JP6462463B2 - データ生成装置およびデータ生成方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路網の検査対象部品を検査する際に回路網内の測定点において測定されるべき被測定量のシミュレーション値を示すシミュレーションデータを生成するデータ生成装置およびデータ生成方法に関するものである。

この種のデータ生成装置として、下記特許文献１において出願人が開示したデータ生成装置が知られている。このデータ生成装置は、電子部品における各接続端子の先端部の位置を特定可能な情報を含んだ電子部品データ、電子部品を回路基板に実装するときの回路基板上の電子部品の位置等を示す情報を含んだマウンタデータ、および回路基板上における配線パターンやランドの位置や幅（形状）を特定可能な情報を含んだ配線パターンデータ（ＣＡＤデータやガーバデータ）に基づき、電子部品が実装されている回路基板に対する検査を行う際に検査用プローブを接触させることが可能な接触点（プロービング位置）を特定して、その接触点を示す位置データを生成する。

また、出願人は、上記のようにして設定した接触点において測定されるべき被測定量をシミュレーションして求め、そのシミュレーション値を示すシミュレーションデータを生成する機能を備えたデータ生成装置を開発している。このデータ生成装置によって生成された位置データおよびシミュレーションデータを用いて回路基板の電子部品を検査するときには、位置データによって特定される接触点に検査用プローブを接触させ、その接触点において測定された測定値と、シミュレーションデータによって特定されるシミュレーション値とを比較する。この場合、例えば、測定値とシミュレーション値とが一致（またはほぼ一致）するときには、電子部品が良好であるとの検査結果を得ることができ、測定値とシミュレーション値とが一致しないときには、電子部品が不良であるとの検査結果を得ることができる。

特開２０１０−１０７２６５号公報（第５−６頁、第１図）

ところが、位置データおよびシミュレーションデータを生成する機能を有する上記した従来のデータ生成装置には、改善すべき以下の課題がある。すなわち、このデータ生成装置では、接触点において測定されるべき被測定量のシミュレーション値を示すシミュレーションデータを生成している。一方、回路基板には、抵抗、コンデンサ、インダクタおよびダイオードなどの各種の電子部品が実装されている。このため、このような各種の電子部品に対する検査を行う検査装置では、検査の際に測定する測定項目（被測定量の種類）、およびその測定項目の測定時にどのような電気信号を用いてその電気信号のパラメータ値（周波数等）をどのような値とするかというような測定条件（被測定量の種類、および測定条件を合わせて「測定内容」ともいう）を複数の中から選択することが可能となっている。このような検査装置においてシミュレーションデータを用いて電子部品を検査する際には、検査対象の電子部品に適した測定条件（以下、「適正測定条件」ともいう）でシミュレーションして求めたシミュレーション値を含むシミュレーションデータを用いるのが好ましい。しかしながら、従来のデータ生成装置は、適正測定条件を判別して、その適正測定条件でシミュレーションして求めたシミュレーション値を含むシミュレーションデータを生成する機能を有していないため、適正測定条件で測定した測定値に基づく正確な検査を行うことが困難なことがあり、この点の改善が望まれている。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、検査対象部品の検査を正確に行うことが可能なシミュレーションデータを生成し得るデータ生成装置およびデータ生成方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載のデータ生成装置は、検査対象部品を含んで構成される回路網における当該検査対象部品を検査する際に当該回路網内に設定された測定点において測定されるべき被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値を示す情報を含むシミュレーションデータを生成するデータ生成装置であって、前記被測定量の種類および当該被測定量の測定時における測定条件を含む測定内容を変更可能な検査装置に用いる前記シミュレーションデータを生成する際に、前記各測定内容の中の１つを前記検査対象部品の検査に適した適正測定内容として設定して、前記検査対象部品が良好状態のときの前記適正測定内容における前記シミュレーション値としての第１シミュレーション値を示す情報および当該検査対象部品が不良状態のときの当該適正測定内容における前記シミュレーション値としての第２シミュレーション値を示す情報の少なくとも一方を含む前記シミュレーションデータを生成するデータ生成処理を実行するデータ生成部を備え、前記データ生成部は、前記データ生成処理において、前記第１シミュレーション値および前記第２シミュレーション値の差異が予め規定された条件を満たすときの前記測定内容を前記適正測定内容として設定する。

また、請求項２記載のデータ生成装置は、請求項１記載のデータ生成装置において、前記データ生成部は、前記検査対象部品の種類に応じて前記測定内容を変更可能な前記検査装置に用いる前記シミュレーションデータを生成する際に、前記データ生成処理において、前記各測定内容の中の１つを選択して前記検査対象部品が前記良好状態のときの当該測定内容における前記シミュレーション値と当該検査対象部品が前記不良状態のときの当該測定内容における前記シミュレーション値との差異が前記予め規定された条件を満たすか否かを判定する判定処理を、当該条件を満たすと判定するまで前記測定内容を変更しつつ繰り返して実行し、当該条件を満たすと判定したときに選択している前記測定内容を前記適正測定内容として設定して、当該設定以後の前記判定処理を停止する。

また、請求項３記載のデータ生成装置は、請求項１記載のデータ生成装置において、前記データ生成部は、前記検査対象部品を検査する際に前記回路網に対して出力する測定用信号のパラメータ値を前記測定条件として含む前記測定内容における当該パラメータ値を予め決められた変更範囲内で変更可能な検査装置に用いる前記シミュレーションデータを生成する際に、前記データ生成処理において、前記パラメータ値を変更させつつ前記第１シミュレーション値および前記第２シミュレーション値を求め、当該求めた第１シミュレーション値および第２シミュレーション値の差異が前記予め規定された条件を満たす当該パラメータ値を含む前記測定内容を前記適正測定内容として設定する。

また、請求項４記載のデータ生成装置は、請求項３記載のデータ生成装置において、前記データ生成部は、前記予め規定された条件を満たすパラメータ値として、前記変更範囲内であってかつ前記差異が最大となる当該パラメータ値を含む前記測定内容を前記適正測定内容として設定する。

また、請求項５記載のデータ生成装置は、請求項１から４のいずれかに記載のデータ生成装置において、前記データ生成部は、前記データ生成処理において、前記検査対象部品に短絡が生じている状態を前記不良状態とする前記シミュレーション値を示す情報を前記少なくとも一方として含む前記シミュレーションデータを生成する。

また、請求項６記載のデータ生成装置は、請求項１から５のいずれかに記載のデータ生成装置において、前記データ生成部は、前記データ生成処理において、前記検査対象部品に断線が生じている状態を前記不良状態とする前記シミュレーション値を示す情報を前記少なくとも一方として含む前記シミュレーションデータを生成する。

また、請求項７記載のデータ生成方法は、検査対象部品を含んで構成される回路網における当該検査対象部品を検査する際に当該回路網内に設定された測定点において測定されるべき被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値を示す情報を含むシミュレーションデータを生成するデータ生成方法であって、前記被測定量の種類および当該被測定量の測定時における測定条件を含む測定内容を変更可能な検査装置に用いる前記シミュレーションデータを生成する際に、前記各測定内容の中の１つを前記検査対象部品の検査に適した適正測定内容として設定して、前記検査対象部品が良好状態のときの前記適正測定内容における前記シミュレーション値としての第１シミュレーション値を示す情報および当該検査対象部品が不良状態のときの当該適正測定内容における前記シミュレーション値としての第２シミュレーション値を示す情報の少なくとも一方を含む前記シミュレーションデータを生成するデータ生成処理を実行すると共に、前記データ生成処理において、前記第１シミュレーション値および前記第２シミュレーション値の差異が予め規定された条件を満たすときの前記測定内容を前記適正測定内容として設定する。

請求項１記載のデータ生成装置、および請求項７記載のデータ生成方法では、データ生成処理において、検査対象部品が良好状態のときの第１のシミュレーション値と検査対象部品が不良状態のときの第２のシミュレーション値との差分値が予め規定された条件を満たすときの測定内容をその検査対象部品の検査に適した適正測定内容として設定する。このため、このデータ生成装置およびデータ生成方法によれば、検査対象部品に適した測定条件でシミュレーションして求めたシミュレーション値を含むシミュレーションデータ、つまり検査対象部品の検査を十分正確に行うことが可能なシミュレーションデータを生成することができる。

