JP6420874B2 - 定盤洗浄装置 - Google Patents

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Description

実施例はウエハー用ラッピング装置に備えられた定盤洗浄装置に関するものである。
ラッピング(Lapping)は平坦度に優れた表面を得るために行われる加工方法で、半導体ウエハー又は各種の基板の表面を平坦化するために広く用いられる。
一般的なラッピング工程によると、ラッピング装置の上定盤と下定盤の間にウエハーを配置し、ウエハーに研磨用スラリー(slurry)を供給しながら下定盤及び上定盤を回転させる。すると、スラリーに含まれた研磨用粒子によってウエハー表面が研磨されることができる。
定盤、例えば上定盤及び下定盤の表面には、スラリーの円滑な供給及び排出のために、溝(groove)が設けられることができる。ところで、ラッピング工程が繰り返し行われる場合、ウエハーと定盤から分離された異物及び使用されたスラリーなどが定盤の溝に累積し、その結果、スラリーの供給及び排出を阻害することができ、これによってウエハーの平坦度品質が悪くなることができる。また、溝の内部に積もったスラッジ成分が定盤内のウエハーに流入する場合、ウエハーにスクラッチ(scratch)が発生することがある。
このような現象を防止するために、定盤洗浄装置を用いて周期的に定盤の溝に積もった異物及び使われたスラリーなどを洗浄する。
実施例はラッピング工程によって平坦度を向上させるとともにスラッジによるウエハーのスクラッチ発生を防止することができる定盤洗浄装置を提供する。
実施例による定盤洗浄装置は、噴射ヘッド、及び前記噴射ヘッドの上面に配置される少なくとも一つの第1噴射ノズル及び少なくとも一つの第2噴射ノズルを含む噴射ユニット;及び前記噴射ユニットを洗浄しようとする定盤の表面に移動させる移動ユニットを含み、前記少なくとも一つの第1噴射ノズルは第1洗浄液を噴射する第1噴射口を含み、前記少なくとも一つの第2噴射ノズルは第2洗浄液を噴射する第2噴射口を含み、前記噴射ヘッドの上面から前記第1噴射口までの第1離隔距離と前記噴射ヘッドの上面から前記第2噴射口までの第2離隔距離は互いに違い、前記第1洗浄液の第1噴射角度と前記第2洗浄液の第2噴射角度は互いに違う。
前記第2離隔距離は前記第1離隔距離より大きくてもよい。
前記第2噴射角度は前記第1噴射角度より小さくてもよい。
前記少なくとも一つの第1噴射ノズルは複数の第1噴射ノズルを含むことができ、前記少なくとも一つの第2噴射ノズルは複数の第2噴射ノズルを含むことができ、前記複数の第2噴射ノズルのそれぞれの第2離隔距離は前記複数の第1噴射ノズルのそれぞれの第1離隔距離より大きくてもよく、前記複数の第2噴射ノズルのそれぞれの第2噴射口から噴射される第2洗浄液の第2噴射角度は前記複数の第1噴射ノズルのそれぞれの第1噴射口から噴射される第1洗浄液の第1噴射角度より小さくてもよい。
前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記複数の第1噴射ノズルが一列に配列されることができ、前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記複数の第2噴射ノズルが一列に配列されることができる。
前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記第1噴射ノズルと前記第2噴射ノズルは互いに交互に配列されることができる。
前記定盤は第1溝を有する上定盤及び第2溝を有する下定盤を含むことができ、前記複数の第1噴射ノズル及び前記複数の第2噴射ノズルは前記第1溝が設けられた前記上定盤の表面に前記第1及び第2洗浄液を噴射することができる。
前記噴射ユニットは、前記噴射ヘッドの下面に配置される少なくとも一つの第3噴射ノズル及び少なくとも一つの第4噴射ノズルをさらに含むことができ、前記少なくとも一つの第3噴射ノズルは第3洗浄液を噴射する第3噴射口を含むことができ、前記少なくとも一つの第4噴射ノズルは第4洗浄液を噴射する第4噴射口を含むことができ、前記噴射ヘッドの下面から前記第3噴射口までの第3離隔距離と前記噴射ヘッドの下面から前記第4噴射口までの第4離隔距離は互いに違ってもよい。
