JP6474110B2 - 熱電変換材料および熱電変換素子 - Google Patents
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Description
本発明は、有機熱電変換材料及び当該材料を用いて作製される熱電変換素子に関する。
近年、環境中の未利用熱エネルギーを電気エネルギーとして回収するための手段として熱電変換素子に対する注目が高まっている。
従来、熱電変換材料としては、熱電変換効率が比較的高いことから、主にＣｏＳｂ３等の無機半導体材料が使用、研究されていたが、このような無機半導体材料は、希少元素を含み高価であると共に、材料の加工性に乏しいという問題がある。このため、近年においては、安価であって材料の加工性に優れる有機熱電変換材料の研究が盛んに行われている。
従来の有機熱電変換材料としては、ポリアニリン（特許文献１、３、４、５及び７）、ポリフェニレンビニレン（特許文献２）、ポリチエニレンビニレン（特許文献２）、ポリピロール（特許文献４）といった導電性高分子からなるものが提案されている。
しかしながら、これら導電性高分子は、熱電変換性能が十分ではなく、実用化のためにより高い熱電変換性能が求められている。このような熱電変換材料の熱電変換効率を高めるといった要求に対しては、従来、ドーパントを導入したり（特許文献２、３、４、５及び６）、ドーピングされた導電性高分子からなる層とドーピングされていない導電性高分子からなる層とを積層したり（特許文献４）、金属粒子を分散したり（特許文献１）、導電性高分子の分子軌道のエネルギー準位に対して特定のエネルギー準位差の分子軌道を持った熱励起アシスト剤を含有させる（特許文献７）ことが提案されている。
ところで、熱電変換材料の熱電変換効率は、一般に下記式
［数１］無次元性能指数ＺＴ＝Ｓ２・σ・Ｔ／κ （Ａ）
［式中、Ｓ（Ｖ／Ｋ）は熱起電力（ゼーベック係数）を表し、σ（Ｓ／ｍ）は導電率を表し、κ（Ｗ／ｍＫ）は熱伝導率を表し、Ｔ（Ｋ）は絶対温度を表し、Ｓ２・σはパワーファクターを表す。］
で表される無次元性能指数（ＺＴ）を指標とする。上記式から理解できる通り、無次元性能指数（ＺＴ）は、ゼーベック係数及び導電率が大きく、熱伝導率が低い程高くなり、熱電変換性能が高いことを意味する。高いＺＴを得られる材料のうち、特にゼーベック係数が大きな材料は、有機熱電変換材料を用いるフレキシブル熱電変換素子において、素子の厚みを薄くすることや、多数セルの直列接続数を減らして断線による動作不良を低減することを可能にする。
［数１］無次元性能指数ＺＴ＝Ｓ２・σ・Ｔ／κ （Ａ）
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で表される無次元性能指数（ＺＴ）を指標とする。上記式から理解できる通り、無次元性能指数（ＺＴ）は、ゼーベック係数及び導電率が大きく、熱伝導率が低い程高くなり、熱電変換性能が高いことを意味する。高いＺＴを得られる材料のうち、特にゼーベック係数が大きな材料は、有機熱電変換材料を用いるフレキシブル熱電変換素子において、素子の厚みを薄くすることや、多数セルの直列接続数を減らして断線による動作不良を低減することを可能にする。
この点、上述のドーパントの導入や金属粒子の分散は、主に導電率の増大によって熱電変換効率を向上しようとするものである。従来の非縮退半導体に対する熱電理論によれば、ゼーベック係数と導電率は一定のトレードオフ関係にあり、ゼーベック係数は、キャリア密度が小さいときに最大値を示し、キャリア密度が増大するにつれ小さくなるとされ（非特許文献２）、従来の導電性高分子では、最大値でもゼーベック係数は数ｍＶ／Ｋ程度であった。
これに対して、上述の熱励起アシスト剤を含有させる試みは、熱起電力（ゼーベック係数）を高めることで、熱電変換効率を向上するものである。しかし、導電性高分子自体を改良して熱起電力（ゼーベック係数）を高めるものではない。
また、ｓｈｉｍａｄａらは、有機半導体で低温において深いトラップが突然生じることに着目し、低分子半導体であるペンタセンについて点欠陥によって低温においてゼーベック係数が大きくなることを予想している（非特許文献４）。しかし、ｓｈｉｍａｄａらの示したゼーベック係数は、１ｍＶ／Ｋ程度であり、しかも分子の熱運動による直接的なゼーベック係数の向上とそのための分子設計に対する何らの教示を与えるものでもない。
Harada他, Appl. Phys. Lett. 96, (2010) 253304
中村, 応用物理 82 (2013) 954
Kim他, Nat. Mater. 12 (2013) 719
Shimada他, Appl. Phys. Exp. 4 (2011) 061601
Roichman他, Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 1948
本発明は、従来の有機熱電変換材料に比べ格段に大きなゼーベック係数を示す有機熱電変換材料を提供することを課題とする。
本発明者らは、上記課題に鑑み、従来の半導体における熱電理論に囚われずに優れた熱電変換効率を達成する導電性化合物の分子設計を検討したところ、基本骨格については、平面π共役構造を有し一般にキャリア輸送能の高い多環芳香族化合物に由来する構造とし、その一方で、所定の温度で熱運動する側鎖を有する化合物としたところ、従来の熱電理論からは想定し得ない格段に高いゼーベック係数を奏することを見出した。本発明はこのような知見に基づくものである。
すなわち、本発明は、以下の有機熱電変換材料及び有機熱電変換素子を提供する。
[１] キャリア輸送特性を有する多環芳香族環からなる基本骨格に、熱運動により基本骨格の分子間距離や分子パッキング構造の変化を引き起こすアルキル基を含む置換基が結合した導電性化合物を含む、有機熱電変換材料。
[２] キャリア輸送特性を有する多環芳香族環からなる基本骨格に、アルキル基またはアルキル基を有する置換基が結合し、−５０℃〜２００℃の範囲の温度で構造相転移（ＤＳＣにより特定される）する導電性化合物を含む、[１]に記載の有機熱電変換材料。
[３] 前記導電性化合物が下記一般式（１）で表されることを特徴とする、[１]又は[２]に記載の有機熱電変換材料。
（式中、Ｘはキャリア輸送特性を有する多環芳香族環を表し、ｎは１以上の整数を表す。ｎが２以上の場合には、各Ｘは異なる多環芳香族環であってもよい。Ｒはそれぞれ独立してアルキル基又はアルキル基を有する置換基を表す。ｍはＲがＸに結合可能な最大数以下の数を表わし、通常１〜８の整数を表す。）
[４] 前記導電性化合物が下記一般式（２）で表されることを特徴とする、[１]〜[３]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
（式中、Ｘはキャリア輸送特性を有する多環芳香族環を表し、Ｒはそれぞれ独立してアルキル基又はアルキル基を有する置換基を表す。ｍはＲがＸに結合可能な最大数以下の数を表わし、通常１〜８の整数を表す。）
[５] 前記導電性化合物中における前記置換基が占めるファンデルワールス体積比が５〜８０％である、[１]〜[４]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
[６] 前記導電性化合物のＤＳＣによる構造相転移点が、０〜１８０℃の範囲の温度で認められる、[１]〜[５]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
[７] 前記多環芳香族環は、多環芳香族芳香族炭化水素又は多環芳香族複素環である[１]〜[６]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
[８] 前記多環芳香族複素環が、ヘテロアセン又はポリへテロアセンである、[１]〜[７]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
[９] 前記多環芳香族複素環が、ポルフィリン又はポルフィラジンである、[１]〜[７]に記載の有機熱電変換材料。
[１０] 前記多環芳香族複素環が、式（３）、（４）又は（５）で表される化合物である、[１]〜[９]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
（式中Ｙは、それぞれ独立してＳ、Ｓｅ、ＳＯ２、Ｏ、Ｎ（Ｒ５１）又はＳｉ（Ｒ１）（Ｒ５２）を表し、Ｒ５１及びＲ５２はそれぞれ独立して水素原子、アリール基、単環式芳香族複素環残基；アルキル基又は芳香族環残基で置換されたアミノ基、アルキルオキシ基、アルキルチオキシ基、エステル基、カルバモイル基、アセトアミド、チオ基又はアシル基を表し、Ｙはそれぞれ異なっていてもよい。Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立して水素原子、芳香族炭化水素又は芳香族複素環を表す。Ｚ１及びＺ２は同じでも異なっても良い。）
（式（４）及び（５）中、Ｗはそれぞれ独立してＮ又はＣ−を表し、少なくとも１つはＣ−であり、アルキル基又はアルキル基を含む置換基が結合しており、Ｚはそれぞれ独立して水素原子、芳香族炭化水素又は芳香族複素環を表し、同じでも異なっても良い。Ｍは金属原子を表す。）
[１１] 前記導電性化合物が、式（６）、（７）、（１０）、（１１）、（１２）又は（１３）で表される化合物である、[１]〜[１０]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
式（６）及び（７）中、Ｘ１及びＸ２は上記式（３）のＹと同じであり、式（６）、（７）、（１０）、（１１）、（１２）及び（１３）中、Ｒ１及びＲ２の少なくとも１つ、典型的には両方、Ｒ３乃至Ｒ１４の少なくとも１つ、並びにＲ４７乃至Ｒ５０は上記式（１）のＲと同じであり、ｍ１乃至ｍ４は上記式（１）のｍと同じであり、Ｒ４７乃至Ｒ４９は、１つ以上のＷに結合しており、Ｒ５０は、基本骨格の結合可能な位置に結合できるが、好ましくは１つ以上のＷに結合している。
[１２] [１]〜[１１]のいずれかに記載の熱電変換材料を含む熱電変換層を有する有機熱電変換素子。
[１３] [１]〜[１１]のいずれかに記載の熱電変換材料を含む熱電変換層を有する横型または縦型の有機熱電変換素子。
[１] キャリア輸送特性を有する多環芳香族環からなる基本骨格に、熱運動により基本骨格の分子間距離や分子パッキング構造の変化を引き起こすアルキル基を含む置換基が結合した導電性化合物を含む、有機熱電変換材料。
[２] キャリア輸送特性を有する多環芳香族環からなる基本骨格に、アルキル基またはアルキル基を有する置換基が結合し、−５０℃〜２００℃の範囲の温度で構造相転移（ＤＳＣにより特定される）する導電性化合物を含む、[１]に記載の有機熱電変換材料。
[３] 前記導電性化合物が下記一般式（１）で表されることを特徴とする、[１]又は[２]に記載の有機熱電変換材料。
（式中、Ｘはキャリア輸送特性を有する多環芳香族環を表し、ｎは１以上の整数を表す。ｎが２以上の場合には、各Ｘは異なる多環芳香族環であってもよい。Ｒはそれぞれ独立してアルキル基又はアルキル基を有する置換基を表す。ｍはＲがＸに結合可能な最大数以下の数を表わし、通常１〜８の整数を表す。）
[４] 前記導電性化合物が下記一般式（２）で表されることを特徴とする、[１]〜[３]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
（式中、Ｘはキャリア輸送特性を有する多環芳香族環を表し、Ｒはそれぞれ独立してアルキル基又はアルキル基を有する置換基を表す。ｍはＲがＸに結合可能な最大数以下の数を表わし、通常１〜８の整数を表す。）
[５] 前記導電性化合物中における前記置換基が占めるファンデルワールス体積比が５〜８０％である、[１]〜[４]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
[６] 前記導電性化合物のＤＳＣによる構造相転移点が、０〜１８０℃の範囲の温度で認められる、[１]〜[５]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
[７] 前記多環芳香族環は、多環芳香族芳香族炭化水素又は多環芳香族複素環である[１]〜[６]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
[８] 前記多環芳香族複素環が、ヘテロアセン又はポリへテロアセンである、[１]〜[７]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
[９] 前記多環芳香族複素環が、ポルフィリン又はポルフィラジンである、[１]〜[７]に記載の有機熱電変換材料。