また、請求項２記載のデータ生成装置では、データ生成処理において、各測定内容の中の１つを選択してその測定内容における第１のシミュレーション値と第２のシミュレーション値との差異が予め規定された条件を満たすか否かを判定する判定処理を、その条件を満たすと判定するまで測定内容を変更しつつ繰り返して実行し、条件を満たすと判定したときに選択している測定内容を適正測定内容として設定して、設定以後の判定処理を停止する。このため、このデータ生成装置およびデータ生成方法では、適正測定内容を設定した後においては、判定処理の対象としていない測定内容におけるシミュレーション値の算出や判定処理を省略することができる。したがって、このデータ生成装置およびデータ生成方法によれば、シミュレーション値の算出や判定処理を省略できる分、シミュレーションデータの生成処理の効率を十分に向上させることができる。

また、請求項３記載のデータ生成装置では、データ生成処理において、測定用信号のパラメータ値を変更させつつ求めた第１シミュレーション値および第２シミュレーション値の差異が予め規定された条件を満たすパラメータ値を含む測定内容を適正測定内容として設定する。このため、このデータ生成装置およびデータ生成方法で生成されたシミュレーションデータでは、第１シミュレーション値と第２シミュレーション値とが明確に異なっているため、このシミュレーションデータを用いることで、検査対象部品の良否状態を検査する際に、検査対象部品が良好状態であるか不良状態であるかを正確に検査することができる。したがって、このデータ生成装置およびデータ生成方法によれば、第１シミュレーション値および第２シミュレーション値の差異が小さいことがある従来のデータ生成装置およびデータ生成方法と比較して、検査対象部品の良否を正確に検査可能なシミュレーションデータを生成することができる。

また、請求項４記載のデータ生成装置では、予め規定された条件を満たすパラメータ値として、変更範囲内であってかつ第１シミュレーション値および第２シミュレーション値の差異が最大となるパラメータ値を含む測定内容を適正測定内容として設定する。このため、このデータ生成装置およびデータ生成方法によれば、シミュレーションデータに含ませる第１シミュレーション値と第２シミュレーション値とを最も明確に異ならせることができるため、検査対象部品の良否をより正確に検査可能なシミュレーションデータを生成することができる。

また、請求項５記載のデータ生成装置によれば、データ生成処理において、検査対象部品に短絡が生じている状態を不良状態とするシミュレーション値を示す情報を含むシミュレーションデータを生成することにより、例えば、数多くの検査対象部品が含まれる回路網における各検査対象部品を高速で検査するために、発生頻度が高い短絡状態の有無に絞って各検査対象部品の検査を行う際に用いるシミュレーションデータを効率的に生成することができる。

また、請求項６記載のデータ生成装置によれば、データ生成処理において、検査対象部品に断線が生じている状態を不良状態とするシミュレーション値を示す情報を少なくとも一方として含むシミュレーションデータを生成することにより、例えば、数多くの検査対象部品が含まれる回路網における各検査対象部品を高速で検査するために、発生頻度が高い断線状態の有無に絞って各検査対象部品の検査を行う際に用いるシミュレーションデータを効率的に生成することができる。

データ生成装置１Ａ，１Ｂの構成を示す構成図である。 回路基板１００における回路網５０ａの構成を示す構成図である。 データ生成処理３０のフローチャートである。 第１のデータ生成方法を説明する第１の説明図である。 第１のデータ生成方法を説明する第２の説明図である。 第１のデータ生成方法を説明する第３の説明図である。 第１のデータ生成方法を説明する第４の説明図である。 第１のデータ生成方法を説明する第５の説明図である。 回路基板１００における回路網５０ｂの構成を示す構成図である。 データ生成処理６０のフローチャートである。 第２のデータ生成方法を説明する第１の説明図である。 第２のデータ生成方法を説明する第２の説明図である。 第２のデータ生成方法を説明する第３の説明図である。

以下、データ生成装置およびデータ生成方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、第１の実施例としてのデータ生成装置１Ａの構成について説明する。図１に示すデータ生成装置１Ａは、データ生成装置の一例であって、データ生成方法としての第１のデータ生成方法に従い、例えば、図２に示すように、回路基板１００内において検査対象部品５１（電子部品）を含んで構成される回路網５０ａの各検査対象部品５１を検査する際に用いるデータを生成可能に構成されている。具体的には、データ生成装置１Ａは、図１に示すように、操作部２、表示部３、記憶部４および制御部５を備えて構成されて、回路網５０ａの各検査対象部品５１が良好状態であるか不良状態であるか（以下、良好状態と不良状態とを合わせて「良否状態」ともいう）を検査する際に回路網５０ａ内に設定された測定点（図外の検査用プローブを接触させる部位であって、例えば、図２に示す測定点Ｐ１，Ｐ２）において測定されるべき被測定量のシミュレーション値を示すシミュレーションデータＤｄを生成する。

操作部２は、操作に応じて制御部５に対して操作信号を出力する。表示部３は、制御部５の制御に従い、各種の画像を表示する。

記憶部４は、制御部５によって実行されるデータ生成処理３０（図３参照）において用いられる回路網データＤａ、定数データＤｂおよび測定内容データＤｃを記憶する。また、記憶部４は、データ生成処理３０において生成されるシミュレーションデータＤｄを記憶する。

この場合、回路網データＤａは、検査用プローブを接触させて被測定量を測定するための回路網５０ａ内の測定点（図２に示す測定点Ｐ１，Ｐ２）、および各測定点Ｐ１，Ｐ２間に位置する検査対象部品５１を特定可能なデータであって、回路基板１００に形成される配線パターン、ランドおよびレジスト（いずれも図示を省略する）の形状や形成位置、並びに回路基板１００に実装される検査対象部品５１の形状や実装位置を示す各種のデータ（ＣＡＤデータ、ガーバデータおよびマウントデータ）を含んでいる。

また、定数データＤｂは、検査対象部品５１毎に規定されている定数（抵抗値や容量値）を特定可能な情報を含んでいる。また、測定内容データＤｃは、シミュレーションデータＤｄを用いて回路網５０ａの検査対象部品５１に対する検査を行う図外の検査装置が、検査の際に測定する測定項目（抵抗、インピーダンス、静電容量およびインダクタンス等の被測定量の種類）、およびその測定項目の測定時における測定条件（どのような電気信号を用いるか等の条件）を含む測定内容を示す情報を含んでいる。

制御部５は、操作部２から出力される操作信号に従ってデータ生成装置１Ａを構成する各部を制御する。また、制御部５は、データ生成部として機能し、図３に示すデータ生成処理３０を実行することにより、シミュレーションデータＤｄを生成する。この場合、シミュレーションデータＤｄには、検査装置が行う被測定量の測定において設定可能な各測定内容の中で検査対象部品５１に適した測定内容であることを意味する適正測定内容を示す情報や、検査対象部品５１がショートや断線のない良好状態のときの適正測定内容におけるシミュレーション値Ｂｓ１（第１シミュレーション値）、および検査対象部品５１が不良状態のときの不良状態の種類（例えば、断線状態および短絡状態）毎の適正測定内容におけるシミュレーション値Ｂｓ２（第２シミュレーション値：以下、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２を区別しないときには、「シミュレーション値Ｂｓ」ともいう）を示す情報が含まれている。

次に、データ生成装置１Ａを用いて第１のデータ生成方法に従ってシミュレーションデータＤｄを生成する手順、およびその際のデータ生成装置１Ａの動作について、図面を参照して説明する。なお、検査対象部品５１の不良状態として、断線（オープン）状態および短絡（ショート）状態の２種類の不良状態を規定してシミュレーションデータＤｄを生成する例について説明する。

まず、回路基板１００（図２参照）についての回路網データＤａ、定数データＤｂおよび測定内容データＤｃを記憶部４に記憶させる。次いで、操作部２を操作して、生成処理の実行を指示する。これに応じて、制御部５が、図３に示すデータ生成処理３０を実行する。

このデータ生成処理３０では、制御部５は、回路網データＤａ、定数データＤｂおよび測定内容データＤｃを記憶部４から読み出す（ステップ３１）。続いて、制御部５は、読み出した回路網データＤａに含まれているＣＡＤデータ、ガーバデータおよびマウントデータに基づき、回路基板１００内において検査対象部品５１を含んで構成される（検査対象部品５１が配線パターン等によって接続された）回路網を特定する（ステップ３２）。この場合、制御部５は、一例として、図２に示すように、検査対象部品５１としての抵抗ＲおよびコンデンサＣを含んで構成されて、他の回路網とは分離して存在する回路網５０ａを特定したものとする。