前記第3洗浄液の第3噴射角度と前記第4洗浄液の第4噴射角度は互いに違ってもよい。
前記少なくとも一つの第3噴射ノズルは複数の第3噴射ノズルを含むことができ、前記少なくとも一つの第4噴射ノズルは複数の第4噴射ノズルを含むことができ、前記複数の第4噴射ノズルのそれぞれの第4離隔距離は前記複数の第3噴射ノズルのそれぞれの第1離隔距離より大きくてもよく、前記複数の第4噴射ノズルのそれぞれの第4噴射口から噴射される第4洗浄液の第4噴射角度は前記複数の第3噴射ノズルのそれぞれの第3噴射口から噴射される第3洗浄液の第3噴射角度より小さくてもよい。
前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記複数の第3噴射ノズルが一列に配列されることができ、前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記複数の第4噴射ノズルが一列に配列されることができる。
前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記第3噴射ノズルと前記第4噴射ノズルは互いに交互に配列されることができる。
前記第1噴射角度及び前記第3噴射角度のそれぞれは40°〜50°であってもよく、前記第2噴射角度及び前記第4噴射角度のそれぞれは10°〜20°であってもよい。
前記少なくとも一つの第2噴射ノズルから噴射される前記第2洗浄液の噴射圧力は前記少なくとも一つの第1噴射ノズルから噴射される前記第1洗浄液の噴射圧力より高くてもよく、前記少なくとも一つの第4噴射ノズルから噴射される前記第4洗浄液の噴射圧力は前記少なくとも一つの第3噴射ノズルから噴射される前記第3洗浄液の噴射圧力より高くてもよい。
前記第2及び第4噴射口のそれぞれの直径は前記第1及び第3噴射口のそれぞれの直径より小さくてもよい。
前記定盤洗浄装置は、前記第1〜第4噴射ノズルに洗浄液を供給する供給管をさらに含むことができる。
前記第1噴射角度と前記第2噴射角度の差は20°〜40°であってもよい。
実施例はラッピング工程によって平坦度を向上させるとともにスラッジによるウエハーのスクラッチ発生を防止することができる。
実施例による定盤洗浄装置の平面図である。
図1に示した噴射ユニットのAB方向の断面図である。
図2に示した噴射ユニットの拡大図である。
図3の噴射ユニットのCD方向の断面図である。
図3の噴射ユニットのEF方向の断面図である。
噴射ユニットから上定盤及び下定盤に噴射される洗浄液を示す図である。
一般的な定盤洗浄装置の定盤洗浄模式図である。
図6aに示した定盤洗浄装置の洗浄程度を示すグラフである。
実施例による定盤洗浄装置の噴射ユニットによる洗浄模式図である。
図7aに示した定盤洗浄装置の洗浄程度を示すグラフである。
以下、前記目的を具体的に実現することができる本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
本発明による実施例の説明において、各要素の“上又は下(on or under)”に形成されるものとして記載される場合、上又は下(on or under)は二つの要素が互いに直接(directly)接触するとか一つ以上の他の要素が前記二つの要素の間に配置されて(indirectly)形成されるとかするものを全て含む。また、“上又は下(on or under)”として表現される場合、一つの要素を基準として上方だけではなく下方の意味も含むことができる。
また、以下で使う “第1”及び“第2”、“上部”及び“下部”などの関係的用語はそのような実体又は要素間のある物理的又は論理的関係又は手順を必ずしも要求するか内包するものではなく、ある一つの実体又は要素を他の実体又は要素と区別するためにだけ用いることができる。また、同じ参照番号は図面の説明全般にわたって同じ要素を示す。
図1は実施例による定盤洗浄装置100の平面図を示し、図2は図1に示した噴射ユニット110のAB方向の断面図である。
図1及び図2を参照すると、定盤洗浄装置100は、噴射ユニット110、移動ユニット120、及び流体供給部130を含む。
