JP6462715B2 - 電子部品の導電性接合体及びこれを用いた半導体装置、並びに導電性接合体の製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献6は、一次粒子の粒径5〜200nmの金属粒子と、一次粒子の粒径1〜20μmの金属粒子を、ポリオールを含む有機化合物溶媒中を混合したペースト状物の加熱接合用材料が開示されている。これにより、金属部材、半導体部材などの同種または異種部材間を接合させるはんだペーストの代替となり、また常温で固体のため、パターン化された形状物を作成しておけば、所定の位置にそれを配置(マウンティング)することも可能であると記載されている。これにより、めっきやスパッタよりも接合強度が高く、保存性のよい接合材料が得られると記載されている。しかし、この接合材料を配置した半導体チップとリードフレーム等の電極材料を接合する方法は、従来と同じである。すなわち、加圧下で加熱処理され、接合されるものである。
また、焼結接合層を形成するための金属微粒子として銅微粒子を用いた場合には、半導体素子の高温動作下において、銅自身の酸化が進行し、熱伝導率や信頼性の低下を引き起こす可能性があるという問題がある。
(a)導電性金属粒子としてNi(ニッケル)またはNi合金の粒子(以下、本明細書において単にNi粒子と言う。)を用いることにより、加圧することなく(無加圧条件下で)加熱し焼成することで良好な焼結体が得られることを見出した。
さらに、Ni粒子による焼結体は、被接合部材となるSiやSiC基板材料上の半導体素子(例えば、金属を蒸着(スパッタ)した金属膜)や、Cu等の金属材料などと、良好な接合強度を確保できることも確認された。
また、このNi粒子による焼結体は、エレクトロマイグレーション特性やイオンマイグレーション特性にも優れていることを知見した。
即ち、Ni粒子を被接合部材で挟み、無加圧条件下焼成し、接合層を形成することにより、良好な接合強度を有する導電性接合体を得られることを知見した。
本発明は上記に知見に基づきなされたものであり、その要旨は以下のとおりである。
第1の被接合部材、第2の被接合部材、および第1の被接合部材と第2の被接合部材の間にあり両被接合部材と接合する導電性の接合層、とを有する電子部品の導電性接合体であり、
前記接合層がニッケルおよびニッケル合金の一方または両方の粒子の焼結体であり、前記接合層中の任意の断面において、円相当径が1μm以上の空隙による空隙率が30%以下、および円相当径が1μm未満の空隙による空隙率が1%以上50%以下であることを特徴とする電子部品の導電性接合体。
(2)
前記接合層を形成するニッケルまたはニッケル合金の粒子として、SEM観察で測定された平均粒径15nm以上150nm以下の微細粒子(Pn)とSEM観察で測定された平均粒径0.5μm以上10μm以下の細粒子(Pm)とが共存し、微細粒子(Pn)の断面積をSn、細粒子(Pm)の断面積をSmとしたときに、Sn/(Sn+Sm)の値が0.2以上0.8以下となることを特徴とする(1)に記載の電子部品の導電性接合体。
(3)
前記第1の被接合部材または第2の被接合部材と前記接合層との間の接合面において、前記第1被接合部材または第2の被接合部材と前記接合層との接触面積が、X線透視像による観察で接合面の90%以上であることを特徴とする(1)または(2)に記載の電子部品の導電性接合体。
(4)
前記第1の被接合部材または第2の被接合部材と前記接合層との間の接合面に、X線透視像による観察で円相当直径1mm以上の大きさの未接触部がないことを特徴とする(1)〜(3)のいずれか1項に記載の電子部品の導電性接合体。
(5)
前記(1)〜(4)のいずれか1項に記載の導電性接合体を備え、前記第1の被接合部材が金属部材であり、また、前記第2の被接合部材がシリコン又は炭化珪素を基材とする半導体素子であることを特徴とする半導体装置。
(6)
第1の被接合部材と、第2の被接合部材と、第1の被接合部材と第2の被接合部材の間にあって、両被接合部材と接合面を介して接合する導電性の接合層とを有する電子部品の導電性接合体の製造方法であって、
前記第1被接合部材または第2の被接合部材のいずれか一方の接合面に、ニッケルまたはニッケル合金の一方または両方の粒子と有機分散媒を含有する第1のニッケル接合剤を塗布して塗布層を形成する塗布層形成工程と、