[１０] 前記多環芳香族複素環が、式（３）、（４）又は（５）で表される化合物である、[１]〜[９]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
（式中Ｙは、それぞれ独立してＳ、Ｓｅ、ＳＯ２、Ｏ、Ｎ（Ｒ５１）又はＳｉ（Ｒ１）（Ｒ５２）を表し、Ｒ５１及びＲ５２はそれぞれ独立して水素原子、アリール基、単環式芳香族複素環残基；アルキル基又は芳香族環残基で置換されたアミノ基、アルキルオキシ基、アルキルチオキシ基、エステル基、カルバモイル基、アセトアミド、チオ基又はアシル基を表し、Ｙはそれぞれ異なっていてもよい。Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立して水素原子、芳香族炭化水素又は芳香族複素環を表す。Ｚ１及びＺ２は同じでも異なっても良い。）
（式（４）及び（５）中、Ｗはそれぞれ独立してＮ又はＣ−を表し、少なくとも１つはＣ−であり、アルキル基又はアルキル基を含む置換基が結合しており、Ｚはそれぞれ独立して水素原子、芳香族炭化水素又は芳香族複素環を表し、同じでも異なっても良い。Ｍは金属原子を表す。）
[１１] 前記導電性化合物が、式（６）、（７）、（１０）、（１１）、（１２）又は（１３）で表される化合物である、[１]〜[１０]のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
式（６）及び（７）中、Ｘ１及びＸ２は上記式（３）のＹと同じであり、式（６）、（７）、（１０）、（１１）、（１２）及び（１３）中、Ｒ１及びＲ２の少なくとも１つ、典型的には両方、Ｒ３乃至Ｒ１４の少なくとも１つ、並びにＲ４７乃至Ｒ５０は上記式（１）のＲと同じであり、ｍ１乃至ｍ４は上記式（１）のｍと同じであり、Ｒ４７乃至Ｒ４９は、１つ以上のＷに結合しており、Ｒ５０は、基本骨格の結合可能な位置に結合できるが、好ましくは１つ以上のＷに結合している。
[１２] [１]〜[１１]のいずれかに記載の熱電変換材料を含む熱電変換層を有する有機熱電変換素子。
[１３] [１]〜[１１]のいずれかに記載の熱電変換材料を含む熱電変換層を有する横型または縦型の有機熱電変換素子。
本発明は、従来の有機熱電変換材料に比べ格段に大きなゼーベック係数を示す有機熱電変換材料及びそれを含む熱電変換層を有する有機熱電変換素子を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
本発明の有機熱電変換材料は、キャリア輸送特性を有する多環芳香族環からなる基本骨格と、これに結合するアルキル基またはアルキル基を有する置換基とを有し、所定温度で構造相転移を生じる導電性化合物を熱電変換物質として含有するものである。
本発明の有機熱電変換材料は、キャリア輸送特性を有する多環芳香族環からなる基本骨格と、これに結合するアルキル基またはアルキル基を有する置換基とを有し、所定温度で構造相転移を生じる導電性化合物を熱電変換物質として含有するものである。
本発明で用いる導電性化合物は、平面π共役構造を有し一般にキャリア輸送能の高い多環芳香族化合物に由来する基本骨格を有する。このような構造では、隣接分子間でπ‐πスタッキングが期待され、隣接分子間のトランスファー積分が室温でバンド伝導が期待できるほど大きい。一方、本発明で用いる導電性化合物は、所定の温度で熱運動により基本骨格の分子間距離や分子パッキング構造の変化を引き起こす置換基が多環式芳香族環に結合している。このような置換基は、アルキル基またはアルキル基を有する置換基のように回転自由な結合を有しており、所定の温度で熱運動して、隣接する分子間距離や分子パッキング構造を変化させ、導電性化合物の体積変化や構造相転移を生じさせる。この結果、温度変化を敏感に捉え熱起電力（ゼーベック係数）が高められるものと解される。
ここで、本願明細書中で用いる幾つかの用語について定義を記載する。
「多環芳香族化合物」とは、多環芳香属環を有する化合物を意味し、「多環芳香族化合物からなる基本骨格」とは、このような化合物の全構造のうち、置換基部分を除いた構造を意味する。
「ファンデルワールス体積」とは、分子を構成する原子をファンデルワールス半径を有する球体で近似した場合の、分子あるいはその構成要素の体積を意味する。「ファンデルワールス体積比」とは、分子の構成する複数の構成要素のファンデルワールス体積の比である。
「側鎖の長さ」とは、主骨格を構成する原子のうち側鎖が化学結合している原子の中心位置から、側鎖を構成する原子のうち安定構造において最も距離が離れた原子の中心位置までの距離を意味する。
「π共役構造」とは、多重結合が単結合と交互に連なった構造を表わし、「平面π共役構造」とは、π共役構造を形成する原子が同一平面状に存在する構造を意味する。
「熱起電力（ゼーベック係数）」とは、電気伝導性を有する物質上の異なる２カ所に生じる定常的な電位差の温度依存性を測定し、その勾配からＳ＝−ΔＶ/ΔＴ（ΔＶは電位差、ΔＴは温度差）で計算される値を意味する。
「導電率」とは、ソース・メーター等によって測定された材料の電流−電圧特性から求められる電気コンダクタンスに対し、電流経路の長さを乗じ、断面積で除した値を意味する。
「熱伝導率」とは、サーモリフレクタンス法、温度波分析法、定常熱流法などによって測定した熱拡散率に、材料の比熱と密度を乗じることによって求めた値を意味する。
本願明細書において「構造相転移」とは、物質の空間的に均一とみなすことのできる構造（秩序構造でも無秩序構造でもよい）が、温度などの外的条件によって異なる状態の構造へと転移することを意味し、「構造相転移温度」とは、その変化が現れる温度を意味する。構造相転移温度は、例えば、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定した際において吸熱あるいは発熱ピークが現れることや、比熱の温度依存性が変化する（比熱を温度で微分した勾配が急変する）ことで測定される。また、半導体材料における導電率の温度依存性がアレニウス型の熱活性を示すのに対し、その活性化エネルギーが急変する温度としても測定される。
「多環芳香族化合物」とは、多環芳香属環を有する化合物を意味し、「多環芳香族化合物からなる基本骨格」とは、このような化合物の全構造のうち、置換基部分を除いた構造を意味する。
「ファンデルワールス体積」とは、分子を構成する原子をファンデルワールス半径を有する球体で近似した場合の、分子あるいはその構成要素の体積を意味する。「ファンデルワールス体積比」とは、分子の構成する複数の構成要素のファンデルワールス体積の比である。
「側鎖の長さ」とは、主骨格を構成する原子のうち側鎖が化学結合している原子の中心位置から、側鎖を構成する原子のうち安定構造において最も距離が離れた原子の中心位置までの距離を意味する。
「π共役構造」とは、多重結合が単結合と交互に連なった構造を表わし、「平面π共役構造」とは、π共役構造を形成する原子が同一平面状に存在する構造を意味する。
「熱起電力（ゼーベック係数）」とは、電気伝導性を有する物質上の異なる２カ所に生じる定常的な電位差の温度依存性を測定し、その勾配からＳ＝−ΔＶ/ΔＴ（ΔＶは電位差、ΔＴは温度差）で計算される値を意味する。
「導電率」とは、ソース・メーター等によって測定された材料の電流−電圧特性から求められる電気コンダクタンスに対し、電流経路の長さを乗じ、断面積で除した値を意味する。
「熱伝導率」とは、サーモリフレクタンス法、温度波分析法、定常熱流法などによって測定した熱拡散率に、材料の比熱と密度を乗じることによって求めた値を意味する。
本願明細書において「構造相転移」とは、物質の空間的に均一とみなすことのできる構造（秩序構造でも無秩序構造でもよい）が、温度などの外的条件によって異なる状態の構造へと転移することを意味し、「構造相転移温度」とは、その変化が現れる温度を意味する。構造相転移温度は、例えば、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定した際において吸熱あるいは発熱ピークが現れることや、比熱の温度依存性が変化する（比熱を温度で微分した勾配が急変する）ことで測定される。また、半導体材料における導電率の温度依存性がアレニウス型の熱活性を示すのに対し、その活性化エネルギーが急変する温度としても測定される。
本発明の有機熱電変換材料に含有される導電性化合物としては、典型的には下記一般式（１）又は（２）で表される化合物が挙げられる。
式（１）および（２）中、Ｘはキャリア輸送特性を有する多環芳香族環を表し、Ｒはそれぞれ独立してアルキル基またはアルキル基を有する置換基を表す。ｍはＲがＸに結合可能な最大数以下の数であり、基本骨格により異なるが例えば１〜８の整数、典型的には、１〜２の整数を表す。式（１）中のｎは１以上の整数であり、ｎが２以上の場合には、Ｘはそれぞれ異なる多環式芳香族環であってもよい。
式（１）および（２）中、Ｘはキャリア輸送特性を有する多環芳香族環を表し、Ｒはそれぞれ独立してアルキル基またはアルキル基を有する置換基を表す。ｍはＲがＸに結合可能な最大数以下の数であり、基本骨格により異なるが例えば１〜８の整数、典型的には、１〜２の整数を表す。式（１）中のｎは１以上の整数であり、ｎが２以上の場合には、Ｘはそれぞれ異なる多環式芳香族環であってもよい。
上述の通り、本発明の有機熱電変換材料に熱電変換物質として含有される導電性化合物の基本骨格を構成する上記Ｘで表される多環芳香族環は、芳香族環が２以上縮合した構造であり、平面π共役構造を有している。このため、分子が配向して並び隣接分子間のスタッキング効果を生じ易くなり、分子間の電子又は正孔の移動が容易になるため高いキャリア移動度を得られ易い。
上記Ｘで表される多環芳香族環は、芳香族炭化水素、及び芳香族複素環の何れか一方又は両方で構成することができ、キャリア移動度が高い多環構造を選択することが好ましい。
上記Ｘで表される多環芳香族環の具体例としては、例えば、
ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、アセナフテン、ナフタセン、アズレン、フェナレン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、クリセン、アンタントレン、ピラントレン、インデノインデン、ピセン、トリフェニレン、ペリレン、ナフトペリレン、コロネン、オバレン、ピレン、ベンゾピレン、ヘキサヘリセン、ヘプタヘリセン、オクタヘリセン、ノナヘリセン、デカヘリセン、ウンデカヘリセン、ドデカヘリセン等；テトラフェン、ペンタフェン、ヘキサフェン、ヘプタフェン、オクタフェン、ノナフェン、デカフェン、ウンデカフェン、ドデカフェン、Ｃ６０フラーレン、Ｃ７０フラーレンなどの多環芳香族炭化水素；並びに
インドール、イソインドール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、ベンゾピラン、アクリジン、キサンテン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナジン、ナフチリジン、ベンゾチアジアゾール、ベンゾチアゾール、ジチエノシロール、フルオレン、チエノチオフェン、カルバゾール、フェノチアジン、フェノオキサジン、ベンゾチエノベンゾチオフェン、ジチエノチオフェン、ベンゾジチオフェン、ベンゾジセレノフェン、ジナフトチエノチオフェン、ジアンスラチエノチオフェン、ベンゾビスオキサゾールなどのヘテロアセン系及びこれらが複数結合したポリヘテロアセン類、フェナントレン、フェナントリジン、シクロペンタジチオフェン、ベンゾ-C-シンノリン、ペリレンジカルボキシイミド、ベンゾトリフラン、ベンゾトリチオフェン、ポルフィリン、クロリン、コリン、フタロシアニン、ポルフィラジンなどの多環芳香族複素環が挙げられる。
ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、アセナフテン、ナフタセン、アズレン、フェナレン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、クリセン、アンタントレン、ピラントレン、インデノインデン、ピセン、トリフェニレン、ペリレン、ナフトペリレン、コロネン、オバレン、ピレン、ベンゾピレン、ヘキサヘリセン、ヘプタヘリセン、オクタヘリセン、ノナヘリセン、デカヘリセン、ウンデカヘリセン、ドデカヘリセン等；テトラフェン、ペンタフェン、ヘキサフェン、ヘプタフェン、オクタフェン、ノナフェン、デカフェン、ウンデカフェン、ドデカフェン、Ｃ６０フラーレン、Ｃ７０フラーレンなどの多環芳香族炭化水素；並びに