噴射ユニット110は、ラッピング装置、例えばウエハー研磨装置の定盤、例えば上定盤及び下定盤の表面に向けて高圧の流体、例えば洗浄液を噴射して定盤の表面を洗浄する。
移動ユニット120は噴射ユニット110に結合され、噴射ユニット110を移動させる。例えば、移動ユニット120はロボットアームの形態であってもよいが、これに限定されるものではない。
例えば、移動ユニット120は、上定盤10と下定盤20の間でスイング(swing)するように噴射ユニット110を回転移動させることができる。
例えば、図1に示したように、移動ユニット120は、洗浄工程を行わないときには噴射ユニット110を定盤、例えば下定盤20の外側に位置させる(図1に点線で表示した噴射ユニット110参照)。
そして、移動ユニット120は、洗浄工程を行うときは、噴射ユニット110を定盤、例えば下定盤20上に位置するように移動させる(図1に実線で表示した噴射ユニット110参照)。
また、移動ユニット120は噴射ユニット110を垂直方向に移動させるとかあるいは水平方向に移動させるとかすることができる。例えば、垂直方向は上定盤10から下定盤に向かう方向又はその反対方向であってもよい。そして、水平方向は上定盤10又は下定盤の縁部から中心への方向又はその反対方向であってもよい。
定盤洗浄装置100は、移動ユニット120が装着又は支持される支持部又はステージ(stage)140をさらに含むことができる。
流体供給部130は噴射ユニット110に流体を供給する。例えば、流体供給部130は、洗浄液、例えば純水(deionized water、DIW)を噴射ユニット110に供給することができる。また、流体供給部130は、気体、例えば圧縮空気を噴射ユニット110に供給することができる。
例えば、流体供給部130は、洗浄液を供給する洗浄液供給部131、及び既設定の圧力の気体、例えば空気を供給する気体供給部132を含むことができる。
例えば、洗浄液供給部131は第1供給管412(図4a及び図4b参照)と連結されることができ、第1供給管412を通じて噴射ユニット110の第1〜第4噴射ノズル312、314、322、324に洗浄液を供給することができる。また、例えば、気体供給部132は第2供給管414(図4a及び図4b参照)と連結されることができ、第2供給管414を通じて噴射ユニット110に気体を供給することができる。
図3は図2に示した噴射ユニット110の拡大図を示し、図4aは図3の噴射ユニット110のCD方向の断面図を示し、図4bは図3の噴射ユニット110のEF方向の断面図を示し、図5は噴射ユニット110から上定盤10及び下定盤20に噴射される洗浄液50aと50b、60aと60bを示す。
図3〜図5を参照すると、噴射ユニット110は、噴射ヘッド(Injection Head)305、第1噴射部310、第2噴射部320、第1供給管412、及び第2供給管414を含む。
噴射ヘッド305は、第1及び第2噴射部310、320、及び第1及び第2供給管412、414を収容する。
第1噴射部310は噴射ヘッド305の一側に配置され、上側方向に洗浄液及び気体を噴射する。第2噴射部320は噴射ヘッド305の他側に配置され、下側方向に洗浄液及び気体を噴射する。例えば、第1及び第2噴射部310は互いに反対方向に洗浄液50aと50b、60aと60b及び気体を噴射することができる。
第1及び第2噴射部310、320のそれぞれは、洗浄液50aと50b、60aと60bを噴射する洗浄液噴射ノズル、及び気体を噴射する気体噴射ノズル316−1、316−2を含むことができる。
噴射ユニット110は、噴射ヘッド305、少なくとも一つの第1噴射ノズル312、及び少なくとも一つの第2噴射ノズル314を含むことができる。
例えば、第1噴射ノズル312の数は2個以上であってもよく、第2噴射ノズル314の数は2個以上であってもよい。
例えば、噴射ユニット110の第1噴射部310の洗浄液噴射ノズルは、噴射ヘッド305の一面、例えば上面305aで露出される少なくとも一つの第1噴射ノズル312及び少なくとも一つの第2噴射ノズル314を含むことができる。
第1及び第2噴射ノズル312、314は噴射ヘッド305の上面305aに配置又は装着されることができ、ラッピング装置の上定盤に向けて洗浄液を噴射することができる。