次いで、制御部５は、測定内容データＤｃに含まれている測定内容（測定項目および測定条件）を特定する（ステップ３３）。この場合、測定内容データＤｃには、一例として、図４に示すように、測定用の電気信号として直流定電流を用いて検査対象部品５１のインピーダンスを測定するとの測定内容Ｒ−ＣＣ、測定用の電気信号として直流定電圧を用いて検査対象部品５１のインピーダンスを測定するとの測定内容Ｒ−ＣＶ、測定用の電気信号として１６０Ｈｚの交流電流を用いて検査対象部品５１のインピーダンスを測定するとの測定内容Ｒ−ＡＣ１６０、測定用の電気信号として１６ｋＨｚの交流電流を用いて検査対象部品５１のインピーダンスを測定するとの測定内容Ｒ−ＡＣ１６ｋ、および測定用の電気信号として１６０ｋＨｚの交流電流を用いて検査対象部品５１のインピーダンスを測定するとの測定内容Ｒ−ＡＣ１６０ｋの５つの測定内容が含まれているものとする。

続いて、制御部５は、回路網５０ａに含まれる検査対象部品５１の中の１つとして、抵抗Ｒを選択する（ステップ３４）。次いで、制御部５は、不良状態の中の１つとして、「断線状態」を選択する（ステップ３５）。続いて、制御部５は、上記したステップ３３において特定した各測定内容の中の１つとして、測定内容Ｒ−ＣＣ（直流定電流を用いてインピーダンスを測定するとの測定内容）を選択する（ステップ３６）。

次いで、制御部５は、測定内容Ｒ−ＣＣにおいて、回路網５０ａに含まれる全ての検査対象部品５１（抵抗ＲおよびコンデンサＣ）が良好状態のときに測定点Ｐ１，Ｐ２（図２参照）で測定されるべき被測定量としてのインピーダンスのシミュレーション値Ｂｓ１（図４参照）を、定数データＤｂに基づいてシミュレーションして求める（ステップ３７）。

続いて、制御部５は、測定内容Ｒ−ＣＣにおいて、抵抗Ｒが断線状態（図５に示す状態）のときに測定点Ｐ１，Ｐ２（同図参照）で測定されるべきインピーダンスのシミュレーション値Ｂｓ２（以下、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２を区別しないときには「シミュレーション値Ｂｓ」ともいう）を定数データＤｂに基づいてシミュレーションして求める（ステップ３８）。

次いで、制御部５は、シミュレーション値Ｂｓ１とシミュレーション値Ｂｓ２との差の絶対値を示す差分値Ｂｃを算出し、その差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ（一例として、シミュレーション値Ｂｓ１の１０％に相当する値）以上であるか否か（予め規定された条件を満たすか否か）を判定する判定処理を実行する（ステップ３９）。

ここで、シミュレーション値Ｂｓ１とシミュレーション値Ｂｓ２とが明確に異なるときには、検査対象部品５１の良否状態を検査する際に、測定点Ｐ１，Ｐ２における被測定量の測定値と、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２とを比較して、測定値に合致する（測定値に近い）シミュレーション値Ｂｓを特定することができる。そして、測定値に合致するシミュレーション値Ｂｓに対応する良否状態がその検査対象部品５１の良否状態であるとの検査結果を得ることができる。このため、差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上であるとき、つまり、シミュレーション値Ｂｓ１とシミュレーション値Ｂｓ２とが明確に異なるときには、その測定内容を検査対象部品５１の検査に適した適正測定内容とすることができ、適正測定内容における各シミュレーション値Ｂｓをその検査対象部品５１を検査する際のシミュレーション値Ｂｓとして採用することができる。

この場合、図４に示すように、測定内容Ｒ−ＣＣにおけるシミュレーション値Ｂｓ１（１ｋΩ）とシミュレーション値Ｂｓ２（９９９ＧΩ）との差分値Ｂｃ（≒９９９ＧΩ）が基準値Ｂｒ（シミュレーション値Ｂｓ１の１０％に相当する値（１００Ω））以上のときには、制御部５は、判定処理（上記したステップ３９）において差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上であると判定して、そのとき（判定したとき）に選択している測定内容Ｒ−ＣＣを、抵抗Ｒが断線状態であるか否かの検査を行う際の適正測定内容として設定する（ステップ４０）。

続いて、制御部５は、抵抗Ｒについて他の種類の不良状態が存在（規定されている）か否かを判別する（ステップ４１）。この場合、制御部５は、他の不良状態（「短絡状態」）が存在すると判別して、上記したステップ３５を実行し、このステップ３５において「短絡状態」を選択する。次いで、制御部５は、上記したステップ３６〜３９を実行する。

この場合、制御部５は、ステップ３６において、測定内容Ｒ−ＣＣを選択する。また、制御部５は、ステップ３８を実行する際に、測定内容Ｒ−ＣＣにおいて、抵抗Ｒが短絡状態（図６に示す状態）のときのインピーダンスのシミュレーション値Ｂｓ２を求める。

また、制御部５は、ステップ３９を実行する際に、図４に示すように、測定内容Ｒ−ＣＣにおけるシミュレーション値Ｂｓ１（１ｋΩ）と短絡状態の抵抗Ｒのシミュレーション値Ｂｓ２（０Ω）との差分値Ｂｃ（１ｋΩ）が基準値Ｂｒ（１００Ω）以上のときには、差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上であると判定して、測定内容Ｒ−ＣＣを、抵抗Ｒが短絡状態であるか否かの検査を行う際の適正測定内容として設定する（ステップ４０）。

続いて、制御部５は、上記したステップ４１を実行する。この際に、抵抗Ｒについて他の種類の不良状態が存在しないため、次いで、制御部５は、他の検査対象部品５１が存在するか否かを判別する（ステップ４２）。

この場合、制御部５は、他の検査対象部品５１（コンデンサＣ）が存在すると判別して、上記したステップ３４を実行し、このステップ３４において、コンデンサＣを選択し、続いて、上記したステップ３５〜３９を実行する。

この場合、制御部５は、ステップ３５において、不良状態の中の１つとして、「断線状態」を選択し、ステップ３６において、測定内容Ｒ−ＣＣを選択する。また、制御部５は、ステップ３８を実行する際に、測定内容Ｒ−ＣＣにおいて、コンデンサＣが断線状態（図７に示す状態）のときのインピーダンスのシミュレーション値Ｂｓ２を求める。

また、制御部５は、ステップ３９を実行する際に、図４に示すように、測定内容Ｒ−ＣＣにおけるシミュレーション値Ｂｓ１（１ｋΩ）とコンデンサＣが断線しているときのシミュレーション値Ｂｓ２（１ｋΩ）との差分値Ｂｃ（０Ω）が基準値Ｂｒ（１００Ω）未満のときには、差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上ではないと判定する。この際には、制御部５は、測定内容Ｒ−ＣＣを、コンデンサＣが断線状態であるか否かの検査を行う際の適正測定内容として設定することなく、上記したステップ３６を実行して、他の測定内容としての測定内容Ｒ−ＣＶ（直流定電圧を用いてインピーダンスを測定するとの測定内容）を選択する（測定内容を変更する）。

次いで、制御部５は、上記したステップ３７〜３９を実行する。この場合、制御部５は、ステップ３８を実行する際に、測定内容Ｒ−ＣＶにおいて、コンデンサＣが断線状態（図７に示す状態）のときのインピーダンスのシミュレーション値Ｂｓ２を求める。

また、制御部５は、ステップ３９を実行する際に、図４に示すように、測定内容Ｒ−ＣＶにおけるシミュレーション値Ｂｓ１（１ｋΩ）とコンデンサＣが断線しているときのシミュレーション値Ｂｓ２（１ｋΩ）との差分値Ｂｃ（０Ω）が基準値Ｂｒ（１００Ω）未満のときには、差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上ではないと判定する。この際には、制御部５は、測定内容Ｒ−ＣＶを、コンデンサＣが断線状態であるか否かの検査を行う際の適正測定内容として設定することなく、上記したステップ３６を実行して、他の測定内容としての測定内容Ｒ−ＡＣ１６０（１６０Ｈｚの交流電流を用いてインピーダンスを測定するとの測定内容）を選択する。