インドール、イソインドール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、ベンゾピラン、アクリジン、キサンテン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナジン、ナフチリジン、ベンゾチアジアゾール、ベンゾチアゾール、ジチエノシロール、フルオレン、チエノチオフェン、カルバゾール、フェノチアジン、フェノオキサジン、ベンゾチエノベンゾチオフェン、ジチエノチオフェン、ベンゾジチオフェン、ベンゾジセレノフェン、ジナフトチエノチオフェン、ジアンスラチエノチオフェン、ベンゾビスオキサゾールなどのヘテロアセン系及びこれらが複数結合したポリヘテロアセン類、フェナントレン、フェナントリジン、シクロペンタジチオフェン、ベンゾ-C-シンノリン、ペリレンジカルボキシイミド、ベンゾトリフラン、ベンゾトリチオフェン、ポルフィリン、クロリン、コリン、フタロシアニン、ポルフィラジンなどの多環芳香族複素環が挙げられる。
中でも、キャリア輸送能が高い点で、ナフタレン、アンスラセン、ナフタセン、ペンタセン等のアセン系炭化水素や、ベンゾジチオフェン、ベンゾチエノベンゾチオフェン、ジナフトジチオフェン等のヘテロアセン類、或いはポルフィリン、フタロシアニン、ポルフィラジン等が好ましい。
多環芳香族化合物の基本骨格の非限定的な具体例を以下に示す。
上述の通り、導電性化合物の基本骨格は、２以上の多環芳香族環が単結合で連結してπ共役構造を形成してもよい。基本骨格が複数の多環芳香族環が連結して構成される場合、多環芳香族環の数は、一般的には２〜２０００とすることができ、２〜１０００とすることが好ましく、２〜１００とすることがより好ましく、２〜５とすることが更に好ましい。勿論、単一の多環芳香族環で基本骨格を構成してもよい。また、単数又は複数の多環芳香族環によって構成される基本骨格の分子量（Ｍｗ）は、５０〜２０００００でもよく、好ましくは１００〜１０００００であり、より好ましくは２００〜５００００Ｍｗであり、特に好ましくは２００〜３００００である。
上述の通り、導電性化合物の基本骨格は、２以上の多環芳香族環が単結合で連結してπ共役構造を形成してもよい。基本骨格が複数の多環芳香族環が連結して構成される場合、多環芳香族環の数は、一般的には２〜２０００とすることができ、２〜１０００とすることが好ましく、２〜１００とすることがより好ましく、２〜５とすることが更に好ましい。勿論、単一の多環芳香族環で基本骨格を構成してもよい。また、単数又は複数の多環芳香族環によって構成される基本骨格の分子量（Ｍｗ）は、５０〜２０００００でもよく、好ましくは１００〜１０００００であり、より好ましくは２００〜５００００Ｍｗであり、特に好ましくは２００〜３００００である。
本発明の有機熱電変換材料に含まれる導電性化合物は、上記の多環芳香族環によって発達したπ共役構造が形成されていると共に、当該多環芳香族環に上記Ｒで表されるアルキル基又はアルキル基を有する置換基が結合している。
このような置換基は、回転自由な結合を有しており、所定の温度、好ましくは−５０℃〜２００℃の範囲の何れかの温度で熱運動を生じる。このような置換基は、熱に敏感に応答して運動し、導電性化合物の体積変化や構造相転移を生じさせる。この結果、多環芳香族化合物の基本骨格等によるキャリア輸送能を変調させ、高効率の熱電変換を可能にする。このような置換基の熱運動による導電性化合物の構造相転移は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）の吸発熱ピークにより確認することができる。
このような置換基は、回転自由な結合を有しており、所定の温度、好ましくは−５０℃〜２００℃の範囲の何れかの温度で熱運動を生じる。このような置換基は、熱に敏感に応答して運動し、導電性化合物の体積変化や構造相転移を生じさせる。この結果、多環芳香族化合物の基本骨格等によるキャリア輸送能を変調させ、高効率の熱電変換を可能にする。このような置換基の熱運動による導電性化合物の構造相転移は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）の吸発熱ピークにより確認することができる。
熱に敏感に応答して熱運動を生じるには、置換基は、多環芳香族骨格に回転自由な共有結合で結合することが好ましい。また、置換基自体も多数の回転自由な共有結合を有することが好ましく、このような点から、置換基は、アルキル基を有する置換基であることが好ましく、鎖状のアルキル基を主鎖とする置換基であることがより好ましく、直鎖のアルキル基が更に好ましい。
また、高い熱起電力（ゼーベック係数）を達成するためには、多環芳香族環による発達したπ共役構造を維持しながら、置換基の熱運動により熱に敏感に応答して構造相転移をもたらすことが重要と考えられ、この観点から、多環芳香族骨格に対する側鎖のファンデルワールス体積比は指標の１つと考えられる。多環芳香族骨格の違いにより結晶性や結晶形による凝集力が異なり、その分子間の結合力は異なるが、一般的に本発明の熱電変換材料に含有される導電性化合物においては、同化合物中における置換基が占めるファンデルワールス体積比が、５％〜８０％であることが好ましく、２５〜６０％であることが好ましく、３０〜６０％がより好ましい。また１０〜５０％であることが更に好ましく、１５〜５０％であることが特に好ましい。この多環芳香族骨格に対する側鎖のファンデルワールス体積比を設計することにより構造相転移の温度や熱運動をコントロールすることが可能となる。素子を使用する環境により、求められる温度（温度差）が異なるが、この能力を活用することにより、適した素子を設計することが出来る。
同様の点から、アルキル基またはアルキル基を有する置換基のアルキル基部分は、鎖状又は環状の、好ましくは直鎖状の炭素原子数１〜２０の基であり、より好ましくは炭素数２〜１８の基であり、更に好ましくは炭素数４〜１５の基である。
具体的には、直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基が挙げられ、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基が好ましく、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基がより好ましい。
また分岐鎖アルキル基としては、例えばイソプロピル基、イソブチル基、イソアミル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、２−メチルブチル基、２−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−メチルオクチル基、２−エチルオクチル基を挙げることができ、イソブチル基、イソアミル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、２−メチルブチル基、２−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−メチルオクチル基、２−エチルオクチル基が挙げられる。また環状のアルキル基としてシクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
アルキル基を有する置換基としては、例えば、アルキル基が以下の置換基で置換された基が挙げられる。
１）フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等のアリール基
２）フリル基、チエニル基、チエニレン基、テニル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、イミダゾリル基、モルホリノ基、ベンゾチエニル基、ベンゾフェニル基等の単環式芳香族複素環残基
３）アルキル基又は芳香族環残基で置換されたアミノ基、アルキルオキシ基、アルキルチオキシ基、エステル基、カルバモイル基、アセトアミド、チオ基又はアシル基
４）フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基
これらの置換基は１つ又は複数有しても良い。
１）フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等のアリール基
２）フリル基、チエニル基、チエニレン基、テニル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、イミダゾリル基、モルホリノ基、ベンゾチエニル基、ベンゾフェニル基等の単環式芳香族複素環残基
３）アルキル基又は芳香族環残基で置換されたアミノ基、アルキルオキシ基、アルキルチオキシ基、エステル基、カルバモイル基、アセトアミド、チオ基又はアシル基
４）フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基
これらの置換基は１つ又は複数有しても良い。
また、アルキル基が、以下の化学構造を介して多環芳香族骨格に結合している基が挙げられる。
１）酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子などのヘテロ原子
２）フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等のアリール基
３）フリル基、チオフェン基、チエニル基、チエニレン基、テニル基、ピリジル基、イミダゾリル基、モルホリノ基、ベンゾチエニル基、ベンゾフェニル基等の芳香族複素環残基
４）カルボニル基、チオカルボニル基
１）酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子などのヘテロ原子
２）フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等のアリール基
３）フリル基、チオフェン基、チエニル基、チエニレン基、テニル基、ピリジル基、イミダゾリル基、モルホリノ基、ベンゾチエニル基、ベンゾフェニル基等の芳香族複素環残基
４）カルボニル基、チオカルボニル基
アルキル基を有する置換基としては、例えば、シリルエチニル基で置換されたアルキル基、アリール基（例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等）で置換されたアルキル基、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾリル基等）で置換されたアルキル基、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシル基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）で置換されたアルキル基、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）で置換されたアルキル基、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）で置換されたアルキル基、アルキルスルファモイル基、アルキルカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルカルボニルアミノ基、アルキルカルバモイル基、アルキルウレイド基、アルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アルキル基が置換したアリールスルホニル基、アルキルアミノ基、フルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、アルキルシリル基等が挙げられる。
本発明の導電性材料に含まれる導電性化合物では、上述した多環芳香族環の１つに対して複数の置換基を有してもよく、通常多環芳香族環の１つ当たり１〜８の置換基を有することができ、１〜４の置換基を有することが好ましく、１〜３の置換基を有することがより好ましく、２の置換基を有することが特に好ましい。
本発明の導電性材料に含まれる導電性化合物では、上述した多環芳香族環の１つに対して複数の置換基を有してもよく、通常多環芳香族環の１つ当たり１〜８の置換基を有することができ、１〜４の置換基を有することが好ましく、１〜３の置換基を有することがより好ましく、２の置換基を有することが特に好ましい。
また、本発明を構成する導電性化合物では、上述した置換基のアルキル基部分（置換基がアルキル基である場合にはアルキル基自体）の分子量が導電性化合物全体の分子量に対して５〜８０％を占めることが好ましい。例えば、多環芳香族骨格部分の一方の幅がベンゼン環一個程度に狭くもう一方の幅がそれより長い棒状の化合物では、その割合は２５〜６０％を占めることがより好ましく、多環芳香族骨格部分の幅がベンゼン環二個程度以上に幅広い化合物で、その割合は１０〜５０％を占めることが好ましい。また、置換基全体で回転自由な結合が複数存在することが好ましい。一方、アルキル基以外の構造は、多環芳香族環と共にπ共役構造を形成してもよい。適宜、アルキル基の数、置換位置、分鎖数、長さを調整することで最適な特性を得ることが可能となる。
