JP6474881B2 - ショットキーダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Description
ショットキーダイオードは、基板と、第1半導体層と、第2半導体層と、カソードと、第1パッシベーション誘電体層と、アノードチャネルと、フィールドプレートチャネルと、アノードとを備える。
前記第1半導体層は、前記基板上に位置する。
前記第2半導体層は、前記第1半導体層上に位置し、前記第1半導体層と前記第2半導体層との界面には、二次元電子ガスを形成する。
前記カソードは、前記第2半導体層上に位置し、前記カソード及び前記第2半導体層は、オーミック接触を形成する。
前記第1パッシベーション誘電体層は、前記第2半導体層上に位置する。
前記アノードチャネルは、前記第1パッシベーション誘電体層及び前記第2半導体層内に位置し、前記アノードチャネルの底部は、前記二次元電子ガスの位置する領域に延伸するか、又は前記二次元電子ガスの位置する領域を通過する。
前記フィールドプレートチャネルは、前記アノードチャネルと前記カソードとの間における第1パッシベーション誘電体層内に位置し、前記フィールドプレートチャネルの底部は、前記第1パッシベーション誘電体層内に位置するか、前記第2半導体層の上表面に延伸するか、前記第2半導体層内に延伸する。
前記アノードは、前記アノードチャネル、前記フィールドプレートチャネル、及び前記アノードチャネルと前記フィールドプレートチャネルとの間における第1パッシベーション誘電体層を覆い、前記アノードチャネル内のアノード及び前記第2半導体層は、ショットキー接触を形成し、前記フィールドプレートチャネル及び前記第1パッシベーション誘電体層上のアノードは、アノードフィールドプレートを構成する。
基板に第1半導体層、第2半導体層及び第1パッシベーション誘電体層を順に成膜し、前記第1半導体層と前記第2半導体層との界面に二次元電子ガスを形成することと、
前記第2半導体層上にカソードを形成することと、
前記カソードの間における第1パッシベーション誘電体層及び第2半導体層内にアノードチャネルを形成し、前記アノードチャネルの底部は、前記二次元電子ガスの位置する領域に延伸するか、又は前記二次元電子ガスの位置する領域を通過することと、
前記アノードチャネルと前記カソードとの間における第1パッシベーション誘電体層内にフィールドプレートチャネルを形成し、前記フィールドプレートチャネルの底部は、前記第1パッシベーション誘電体層内に位置するか、前記第2半導体層の上表面に延伸するか、前記第2半導体層内に延伸することと、
前記アノードチャネル上及び前記フィールドプレートチャネル上、及び前記アノードチャネルと前記フィールドプレートチャネルとの間における第1パッシベーション誘電体層上、及び/又は前記フィールドプレートチャネル以外の第1パッシベーション誘電体層上に、アノードを形成することとを備える。
図4は、本発明の第1実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。図4に示すように、当該ショットキーダイオードは、基板1と、核形成層2と、バッファ層3と、第1半導体層4と、第2半導体層6と、カソード5と、第1パッシベーション誘電体層8と、アノードチャネル構造と、フィールドプレートチャネル構造と、アノード9とを備える。
図8は、本発明の第2実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。
図9は、本発明の第3実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。
図10は、本発明の第4実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。
図11は、本発明の第5実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。
図12は、本発明の第6実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。
図13は、本発明の第7実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。
図14は、本発明の第8実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。
図15は、本発明の第9実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。
図16は、本発明の第10実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。
図17は、本発明の第11実施例によるショットキーダイオードの断面模式図を示す。
図18は、本発明の第12実施例によるショットキーダイオードの製造方法を示す。図18に示すように、当該方法は、以下のステップを含む。
Claims (16)
- ショットキーダイオードであって、
基板と、第1半導体層と、第2半導体層と、カソードと、第1パッシベーション誘電体層と、アノードチャネルと、フィールドプレートチャネルと、アノードとを備え、
前記第1半導体層は、前記基板上に位置し、
前記第2半導体層は、前記第1半導体層上に位置し、前記第1半導体層と前記第2半導体層との界面には、二次元電子ガスを形成し、
前記カソードは、前記第2半導体層上に位置し、前記カソード及び前記第2半導体層は、オーミック接触を形成し、
前記第1パッシベーション誘電体層は、前記第2半導体層上に位置し、
前記アノードチャネルは、前記第1パッシベーション誘電体層及び前記第2半導体層内に位置し、前記アノードチャネルの底部は、前記二次元電子ガスの位置する領域に延伸するか、又は前記二次元電子ガスの位置する領域を通過し、
前記フィールドプレートチャネルは、前記アノードチャネルと前記カソードとの間における第1パッシベーション誘電体層内に位置し、前記フィールドプレートチャネルの底部は、前記第2半導体層内に延伸し、