前記塗布層を乾燥させて乾燥塗布層を形成する乾燥工程と、
前記第1の被接合部材の及び第2の被接合部材のうち乾燥塗布層を形成していない被接合部材の接合面、もしくは前記乾燥塗布層の表面の一方または両方に、ニッケルまたはニッケル合金の一方または両方の粒子と有機分散媒を含有する第2のニッケル接合剤を塗布して貼付層を形成する貼付層形成工程と、
前記乾燥塗布層と前記貼付層とを介して前記第1の被接合部材と第2の被接合部材とを重ね合わせ、第1の被接合部材と第2の被接合部材との間に前記乾燥塗布層と貼付層とが挟み込まれた積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体形成工程で形成された積層体を加熱、焼成して前記第1の被接合部材と第2の被接合部材との間にニッケルまたはニッケル合金の一方または両方の粒子の焼結体からなる接合層を形成する接合層形成工程とを有し、前記接合層中の任意の断面において、円相当径が1μm以上の空隙による空隙率が30%以下、および円相当径が1μm未満の空孔による空隙率が1%以上50%以下であることを特徴とする電子部品の導電性接合体の製造方法。
(7)
前記ニッケル接合剤中のニッケルまたはニッケル合金の粒子として、SEM観察で測定された平均粒径15nm以上150nm以下の微細粒子(Pn)とSEM観察で測定された平均粒径0.5μm以上10μm以下の細粒子(Pm)とが共存し、微細粒子(Pn)の断面積をSn、細粒子(Pm)の断面積をSmとしたときに、Sn/(Sn+Sm)の値が0.2以上0.8以下であることを特徴とする(6)に記載の電子部品の導電性接合体の製造方法。
(8)
前記貼付層は、前記乾燥塗布層の表面の凹凸を埋めて平坦化することを特徴とする(6)または(7)に記載の導電性接合体の製造方法。
本発明においては、上記のNi焼結接合層の空隙率を次のようにして求めた。
先ず、導電性接合体を硬化性エポキシ樹脂等の樹脂中に埋め込み、樹脂を硬化させた後、第1の被接合部材からNi焼結接合層を介して第2の被接合部材に至る積層方向に垂直に切断し、前記導電性接合体の切断面、特にNi焼結接合層の切断面から実体顕微鏡の観察試料台に納まる大きさの試料片を切り出し、この試料片の切断面を研磨して切断面観察用の観察試料片を作製する。(切断面は、特に積層方向に垂直な方向に限定されず任意の断面でよい。しかし、実際の作業上、積層方向に垂直な方向に切断することが好ましい。)
次に、作製された観察試料片を実体顕微鏡の観察試料台にセットし、その切断面を200倍で観察し、その切断面画像を取得する。
このようにして取得した観察試料片の切断面画像を画像解析ツール(例えば、ImageJ 1.47v; Wayne Rasband, パブリックドメイン)に読み込み、画像を8-bitにグレースケール化した後、画像中のスケールバーの長さを測定し、測定されたスケールバーの長さから、読み込んだ画像1ピクセル当たりの長さを登録する。
その後、前記切断面画像から算出に必要な範囲(1)を選択し、必要のない部分を削除した後、空隙が選択されるように閾値を設定し、画像を二値化させ、空隙を判別し、ミクロンサイズ以上の空隙の面積(2)を算出する。
ここでミクロンサイズ以上の空隙とは、円相当径が1μm以上の空隙のことをいう。
本発明にいう「ミクロンサイズ以上の空隙率」は、上記の算出に必要な範囲(1)に対するミクロンサイズ以上の空隙の面積(2)の割合〔{(2)/(1)}×100:%〕として求められる。
先ず、導電性接合体を硬化性エポキシ樹脂等の樹脂中に埋め込み、樹脂を硬化させた後、第1の被接合部材からNi焼結接合層を介して第2の被接合部材に至る積層方向に垂直に切断し、前記導電性接合体の切断面、特にNi焼結接合層の切断面から透過型電子顕微鏡(TEM)の観察試料台に納まる薄膜試料片を切り出しTEM観察用の観察試料片を作製する。(切断面は、特に積層方向に垂直な方向に限定されず任意の断面でよい。しかし、実際の作業上、積層方向に垂直な方向に切断することが好ましい。)
次に、作製された観察試料片をTEMの観察試料台にセットし、その断面を視野角1000nm以下×1000nm以下(例えば、670nm×790nm)で観察し、その切断面画像を取得する。