導電性化合物の構造相転移を生じる温度は、上記の多環芳香族化合物の基本骨格と、上記の置換基との組合せによって変動する。したがって、導電性化合物が使用されることが予想される温度に応じて、適宜好ましい分子設計をすることが好ましい。特に、本発明の導電性化合物では、導電性化合物のアルキル基の長さをコントロールすることで、熱電変換材料の相転移の温度の制御や熱運動の制御が可能と考えられる。従って、素子を用いる環境に応じて、基本骨格と置換基との組合せ、特にアルキル基の長さ又はファンデルワールス体積比を適宜選択し、効果的な熱電変換素子を得ることができると考えられる。
熱電変換素子の通常の用途からすると、−５０℃〜２００℃の範囲の温度で構造相転移を生じる分子設計とすることが好ましく、０〜１８０℃の範囲の温度で構造相転移を生じる分子設計とすることがより好ましく、１０〜１５０℃の範囲の温度で構造相転移を生じる分子設計とすることが更に好ましい。従って、このような温度範囲で構造相転移を生じるように、基本骨格と置換基との組合せ、特にアルキル基の長さ又はファンデルワールス体積比を選択することが好ましい。
導電性化合物の構造相転移を生じる温度（構造相転移点）は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）の吸発熱ピークにより確認することができる。導電性化合物の構造相転移がみられる温度の近傍に大きなパワーファクターの相対値を示す熱電変換素子は、当該温度付近を使用温度とするのに最適な熱電変換材料であると確認できる。
熱電変換素子の通常の用途からすると、−５０℃〜２００℃の範囲の温度で構造相転移を生じる分子設計とすることが好ましく、０〜１８０℃の範囲の温度で構造相転移を生じる分子設計とすることがより好ましく、１０〜１５０℃の範囲の温度で構造相転移を生じる分子設計とすることが更に好ましい。従って、このような温度範囲で構造相転移を生じるように、基本骨格と置換基との組合せ、特にアルキル基の長さ又はファンデルワールス体積比を選択することが好ましい。
導電性化合物の構造相転移を生じる温度（構造相転移点）は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）の吸発熱ピークにより確認することができる。導電性化合物の構造相転移がみられる温度の近傍に大きなパワーファクターの相対値を示す熱電変換素子は、当該温度付近を使用温度とするのに最適な熱電変換材料であると確認できる。
このような観点から、好ましい導電性化合物の代表的な例を以下に示す。
（１）ポルフィリン骨格を有する導電性化合物
式（５）中、Ｍは金属原子を表す。式（４）及び（５）中、Ｚはそれぞれ独立して水素原子、或いは無置換、又はアルキル基若しくはアルキル基を有する置換基で置換された芳香族炭化水素又は芳香族複素環であり、無置換の芳香族炭化水素又は芳香族複素環が好ましい。複数のＺは同じでも異なってもよい。
Ｗはそれぞれ独立してＮ又はＣＲ３を表し、少なくとも１つのＷはＣＲ３を表し、Ｒ３は水素原子、アルキル基又はアルキル基を有する置換基を表し、少なくとも１つのＲ３はアルキル基又はアルキル基を有する置換基を表す。好ましくは対向する１組のＷは、ＣＲ３を表し、Ｒ３がアルキル基若しくはアルキル基を有する置換基であり、他の対抗する１組のＷは、Ｎ又はＣＲ３を表し、Ｒ３は水素原子であり、より好ましくはＣＲ３を表し、Ｒ３は水素原子である。
式（５）中、Ｍは金属原子を表す。式（４）及び（５）中、Ｚはそれぞれ独立して水素原子、或いは無置換、又はアルキル基若しくはアルキル基を有する置換基で置換された芳香族炭化水素又は芳香族複素環であり、無置換の芳香族炭化水素又は芳香族複素環が好ましい。複数のＺは同じでも異なってもよい。
Ｗはそれぞれ独立してＮ又はＣＲ３を表し、少なくとも１つのＷはＣＲ３を表し、Ｒ３は水素原子、アルキル基又はアルキル基を有する置換基を表し、少なくとも１つのＲ３はアルキル基又はアルキル基を有する置換基を表す。好ましくは対向する１組のＷは、ＣＲ３を表し、Ｒ３がアルキル基若しくはアルキル基を有する置換基であり、他の対抗する１組のＷは、Ｎ又はＣＲ３を表し、Ｒ３は水素原子であり、より好ましくはＣＲ３を表し、Ｒ３は水素原子である。
Ｚを構成する芳香族炭化水素環としては、例えば、フェニル、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、アセナフテン、ナフタセン、アズレン、フェナレン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、クリセン、アンタントレン、ピラントレン、インデノインデン、ピセン、トリフェニレン、ペリレン、ナフトペリレン、コロネン、オバレン、ピレン、ベンゾピレン、ヘキサヘリセン、ヘプタヘリセン、オクタヘリセン、ノナヘリセン、デカヘリセン、ウンデカヘリセン、ドデカヘリセン等；テトラフェン、ペンタフェン、ヘキサフェン、ヘプタフェン、オクタフェン、ノナフェン、デカフェン、ウンデカフェン、ドデカフェン、C60フラーレン、C70フラーレン等を挙げることができ、フェニル、ビフェニル、ナフタレンが好ましい。芳香族複素環としては、例えばフリル、チオフェン、チエニル、チエニレン、テニル、ピリジル、イミダゾリル、モルホリノ、ベンゾチエニル、ベンゾフェニル等を挙げることができる。これら芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を任意選択で置換するアルキル基又はアルキル基を有する置換基としては、式（１）及び（２）のＲで説明した基を挙げることができ、炭素数１〜１５の直鎖アルキル基が好ましい。また、Ｒ３を構成するアルキル基又はアルキル基を有する置換基も、式（１）及び（２）のＲで説明した基を挙げることができる。好ましくは、１組の対向する位置のＲ３が炭素数１〜３０の直鎖アルキル基又は炭素数１〜３０の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数５〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数５〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数８〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数８〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は、５〜６０％であることが好ましく、１０〜５０％であることがより好ましく、１５〜５０％であることが更に好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は、５〜６０％であることが好ましく、１０〜５０％であることがより好ましく、１５〜５０％であることが更に好ましい。
このようなポルフィリンを基本骨格とする導電性化合物としては、以下の一般式（１０）〜（１３）で表される化合物が好ましい。
式（１０）、（１１）、（１２）又は（１３）中、Ｒ４７乃至Ｒ５０は上記式（１）のＲと同じであり、Ｒ４７乃至Ｒ４９は少なくとも１つのＷに結合しており、Ｒ５０は基本骨格の結合可能な位置に結合できるが、好ましくは少なくとも１つのＷに結合しており、ｍ１乃至ｍ４は上記式（１）のｍと同じである。ｍ１、ｍ２、ｍ３又はｍ４が２以上の場合、複数のＲ４７、Ｒ４８、Ｒ４９又はＲ５０は異なっていても同じでもよい。Ｒ４７乃至Ｒ５０を構成するアルキル基又はアルキル基を有する置換基も、式（１）及び（２）のＲで説明した基を挙げることができる。好ましくは、１組の対向する位置のＲ４７、Ｒ４８、Ｒ４９又はＲ５０が炭素数１〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数１〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数４〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数４〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数８〜１３の直鎖アルキル基又は炭素数８〜１３の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は、５〜６０％であることが好ましく、１０〜５０％であることがより好ましい。特に１５〜５０％であることが好ましい。
式（１０）、（１１）、（１２）又は（１３）中、Ｒ４７乃至Ｒ５０は上記式（１）のＲと同じであり、Ｒ４７乃至Ｒ４９は少なくとも１つのＷに結合しており、Ｒ５０は基本骨格の結合可能な位置に結合できるが、好ましくは少なくとも１つのＷに結合しており、ｍ１乃至ｍ４は上記式（１）のｍと同じである。ｍ１、ｍ２、ｍ３又はｍ４が２以上の場合、複数のＲ４７、Ｒ４８、Ｒ４９又はＲ５０は異なっていても同じでもよい。Ｒ４７乃至Ｒ５０を構成するアルキル基又はアルキル基を有する置換基も、式（１）及び（２）のＲで説明した基を挙げることができる。好ましくは、１組の対向する位置のＲ４７、Ｒ４８、Ｒ４９又はＲ５０が炭素数１〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数１〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数４〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数４〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数８〜１３の直鎖アルキル基又は炭素数８〜１３の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は、５〜６０％であることが好ましく、１０〜５０％であることがより好ましい。特に１５〜５０％であることが好ましい。
このようなポルフィリン構造を基本骨格とする導電性化合物は、例えば、アルキル基又はアルキル部分を炭素数４〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数４〜１５の直鎖アルキル基を有する基とした場合の構造相転移は３０〜１２０℃の温度領域において生じる。そのため、例えば３０〜１５０℃での使用が想定される場合、アルキル基又はアルキル部分を炭素数４〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数４〜１５の直鎖アルキル基を有する基とすることが好ましい。
（２）へテロアセンを基本骨格とする導電性化合物
式（３）中、Ｙはそれぞれ独立して、Ｓ、Ｓｅ、ＳＯ２、Ｏ、Ｎ（Ｒ５１）、Ｓｉ（Ｒ５１）（Ｒ５２）を表し、Ｒ５１及びＲ５２はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を表し、好ましい置換基としてはアリール基、単環式芳香族複素環残基；アルキル基又は芳香族環残基で置換されたアミノ基、アルキルオキシ基、アルキルチオキシ基、エステル基、カルバモイル基、アセトアミド、チオ基又はアシル基；ハロゲン原子、ニトロ基、又はシアノ基である。アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、単環式芳香族複素環残基としては、フリル基、チエニル基、チエニレン基、テニル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、イミダゾリル基、モルホリノ基、ベンゾチエニル基、ベンゾフェニル基等が挙げられ、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。Ｙは、好ましくはＳ又はＳｅであり、特に好ましくはＳである。
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立して、アルキル基又はアルキル基を有する置換基、或いはアルキル基又はアルキル基を有する置換基で置換された芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、Ｚ１及びＺ２は同じでも異なっても良い。
