JP6436073B2 - CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法 - Google Patents
CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法 Download PDFInfo
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前記酸化ガリウム粉末は、酸素を含む不活性ガス雰囲気下、900℃、かつ1時間の加熱試験によって測定される強熱減量(Ig−loss)成分を含有しているが、
前記混合の前に、予め300℃以上1000℃以下の温度、30分以上120分以下の時間、かつ酸素を含む不活性ガス雰囲気下で加熱処理することで、前記強熱減量(Ig−loss)成分が0.16質量%以下に低減していることを特徴とするCaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法が提供される。
さらに、本発明の第3の発明によれば、第1又は2の発明において、前記不活性ガスが、窒素、ヘリウム、ネオン、又はアルゴンから選ばれる1種以上であることを特徴とするCaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法が提供される。
また、これにより得られた単結晶を用いれば、基板の格子定数を所望の範囲に収めることができる。
前記酸化ガリウム粉末は、酸素を含む不活性ガス雰囲気下、900℃、かつ1時間の加熱試験によって測定される強熱減量(Ig−loss)成分を含有しているが、
前記混合の前に、予め300℃以上1000℃以下の温度、30分以上120分以下の時間、かつ酸素を含む不活性ガス雰囲気下で加熱処理することで、前記強熱減量(Ig−loss)成分が0.16質量%以下に低減していることを特徴とする。
本発明に係るCaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット(SGGG)単結晶の育成方法では、図1に示すような製造装置を用いる。
本発明では原料の酸化ガリウム(Ga2O3)粉末として、強熱減量(Ig−loss)成分が、0.16質量%以下であるものを使用する。ここで、強熱減量(Ig−loss)成分とは、酸素を含む不活性ガス雰囲気下、900℃、かつ1時間の加熱試験によって測定されるものである。
本発明では、まず、図1に示すような装置の坩堝8内に原料を充填し、育成炉1のチャンバー2内に上記坩堝8を配置し、引き続き高周波コイル10により、加熱して原料を融解させる。
[但し、組成式(1)中において、a+b+c+d+e=8である。]
なお、実施例に記載した組成式(GdCaGaMgZr)8O12は、Gd、Ca、Ga、Mg、Zrの各原子のモル数の合計とO原子のモル数との比が「8:12」となることを意味するものとする。
まず、Ga2O3粉末を、酸素濃度が1体積%の窒素ガス雰囲気下、900℃、60分の加熱処理により、強熱減量(Ig−loss)成分をほぼゼロにした。その後、このGa2O3粉末と、他の原料粉末であるGd2O3粉末、CaCO3粉末、MgO粉末、ZrO2粉末とを、組成式(GdCaGaMgZr)8O12で示される原料の原子比がGd:Ca:Ga:Mg:Zr=2.714:0.326:4.024:0.305:0.631となるように秤量し、混合した。なお、この組成は、SGGG単結晶の直胴部におけるトップ部の格子定数が12.4950Åになることを狙って設定したものである。
測定の結果、トップ部から得られたSGGG単結晶基板の格子定数は12.4950Åであり、所望の格子定数を得ることができた。
Ga2O3粉末に対する加熱処理の条件を変えて、窒素ガス雰囲気下、300℃、30分加熱を行った以外は、実施例1と同様にして、SGGG単結晶を育成した。
その後、育成されたSGGG単結晶の直胴部におけるトップ部(直胴部の上端)から基板(ウェハ)を切り出し、両面研磨加工を施した後、上記エックス線回折装置を用いて、SGGG単結晶基板の格子定数を測定した。
測定の結果、トップ部から得られたSGGG単結晶基板の格子定数は12.4959Åであった。
実施例2で用いた300℃、30分の加熱処理後のGa2O3粉末に対し、酸素濃度が1体積%の窒素ガス雰囲気下、900℃、1時間の強熱減量(Ig−loss)試験を行ったところ、0.15質量%の強熱減量(Ig−loss)成分の存在が確認された。
この加熱条件は、実施例1よりも穏やかであるため、強熱減量(Ig−loss)成分が若干量存在したが、格子定数ばらつきを0.0009Åにすることができた。