このようにして取得した観察試料片の切断面画像を画像解析ツール(例えば、ImageJ 1.47v; Wayne Rasband, パブリックドメイン)に読み込み、画像を8-bitにグレースケール化した後、画像中のスケールバーの長さを測定し、測定されたスケールバーの長さから、読み込んだ画像1ピクセル当たりの長さを登録する。
その後、前記切断面画像から算出に必要な範囲(3)を選択し、必要のない部分を削除した後、空隙が選択されるように閾値を設定し、画像を二値化させ、空隙を判別し、サブミクロンサイズ以下の空隙の面積(4)を算出する。
ここでサブミクロンサイズ以下の空隙とは、円相当径が1μm未満の空隙のことをいう。
本発明にいう「サブミクロンサイズ以下の空隙率」は、上記の算出に必要な範囲(3)に対するサブミクロンサイズ以下の空隙の面積(4)の割合〔{(4)/(3)}×100:%〕として求められる。
上記の倍率と同等のものが得られる場合は、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた観察でもよい。
なお、接合面とは、被接合部材と接合層が対峙している面積であって、実際に接合層中の粒子と被接合部材が接触している面積だけでなく接合層中の空隙の部分も含む面積をいう。
すなわち、導電性接合体は、前記第1及び第2の被接合部材のいずれか一方の接合面に、第1のニッケル接合剤を塗布して塗布層を形成する塗布層形成工程と、前記塗布層を乾燥させて乾燥塗布層を形成する乾燥工程と、前記第1及び第2の被接合部材のいずれか他方の接合面又は前記乾燥塗布層の表面の少なくとも一方に、第2のニッケル接合剤を塗布して貼付層を形成する貼付層形成工程と、前記乾燥工程で形成された乾燥塗布層と前記貼付層形成工程で形成された貼付層とを介して前記第1の被接合部材と第2の被接合部材とを重ね合わせ、これら第1の被接合部材と第2の被接合部材との間に前記乾燥塗布層と貼付層とが挟み込まれた積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体を無加圧下に加熱し、前記乾燥塗布層と接着層とを焼成して前記第1の被接合部材と第2の被接合部材との間にNi粒子の焼結体からなるNi焼結接合層を形成する接合層形成工程とを経て製造される。
ニッケル接合剤中のNi細粒子の平均粒径が0.5μm未満であると、Ni微細粒子との区別が難しくなり、反対に、10μmを超えると、ニッケル接合剤の粘度が高くなり、ニッケル接合剤の塗布が困難になる可能性が生じる。更に、Ni微細粒子(Pn)の断面積割合〔Sn/(Sn+Sm)〕の値が0.2〜0.8の値の範囲から外れると、いずれの場合も空隙や未接触部分が増加する可能性が生じ、Ni微細粒子とNi細粒子とを混合して用いることの効果、すなわちより優れた接合強度及び/又は接合信頼性を達成し得なくなる。なお、ニッケル接合剤において、Ni微細粒子(Pn)の断面積(Sn)とNi細粒子(Pm)の断面積(Sm)の合計に対するNi微細粒子(Pn)の断面積割合〔Sn/(Sn+Sm)〕の値が0.2〜0.8となるように存在させるには、前記断面積割合〔Sn/(Sn+Sm)〕がニッケル接合剤中のこれらNi微細粒子(Pn)とNi細粒子(Pm)との重量割合に概ね一致するので、これらNi微細粒子(Pn)とNi細粒子(Pm)とを重量割合で0.4〜0.8となるように存在させればよい。
ニッケル接合剤中のNi粒子の平均粒径とその偏差値は、以下の方法で測定用試料を調製し、また、走査型電子顕微鏡(FE-SEM)〔例えば、日立ハイテクノロジーズ製S-4800〕を使用し、以下の方法で撮影した測定用試料のSEM画像から求めることができる。
ニッケル接合剤中のNi粒子の平均粒径とその標準偏差値を測定するための試料については、いわゆる「分散法」でSEM観察用サンプルを作製し、得られたSEM観察用サンプルをSEMにより10万倍で観察し、SEM画像を取得する。すなわち、ニッケル接合剤中に添加するNi粒子の小さじ1杯程度を10mlのスクリュー管に入れ、約9mlのエタノールを添加し、超音波洗浄を5分間行った後に十分に静置し、次いでスクリュー管の底に発生した沈殿物を取らないように液の上澄み液だけを回収する。次にこの回収した上澄み液を別のスクリュー管に入れて合計9mlになるようにエタノールを追加し、上記と同様の超音波洗浄、静置、及び上澄み液の回収の操作を2回繰り返す。その後、回収された上澄み液をカーボン支持膜に滴下し乾燥させてSEM観察用サンプルを調製する。