芳香族炭化水素環としては、例えば、単環式、又は複数の環が連結又は縮合した芳香族炭化水素環を挙げることができる。単環式芳香族炭化水素環としては、例えば炭素数３〜７、好ましくは４〜６の芳香族炭化水素環を挙げることができる。また、複数の環が連結又は縮合した芳香族炭化水素環としては、炭素数３〜７、好ましくは４〜６の芳香族炭化水素環が２以上（例えば２〜７個、２〜５個、又は２〜３個）連結又は縮合した構造を挙げることができる。具体的な芳香族炭化水素環の例としては、例えばフェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、フェナントレン、クリセン、トリフェニレン、テトラフェン、ピレン、ピセン、ペンタフェン、ペリレン、ヘリセン、コロネン等を挙げることができる。芳香族複素環としては、例えばフリル、チオフェン、チエニル、チエニレン、テニル、ピリジル、イミダゾリル、モルホリノ、ベンゾチエニル、ベンゾフェニル等を挙げることができる。
アルキル基又はアルキル基を有する置換基としては、式（１）及び（２）のＲで説明した基を挙げることができる。好ましくは、炭素数１〜３０の直鎖アルキル基又は炭素数１〜３０の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数１〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数１〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数５〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数５〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は５〜８０％であることが好ましく、２５〜６０％であることがより好ましく、３０〜６０％であることが更に好ましい。
式（３）中、Ｙはそれぞれ独立して、Ｓ、Ｓｅ、ＳＯ２、Ｏ、Ｎ（Ｒ５１）、Ｓｉ（Ｒ５１）（Ｒ５２）を表し、Ｒ５１及びＲ５２はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を表し、好ましい置換基としてはアリール基、単環式芳香族複素環残基；アルキル基又は芳香族環残基で置換されたアミノ基、アルキルオキシ基、アルキルチオキシ基、エステル基、カルバモイル基、アセトアミド、チオ基又はアシル基；ハロゲン原子、ニトロ基、又はシアノ基である。アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、単環式芳香族複素環残基としては、フリル基、チエニル基、チエニレン基、テニル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、イミダゾリル基、モルホリノ基、ベンゾチエニル基、ベンゾフェニル基等が挙げられ、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。Ｙは、好ましくはＳ又はＳｅであり、特に好ましくはＳである。
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立して、アルキル基又はアルキル基を有する置換基、或いはアルキル基又はアルキル基を有する置換基で置換された芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、Ｚ１及びＺ２は同じでも異なっても良い。
芳香族炭化水素環としては、例えば、単環式、又は複数の環が連結又は縮合した芳香族炭化水素環を挙げることができる。単環式芳香族炭化水素環としては、例えば炭素数３〜７、好ましくは４〜６の芳香族炭化水素環を挙げることができる。また、複数の環が連結又は縮合した芳香族炭化水素環としては、炭素数３〜７、好ましくは４〜６の芳香族炭化水素環が２以上（例えば２〜７個、２〜５個、又は２〜３個）連結又は縮合した構造を挙げることができる。具体的な芳香族炭化水素環の例としては、例えばフェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、フェナントレン、クリセン、トリフェニレン、テトラフェン、ピレン、ピセン、ペンタフェン、ペリレン、ヘリセン、コロネン等を挙げることができる。芳香族複素環としては、例えばフリル、チオフェン、チエニル、チエニレン、テニル、ピリジル、イミダゾリル、モルホリノ、ベンゾチエニル、ベンゾフェニル等を挙げることができる。
アルキル基又はアルキル基を有する置換基としては、式（１）及び（２）のＲで説明した基を挙げることができる。好ましくは、炭素数１〜３０の直鎖アルキル基又は炭素数１〜３０の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数１〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数１〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数５〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数５〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は５〜８０％であることが好ましく、２５〜６０％であることがより好ましく、３０〜６０％であることが更に好ましい。
このようなヘテロアセンを基本骨格とする導電性化合物としては、以下の化合物が好ましい
（２−１）ＢＴＢＴ又はそれに類似する構造を基本骨格とする導電性化合物
式（６）中、Ｘ１及びＸ２は式（３）のＹと同じであり、好ましくはＳ又はＳｅであり、特に好ましくはＳである。Ｒ１及びＲ２の少なくとも１つ、好ましくは両方、上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基と同じでよい。もっとも、式（６）の化合物では、炭素数１〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数１〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数６〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１２の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は５〜８０％であることが好ましく、２５〜６０％であることがより好ましく、３０〜６０％であることが更に好ましい。
このような構造を基本骨格とする導電性化合物は、例えば、アルキル基又はアルキル部分を炭素数５〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数５〜１２の直鎖アルキル部分とした場合の構造相転移は７０〜１２０℃の温度領域において生じる。そのため、例えば５０℃〜１５０℃での使用が想定される場合には、アルキル基又はアルキル部分を炭素数５〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数５〜１２の直鎖アルキル部分とすることが好ましい。
なお、式（６）の化合物は、例えばＷＯ２００８／０４７８９６に記載の方法で製造することができ、その内容を参照により本願明細書に組み込む。
（２−１）ＢＴＢＴ又はそれに類似する構造を基本骨格とする導電性化合物
式（６）中、Ｘ１及びＸ２は式（３）のＹと同じであり、好ましくはＳ又はＳｅであり、特に好ましくはＳである。Ｒ１及びＲ２の少なくとも１つ、好ましくは両方、上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基と同じでよい。もっとも、式（６）の化合物では、炭素数１〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数１〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数６〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１２の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は５〜８０％であることが好ましく、２５〜６０％であることがより好ましく、３０〜６０％であることが更に好ましい。
このような構造を基本骨格とする導電性化合物は、例えば、アルキル基又はアルキル部分を炭素数５〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数５〜１２の直鎖アルキル部分とした場合の構造相転移は７０〜１２０℃の温度領域において生じる。そのため、例えば５０℃〜１５０℃での使用が想定される場合には、アルキル基又はアルキル部分を炭素数５〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数５〜１２の直鎖アルキル部分とすることが好ましい。
なお、式（６）の化合物は、例えばＷＯ２００８／０４７８９６に記載の方法で製造することができ、その内容を参照により本願明細書に組み込む。
（２−２）ＤＮＴＴ又はそれに類似する構造を基本骨格とする導電性化合物
式（７）中、Ｘ１及びＸ２は上記式（３）のＹと同じであり、好ましくはＳ又はＳｅであり、特に好ましくはＳである。Ｒ３乃至Ｒ１４は、水素、又は上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基であり、Ｒ３乃至Ｒ１４の少なくとも１つは、上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基である。もっとも、式（７）の化合物では、Ｒ４及至Ｒ７、及びＲ１０及至Ｒ１３の何れかは、アルキル基又はアルキル基を有する置換基であることが好ましく、特にＲ６及びＲ１２、又はＲ５及びＲ１１に位置することがより好ましい。また、アルキル基又はアルキル基を有する置換基としては、炭素数１〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数１〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数４〜１６の直鎖アルキル基又は炭素数４〜１６の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数６〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１２の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は５〜８０％であることが好ましく、２５〜６０％であることがより好ましく、３０〜６０％であることが更に好ましい。
このような構造を基本骨格とする導電性化合物は、例えば、アルキル基又はアルキル部分を炭素数６〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１２の直鎖アルキル部分とした場合の構造相転移は１００〜１４０℃の温度領域において生じる。そのため、例えば８０℃〜１５０℃での使用が想定される場合には、アルキル基又はアルキル部分を炭素数６〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１２の直鎖アルキル部分とすることが好ましい。
なお、式（７）の化合物は、例えばＷＯ／２０１０／０９８３７２に記載の方法で製造することができ、その内容を参照により本願明細書に組み込む。
式（７）中、Ｘ１及びＸ２は上記式（３）のＹと同じであり、好ましくはＳ又はＳｅであり、特に好ましくはＳである。Ｒ３乃至Ｒ１４は、水素、又は上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基であり、Ｒ３乃至Ｒ１４の少なくとも１つは、上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基である。もっとも、式（７）の化合物では、Ｒ４及至Ｒ７、及びＲ１０及至Ｒ１３の何れかは、アルキル基又はアルキル基を有する置換基であることが好ましく、特にＲ６及びＲ１２、又はＲ５及びＲ１１に位置することがより好ましい。また、アルキル基又はアルキル基を有する置換基としては、炭素数１〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数１〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数４〜１６の直鎖アルキル基又は炭素数４〜１６の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数６〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１２の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は５〜８０％であることが好ましく、２５〜６０％であることがより好ましく、３０〜６０％であることが更に好ましい。