続いて、制御部５は、上記したステップ３７〜３９を実行する。この場合、制御部５は、ステップ３８を実行する際に、測定内容Ｒ−ＡＣ１６０において、コンデンサＣが断線状態（図７に示す状態）のときのインピーダンスのシミュレーション値Ｂｓ２を求める。

また、制御部５は、ステップ３９を実行する際に、図４に示すように、測定内容Ｒ−ＡＣ１６０におけるシミュレーション値Ｂｓ１（０．９５ｋΩ）とコンデンサＣが断線しているときのシミュレーション値Ｂｓ２（１ｋΩ）との差分値Ｂｃ（５０Ω）が基準値Ｂｒ（９５Ω）未満のときには、差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上ではないと判定する。この際には、制御部５は、測定内容Ｒ−ＡＣ１６０を、コンデンサＣが断線状態であるか否かの検査を行う際の適正測定内容として設定することなく、上記したステップ３６を実行して、他の測定内容としての測定内容Ｒ−ＡＣ１６ｋ（１６ｋＨｚの交流電流を用いてインピーダンスを測定するとの測定内容）を選択する。

次いで、制御部５は、上記したステップ３７〜３９を実行する。この場合、制御部５は、ステップ３８を実行する際に、測定内容Ｒ−ＡＣ１６ｋにおいて、コンデンサＣが断線状態（図７に示す状態）のときのインピーダンスのシミュレーション値Ｂｓ２を求める。

また、制御部５は、ステップ３９を実行する際に、図４に示すように、測定内容Ｒ−ＡＣ１６ｋにおけるシミュレーション値Ｂｓ１（０．９５ｋΩ）とコンデンサＣが断線しているときのシミュレーション値Ｂｓ２（０．５ｋΩ）との差分値Ｂｃ（４５０Ω）が基準値Ｂｒ（９５Ω）以上のときには、差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上であると判定して、測定内容Ｒ−ＡＣ１６ｋを、コンデンサＣ断線状態であるか否かの検査を行う際の適正測定内容として設定する（ステップ４０）。

続いて、制御部５は、上記したステップ４１を実行する。この際に、コンデンサＣについて他の種類の不良状態として「短絡状態」が存在するため、次いで、制御部５は、上記したステップ３５を実行し、このステップ３５において「短絡状態」を選択する。続いて、制御部５は、上記したステップ３６〜３９を実行する。

この場合、制御部５は、ステップ３６において、測定内容Ｒ−ＣＣを選択する。また、制御部５は、ステップ３８を実行する際に、測定内容Ｒ−ＣＣにおいて、コンデンサＣが短絡状態（図８に示す状態）のときのインピーダンスのシミュレーション値Ｂｓ２を求める。

また、制御部５は、ステップ３９を実行する際に、図４に示すように、測定内容Ｒ−ＣＣにおけるシミュレーション値Ｂｓ１（１ｋΩ）とコンデンサＣが短絡しているときのシミュレーション値Ｂｓ２（０Ω）との差分値Ｂｃ（１ｋΩ）が基準値Ｂｒ（１００Ω）以上のときには、差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上であると判定して、測定内容Ｒ−ＣＣを、コンデンサＣが短絡状態であるか否かの検査を行う際の適正測定内容として設定する（ステップ４０）。

次いで、制御部５は、上記したステップ４１を実行する。この際に、コンデンサＣについて他の種類の不良状態が存在しないため、続いて、制御部５は、上記したステップ４２を実行する。この際に、他の検査対象部品５１が存在しないため、制御部５は、シミュレーションデータＤｄを生成する（ステップ４３）。この場合、制御部５は、上記した各処理において設定した情報、つまり、検査対象部品５１毎および短絡状態の種類毎の適正測定内容を示す情報と、各適正測定内容におけるシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２（シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の少なくとも一方の一例）を示す情報とを対応付けてシミュレーションデータＤｄに含ませる。次いで、制御部５は、生成したシミュレーションデータＤｄを記憶部４に記憶させてデータ生成処理３０を終了する。

ここで、このデータ生成装置１Ａおよび第１のデータ生成方法では、上記したように、データ生成処理３０において、各測定内容の中の１つを選択して検査対象部品５１が良好状態のときのその測定内容におけるシミュレーション値Ｂｓ１と検査対象部品５１が不良状態のときのその測定内容におけるシミュレーション値Ｂｓ２との差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上との条件を満たすか否かを判定する判定処理を、その条件を満たすと判定するまで測定内容を変更しつつ繰り返して実行し、条件を満たすと判定したときに選択している測定内容を適正測定内容として設定する。このため、このデータ生成装置１Ａおよび第１のデータ生成方法では、適正測定内容を設定した後においては、判定処理の対象としていない測定内容におけるシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の算出や判定処理を省略することができる結果、その分、シミュレーションデータの生成処理の効率を十分に向上させることが可能となっている。

次に、生成したシミュレーションデータＤｄの使用方法について説明する。一例として、図２に示す回路基板１００内における回路網５０ａの検査対象部品５１（抵抗ＲおよびコンデンサＣ）を検査装置を用いて検査する際のシミュレーションデータＤｄの使用方法について説明する。

まず、検査装置の記憶部にシミュレーションデータＤｄを記憶させ、次いで、検査装置に対して検査の開始を指示する。これに応じて、検査装置が、シミュレーションデータＤｄを読み出し、続いて、検査処理を実行する。この検査処理では、まず回路網５０ａの各検査対象部品５１の中の１つとして、例えば抵抗Ｒを選択し、抵抗Ｒが不良状態としての断線状態であるか否かの検査を行う。この際には、シミュレーションデータＤｄに基づき、抵抗Ｒが断線状態であるか否かの検査を行う際の適正測定内容としての測定内容Ｒ−ＣＣを特定すると共に、測定内容Ｒ−ＣＣにおける抵抗Ｒが良好状態であるときのシミュレーション値Ｂｓ１、および測定内容Ｒ−ＣＣにおける抵抗Ｒが断線状態であるときのシミュレーション値Ｂｓ２を特定する。

次いで、回路網５０ａ内に設定された測定点Ｐ１，Ｐ２（図２参照）に接触させた検査用プローブを介して、測定内容Ｒ−ＣＣに含まれる測定条件に規定されている測定用の電気信号として直流定電流を出力する。続いて、検査装置は、検査用プローブを介して入力した電気信号に基づき、測定内容Ｒ−ＣＣに含まれる被測定量としてのインピーダンスを測定する。

次いで、検査装置は、測定したインピーダンスの測定値と、シミュレーションデータＤｄによって示されるシミュレーション値Ｂｓとを比較して、測定値に合致するシミュレーション値Ｂｓを特定する。続いて、検査装置は、合致したシミュレーション値Ｂｓに対応する良否状態を特定する。次いで、検査装置は、特定した良否状態を検査結果とする。

この場合、測定値が、良好状態のシミュレーション値Ｂｓ１に合致するとき（例えば、測定値がシミュレーション値Ｂｓ１の９９％の値から１０１％の値までの範囲内のとき）には、抵抗Ｒが良好との検査結果を得ることができる。また、測定値が、断線状態のシミュレーション値Ｂｓ２に合致するとき（例えば、測定値がシミュレーション値Ｂｓ２の９９％の値から１０１％の値までの範囲内のとき）には、抵抗Ｒが断線状態であるとの検査結果を得ることができる。

また、抵抗Ｒが不良状態としての短絡状態であるか否かの検査を行う際には、シミュレーションデータＤｄに基づき、抵抗Ｒが短絡状態であるか否かの検査を行う際の適正測定内容としての測定内容Ｒ−ＣＣを特定すると共に、シミュレーション値Ｂｓ１、および測定内容Ｒ−ＣＣにおける抵抗Ｒが短絡状態であるときのシミュレーション値Ｂｓ２を特定する。以下、上記した各処理を実行することにより、抵抗Ｒが短絡状態であるか否かの検査結果を得ることができる。

また、コンデンサＣが不良状態としての断線状態であるか否かの検査、およびコンデンサＣが不良状態としての短絡状態であるか否かの検査を行う際にも、シミュレーションデータＤｄに基づき、対応する適正測定内容を特定して、上記した各処理を実行することにより、コンデンサＣが断線状態であるか否か、およびコンデンサＣが短絡状態であるか否かの検査結果を得ることができる。