このようにして調製されたSEM観察用サンプルについて、Ni微細粒子の場合にはSEMにより10万倍で観察し、また、Ni細粒子の場合にはSEMにより1.5千倍で観察し、それぞれSEM画像を取得する。
次に、得られたSEM画像を画像処理が可能なソフト〔例えば、Microsoft(登録商標) Office PowerPoint(登録商標)等〕に読み込ませ、最表面に並ぶ粒子を目視にて判断し、最表面の一次粒子のエッヂ部分をなぞり書きし、粒子を1つずつ塗り潰し、併せて基準となるスケールバーを直線で書き足す。
そして、上記の画像をtif形式に書き出し、画像解析ツール(例えば、ImageJ 1.47V(Wayne Rasband, National Institutes of Health, USA. ImageJ is in the public domain.))に読み込ませる。そして、スケールバー付きの読み込んだ画像をグレースケール化(8bit)した上で、画像中のスケールバーの長さを測定し、測定したスケールバーの長さから、読み込んだ画像の1ピクセル当りの長さを登録する。また、スケールバー以外の部分を選択して粒子のみの画像にし、当該粒子画像を二値化するために閾値を決める。その際、粒子が重なっている部分(焼結後のネック部)については、幾何学処理(Watershed処理)により互いに分離して二値化する。
このようにして得られた二値化像は、既に各粒子が識別されたものであることから、フェレット(Feret)径〔粒子内の二点間で最も長い距離〕を読み取り、算術平均フェレット径を算出する。このときのフェレット径は、粒子が真球の場合は直径に相当する。
上記のようにして、視野角1270nm×950nmのSEM画像(10万倍)を任意に選び出し、SEM画像内の凡そ70〜100個のNi粒子について、算術平均フェレット径を算出して平均粒径とし、全てのフェレット径からその標準偏差値を算出する。
ここで、導電性接合体の製造方法について、図面を用いて更に詳細に説明する。
図2において、先ず、第1の被接合部材1の表面には、スクリーン印刷法、ステンシルマスク法等の塗布手段で第1のニッケル接合剤を塗布して塗布層4が形成される(塗布層形成工程)。次に、この第1の被接合部材1の表面に形成された塗布層4は、ステージ加熱、リフロー炉や焼成炉を用いた加熱等の加熱手段5により加熱され、この塗布層4中の主として有機分散媒が除去されて乾燥塗布層6となる(乾燥工程)。
第1の被接合部材としては、厚さ1mm及び大きさ15mm×15mmの無垢銅基板にニッケルと金の無電解メッキを行い、ニッケルメッキ層の厚さが3〜5μmで金メッキ層の厚さが0.1μmであって、最表面が金メッキ層であるダミーの電極板(金属部材)を用いた。
また、第2の被接合部材としては、厚さ0.45mm及び大きさ6.0mm×6.0mmのSiチップ(又は厚さ0.45mm及び大きさ2.0mm×2.0mmのSiチップ)の片面に、Ti:150nm/Ni:300nm/Au:50nmのスパッタ膜を形成し、最表面が金スパッタ膜であるダミーの半導体デバイス(半導体素子)を用いた。
Ni粒子として、オクタン酸(分散剤)で修飾され、SEM観察で測定された平均粒径89nm(標準偏差値SD:18)又は78nm(標準偏差値SD:7)のNi微細粒子(Pn:新日鉄住金化学社提供品)と、SEM観察で測定された平均粒径10μm(標準偏差値SD:2)のNi細粒子〔Pm:関東化学社製商品名:ニッケル(粉末)〕又はSEM観察で測定された平均粒径1.8μm(標準偏差値SD:0.4)のNi細粒子〔Pm:シグマ アルドリッチ社製商品名:ニッケルパウダー〕とを、表1に示すNi微細粒子(Pn)とNi細粒子(Pm)との断面積割合〔Sn/(Sn+Sm)〕で混合して得られたNi粒子混合物を用いた。
また、有機分散媒としてターピネオールとテトラデカンを重量比4.5:1の割合で混合した混合有機溶媒を用いた。バインダーとしてアセタール系樹脂を用い、これらNi粒子混合物、混合有機溶媒、及びバインダーをそれぞれ重量比89:10.5:0.5の割合で混合し、Ni粒子ペーストとして調製した。
上記実施例の場合と同様の方法で調製され、表1に示すNi微細粒子(Pn)とNi細粒子(Pm)との断面積割合〔Sn/(Sn+Sm)〕を有するNi粒子ペーストを、上記実施例の場合と同じダミーの電極板(第1の被接合部材:金属部材)の片面に、6mm×6mmの開口部を有する厚さ100μmのステンシルを用いて印刷し、切断面観察用及びX線透過観察用の試験体を作製するために用いる塗布層付き電極板を調製し、また、2mm×2mmの開口部を有する厚さ100μmのステンシルを用いて印刷し、接合強度測定用の試験体を作製するために用いる塗布層付き電極板を調製した。