このような構造を基本骨格とする導電性化合物は、例えば、アルキル基又はアルキル部分を炭素数６〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１２の直鎖アルキル部分とした場合の構造相転移は１００〜１４０℃の温度領域において生じる。そのため、例えば８０℃〜１５０℃での使用が想定される場合には、アルキル基又はアルキル部分を炭素数６〜１２の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１２の直鎖アルキル部分とすることが好ましい。
なお、式（７）の化合物は、例えばＷＯ／２０１０／０９８３７２に記載の方法で製造することができ、その内容を参照により本願明細書に組み込む。
（４）ＤＡＴＴ又はそれに類似する構造を基本骨格とする導電性化合物
式（８）中、Ｘ１及びＸ２は上記式（３）のＹと同じであり、好ましくはＳ又はＳｅであり、特に好ましくはＳである。Ｒ１５乃至Ｒ３０は、水素、又は上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基であり、Ｒ１５乃至Ｒ３０の少なくとも１つは、Ｒで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基である。もっとも、式（８）の化合物では、Ｒ１５乃至Ｒ３０中、Ｒ１８及びＲ２６は、上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基であり、他は、水素であることが好ましい。また、アルキル基又はアルキル基を有する置換基としては、炭素数１〜２５の直鎖アルキル基又は炭素数１〜２５の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数５〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数５〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数６〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は５〜８０％であることが好ましく、２５〜６０％であることがより好ましく、３０〜６０％であることが更に好ましい。
このような構造を基本骨格とする導電性化合物は、例えば、アルキル基又はアルキル部分を炭素数６〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１５の直鎖アルキル部分とした場合の構造相転移は１００〜１４０℃の温度領域に生じる。そのため、例えば８０℃〜１５０℃での使用が想定される場合には、アルキル基又はアルキル部分を炭素数６〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１５の直鎖アルキル部分とすることが好ましい。
なお、式（８）の化合物は、例えばＷＯ２００８／０５０７２６に記載の方法で製造することができ、その内容を参照により本願明細書に組み込む。
式（８）中、Ｘ１及びＸ２は上記式（３）のＹと同じであり、好ましくはＳ又はＳｅであり、特に好ましくはＳである。Ｒ１５乃至Ｒ３０は、水素、又は上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基であり、Ｒ１５乃至Ｒ３０の少なくとも１つは、Ｒで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基である。もっとも、式（８）の化合物では、Ｒ１５乃至Ｒ３０中、Ｒ１８及びＲ２６は、上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基であり、他は、水素であることが好ましい。また、アルキル基又はアルキル基を有する置換基としては、炭素数１〜２５の直鎖アルキル基又は炭素数１〜２５の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数５〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数５〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数６〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は５〜８０％であることが好ましく、２５〜６０％であることがより好ましく、３０〜６０％であることが更に好ましい。
このような構造を基本骨格とする導電性化合物は、例えば、アルキル基又はアルキル部分を炭素数６〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１５の直鎖アルキル部分とした場合の構造相転移は１００〜１４０℃の温度領域に生じる。そのため、例えば８０℃〜１５０℃での使用が想定される場合には、アルキル基又はアルキル部分を炭素数６〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１５の直鎖アルキル部分とすることが好ましい。
なお、式（８）の化合物は、例えばＷＯ２００８／０５０７２６に記載の方法で製造することができ、その内容を参照により本願明細書に組み込む。
（４）ＤＣＴＴ又はそれに類似する構造を基本骨格とする導電性化合物
式（９）中、Ｘ１及びＸ２は上記式（３）のＹと同じであり、好ましくはＳ又はＳｅであり、特に好ましくはＳである。Ｒ３１乃至Ｒ４６は、水素、又は上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基であり、Ｒ３１乃至Ｒ４６の少なくとも１つは、Ｒで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基である。もっとも、式（９）の化合物では、Ｒ３１乃至Ｒ４６中、Ｒ３４及びＲ４１は、上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基であり、他は水素であることが好ましい。また、アルキル基又はアルキル基を有する置換基としては、炭素数１〜２５の直鎖アルキル基又は炭素数１〜２５の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数５〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数５〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数６〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は、５〜６０％であることが好ましく、１０〜５０％であることがより好ましい。特に１５〜５０％であることが好ましい。
このような構造を基本骨格とする導電性化合物は、上述の通り、アルキル基又はアルキル部分の長さを調整することで、熱電変換材料の構造転移の温度の制御や熱運動の制御が可能と考えられ、例えば７０℃〜１５０℃での使用が想定される場合には、アルキル基又はアルキル部分を炭素数６〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１５の直鎖アルキル部分とすることが好ましい。
なお、式（９）の化合物は、例えばＷＯ２００８／０５０７２６に記載の方法で製造することができ、その内容を参照により本願明細書に組み込む。
式（９）中、Ｘ１及びＸ２は上記式（３）のＹと同じであり、好ましくはＳ又はＳｅであり、特に好ましくはＳである。Ｒ３１乃至Ｒ４６は、水素、又は上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基であり、Ｒ３１乃至Ｒ４６の少なくとも１つは、Ｒで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基である。もっとも、式（９）の化合物では、Ｒ３１乃至Ｒ４６中、Ｒ３４及びＲ４１は、上記式（１）及び（２）のＲで説明したアルキル基又はアルキル基を有する置換基であり、他は水素であることが好ましい。また、アルキル基又はアルキル基を有する置換基としては、炭素数１〜２５の直鎖アルキル基又は炭素数１〜２５の直鎖アルキル基を有する基であることが好ましく、炭素数５〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数５〜２０の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましく、炭素数６〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１５の直鎖アルキル基を有する基であることがより好ましい。
また、アルキル基又はアルキル部分の導電性化合物全体に対するファンデルワールス体積比は、５〜６０％であることが好ましく、１０〜５０％であることがより好ましい。特に１５〜５０％であることが好ましい。
このような構造を基本骨格とする導電性化合物は、上述の通り、アルキル基又はアルキル部分の長さを調整することで、熱電変換材料の構造転移の温度の制御や熱運動の制御が可能と考えられ、例えば７０℃〜１５０℃での使用が想定される場合には、アルキル基又はアルキル部分を炭素数６〜１５の直鎖アルキル基又は炭素数６〜１５の直鎖アルキル部分とすることが好ましい。
なお、式（９）の化合物は、例えばＷＯ２００８／０５０７２６に記載の方法で製造することができ、その内容を参照により本願明細書に組み込む。
本発明の有機熱電変換材料は、任意選択で、ドーパントを含んでもよい。ドーパントとしては、例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩、カルボニウム塩、ホスホニウム塩等のオニウム塩化合物；カンファースルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、トルエンスルホン酸や、２−ナフタレンスルホン酸等の有機酸；Ｃｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、ＩＣｌ、ＩＣｌ3、ＩＢｒ、ＩＦ等のハロゲン；ＰＦ5、ＡｓＦ5、ＳｂＦ5、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ3、ＳＯ3等のルイス酸；ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＮＯ3、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌＯ4、燐酸等のプロトン酸；ＦｅＣｌ3、ＦｅＯＣｌ、ＴｉＣｌ4、ＺｒＣｌ4、ＨｆＣｌ4、ＮｂＦ5、ＮｂＣｌ5、ＴａＣｌ5、ＭｏＦ5、ＷＦ6等の遷移金属化合物、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等のアルカリ土類金属、Ｅｕ等のランタノイド、その他Ｒ4Ｎ+、Ｒ4Ｐ+、Ｒ4Ａｓ+、Ｒ3Ｓ+（Ｒ：アルキル基）、アセチルコリンなどを挙げることができる。
本発明においては、ドーパントは必須成分ではなく、有機熱電変換材料中、０〜６０重量％含有することが好ましく、０〜２０重量％含有することがより好ましい。
本発明の熱電変換材料は、高い熱起電力を備えており、有機熱電変換素子の熱電変換材料として有用である。このため、本発明の熱電変換材料は、有機熱電変換素子の熱電変換層を形成するために効果的に用いることができる。従って、本発明の他の実施形態によれば、本発明の熱電変換材料の熱電変換層を形成するための使用、熱電変換材料を含む熱電変換層を有する熱電変換素子、及び熱電変換材料を含む熱電変換層によって熱電変換させる方法も提供される。
本発明の熱電変換素子は、基材上に、第１の電極、熱電変換層および第２の電極を有し、熱電変換層は本発明の熱電変換材料を含有している。
本発明の熱電変換素子は、基材上に、第１の電極、熱電変換層および第２の電極を有するものであればよく、第１の電極および第２の電極と熱電変換層との位置関係等、その他の構成について特に限定されない。本発明の熱電変換素子において、熱電変換層は、その少なくとも一方の面に第１の電極および第２の電極に接するように配置されていればよい。基材に対して横方向に温度差がある場合が横型の熱電変換素子（図５）、基材に対して縦方向に温度差がある場合が縦型の熱電変換素子（図６）である。本発明の熱電変換素子における熱電変換層は、２つの電極に接するように配置されていればよく、この電極間に温度差を設けることにより起電力を発生する。