このように、このデータ生成装置１Ａおよび第１のデータ生成方法では、データ生成処理３０において、検査対象部品５１が良好状態のときのシミュレーション値Ｂｓ１と検査対象部品５１が不良状態のときのシミュレーション値Ｂｓ２との差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上との条件を満たすときの測定内容をその検査対象部品５１の検査に適した適正測定内容として設定する。このため、このデータ生成装置１Ａおよび第１のデータ生成方法によれば、検査対象部品５１に適した測定条件でシミュレーションして求めたシミュレーション値Ｂｓを含むシミュレーションデータＤｄ、つまり検査対象部品５１の検査を十分正確に行うことが可能なシミュレーションデータＤｄを生成することができる。

また、このデータ生成装置１Ａおよび第１のデータ生成方法では、データ生成処理３０において、各測定内容の中の１つを選択して、その測定内容におけるシミュレーション値Ｂｓ１とシミュレーション値Ｂｓ２との差分値Ｂｃが基準値Ｂｒ以上との条件を満たすか否かを判定する判定処理を、その条件を満たすと判定するまで測定内容を変更しつつ繰り返して実行し、条件を満たすと判定したときに選択しているその測定内容を適正測定内容として設定して、設定以後の判定処理を停止する。このため、このデータ生成装置１Ａおよび第１のデータ生成方法では、適正測定内容を設定した後においては、判定処理の対象としていない測定内容におけるシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の算出や判定処理を省略することができる。したがって、このデータ生成装置１Ａおよび第１のデータ生成方法によれば、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の算出や判定処理を省略できる分、シミュレーションデータＤｄの生成処理の効率を十分に向上させることができる。

また、このデータ生成装置１Ａおよび第１のデータ生成方法によれば、データ生成処理３０において、検査対象部品５１に短絡が生じている状態を不良状態とするシミュレーション値Ｂｓ２を示す情報を含むシミュレーションデータＤｄを生成することにより、例えば、数多くの検査対象部品５１が含まれる回路網５０ａにおける各検査対象部品５１を高速で検査するために、発生頻度が高い短絡状態の有無に絞って各検査対象部品５１の検査を行う際に用いるシミュレーションデータＤｄを効率的に生成することができる。

また、このデータ生成装置１Ａおよび第１のデータ生成方法によれば、データ生成処理３０において、検査対象部品５１に断線が生じている状態を不良状態とするシミュレーション値Ｂｓ２を示す情報を含むシミュレーションデータＤｄを生成することにより、例えば、数多くの検査対象部品５１が含まれる回路網５０ａにおける各検査対象部品５１を高速で検査するために、発生頻度が高い断線状態の有無に絞って各検査対象部品５１の検査を行う際に用いるシミュレーションデータＤｄを効率的に生成することができる。

なお、抵抗ＲおよびコンデンサＣの２つの検査対象部品５１だけを含む回路網５０ａを対象としてシミュレーションデータＤｄを生成する例について上記したが、１つの検査対象部品５１だけを含む回路網５０ａや、３つ以上の検査対象部品５１を含む回路網５０ａを対象としてシミュレーションデータＤｄを生成することができ、この際にも上記した効果を実現することができる。また、インダクタやダイオード等の、抵抗ＲおよびコンデンサＣ以外の検査対象部品５１を含む回路網５０ａを対象としてシミュレーションデータＤｄを生成することもでき、この際にも上記した効果を実現することができる。

また、断線状態および短絡状態を不良状態としてシミュレーションデータＤｄを生成する例について上記したが、検査対象部品５１の定数が規定値と異なる状態（定数違いの状態）を不良状態としてシミュレーションデータＤｄを生成することもできる。

また、被測定量としてのインピーダンスのシミュレーション値Ｂｓを示すシミュレーションデータＤｄを生成する例について上記したが、インピーダンス以外の被測定量（例えば、電圧、電流、静電容量およびインダクタンス等の物理量）のシミュレーション値Ｂｓを示すシミュレーションデータＤｄを生成することができる。

また、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の差分値Ｂｃを差異として判定処理を実行する例について上記したが、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の比率（シミュレーション値Ｂｓ１に対するシミュレーション値Ｂｓ２の比率、またはその逆数）を差異として判定処理を実行する構成および方法を採用することができる。この場合、例えば、この比率が予め決められた基準率以上（または、基準率以下）のときを予め規定された条件を満たしたときとすることができる。

また、シミュレーション値Ｂｓ１を示す情報およびシミュレーション値Ｂｓ２を示す情報の双方を含むシミュレーションデータＤｄを生成する例について上記したが、シミュレーション値Ｂｓ１を示す情報およびシミュレーション値Ｂｓ２を示す情報のいずれか一方だけを含むシミュレーションデータＤｄを生成する構成および方法を採用することもできる。この場合、例えば、シミュレーション値Ｂｓ１を示す情報だけを含むシミュレーションデータＤｄを用いる検査では、検査対象部品５１が良好状態であるか否かを特定することができ、シミュレーション値Ｂｓ２を示す情報だけを含むシミュレーションデータＤｄを用いる検査では、検査対象部品５１が不良状態であるか否かを特定することができる。一方、シミュレーション値Ｂｓ１を示す情報およびシミュレーション値Ｂｓ２を示す情報の双方を含む上記のシミュレーションデータＤｄを用いる検査では、上記した例のように、複数種類の不良状態が存在するときに、不良状態の種類毎のシミュレーション値Ｂｓ２を示す情報をシミュレーションデータＤｄに含ませることで、検査対象部品５１が良好状態であるか否かを特定することができると共に、検査対象部品５１が不良状態のときに、その不良の種類を直ちに特定することができる。

次に、第２の実施例としてのデータ生成装置１Ｂ（図１参照）の構成について説明する。なお、以下の説明において、上記したデータ生成装置１Ａと同じ構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略すると共に、上記した第１のデータ生成方法と同じ内容については、重複する説明を省略する。

図１に示すデータ生成装置１Ｂは、後述する第２のデータ生成方法に従い、例えば、図９，１２に示すように、回路基板１００内において検査対象部品５１（電子部品）を含んで構成される回路網５０ｂ，５０ｃ（以下、区別しないときには「回路網５０」ともいう）の各検査対象部品５１を検査する際に用いるデータを生成可能に構成されている。具体的には、データ生成装置１Ｂは、図１に示すように、操作部２、表示部３、記憶部４および制御部５を備えて構成されて、回路網５０における検査対象部品５１の良否状態を検査する際に回路網５０内に設定された測定点（図外の検査用プローブを接触させる部位であって、例えば、図９，１２に示す測定点Ｐ３〜Ｐ６）において測定されるべき被測定量のシミュレーション値を示すシミュレーションデータＤｄを生成する。

記憶部４は、制御部５によって実行されるデータ生成処理６０（図１０参照）において用いられる回路網データＤａ、定数データＤｂおよび測定内容データＤｃを記憶する。また、記憶部４は、データ生成処理６０において算出される後述するシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２、およびデータ生成処理６０において生成されるシミュレーションデータＤｄを記憶する。

この場合、回路網データＤａは、検査用プローブを接触させて被測定量を測定するための回路網５０内の測定点（図９，１２に示す測定点Ｐ３〜Ｐ６）、および各測定点間に位置する検査対象部品５１を特定可能なデータであって、回路基板１００に形成される配線パターン、ランドおよびレジスト（いずれも図示を省略する）の形状や形成位置、並びに回路基板１００に実装される検査対象部品５１の形状や実装位置を示す各種のデータ（ＣＡＤデータ、ガーバデータおよびマウントデータ）を含んでいる。

また、定数データＤｂは、検査対象部品５１毎に規定されている定数（抵抗値や容量値）を特定可能な情報を含んでいる。また、測定内容データＤｃは、シミュレーションデータＤｄを用いて回路網５０の検査対象部品５１に対する検査を行う図外の検査装置が、検査の際に測定する被測定量の種類（電流、電圧、抵抗、インピーダンス、静電容量およびインダクタンス等）、被測定量を測定する際に出力する測定用信号の種類、並びに測定用信号のパラメータ値（電圧値、電流値および周波数等）の変更範囲（パラメータ値を変更して出力することが可能な範囲）を含む測定内容を示す情報を含んでいる。