上記の各実施例及び比較例で得られた試験体(ダミーの半導体装置)について、空隙率の測定については切断面観察用に調製した試験体(ダミーの半導体装置)を用いて、前述の「空隙率の測定方法」に従って測定し、また、接合面積及び1mm以上未接触部の測定についてはX線透過観察用に調製した試験体を用いて、下記の「接合状態の測定方法」に従って測定した。
上記の空隙率測定及び接合状態測定で得られた、実施例5の試験体(ダミーの半導体装置)のNi焼結接合層を示す切断面画像を図3に、また、実施例5の試験体(ダミーの半導体装置)のX線透視像を図4に、更に、比較例2の試験体(ダミーの半導体装置)のX線透視像を図5に、それぞれ示す。
各実施例及び比較例で得られた試験体について、マイクロフォーカスX線(dage社製のsub-Micron System、XT6600)を用いてX線透過観察を行い、X線透視像を得た。
得られたX線透視像を、画像解析ツール(ImageJ 1.47v; Wayne Rasband, パブリックドメイン)に読み込み、画像を8-bitにグレースケール化した後、既知であるチップの一辺の長さから読み込んだ画像1ピクセル当たりの長さを登録した。
その後、チップの部分(6mm×6mm)を切り出し、それ以外の部分を削除した後、未接触部分が黒くなるように白黒反転を行った。未接触部が選択されるように閾値を設定し、画像を二値化させ、「Analyze Particles」の機能を用いて未接触部分を判別した後、チップの部分(6mm×6mm)に対する未接触部分の面積割合(%)を書き出した。100%から未接触部分の面積割合%を引けば接合面積%が得られる。
各実施例及び比較例で調製された試験体(ダミーの半導体装置)について、初期接合強度については、ボンドテスター(DAGE社製万能型ボンドテスター:シリーズ4000)を用い、Ni焼結接合層のシェア強度をダイ・シェアモードで測定して求めた。なお、初期接合強度の測定に際しては、1つの条件で3〜4個のサンプルを作製し、その平均値を算出して求めた。
また、接合信頼性については、気相式冷熱衝撃試験装置(ESPEC社製TSA-72ES-W)を使用し、−40℃30分の冷却と250℃30分の加熱とを1サイクルとして1000サイクルの冷熱サイクルを繰り返す冷熱サイクル試験を実施し、試験後のNi焼結接合層のシェア強度をダイ・シェアモードで測定して求めた。あるいは、JEITA ED−4701/600に規定されている試験片を作製後、ΔTj=80℃となるようにパワーサイクル試験を実施し、カソード−アノード間がショートするまでの試験回数を求めた。
ミクロンサイズ以上の空隙率については、☆:15%以下、◎:15%超25%以下、○:25%超30%以下、及び×:30%超の基準で評価した。また、サブミクロンサイズ以下の空隙率については、○:1%以上50%以下、×:1%未満あるいは50%超の基準で評価した。
また、接触面積については、◎:95%以上、○:90%以上95%未満、及び×:90%未満の基準で評価し、また、1mm以上未接触部については、○:無、及び×:有の基準で評価した。
そして、総合評価については、◎:初期接合強度と接合信頼性とが共に○の場合、○:初期接合強度及び接合信頼性において×がない場合、△:初期接合強度又は接合信頼性の何れかが×であるが△に近い場合、及び、×:初期接合強度及び接合信頼性が共に×の場合の基準で評価した。
以上の評価結果を表1に示す。
MTTF=A×J-n×eEa/kT……式(1)
〔但し、式中、MTTFは平均故障時間(h)であり、Aは配線の構造、材料により決まる定数であり、nは定数であり、Ea:活性化エネルギー(eV)であり、kはボルツマン定数であり、また、Tは配線部の絶対温度(K)である。〕
b ネック部
c 気孔(連続孔)
R1 第1被接合部材の乾燥塗布層の表面に貼付層を形成する場合
R2 第2被接合部材の表面に貼付層を形成する場合
R3 積層体を加圧する場合
1 第1の被接合部材
2 第2の被接合部材
3 Ni焼結接合層
4 塗布層
5 加熱手段
6 乾燥塗布層
7 貼付層
8 積層体