本発明の熱電変換素子は、基材上に、第１の電極、熱電変換層および第２の電極を有するものであればよく、第１の電極および第２の電極と熱電変換層との位置関係等、その他の構成について特に限定されない。本発明の熱電変換素子において、熱電変換層は、その少なくとも一方の面に第１の電極および第２の電極に接するように配置されていればよい。基材に対して横方向に温度差がある場合が横型の熱電変換素子（図５）、基材に対して縦方向に温度差がある場合が縦型の熱電変換素子（図６）である。本発明の熱電変換素子における熱電変換層は、２つの電極に接するように配置されていればよく、この電極間に温度差を設けることにより起電力を発生する。
基材としては、ガラス、金属、プラスチックフィルム、不織布、紙等の電極及び熱電変換材料を保持できるものが用いることができる。デバイスにフレキシビリティーを与えるため、フレキシブルなプラスチックフィルムなどを用いることが好ましい。
電極材料としてはＩＴＯ等の透明電極、金、銀、銅、アルミニウム等の金属電極、カーボンナノチューブ、グラフェン等の炭素電極、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等の有機導電性材料などが挙げられ、熱電変換材料との接触抵抗の低い材料が好ましい。また熱電変換材料との接触抵抗を下げるためコンタクトドーピング等の処理をすることが可能である。
本発明の熱電変換素子の熱電変換層は本発明の熱電変換材料を用いる。熱電変換層は１層でもよく、複数の層であってもよい。本発明の熱電変換素子が複数の熱電変換層を有する場合、本発明の熱電変換材料を用いて形成された熱電変換層のみを複数層有する素子であっても良いし、本発明の熱電変換材料を用いて形成された熱電変換層と、本発明の熱電変換材料以外の熱電変換材料を用いて形成された熱電変換層を有する素子であっても良い。本発明の熱電変換材料は、上述の通り、素子を使用する温度に応じて最も高い熱起電力を発揮するように設計することができるので、使用温度に応じて、置換基の分子設計を適宜変更することができる。
本発明の熱電変換素子における熱電変換層等の製膜方法は特に限定されず、例えば、印刷などの溶液プロセスや真空プロセスなどの方法が挙げられる。デバイス製造コストを考慮すると溶液プロセスが好ましく、キャスティング、スピンコーティング、ディップコーティング、ブレードコーティング、ワイヤバーコーティング、スプレーコーティング等のコーティング法や、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法、ソフトリソグラフィー法等、さらにはこれらの手法を複数組み合わせた方法が挙げられる。
上述の通り、本発明の熱電変換素子は、導電性化合物自体の高い熱起電力を通じて、高い熱電変換効率を達成することができ、高性能な有機熱電変換素子を提供する新たなアプローチを提供する。特に非常に高いゼーベック係数を有することから高電圧のデバイス設計が容易となり、特徴のある熱電変換素子を提供することが可能となる。
以下、実施例に基づき本発明をより詳しく説明する。しかし、以下の実施例は本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
（合成例１）（6,20-Didodecyl-29H,3H-tetrabenzo[b,g,l,q] porphyrin）
アルゴン置換した反応容器にジピロメタン（０．３０ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、ジクロロメタン（２００ｍｌ）に溶解させた。ここにアルゴンガスを１０分間バブリングした。ついでトリデカナール（０．３ｍｌ，１．１ｎｎｏｌ）とトリフルオロ酢酸（ＴＦＡ）（２滴）を順に加え、遮光下１７時間撹拌した。ここに２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−ｐ−ベンゾキノン（ＤＤＱ）（０．３５ｇ）を加え、さらに２時間撹拌した。反応終了後、溶液が半量になるまで溶媒を除去し、アルミナカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）を行った。さらにシリカゲルクロマトグラフィー（ジクロロメタン）及びＧＰＣを用いて精製し、最後に再結晶（クロロホルム／メタノール）を行うことで、目的物を赤褐色個体として得た。収率：８０％（３８９ｍｇ、０．４０５ｍｍｏｌ）
（合成例２） C12H25-H2BP
上記で得られたポルフィリンをガラスチューブオーブン中真空下、200℃で３０分間加熱することによりベンゾポルフィリンが緑色個体として得られた。
図２に示す通り、ＤＳＣ（１７０−５７０Ｋ）により、３２０−３６０Ｋにシャープなピークとブロードなピークが認められ、４４０Ｋ付近にピークが認められ、構造相転移を生じていることが示された。
（合成例３）29H,3H-tetrabenzo[b,g,l,q] porphine（ＢＰ、ＬＵＭＯ：−２．２６ｅＶ、ＨＯＭＯ：−４．６９ｅＶ ＡＬＤＲＩＣＨ社製）。
図３に示す通り、ＤＳＣ（１７０−５７０Ｋ）には、明確なピークが認められなかった。
（合成例４）Ｃ８ＢＴＢＴの合成
（１）2,7-Di(1-octynyl1)[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiopheneの合成
図３に示す通り、ＤＳＣ（１７０−５７０Ｋ）には、明確なピークが認められなかった。
（合成例４）Ｃ８ＢＴＢＴの合成
（１）2,7-Di(1-octynyl1)[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiopheneの合成
窒素雰囲気下、２，７−ジヨードベンゾチエノベンゾチオフェン（１．０ｇ，２．０ｍｍｏｌ）を無水ジイソプロピルアミン（１５ｍｌ）と無水ベンゼン（１５ｍｌ）に溶解後、脱気を３０分行った。１０ｍｏｌ％ ＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２（１４０ｍｇ）、２０ｍｏｌ％ ＣｕＩ（７６ｍｇ）、１−ｏｃｔｙｎｅ（０．８１ｍｌ，５．５ｍｍｏｌ）を加え８時間室温で攪拌した。攪拌終了後、水（３０ｍｌ）を加え、クロロホルム（３０ｍｌ×３）で抽出した。抽出液を水（１００ｍｌ×３）で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、塩化メチレン：へキサン＝１：３、Ｒｆ＝０．６）により精製し、ヘキサンから再結晶することで上記式で表される目的化合物の無色板状晶を得た（収量７１０ｍｇ、収率７７％）。
（２） 2,7-Dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiopheneの合成
得られた化合物（３００ｍｇ，０．６６ｍｍｏｌ）、Ｐｄ／Ｃ（７０ｍｇ）を無水トルエン（１０ｍＬ）に加え、アスピレーターによる減圧−水素パージを数回繰り返した後、８時間攪拌した。反応終了後溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、へキサン、Ｒｆ＝０．６）により精製し（収量２８６ｍｇ、収率９４％）、ヘキサンから再結晶することで、目的化合物の無色粉末固体を得た（収量２５０ｍｇ、収率８２％）。
（実施例）
各実施例において、各化合物を用いた有機熱電変換素子を作製し、特性を評価した。評価装置として、自家製超高抵抗試料対応熱電特性評価装置を用いた。前記特性評価装置は、超高真空チャンバー中において、（１）クヌーセンセルによる昇華性材料の精密蒸着、（２）ケースレー6430ソースメーターを利用した１０１４Ω程度を上限とする試料抵抗測定、および、（３）自家製高入力インピーダンス差動増幅回路を利用した１０１３Ω程度の試料抵抗を上限とする高精度ゼーベック係数測定、を行う機能を有する。（非特許文献：中村, 応用物理 82 (2013) 954を参照）
各実施例において、各化合物を用いた有機熱電変換素子を作製し、特性を評価した。評価装置として、自家製超高抵抗試料対応熱電特性評価装置を用いた。前記特性評価装置は、超高真空チャンバー中において、（１）クヌーセンセルによる昇華性材料の精密蒸着、（２）ケースレー6430ソースメーターを利用した１０１４Ω程度を上限とする試料抵抗測定、および、（３）自家製高入力インピーダンス差動増幅回路を利用した１０１３Ω程度の試料抵抗を上限とする高精度ゼーベック係数測定、を行う機能を有する。（非特許文献：中村, 応用物理 82 (2013) 954を参照）
（実施例１） 化合物（Ｃ１２ＢＰ）を用いた熱電変換素子の作製・評価
本実施例において、合成例１で合成した化合物を用いた有機熱電変換素子を作製して、特性を評価した。
電極作製用シャドウマスクを取り付けた白板ガラスを真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、金を０．１Å／ｓｅｃの蒸着速度で３０ｎｍの厚さに蒸着し、電極付き基板を得た。
本基板にシャドウマスクを取り付けたうえで熱電対及び電極への配線を行い、前記特性評価装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気し、抵抗加熱蒸着法によって、化合物（Ｃ１２ＢＰ）の薄膜（１６０ｎｍ）を形成し、本発明の熱電変換素子（電極間の距離：１０ｍｍ、電極の幅：７．６ｍｍ）を得た。
得られた熱電変換素子は、装置内の真空度が１．０×１０−５Ｐａ以下の条件で温度を定めて電圧を印加、電流値を読み取り、導電率を計測した。また電極間に温度勾配を設け、熱起電力値を読み取ることでゼーベック係数を測定した。
その結果、３４０Ｋでの導電率は３．０×１０−８Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数は１２３ｍＶ／Ｋであった。また、図１に示す通り、Ｃ１２ＢＰの側鎖のファンデルワールス体積比は５０％（Ｗｉｎｍｏｓｔａｒソフトを使用した）であった。
本実施例において、合成例１で合成した化合物を用いた有機熱電変換素子を作製して、特性を評価した。
電極作製用シャドウマスクを取り付けた白板ガラスを真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、金を０．１Å／ｓｅｃの蒸着速度で３０ｎｍの厚さに蒸着し、電極付き基板を得た。
本基板にシャドウマスクを取り付けたうえで熱電対及び電極への配線を行い、前記特性評価装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気し、抵抗加熱蒸着法によって、化合物（Ｃ１２ＢＰ）の薄膜（１６０ｎｍ）を形成し、本発明の熱電変換素子（電極間の距離：１０ｍｍ、電極の幅：７．６ｍｍ）を得た。
得られた熱電変換素子は、装置内の真空度が１．０×１０−５Ｐａ以下の条件で温度を定めて電圧を印加、電流値を読み取り、導電率を計測した。また電極間に温度勾配を設け、熱起電力値を読み取ることでゼーベック係数を測定した。
その結果、３４０Ｋでの導電率は３．０×１０−８Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数は１２３ｍＶ／Ｋであった。また、図１に示す通り、Ｃ１２ＢＰの側鎖のファンデルワールス体積比は５０％（Ｗｉｎｍｏｓｔａｒソフトを使用した）であった。
（実施例２） 化合物（Ｃ８−ＢＴＢＴ）を用いた熱電変換素子の作製・評価
実施例１で用いた化合物の代わりに合成例２で合成した化合物（Ｃ８−ＢＴＢＴ）を用いて有機熱電変換素子を作製し、評価した。
白板ガラス基板に０．５ｗｔ％Ｃ８−ＢＴＢＴのヘプタン溶液を滴下、スピンコート（１０００ｒｐｍ×１ｍｉｎ）製膜し、乾燥して有機薄膜（３０ｎｍ）基板を得た。この有機薄膜基板に電極形成用シャドウマスクを取り付け、真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、金を０．１Å／ｓｅｃの蒸着速度で３０ｎｍの厚さに蒸着し、熱電変換素子（電極間の距離：５ｍｍ、電極の幅：７．６ｍｍ）を得た。
本素子に熱電対及び電極への配線を行い、前記評価装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−５Ｐａ以下の条件で温度を定めて電圧を印加、電流値を読み取り、導電率を計測した。また電極間に温度勾配を設け、熱起電力値を読み取ることでゼーベック係数を測定した。
その結果、３４０Ｋでの導電率は２．１×１０−８Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数は１９０ｍＶ／Ｋであった。