図3に示したように、噴射ヘッド305の上面305aを基準に、第1噴射ノズル312の第1噴射口312aの第1離隔距離(d1)は第2噴射ノズル314の第2噴射口314aの第2離隔距離(d2)とは違う。
例えば、第2離隔距離(d2)は第1離隔距離(d1)より大きくてもよい(d2>d1)。
また、例えば、第1噴射ノズル312の第1噴射口の第1離隔距離は互いに同一であってもよく、第2噴射ノズル314の第2噴射口の第2離隔距離は互いに同一であってもよいが、これに限定されるものではない。
第1噴射ノズル312の直径は第2噴射ノズル314の直径と違ってもよい。例えば、第2噴射ノズル314の直径は第1噴射ノズル312の直径より小さくてもよい。
例えば、第1噴射ノズル312の第1噴射口312aの第1直径(R1)は第2噴射ノズル314の第2噴射口314aの第2直径(R2)と違う。例えば、第2直径(R2)は第1直径(R1)より小さくてもよい(R2<R1)。
例えば、第1噴射ノズルの直径は互いに同一であってもよく、第2噴射ノズルの直径は互いに同一であってもよいが、これに限定されるものではない。
例えば、第1噴射ノズル312の第1噴射口の第1直径は互いに同一であってもよく、第2噴射ノズル314の第2噴射口の第2直径は互いに同一であってもよいが、これに限定されるものではない。
図5に示したように、第1噴射ノズル312は上方に又は上定盤10への方向に第1洗浄液50aを噴射することができ、第2噴射ノズル314は上方に又は上定盤10への方向に第2洗浄液50bを噴射することができる。
第1噴射ノズル312の第1噴射口312aから噴射される第1洗浄液50aの第1噴射角度(θ1)と第2噴射ノズル314の第2噴射口314aから噴射される第2洗浄液50bの第2噴射角度(θ2)は互いに違う。例えば、第2噴射角度(θ2)は第1噴射角度(θ1)より小さくてもよい(θ2<θ1)。
例えば、第1噴射角度(θ1)は40°〜50°であってもよい。また、例えば、第1噴射角度(θ1)は45°であってもよい。
例えば、第2噴射角度(θ2)は10°〜20°であってもよい。また、例えば、第2噴射角度(θ2)は15°であってもよい。
第1噴射角度(θ1)と第2噴射角度(θ2)の差(θ1−θ2)は20°〜40°であってもよい。その差(θ1−θ2)が20°未満の場合には、定盤の表面の溝(groove)内に位置するスラッジの除去効果が低下することがある。その差(θ1−θ2)が40°を超える場合には、定盤の表面(溝以外の表面)に位置するスラッジの除去効果が低下することがある。
第1 噴射部310は、互いに離隔する複数の第1噴射ノズル312、及び互いに離隔する複数の第2噴射ノズル314を含むことができる。
第1噴射ノズル312は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に互いに離隔して配置されることができる。例えば、第1噴射ノズル312は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に一列に配列されることができる。
第2噴射ノズル314は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に互いに離隔して配置されることができる。例えば、第2噴射ノズル314は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に一列に配列されることができる。
また、第1及び第2噴射ノズル312、314は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に互いに交互に配置されることができる。例えば、第1及び第2噴射ノズル312、314は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に直線状に又は曲線状に一列に配列されることができるが、これに限定されるものではない。
他の実施例では、第1噴射部310の洗浄液噴射ノズルは噴射ヘッド305の一端から他端への方向に第1噴射ノズルが配列された第1列、及び第2噴射ノズルが配列された第2列を含むこともできる。この際、第1列及び第2列は互いに平行に配置されるとかあるいは互いに平行でないように配置されることができる。