制御部５は、操作部２から出力される操作信号に従ってデータ生成装置１Ｂを構成する各部を制御する。また、制御部５は、データ生成部として機能し、図１０に示すデータ生成処理６０を実行することにより、シミュレーションデータＤｄを生成する。この場合、シミュレーションデータＤｄには、検査装置が被測定量を測定する際に出力する測定用信号のパラメータ値を予め決められた変更範囲内で変更可能となっている場合において、その変更範囲内における検査対象部品５１に適したパラメータ値であることを意味する適正パラメータ値Ｐｐを含む適正測定内容を示す情報や、適正パラメータ値Ｐｐで測定用信号を出力した状態における検査対象部品５１が良好状態のときのシミュレーション値Ｂｓ１（第１シミュレーション値）、および検査対象部品５１が不良状態のときのシミュレーション値Ｂｓ２（第２シミュレーション値：以下、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２を区別しないときには、「シミュレーション値Ｂｓ」ともいう）を示す情報が含まれている。

次に、データ生成装置１Ｂを用いて第２のデータ生成方法に従ってシミュレーションデータＤｄを生成する手順、およびその際のデータ生成装置１Ｂの動作について、図面を参照して説明する。

まず、回路基板１００（図９参照）についての回路網データＤａ、定数データＤｂおよび測定内容データＤｃを記憶部４に記憶させる。次いで、操作部２を操作して、生成処理の実行を指示する。これに応じて、制御部５が、図１０に示すデータ生成処理６０を実行する。

このデータ生成処理６０では、制御部５は、回路網データＤａ、定数データＤｂおよび測定内容データＤｃを記憶部４から読み出す（ステップ６１）。続いて、制御部５は、読み出した回路網データＤａに含まれているＣＡＤデータ、ガーバデータおよびマウントデータに基づき、回路基板１００内において検査対象部品５１を含んで構成される（検査対象部品５１が配線パターン等によって接続された）回路網を特定する（ステップ６２）。この場合、制御部５は、一例として、図９に示すように、検査対象部品５１としてのパッケージ型のバンドパスフィルタＢＰＦを含んで構成されて、他の回路網とは分離して存在する回路網５０ｂを特定したものとする。

次いで、制御部５は、測定内容データＤｃに含まれている測定内容を特定する（ステップ６３）。この場合、測定内容データＤｃには、一例として、パラメータ値としての周波数ｆｒが１０Ｈｚ〜１０ＭＨの範囲（以下「変更範囲Ｐｒ１」ともいう）で変更可能な交流電圧（電圧が１０Ｖ程度）を測定用信号として出力して、被測定量としての電圧を測定するとの測定内容（以下、「測定内容Ｍ１」ともいう）を示す情報が含まれているものとする。

続いて、制御部５は、シミュレーション値Ｂｓ１（第１シミュレーション値）を算出する第１算出処理を実行する（ステップ６４）。この第１算出処理では、制御部５は、測定用信号としての交流電圧の周波数ｆｒを変更範囲Ｐｒ１の下限値である１０Ｈｚに設定する。次いで、制御部５は、この交流電圧を出力した状態において検査対象部品５１としてのバンドパスフィルタＢＰＦが良好状態のときに測定点Ｐ３，Ｐ４で測定されるべき被測定量としての電圧のシミュレーション値Ｂｓ１をシミュレーションして算出する。

続いて、制御部５は、交流電圧の周波数ｆｒを予め決められた第１増加量ずつ増加させ、増加毎にシミュレーション値Ｂｓ１を算出する処理を周波数ｆｒが変更範囲Ｐｒ１の上限値である１０ＭＨに達するまで実行する。また、制御部５は、算出した各シミュレーション値Ｂｓ１を、そのときの周波数ｆｒと共に（これらを示す各情報を対応付けて）記憶部４に記憶させる。

続いて、制御部５は、シミュレーション値Ｂｓ２（第２シミュレーション値）を算出する第２算出処理を実行する（ステップ６５）。この第２算出処理では、制御部５は、交流電圧を出力した状態において検査対象部品５１としてのバンドパスフィルタＢＰＦが不良状態のときに測定点Ｐ３，Ｐ４で測定されるべき被測定量としての電圧のシミュレーション値Ｂｓ２をシミュレーションして算出する処理を、上記した第１算出処理と同様にして、交流電圧の周波数ｆｒを変更範囲Ｐｒ１の下限値から上限値まで第１増加量ずつ増加させる毎に実行する。また、制御部５は、算出した各シミュレーション値Ｂｓ２を、そのときの周波数ｆｒと共に（これらを示す各情報を対応付けて）記憶部４に記憶させる。

次いで、制御部５は、検索処理を実行する（ステップ６６）。この検索処理では、制御部５は、上記した第１算出処理および第２算出処理（ステップ６４，６５）で算出した各シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２を記憶部４から読み出す。続いて、制御部５は、同じ周波数ｆｒにおけるシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２同士を比較してその差異として、図１１に示すように、差分値の絶対値（以下、「差分値Ｂｃ」ともいう）が最大となる（予め規定された条件を満たす）シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２を特定する。

次いで、制御部５は、図１１に示すように、特定したシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２に対応する（シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２を算出したときに設定した）交流電圧の周波数ｆｒ（測定用信号のパラメータ値）を適正パラメータ値Ｐｐとして設定する（ステップ６７）。

ここで、シミュレーション値Ｂｓ１とシミュレーション値Ｂｓ２とが明確に異なるときには、検査対象部品５１の良否状態を検査する際に、測定点Ｐ３，Ｐ４における被測定量の測定値と、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２とを比較して、測定値に合致する（測定値に近い）シミュレーション値Ｂｓを特定することができる。そして、測定値に合致するシミュレーション値Ｂｓに対応する良否状態がその検査対象部品５１の良否状態であるとの検査結果を得ることができる。つまり、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の差分値Ｂｃが大きいほど、検査対象部品５１の良否を正確に検査することができる。このため、このデータ生成装置１Ｂでは、制御部５が、差分値Ｂｃが最大となるシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２に対応する交流電圧の周波数ｆｒ（パラメータ値）を検査対象部品５１の検査に適した適正パラメータ値Ｐｐとして設定する。

続いて、制御部５は、シミュレーションデータＤｄを生成する（ステップ６８）。この場合、制御部５は、上記した各処理において設定した情報、つまり、適正パラメータ値Ｐｐを含む適正測定内容を示す情報と、パラメータ値（周波数ｆｒ）を適正パラメータ値Ｐｐに規定した交流電圧を出力した状態でシミュレーションしたシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２（シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の少なくとも一方の一例）を示す情報とを対応付けてシミュレーションデータＤｄに含ませる。また、制御部５は、測定内容Ｍ１を示す情報をシミュレーションデータＤｄに含ませる。次いで、制御部５は、生成したシミュレーションデータＤｄを記憶部４に記憶させてデータ生成処理６０を終了する。

次に、上記のデータ生成処理６０を用いて、図９に示す回路基板１００における回路網５０ｂのバンドパスフィルタＢＰＦ（検査対象部品５１）を検査する方法ついて説明する。

まず、検査装置の記憶部にシミュレーションデータＤｄを記憶させ、続いて、検査装置に対して検査の開始を指示する。これに応じて、検査装置が、シミュレーションデータＤｄを読み出し、次いで、検査処理を実行する。この検査処理では、検査装置がシミュレーションデータＤｄに基づき、バンドパスフィルタＢＰＦについての測定内容Ｍ１を特定すると共に、バンドパスフィルタＢＰＦが良好状態であるときのシミュレーション値Ｂｓ１、およびバンドパスフィルタＢＰＦが不良状態であるときのシミュレーション値Ｂｓ２を特定する。また、シミュレーションデータＤｄに基づき、適正パラメータ値Ｐｐを特定する。

続いて、検査装置は、回路網５０ｂ内に設定された測定点Ｐ３，Ｐ４（図９参照）に接触させた検査用プローブを介して測定用信号として交流電圧を出力する。この場合、交流電圧の周波数ｆｒを適正パラメータ値Ｐｐに規定する。次いで、検査装置は、検査用プローブを介して入力した電気信号に基づき、被測定量としての電圧を測定する。

