を備える。
上記基板1は、上記第1の導電型のシリコン基板1であり、
上記第3半導体層7の不純物濃度がシリコンへの固溶度を超えている。
上記第4半導体層6の不純物濃度が固溶度を超えない濃度である。
上記第4半導体層を超えて上記第3半導体層側に空乏層が広がらないように構成されている。
2…N層
3…Pウェル層
4…Nウェル層
5…N+層
6…P−層
7…P+層
8…選択酸化膜STI
10…絶縁膜
11…第1コンタクト
12…第2コンタクト
13…1層目配線メタル(アノード電極)
14…1層目配線メタル(カソード電極)
15…プラズマSIN膜
16…BPSG膜
17…層間HDP膜
18…層間TEOS
19…2層目配線メタル
20…ポリシリコン電極
21…カバー酸化膜
22…カバーSIN膜
30…第2のPウェル層
Claims (5)
- 第1の導電型の基板に形成された上記第1の導電型の第1半導体層と、
上記第1半導体層下に形成され、上記第1の導電型とは反対の第2の導電型の第2半導体層と、
上記基板の上記第1半導体層の浅い部分に形成され、上記第1半導体層の不純物濃度よりも高濃度の上記第1の導電型の第3半導体層と、
上記第3半導体層の直下の上記第1半導体層内の領域に形成された上記第1の導電型の第4半導体層と、
上記第1半導体層と電気的に接続された第1コンタクトと、
上記第2半導体層と電気的に接続された第2コンタクトと
を備え、
上記第4半導体層の不純物濃度は、上記第1半導体層より高濃度でかつ上記第3半導体層より低濃度であり、
上記基板の上記第1半導体層の側方かつ上記第1コンタクトと上記第2コンタクトとの間の領域上に、絶縁膜を介して形成された電極を備えることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。 - 請求項1に記載のアバランシェフォトダイオードにおいて、
上記基板は、上記第1の導電型のシリコン基板であり、
上記第3半導体層の不純物濃度がシリコンへの固溶度を超えていることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。 - 請求項1または2に記載のアバランシェフォトダイオードにおいて、
上記第4半導体層の不純物濃度が固溶度を超えない濃度であることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。 - 請求項1から3までのいずれか1つに記載のアバランシェフォトダイオードにおいて、
上記第4半導体層を超えて上記第3半導体層側に空乏層が広がらないように構成されていることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。 - 第1の導電型の基板に形成された上記第1の導電型の第1半導体層と、
上記第1半導体層の直下に形成され、上記第1の導電型とは反対の第2の導電型の第2半導体層と、
上記基板の上記第1半導体層の浅い部分に形成され、上記第1半導体層の不純物濃度よりも高濃度の上記第1の導電型の第3半導体層と、
上記第3半導体層の直下の上記第1半導体層内の領域に形成された上記第1の導電型の第4半導体層と、
上記第1半導体層と電気的に接続された第1コンタクトと、
上記第2半導体層と電気的に接続された第2コンタクトと
を備え、
上記第4半導体層の不純物濃度は、上記第1半導体層より高濃度でかつ上記第3半導体層より低濃度であり、
上記第2半導体層の不純物濃度は、上記第1半導体層より高濃度でかつ上記第3半導体層より低濃度であり、
上記基板の上記第1半導体層の側方かつ上記第1コンタクトと上記第2コンタクトとの間の領域上に、絶縁膜を介して形成された電極を備えることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
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US4814852A (en) * | 1987-12-07 | 1989-03-21 | Motorola, Inc. | Controlled voltage drop diode |
JP2862027B2 (ja) * | 1991-03-12 | 1999-02-24 | 株式会社デンソー | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JPH05335549A (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP3512937B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2004-03-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO1998000873A1 (en) | 1996-07-03 | 1998-01-08 | Advanced Photonix, Inc. | Avalanching semiconductor device having an epitaxially grown layer |
US7045830B1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-05-16 | Fairchild Semiconductor Corporation | High-voltage diodes formed in advanced power integrated circuit devices |
US20080012087A1 (en) * | 2006-04-19 | 2008-01-17 | Henri Dautet | Bonded wafer avalanche photodiode and method for manufacturing same |
US8497167B1 (en) * | 2007-01-17 | 2013-07-30 | National Semiconductor Corporation | EDS protection diode with pwell-nwell resurf |
US7842968B2 (en) * | 2008-01-09 | 2010-11-30 | Fairchild Semiconductor Corporation | Integrated low leakage diode |
EP2455985A3 (en) * | 2008-07-10 | 2013-07-17 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Improvements in single photon avalanche diodes |
GB201014843D0 (en) * | 2010-09-08 | 2010-10-20 | Univ Edinburgh | Single photon avalanche diode for CMOS circuits |
CN101982881B (zh) * | 2010-09-24 | 2012-12-12 | 江苏东光微电子股份有限公司 | 集成esd保护的功率mosfet或igbt及制备方法 |
US8779543B2 (en) * | 2011-09-19 | 2014-07-15 | Technion Research And Development Foundation Ltd. | Device having an avalanche photo diode and a method for sensing photons |
FR2984610A1 (fr) * | 2011-12-16 | 2013-06-21 | St Microelectronics Grenoble 2 | Montage de photodiode a avalanche pour la detection de photons uniques |
US9160949B2 (en) * | 2013-04-01 | 2015-10-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Enhanced photon detection device with biased deep trench isolation |
JP6090060B2 (ja) | 2013-08-23 | 2017-03-08 | 株式会社豊田中央研究所 | シングルフォトンアバランシェダイオード |
CN104979420B (zh) * | 2014-04-02 | 2017-11-14 | 中国人民解放军军械工程学院 | 一种基于微腔的量子点场效应单光子探测器 |
US9660074B2 (en) * | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for LDMOS devices with cascaded RESURF implants and double buffers |
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