若しくは、例えば、第1噴射ノズル312及び第2噴射ノズル314は噴射ヘッド305の一端から他端まで一列に配列されるように配置されることができる。
若しくは、例えば、第1噴射ノズル312及び第2噴射ノズル314は噴射ヘッド305の一端から他端までジグザグ(zigzag)状に配列されることもできる。
実施例による定盤洗浄装置100の場合、移動ユニット120は洗浄工程の開始点に噴射ユニット110を定盤10、20の間に移動させるスイング(swing)を行い、洗浄工程中には噴射ユニット110をスイングせずに停止状態で維持し、洗浄が終われば、噴射ユニット110を定盤10、20の外側に移動させるスイングを行うことができる。
洗浄中に噴射ユニット110は上定盤10と下定盤20の間に停止状態を維持するから、回転する上定盤10及び下定盤20の全表面を同時に洗浄するために、噴射ヘッド305の一端から他端まで一列に配列された第1及び第2噴射ノズル312、314は上定盤10及び下定盤20のそれぞれの内周面と外周面の間の領域に対応することができる。
第1噴射ノズル312から噴射される第1洗浄液50aは上定盤10の第1表面11aを洗浄することができ、第2噴射ノズル314から噴射される第2洗浄液50bは上定盤10の第2表面11bを洗浄することができる。この際、上定盤10の第2表面11bには研磨工程時にスラリーの円滑な供給及び排出のための溝(groove)501が設けられることができる。すなわち、第2表面11bは第1表面11aに対して陷沒することができ、段差を有することができる。
実施例は、第1洗浄液50aによる上定盤10の第1表面11aに対する洗浄、及び第2噴射ノズル314から噴射される第2洗浄液50bによる第1表面に形成された溝501の内部に対する洗浄を同時に行うことができる。これにより、溝501の内部に存在する異物、例えばスラッジを除去するための別個の溝掘り工程を行う必要がない。
第1噴射部310の気体噴射ノズル316−1、316−2は噴射ヘッド305の上面305aに配置又は装着されることができ、ラッピング装置の上定盤に向けて気体、例えば不活性ガス又は空気を噴射することができる。気体噴射ノズル316−1、316−2から噴射される気体は洗浄中の定盤から異物などを定盤の外に離脱させるとか除去するとかする役目をすることができる。
第1噴射部310の気体噴射ノズル316−1、316−2は洗浄液噴射ノズルの一側及び他側に配置されることができるが、これに限定されるものではない。
また、第1噴射部310の気体噴射ノズルは噴射ヘッド305の一端から他端への方向に互いに離隔して配置又は配列されることができる。例えば、第1噴射部310の気体噴射ノズルは第1及び第2噴射ノズル312、314が配列される方向と同じ方向に互いに離隔して配列されることができる。例えば、第1噴射部310の気体噴射ノズルは一列に配列されることができる。
例えば、第1噴射部310の気体噴射ノズルは第1及び第2噴射ノズル312、314の両側に一列に配列されることができるが、これに限定されるものではない。例えば、他の実施例では、第1噴射部310の気体噴射ノズルは第1及び第2噴射ノズル312、314のいずれか一側にのみ一列に配列されるとかあるいは省略されるとかすることができる。
第2噴射部320の洗浄液噴射ノズルは、噴射ヘッド305の他面、例えば下面305bに露出される少なくとも一つの第3噴射ノズル322及び少なくとも一つの第4噴射ノズル324を含むことができる。
噴射ユニット110は、少なくとも一つの第3噴射ノズル322、及び少なくとも一つの第4噴射ノズル324をさらに含むことができる。
例えば、第3噴射ノズル322の数は2個以上であってもよく、第4噴射ノズル324の数は2個以上であってもよい。
噴射ヘッド305の下面305bに対する第3噴射ノズル322の第3噴射口の第3離隔距離は第4噴射ノズル324の第4噴射口の第4離隔距離と違う。
例えば、第4離隔距離は第3離隔距離より大きくてもよい。
また、例えば、第3噴射ノズルの第3噴射口の第3離隔距離は互いに同一であってもよく、第4噴射ノーズの第4噴射口の第4離隔距離は互いに同一であってもよいが、これに限定されるものではない。
例えば、第3離隔距離は第1離隔距離(d1)と同一であってもよく、第4離隔距離は第2離隔距離(d2)と同一であってもよい。