続いて、検査装置は、測定した電圧の測定値と、シミュレーション値Ｂｓとを比較して、測定値に合致するシミュレーション値Ｂｓを特定する。次いで、検査装置は、合致したシミュレーション値Ｂｓに対応する良否状態を特定する。続いて、検査装置は、特定した良否状態を検査結果とする。

この場合、測定値が、良好状態のシミュレーション値Ｂｓ１に合致するとき（例えば、測定値がシミュレーション値Ｂｓ１の９９％の値から１０１％の値までの範囲内のとき）には、バンドパスフィルタＢＰＦが良好との検査結果を得ることができる。また、測定値が、不良状態のシミュレーション値Ｂｓ２に合致するとき（例えば、測定値がシミュレーション値Ｂｓ２の９９％の値から１０１％の値までの範囲内のとき）には、バンドパスフィルタＢＰＦが不良状態であるとの検査結果を得ることができる。

ここで、上記したように、差分値Ｂｃが最大となるシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２に対応する測定用信号の周波数ｆｒを検査対象部品５１の検査に適した適正パラメータ値Ｐｐとして設定し、その適正パラメータ値Ｐｐを含む適正測定内容を示す情報がシミュレーションデータＤｄに含まれている。このため、このシミュレーションデータＤｄでは、シミュレーション値Ｂｓ１とシミュレーション値Ｂｓ２とが明確に異なるため、検査対象部品５１の良否状態を検査する際に、検査対象部品５１が良好状態であるか不良状態であるかを正確に検査することが可能となっている。

次に、第３の実施例について説明する。なお、上記した構成および方法と同様の構成および方法については、重複する説明を省略する。例えば、上記したデータ生成処理６０のステップ６２において、制御部５が、図１２に示すように、検査対象部品５１としてのダイオードＤを含んで構成されて、他の回路網とは分離して存在する回路網５０ｃを特定したものとする。また、測定内容データＤｃには、電圧値Ｖｒが１Ｖ〜１０Ｖの範囲（以下、「変更範囲Ｐｒ２」ともいう）で変更可能な直流電圧を測定用信号として出力して被測定量としての電流を測定するとの測定内容（以下、「測定内容Ｍ２」ともいう）を示す情報が含まれているものとする。

この際には、制御部５は、データ生成処理６０のステップ６３において測定内容Ｍ２を特定し、次いで、第１算出処理を実行する（ステップ６４）。この場合、制御部５は、第１算出処理において、測定用信号としての直流電圧の電圧値Ｖｒを変更範囲Ｐｒ２の下限値である１Ｖに設定する。続いて、制御部５は、この直流電圧を出力した状態において検査対象部品５１としてのダイオードＤが良好状態のときに測定点Ｐ５，Ｐ６（図１２参照）で測定されるべき被測定量としての電流のシミュレーション値Ｂｓ１をシミュレーションして算出する。

次いで、制御部５は、直流電圧の電圧値Ｖｒを予め決められた第２増加量ずつ増加させ、増加毎にシミュレーション値Ｂｓ１を算出する処理を電圧値Ｖｒが変更範囲Ｐｒ２の上限値である１０Ｖに達するまで実行する。また、制御部５は、算出した各シミュレーション値Ｂｓ１を、そのときの電圧値Ｖｒと共に（これらを示す各情報を対応付けて）記憶部４に記憶させる。

続いて、制御部５は、第２算出処理を実行する（ステップ６５）。この場合、制御部５は、第２算出処理において、第１算出処理と同様にして、電圧値Ｖｒを変更範囲Ｐｒ２の下限値から上限値まで第２増加量ずつ増加させ、増加毎にシミュレーション値Ｂｓ２を算出する。また、制御部５は、算出した各シミュレーション値Ｂｓ２を、そのときの電圧値Ｖｒと共に（これらを示す各情報を対応付けて）記憶部４に記憶させる。

次いで、制御部５は、検索処理を実行する（ステップ６６）。この場合、制御部５は、算出した各シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２を記憶部４から読み出し、同じ電圧値Ｖｒにおけるシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２同士を比較して、図１３に示すように、差分値Ｂｃ（差異）が最大となる（予め規定された条件を満たす）シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２を特定する。

続いて、制御部５は、図１３に示すように、特定したシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２に対応する直流電圧の電圧値Ｖｒ（測定用信号のパラメータ値）を適正パラメータ値Ｐｐとして設定する（ステップ６７）。次いで、制御部５は、適正パラメータ値Ｐｐを含む適正測定内容を示す情報とシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２を示す情報とを対応付けて含ませると共に、測定内容Ｍ２を示す情報を含ませたシミュレーションデータＤｄを生成する（ステップ６８）。続いて、制御部５は、生成したシミュレーションデータＤｄを記憶部４に記憶させてデータ生成処理６０を終了する。

上記のシミュレーションデータＤｄを用いて、図１２に示す回路基板１００における回路網５０ｃのダイオードＤ（検査対象部品５１）を検査する際には、検査装置の記憶部にシミュレーションデータＤｄを記憶させ、次いで、検査装置に対して検査の開始を指示する。これに応じて、検査装置が、上記した回路網５０ｂのバンドパスフィルタＢＰＦを検査する際に実行した処理と同様の処理を実行する。この場合、検査装置は、回路網５０ｃ内に設定された測定点Ｐ５，Ｐ６（図１２参照）に接触させた検査用プローブを介して、シミュレーションデータＤｄに基づいて特定した電圧値Ｖｒに規定した直流電圧を出力し、その状態で、検査装置は、検査用プローブを介して入力した電気信号に基づき、測定内容Ｍ２に示される被測定量としての電流を測定する。

続いて、検査装置は、測定した電流の測定値と、シミュレーションデータＤｄによって示されるシミュレーション値Ｂｓとを比較して、測定値に合致するシミュレーション値Ｂｓを特定する。次いで、検査装置は、合致したシミュレーション値Ｂｓに対応する良否状態を特定する。続いて、検査装置は、特定した良否状態を検査結果とする。この場合においても、差分値Ｂｃが最大となるシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２に対応する直流電圧の電圧値Ｖｒを検査対象部品５１の検査に適した適正パラメータ値Ｐｐを含む測定内容を適正測定内容として設定しているため、シミュレーションデータＤｄに含まれるシミュレーション値Ｂｓ１とシミュレーション値Ｂｓ２とが明確に異なっている。したがって、この場合においても、このシミュレーションデータＤｄを用いることで、検査対象部品５１の良否状態を検査する際に、検査対象部品５１が良好状態であるか不良状態であるかを正確に検査することが可能となっている。

このように、このデータ生成装置１Ｂおよび第２のデータ生成方法では、データ生成処理６０において、測定用信号のパラメータ値（周波数ｆｒおよび電圧値Ｖｒ）を変更させつつ求めたシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の差分値Ｂｃが予め規定された条件を満たす（一例として差分値Ｂｃが最大となる）パラメータ値（適正パラメータ値Ｐｐ）を含む測定内容を適正測定内容として設定する。このため、このデータ生成装置１Ｂおよび第２のデータ生成方法で生成されたシミュレーションデータＤｄでは、シミュレーション値Ｂｓ１とシミュレーション値Ｂｓ２とが明確に異なっているため、このシミュレーションデータＤｄを用いることで、検査対象部品５１の良否状態を検査する際に、検査対象部品５１が良好状態であるか不良状態であるかを正確に検査することができる。したがって、このデータ生成装置１Ｂおよび第２のデータ生成方法によれば、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の差異が小さいことがある従来のデータ生成装置およびデータ生成方法と比較して、検査対象部品５１の良否を正確に検査可能なシミュレーションデータＤｄを生成することができる。

また、このデータ生成装置１Ｂおよび第２のデータ生成方法では、予め規定された条件を満たすパラメータ値として、パラメータ値が変更範囲内であってかつシミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の差異（差分値Ｂｃ）が最大となるパラメータ値（適正パラメータ値Ｐｐ）を含む測定内容を適正測定内容として設定する。このため、このデータ生成装置１Ｂおよび第２のデータ生成方法によれば、シミュレーションデータＤｄに含ませるシミュレーション値Ｂｓ１とシミュレーション値Ｂｓ２とを最も明確に異ならせることができるため、検査対象部品５１の良否をより正確に検査可能なシミュレーションデータＤｄを生成することができる。