Ga2O3粉末に対する加熱処理の条件を変えて、Ga2O3粉末に対し、窒素ガス雰囲気下、300℃、20分の加熱処理を行った以外は、実施例1と同様にして、SGGG単結晶を育成した。その後、育成されたSGGG単結晶の直胴部におけるトップ部(直胴部の上端)から基板(ウェハ)を切り出し、両面研磨加工を施した後、上記エックス線回折装置を用いて、SGGG単結晶基板の格子定数を測定した。
測定の結果、トップ部から得られたSGGG単結晶基板の格子定数は12.4961Åであった。
比較例1で用いた300℃、20分の加熱処理後のGa2O3粉末に対し、酸素濃度が1体積%の窒素ガス雰囲気下、900℃、1時間の強熱減量(Ig−loss)試験を行ったところ、0.17質量%の強熱減量(Ig−loss)成分の存在が確認された。
比較例1の加熱条件では、強熱減量(Ig−loss)成分を格子定数ばらつきが0.001Å以内に抑制できる0.16質量%以内にすることができなかったため、狙い値からのずれが0.0011Åとなり0.001Å以内にすることができなかった。
Ga2O3粉末に対する加熱処理の条件を変えて、Ga2O3粉末に対し、窒素ガス雰囲気下、280℃、30分の加熱処理を行った以外は、実施例1と同様にして、SGGG単結晶を育成した後、育成されたSGGG単結晶の直胴部におけるトップ部(直胴部の上端)から基板(ウェハ)を切り出し、両面研磨加工を施した後、上記エックス線回折装置を用いて、SGGG単結晶基板の格子定数を測定した。
測定の結果、トップ部から得られたSGGG単結晶基板の格子定数は12.4964Åであった。
比較例2で用いた窒素ガス雰囲気下、280℃、30分の加熱処理後のGa2O3粉末に対し、酸素濃度が1体積%の窒素ガス雰囲気下、900℃、1時間の強熱減量(Ig−loss)試験を行ったところ、0.17質量%の強熱減量(Ig−loss)成分の存在が確認された。
この加熱条件では、強熱減量(Ig−loss)成分を格子定数ばらつきが0.16質量%を超えたため、所望値からのずれが0.0012Åと大きくなってしまった。
実施例1は、Ga2O3粉末に対して、酸素濃度が1%の窒素ガス雰囲気下、900℃、1時間の加熱処理を行っており、この条件は強熱減量(Ig−loss )試験の条件と同じであり、強熱減量(Ig−loss)成分量をほぼ完全に低減できている。また、実施例2の加熱条件は、300℃、30分と実施例1に対して比較的緩い処理条件であるため、強熱減量(Ig−loss)成分が0.15質量%存在したが、格子定数ばらつきが0.001Å以内に抑制できる0.16質量%以内となり、所望値からのずれを0.001Å以内の0.0009Åにすることができた。
そのため、光アイソレータ用ファラデー回転子に用いられるRIG単結晶膜を低コストで提供できる。
2 チャンバー
3 断熱材
4 引き上げ軸
5 ホットゾーン
6 種結晶
7 SGGG単結晶
8 坩堝
9 原料融液
10 高周波コイル
11 結晶トップ部
12 結晶ボトム部
Claims (3)
- 原料粉末の酸化ガドリニウム粉末、炭酸カルシウム粉末、酸化ガリウム粉末、酸化マグネシウム粉末、及び酸化ジルコニウム粉末を混合して、得られる混合物を加熱溶融した後、チョクラルスキー法によって種結晶を回転させながら引き上げて、CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット(SGGG)単結晶を育成する方法において、
前記酸化ガリウム粉末は、酸素を含む不活性ガス雰囲気下、900℃、かつ1時間の加熱試験によって測定される強熱減量(Ig−loss)成分を含有しているが、
前記混合の前に、予め300℃以上1000℃以下の温度、30分以上120分以下の時間、かつ酸素を含む不活性ガス雰囲気下で加熱処理することで、前記強熱減量(Ig−loss)成分が0.16質量%以下に低減していることを特徴とするCaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法。 - 前記不活性ガス雰囲気中の酸素含有量が、0.1〜5体積%であることを特徴とする請求項1に記載のCaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法。
- 前記不活性ガスが、窒素、ヘリウム、ネオン、又はアルゴンから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法。
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JP2015240033A JP6436073B2 (ja) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法 |
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