前記フィールドプレートチャネルの底部及び前記二次元電子ガスの間の距離は5nmより大きく、
前記アノードは、前記アノードチャネル、前記フィールドプレートチャネル、及び前記アノードチャネルと前記フィールドプレートチャネルとの間における第1パッシベーション誘電体層を覆い、前記アノードチャネル内のアノード及び前記第2半導体層は、ショットキー接触を形成し、前記フィールドプレートチャネル及び前記第1パッシベーション誘電体層上のアノードは、アノードフィールドプレートを構成する、ことを特徴とするショットキーダイオード。 - フィールドプレートチャネル誘電体層をさらに備え、
前記フィールドプレートチャネル誘電体層は、前記フィールドプレートチャネル以外の第1パッシベーション誘電体層上、及び前記フィールドプレートチャネル上に位置する、ことを特徴とする請求項1に記載のショットキーダイオード。 - 前記アノードは、前記フィールドプレートチャネル以外の第1パッシベーション誘電体層の一部をさらに覆う、ことを特徴とする請求項1に記載のショットキーダイオード。
- 前記アノードには、第2パッシベーション誘電体層が成膜され、
前記第2パッシベーション誘電体層には、第2アノードフィールドプレートが成膜され、
前記第2アノードフィールドプレートは、前記アノードに電気接続される、ことを特徴とする請求項1に記載のショットキーダイオード。 - 前記第2アノードフィールドプレートには、第3パッシベーション誘電体層が成膜され、
前記第3パッシベーション誘電体層には、第3アノードフィールドプレートが成膜され、
前記第3アノードフィールドプレートは、前記アノードに電気接続される、ことを特徴とする請求項4に記載のショットキーダイオード。 - 前記第2半導体層は、第1障壁層と、第2障壁層とを備える、ことを特徴とする請求項1に記載のショットキーダイオード。
- 前記第1障壁層と第2障壁層との間には、阻止層が成膜される、ことを特徴とする請求項6に記載のショットキーダイオード。
- 前記第1障壁層及び第2障壁層の材料は、窒化アルミニウムガリウムであり、
前記第1障壁層のアルミニウム成分の含有量は、10〜15%であり、前記第1障壁層の厚さは、5〜15nmであり、
前記第2障壁層のアルミニウム成分の含有量は、20〜45%であり、前記第2障壁層の厚さは、15〜50nmである、ことを特徴とする請求項6に記載のショットキーダイオード。 - 前記阻止層の材料は、窒化アルミニウムである、ことを特徴とする請求項7に記載のショットキーダイオード。
- 前記アノードチャネルのいずれかの側面と前記アノードチャネルの底部の夾角は、直角、鈍角又は鋭角である、ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のショットキーダイオード。
- 前記フィールドプレートチャネルのいずれかの側面と前記フィールドプレートチャネルの底部の夾角は、直角、鈍角又は鋭角である、ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のショットキーダイオード。
- 前記基板と前記第1半導体層の間には、核形成層、バッファ層又はバック障壁層のいずれか1つ又は少なくとも2つの組み合わせを順に成膜される、ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のショットキーダイオード。
- 前記核形成層の材料は、窒化アルミニウム、窒化ガリウム又は他のIII−V族窒化物であり、
前記バッファ層の材料は、アンドープの窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム又は他のIII−V族窒化物であり、
前記バック障壁層の材料は、窒化アルミニウムガリウムであり、前記バック障壁層のアルミニウム成分の含有量は、5〜8%である、ことを特徴とする請求項12に記載のショットキーダイオード。 - 前記基板の材料は、炭化ケイ素、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、窒化ガリウム又はIII−V族窒化物を成長できる他の基板材料であり、
前記第1半導体層の材料は、アンドープの窒化ガリウムであり、
前記第2半導体層の材料は、窒化アルミニウムガリウム又は他のIII−V族窒化物である、ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のショットキーダイオード。 - ショットキーダイオードを製造する方法であって、
基板に第1半導体層、第2半導体層及び第1パッシベーション誘電体層を順に成膜し、前記第1半導体層と前記第2半導体層との界面に二次元電子ガスを形成することと、
前記第2半導体層上にカソードを形成することと、
前記カソードの間における第1パッシベーション誘電体層及び第2半導体層内にアノードチャネルを形成し、前記アノードチャネルの底部は、前記二次元電子ガスの位置する領域に延伸するか、又は二次元電子ガスの位置する領域を通過することと、
前記アノードチャネルと前記カソードとの間における第1パッシベーション誘電体層内にフィールドプレートチャネルを形成し、前記フィールドプレートチャネルの底部は、前記第2半導体層内に延伸することと、
前記アノードチャネル上及び前記フィールドプレートチャネル上、及び前記アノードチャネルと前記フィールドプレートチャネルとの間における第1パッシベーション誘電体層上、及び/又は前記フィールドプレートチャネル以外の第1パッシベーション誘電体層上に、アノードを形成することと
を備え、
前記フィールドプレートチャネルの底部及び前記二次元電子ガスの間の距離は5nmより大きい、ショットキーダイオードの製造方法。 - 前記アノードチャネル又はフィールドプレートチャネルは、ドライエッチング工程及び/又はウエットエッチング工程によって製造される、ことを特徴とする請求項15に記載のショットキーダイオードの製造方法。
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