なお、１種類の測定用信号について１種類のパラメータ値だけを適正パラメータ値Ｐｐとして設定する例について上記したが、１種類の測定用信号について複数のパラメータ値をそれぞれ適正パラメータ値Ｐｐとして設定する構成および方法を採用することができる。具体的には、例えば、検査装置が測定用信号としての交流電圧の周波数および電圧値の２つのパラメータ値を変更可能なときには、検査対象部品５１の検査に適した周波数および電圧値の双方を特定して、その周波数および電圧値の双方をそれぞれ適正パラメータ値Ｐｐとして設定することができる。

また、１つの検査対象部品５１（バンドパスフィルタＢＰＦまたはダイオードＤ）だけを含む回路網５０を対象としてシミュレーションデータＤｄを生成する例について上記したが、２つ以上の検査対象部品５１を含む回路網５０を対象としてシミュレーションデータＤｄを生成することができ、この際にも上記した効果を実現することができる。また、抵抗やインダクタ等の、バンドパスフィルタＢＰＦおよびダイオードＤ以外の検査対象部品５１を含む回路網５０を対象としてシミュレーションデータＤｄを生成することもでき、この際にも上記した効果を実現することができる。

また、被測定量としての電圧および電流のシミュレーション値を示すシミュレーションデータＤｄを生成する例について上記したが、電圧および電流以外の被測定量（例えば、抵抗、インピーダンス、静電容量およびインダクタンス等の物理量）のシミュレーション値を示すシミュレーションデータＤｄを生成することができる。

また、差分値Ｂｃが最大となる（予め決められた条件を満たした）パラメータ値を適正パラメータ値Ｐｐとして設定する例について上記したが、差分値Ｂｃが予め決められた値以上のパラメータ値や予め決められた比率以上のパラメータ値を適正パラメータ値Ｐｐとして設定する構成および方法を採用することもできる。

また、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の差分値Ｂｃを差異として検索処理を実行する例について上記したが、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２の比率（シミュレーション値Ｂｓ１に対するシミュレーション値Ｂｓ２の比率、またはその逆数）を差異として検索処理を実行する構成および方法を採用することができる。この場合、例えば、この比率が予め決められた基準率以上（または、基準率以下）のときを予め規定された条件を満たしたときとすることができる。

また、シミュレーション値Ｂｓ１を示す情報およびシミュレーション値Ｂｓ２を示す情報の双方を含むシミュレーションデータＤｄを生成する例について上記したが、シミュレーション値Ｂｓ１を示す情報およびシミュレーション値Ｂｓ２を示す情報のいずれか一方だけを含むシミュレーションデータＤｄを生成する構成および方法を採用することもできる。この場合、例えば、シミュレーション値Ｂｓ１を示す情報だけを含むシミュレーションデータＤｄを用いる検査では、検査対象部品５１が良好状態であるか否かを特定することができ、シミュレーション値Ｂｓ２を示す情報だけを含むシミュレーションデータＤｄを用いる検査では、検査対象部品５１が不良状態であるか否かを特定することができる。一方、シミュレーション値Ｂｓ１を示す情報およびシミュレーション値Ｂｓ２を示す情報の双方を含む上記のシミュレーションデータＤｄを用いる検査では、複数種類の不良状態（例えば、検査対象部品５１が断線している状態や、検査対象部品５１が短絡している状態）が存在するときに、不良状態の種類毎のシミュレーション値Ｂｓ２を示す情報をシミュレーションデータＤｄに含ませることで、検査対象部品５１が良好状態であるか否かを特定することができると共に、検査対象部品５１が不良状態のときに、その不良の種類を直ちに特定することができる。

１Ａ，１Ｂ データ生成装置
５ 制御部
５０ａ〜５０ｃ 回路網
５１ 検査対象部品
Ｂｓ１，Ｂｓ２ シミュレーション値
Ｂｃ 差分値
ＢＰＦ バンドパスフィルタ
Ｃ コンデンサ
Ｄ ダイオード
Ｄｄ シミュレーションデータ
ｆｒ 周波数
Ｉｒ 電流値
Ｐｒ１〜Ｐｒ３ 変更範囲
Ｐ１〜Ｐ６ 測定点
Ｒ 抵抗
Ｖｒ 電圧値

Claims (7)

1. 検査対象部品を含んで構成される回路網における当該検査対象部品を検査する際に当該回路網内に設定された測定点において測定されるべき被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値を示す情報を含むシミュレーションデータを生成するデータ生成装置であって、
   前記被測定量の種類および当該被測定量の測定時における測定条件を含む測定内容を変更可能な検査装置に用いる前記シミュレーションデータを生成する際に、前記各測定内容の中の１つを前記検査対象部品の検査に適した適正測定内容として設定して、前記検査対象部品が良好状態のときの前記適正測定内容における前記シミュレーション値としての第１シミュレーション値を示す情報および当該検査対象部品が不良状態のときの当該適正測定内容における前記シミュレーション値としての第２シミュレーション値を示す情報の少なくとも一方を含む前記シミュレーションデータを生成するデータ生成処理を実行するデータ生成部を備え、
   前記データ生成部は、前記データ生成処理において、前記第１シミュレーション値および前記第２シミュレーション値の差異が予め規定された条件を満たすときの前記測定内容を前記適正測定内容として設定するデータ生成装置。
2. 前記データ生成部は、前記検査対象部品の種類に応じて前記測定内容を変更可能な前記検査装置に用いる前記シミュレーションデータを生成する際に、前記データ生成処理において、前記各測定内容の中の１つを選択して前記検査対象部品が前記良好状態のときの当該測定内容における前記シミュレーション値と当該検査対象部品が前記不良状態のときの当該測定内容における前記シミュレーション値との差異が前記予め規定された条件を満たすか否かを判定する判定処理を、当該条件を満たすと判定するまで前記測定内容を変更しつつ繰り返して実行し、当該条件を満たすと判定したときに選択している前記測定内容を前記適正測定内容として設定して、当該設定以後の前記判定処理を停止する請求項１記載のデータ生成装置。
3. 前記データ生成部は、前記検査対象部品を検査する際に前記回路網に対して出力する測定用信号のパラメータ値を前記測定条件として含む前記測定内容における当該パラメータ値を予め決められた変更範囲内で変更可能な検査装置に用いる前記シミュレーションデータを生成する際に、前記データ生成処理において、前記パラメータ値を変更させつつ前記第１シミュレーション値および前記第２シミュレーション値を求め、当該求めた第１シミュレーション値および第２シミュレーション値の差異が前記予め規定された条件を満たす当該パラメータ値を含む前記測定内容を前記適正測定内容として設定する請求項１記載のデータ生成装置。
4. 前記データ生成部は、前記予め規定された条件を満たすパラメータ値として、前記変更範囲内であってかつ前記差異が最大となる当該パラメータ値を含む前記測定内容を前記適正測定内容として設定する請求項３記載のデータ生成装置。
5. 前記データ生成部は、前記データ生成処理において、前記検査対象部品に短絡が生じている状態を前記不良状態とする前記シミュレーション値を示す情報を前記少なくとも一方として含む前記シミュレーションデータを生成する請求項１から４のいずれかに記載のデータ生成装置。
6. 前記データ生成部は、前記データ生成処理において、前記検査対象部品に断線が生じている状態を前記不良状態とする前記シミュレーション値を示す情報を前記少なくとも一方として含む前記シミュレーションデータを生成する請求項１から５のいずれかに記載のデータ生成装置。
7. 検査対象部品を含んで構成される回路網における当該検査対象部品を検査する際に当該回路網内に設定された測定点において測定されるべき被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値を示す情報を含むシミュレーションデータを生成するデータ生成方法であって、
   前記被測定量の種類および当該被測定量の測定時における測定条件を含む測定内容を変更可能な検査装置に用いる前記シミュレーションデータを生成する際に、前記各測定内容の中の１つを前記検査対象部品の検査に適した適正測定内容として設定して、前記検査対象部品が良好状態のときの前記適正測定内容における前記シミュレーション値としての第１シミュレーション値を示す情報および当該検査対象部品が不良状態のときの当該適正測定内容における前記シミュレーション値としての第２シミュレーション値を示す情報の少なくとも一方を含む前記シミュレーションデータを生成するデータ生成処理を実行すると共に、
   前記データ生成処理において、前記第１シミュレーション値および前記第２シミュレーション値の差異が予め規定された条件を満たすときの前記測定内容を前記適正測定内容として設定するデータ生成方法。

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