実施例１で用いた化合物の代わりに合成例２で合成した化合物（Ｃ８−ＢＴＢＴ）を用いて有機熱電変換素子を作製し、評価した。
白板ガラス基板に０．５ｗｔ％Ｃ８−ＢＴＢＴのヘプタン溶液を滴下、スピンコート（１０００ｒｐｍ×１ｍｉｎ）製膜し、乾燥して有機薄膜（３０ｎｍ）基板を得た。この有機薄膜基板に電極形成用シャドウマスクを取り付け、真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、金を０．１Å／ｓｅｃの蒸着速度で３０ｎｍの厚さに蒸着し、熱電変換素子（電極間の距離：５ｍｍ、電極の幅：７．６ｍｍ）を得た。
本素子に熱電対及び電極への配線を行い、前記評価装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−５Ｐａ以下の条件で温度を定めて電圧を印加、電流値を読み取り、導電率を計測した。また電極間に温度勾配を設け、熱起電力値を読み取ることでゼーベック係数を測定した。
その結果、３４０Ｋでの導電率は２．１×１０−８Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数は１９０ｍＶ／Ｋであった。
実施例２で得られた(Ｃ８−ＢＴＢＴ)では、ＤＳＣ（１７０−５７０Ｋ）により、３８０Ｋ付近に２本と４００Ｋにシャープなピークが認められ構造相転移を生じていることが示された。
また、図１に示す通り、Ｃ８ＢＴＢＴの側鎖のファンデルワールス体積比は６０％であった。
また、図１に示す通り、Ｃ８ＢＴＢＴの側鎖のファンデルワールス体積比は６０％であった。
（実施例３） 化合物（Ｃ１０ＤＮＴＴ）を用いた熱電変換素子の作製・評価
実施例１にて用いた化合物の代わりに化合物（Ｃ１０ＤＮＴＴ）を用いて有機熱電変換素子を作製し、評価した。
電極作製用シャドウマスクを取り付けた白板ガラスを真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、金を０．１Å／ｓｅｃの蒸着速度で３０ｎｍの厚さに蒸着し、電極付き基板を得た。
本基板にシャドウマスクを取り付けたうえで熱電対及び電極へ配線を行い、前記評価装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気し、抵抗加熱蒸着法によって、０．５Å／ｓｅｃの蒸着速度で化合物（Ｃ１０ＤＮＴＴ）の薄膜（２０ｎｍ）を形成し、本発明の熱電変換素子（電極間の距離：５ｍｍ、電極の幅：７．６ｍｍ）を得た。
得られた熱電変換素子は、装置内の真空度が１．０×１０−５Ｐａ以下の条件で温度を定めて電圧を印加、電流値を読み取り、導電率を計測した。また電極間に温度勾配を設け、熱起電力値を読み取ることでゼーベック係数を測定した。
その結果、３１５Ｋでの導電率は１．１×１０−７Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数は１２８ｍＶ／Ｋであった。
また、図１に示す通り、Ｃ１０ＤＮＴＴの側鎖のファンデルワールス体積比は５７％であった。図４に示す通り、実施例１で得られたＣ１０ＤＮＴＴでは、ＤＳＣ（１７０−６２０Ｋ）により、３９０Ｋ、５００Ｋ、５７０Ｋ及び５８０Ｋにそれぞれシャープなピークが認められ、構造相転移を生じていることが示された。
実施例１にて用いた化合物の代わりに化合物（Ｃ１０ＤＮＴＴ）を用いて有機熱電変換素子を作製し、評価した。
電極作製用シャドウマスクを取り付けた白板ガラスを真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、金を０．１Å／ｓｅｃの蒸着速度で３０ｎｍの厚さに蒸着し、電極付き基板を得た。
本基板にシャドウマスクを取り付けたうえで熱電対及び電極へ配線を行い、前記評価装置内に設置し、装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気し、抵抗加熱蒸着法によって、０．５Å／ｓｅｃの蒸着速度で化合物（Ｃ１０ＤＮＴＴ）の薄膜（２０ｎｍ）を形成し、本発明の熱電変換素子（電極間の距離：５ｍｍ、電極の幅：７．６ｍｍ）を得た。
得られた熱電変換素子は、装置内の真空度が１．０×１０−５Ｐａ以下の条件で温度を定めて電圧を印加、電流値を読み取り、導電率を計測した。また電極間に温度勾配を設け、熱起電力値を読み取ることでゼーベック係数を測定した。
その結果、３１５Ｋでの導電率は１．１×１０−７Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数は１２８ｍＶ／Ｋであった。
また、図１に示す通り、Ｃ１０ＤＮＴＴの側鎖のファンデルワールス体積比は５７％であった。図４に示す通り、実施例１で得られたＣ１０ＤＮＴＴでは、ＤＳＣ（１７０−６２０Ｋ）により、３９０Ｋ、５００Ｋ、５７０Ｋ及び５８０Ｋにそれぞれシャープなピークが認められ、構造相転移を生じていることが示された。
(実施例４) 化合物（Ｃ８−ＢＴＢＴ）を用いた縦型熱電変換素子の作製・評価
合成例２で合成した化合物 （Ｃ８−ＢＴＢＴ）を用いて縦型有機熱電変換素子を作製し、評価した。
ＩＴＯガラス基板（旭硝子製）にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをスピンコート（７０００ｒｐｍ×２０ｓｅｃ）製膜、乾燥し基板を作製した。
作製した基板２枚でハイミラン（５０μｍ 三井デュポンポリケミカル製）を挟み、１５０℃で加熱することにより２５μｍの隙間を持つ基板対を作製した。
作製した基板対に１３０℃で溶融した化合物 （Ｃ８ＢＴＢＴ）を注入し、熱電変換素子（電極間距離：２５μｍ，電極サイズ１００ｍｍ２）を得た。
得られた熱電変換素子のＩＴＯ面に配線を行い、電極間に温度勾配を設けることにより、熱起電力が生じたことを確認した。
合成例２で合成した化合物 （Ｃ８−ＢＴＢＴ）を用いて縦型有機熱電変換素子を作製し、評価した。
ＩＴＯガラス基板（旭硝子製）にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをスピンコート（７０００ｒｐｍ×２０ｓｅｃ）製膜、乾燥し基板を作製した。
作製した基板２枚でハイミラン（５０μｍ 三井デュポンポリケミカル製）を挟み、１５０℃で加熱することにより２５μｍの隙間を持つ基板対を作製した。
作製した基板対に１３０℃で溶融した化合物 （Ｃ８ＢＴＢＴ）を注入し、熱電変換素子（電極間距離：２５μｍ，電極サイズ１００ｍｍ２）を得た。
得られた熱電変換素子のＩＴＯ面に配線を行い、電極間に温度勾配を設けることにより、熱起電力が生じたことを確認した。
（実施例５）
実施例１で作製した熱電変換素子（Ｃ１２ＢＰ）において、温度（２７〜１２７℃）を変えて導電率とゼーベック係数を測定し、パワーファクターを算出した。図７に２７〜２２７℃までのバルクのＣ１２ＢＰのＤＳＣの分析データと２７℃を基準としたパワーファクターの相対値（２７〜１２７℃）を示した。
この結果よると、材料の構造相転移がみられる温度（８０〜９０℃）の近傍に大きなパワーファクターを示していることが確認できる。このことによりこの熱電変換素子では、７０℃〜１００℃、より好ましくは８０〜９０℃で使用することで、効率的な熱電変換を実施できることがわかる。従って、本発明熱電変換素子では、各熱電変換材料に応じて、最適な使用温度を選択することで非常に効率的な熱電変換が可能となることが示された。
実施例１で作製した熱電変換素子（Ｃ１２ＢＰ）において、温度（２７〜１２７℃）を変えて導電率とゼーベック係数を測定し、パワーファクターを算出した。図７に２７〜２２７℃までのバルクのＣ１２ＢＰのＤＳＣの分析データと２７℃を基準としたパワーファクターの相対値（２７〜１２７℃）を示した。
この結果よると、材料の構造相転移がみられる温度（８０〜９０℃）の近傍に大きなパワーファクターを示していることが確認できる。このことによりこの熱電変換素子では、７０℃〜１００℃、より好ましくは８０〜９０℃で使用することで、効率的な熱電変換を実施できることがわかる。従って、本発明熱電変換素子では、各熱電変換材料に応じて、最適な使用温度を選択することで非常に効率的な熱電変換が可能となることが示された。
（比較例１）
実施例３と同様に、化合物をＣ１０ＤＮＴＴではなく、ＤＮＴＴを用いて、同様な素子を作製した。その結果、３６０Ｋでの導電率は８．３×１０−９Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数は３５ｍＶ／Ｋであった。
比較例１で得られたＤＮＴＴでは、ＤＳＣ（１７０−５７０Ｋ）によりピークは認められなかった。
実施例３と同様に、化合物をＣ１０ＤＮＴＴではなく、ＤＮＴＴを用いて、同様な素子を作製した。その結果、３６０Ｋでの導電率は８．３×１０−９Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数は３５ｍＶ／Ｋであった。
比較例１で得られたＤＮＴＴでは、ＤＳＣ（１７０−５７０Ｋ）によりピークは認められなかった。
（比較例２）
実施例３と同様に、化合物をＣ１０ＤＮＴＴではなく、ペンタセンを用いて、同様な素子を作製した。その結果、３００Ｋでの導電率は１．３×１０−６Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数は２．４ｍＶ／Ｋであった。
実施例３と同様に、化合物をＣ１０ＤＮＴＴではなく、ペンタセンを用いて、同様な素子を作製した。その結果、３００Ｋでの導電率は１．３×１０−６Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数は２．４ｍＶ／Ｋであった。
スマートハウスやスマートビルディングのためのセンサマトリックスを形成するための分散電源及びエナジー・ハーベスティング素子として、住宅、オフィス、自動車における排出熱エネルギーの再利用において有用である。また、有機熱電変換材料の特徴である柔軟性を活かしてステッカー型の生体情報計測器（体温、脈拍、心電モニターなど）の電源として利用することもできる。特に非常に高いゼーベック係数を有することから高電圧のデバイス設計が容易となり、特徴のある熱電変換素子を提供することが可能となる。
Claims (9)
- 下記一般式（２）で表されることを特徴とする導電性化合物を含む、有機熱電変換材料。
（式中、Ｘはキャリア輸送特性を有する多環芳香族環を表す。Ｒはそれぞれ独立してアルキル基又はアルキル基を有する置換基を表す。ｍは１〜８の整数を表す。） - 前記導電性化合物が、−５０℃〜２００℃の範囲の温度で構造相転移（ＤＳＣにより特定される）することを特徴とする、請求項１に記載の有機熱電変換材料。
- 前記導電性化合物中における前記置換基が占めるファンデルワールス体積比が１０〜８０％である、請求項１又は２に記載の有機熱電変換材料。
- 前記導電性化合物のＤＳＣによる構造相転移点が、０〜１８０℃の範囲の温度で認められる、請求項１〜３のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
- 前記多環芳香族環は、多環芳香族炭化水素又は多環芳香族複素環である、請求項１〜４のいずれかに記載の有機熱電変換材料。
- 前記多環芳香族複素環が、ヘテロアセン又はポリへテロアセンである、請求項５に記載の有機熱電変換材料。
- 前記多環芳香族複素環が、ポルフィリン又はポルフィラジンである、請求項５に記載の有機熱電変換材料。
- 前記多環芳香族複素環が、式（３）、（４）または（５）で表される化合物である、請求項５に記載の有機熱電変換材料。
（式中Ｙは、それぞれ独立してＳ、Ｓｅ、ＳＯ２、Ｏ、Ｎ（Ｒ１）又はＳｉ（Ｒ１）（Ｒ２）を表し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子、アリール基、単環式芳香族複素環残基；或いは芳香族環残基で置換されたアミノ基、アルキルオキシ基、アルキルチオキシ基、エステル基、カルバモイル基、アセトアミド、チオ基又はアシル基を表し、Ｙはそれぞれ異なっていても良い。Ｚはそれぞれ独立して水素原子、芳香族炭化水素又は芳香族複素環を表し、ｌは０〜１０の整数を表す。Ｚが複数の場合、Ｚは同じでも異なっても良い。）
（式（４）及び（５）中、Ｗはそれぞれ独立してＮ又はＣＲ３を表し、Ｒ３は水素原子又は、アリール基、単環式芳香族複素環残基；或いは芳香族環残基で置換されたアミノ基、アルキルオキシ基、アルキルチオキシ基、エステル基、カルバモイル基、アセトアミド、チオ基又はアシル基を表し、Ｚはそれぞれ独立して水素原子、芳香族炭化水素又は芳香族複素環を表し、複数のＺは同じでも異なっても良い。Ｍは金属原子を表す。） - 請求項１〜８のいずれかに記載の熱電変換材料を用いて作製された有機熱電変換素子。
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