9 加圧手段
Claims (8)
- 第1の被接合部材、第2の被接合部材、および第1の被接合部材と第2の被接合部材の間にあり両被接合部材と接合する導電性の接合層、とを有する電子部品の導電性接合体であり、
前記接合層がニッケルまたはニッケル合金の一方または両方の粒子の焼結体であり、前記接合層中の任意の断面において、円相当径が1μm以上の空隙による空隙率が30%以下、および円相当径が1μm未満の空隙による空隙率が1%以上50%以下であることを特徴とする電子部品の導電性接合体。 - 前記接合層を形成するニッケルまたはニッケル合金の粒子として、SEM観察で測定された平均粒径15nm以上150nm以下の微細粒子(Pn)とSEM観察で測定された平均粒径0.5μm以上10μm以下の細粒子(Pm)とが共存し、微細粒子(Pn)の断面積をSn、細粒子(Pm)の断面積をSmとしたときに、Sn/(Sn+Sm)の値が0.2以上0.8以下となることを特徴とする請求項1に記載の電子部品の導電性接合体。
- 前記第1の被接合部材または第2の被接合部材と前記接合層との間の接合面において、前記第1被接合部材または第2の被接合部材と前記接合層との接触面積が、X線透視像による観察で接合面の90%以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品の導電性接合体。
- 前記第1の被接合部材または第2の被接合部材と前記接合層との間の接合面に、X線透視像による観察で円相当直径1mm以上の大きさの未接触部がないことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子部品の導電性接合体。
- 前記請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電性接合体を備え、前記第1の被接合部材が金属部材であり、また、前記第2の被接合部材がシリコン又は炭化珪素を基材とする半導体素子であることを特徴とする半導体装置。
- 第1の被接合部材、第2の被接合部材、および第1の被接合部材と第2の被接合部材の間にあり両被接合部材と接合面を介して接合する導電性の接合層、とを有する電子部品の導電性接合体の製造方法であって、
前記第1被接合部材または第2の被接合部材のいずれか一方の接合面に、ニッケルまたはニッケル合金の一方または両方の粒子と有機分散媒を含有する第1のニッケル接合剤を塗布して塗布層を形成する塗布層形成工程と、
前記塗布層を乾燥させて乾燥塗布層を形成する乾燥工程と、
前記第1の被接合部材及び第2の被接合部材のうち乾燥塗布層を形成していない被接合部材の接合面、もしくは前記乾燥塗布層の表面の一方または両方に、ニッケルまたはニッケル合金の一方または両方の粒子と有機分散媒を含有する第2のニッケル接合剤を塗布して貼付層を形成する貼付層形成工程と、
前記乾燥塗布層と前記貼付層とを介して前記第1の被接合部材と第2の被接合部材とを重ね合わせ、第1の被接合部材と第2の被接合部材との間に前記乾燥塗布層と貼付層とが挟み込まれた積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体形成工程で形成された積層体を加熱、焼成して前記第1の被接合部材と第2の被接合部材との間にニッケルまたはニッケル合金の一方または両方の粒子の焼結体からなる接合層を形成する接合層形成工程とを有し、前記接合層中の任意の断面において、円相当径が1μm以上の空隙による空隙率が30%以下、および円相当径が1μm未満の空孔による空隙率が1%以上50%以下であることを特徴とする電子部品の導電性接合体の製造方法。 - 前記ニッケル接合剤中のニッケルまたはニッケル合金の粒子として、SEM観察で測定された平均粒径15nm以上150nm以下の微細粒子(Pn)とSEM観察で測定された平均粒径0.5μm以上10μm以下の細粒子(Pm)とが共存し、微細粒子(Pn)の断面積をSn、細粒子(Pm)の断面積をSmとしたときに、Sn/(Sn+Sm)の値が0.2以上0.8以下であることを特徴とする請求項6に記載の電子部品の導電性接合体の製造方法。
- 前記貼付層は、前記乾燥塗布層の表面の凹凸を埋めて平坦化することを特徴とする請求項6または7に記載の導電性接合体の製造方法。
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