また、第3噴射ノズル322の第3噴射口の第3直径は第4噴射ノズル324の第4噴射口の第4直径と違う。例えば、第4直径は第3直径より小さくてもよい。
また、例えば、第3噴射ノズルの第3噴射口の第3直径は互いに同一であってもよく、第4噴射ノズルの第4噴射口の第4直径は互いに同一であってもよいが、これに限定されるものではない。
例えば、第4直径は第2直径(R2)と同一であってもよく、第3直径は第1直径(R1)と同一であってもよい。
第3噴射ノズル322は下方に又は下定盤20への方向に第3洗浄液60aを噴射し、第4噴射ノズル324は下方に又は下定盤20への方向に第4洗浄液60bを噴射する。
第3噴射ノズル322の第3噴射口から噴射される第3洗浄液60aの第3噴射角度と第4噴射ノズル324の第4噴射口から噴射される第4洗浄液60bの第2噴射角度は互いに違う。例えば、第4噴射角度は第3噴射角度より小さくてもよい。
例えば、第3噴射角度は40°〜50°であってもよい。また、例えば、第3噴射角度は45°であってもよい。また、例えば、第4噴射角度は10°〜20°であってもよい。また、例えば、第4噴射角度は15°であってもよい。
第3噴射角度と第4噴射角度の差は20°〜40°であってもよい。第3噴射角度と第4噴射角度の差が20°未満の場合には、定盤表面の溝(groove)内に位置するスラッジの除去効果が低下することがある。また、噴射角度の差が40°を超える場合には、定盤の表面(溝以外の表面)に位置するスラッジの除去効果が低下することがある。
第2噴射部320は互いに離隔する複数の第3噴射ノズル322、及び互いに離隔する複数の第4噴射ノズル324を含むことができる。
複数の第3噴射ノズル322及び複数の第4噴射ノズル324の配列は第1噴射ノズル312及び第2噴射ノズル314の配列についての説明が同様に適用可能である。
第3噴射ノズル322は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に互いに離隔して配置されることができる。例えば、第3噴射ノズル322は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に一列に配列されることができる。
第4噴射ノズル324は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に互いに離隔して配置されることができる。例えば、第4噴射ノズル324は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に一列に配列されることができる。
また、第3及び第4噴射ノズル322、324は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に互いに交互に配置されることができる。例えば、第3及び第4噴射ノズル322、324は噴射ヘッド305の一端から他端への方向に直線状又は曲線状に一列に配列されることができるが、これに限定されるものではない。
他の実施例では、第2噴射部320の洗浄液噴射ノズルは、噴射ヘッド305の一端から他端への方向に第3噴射ノズルが配列された第3列、及び第4噴射ノズルが配列された第4列を含むこともできる。この際、第3列及び第4列は互いに平行に配置されるとかあるいは互いに平行でないように配置されることができる。
第3噴射ノズル322から噴射される第3洗浄液60aは下定盤20の第1表面12aを洗浄することができ、第4噴射ノズル324から噴射される第4洗浄液60bは下定盤20の第2表面12bを洗浄することができる。
この際、下定盤20の第2表面12bには、研磨工程時にスラリーの円滑な供給及び排出のための溝(groove)502が設けられることができる。第2表面12bは第1表面12aに対して陷沒することができ、段差を有することができる。
第2噴射部320の気体噴射ノズル326−1、326−2は噴射ヘッド305の下面305bに配置又は装着されることができ、ラッピング装置の下定盤に向けて気体、例えば不活性ガス又は空気を噴射することができる。気体噴射ノズル326−1、326−2から噴射される気体は洗浄中の下定盤から異物などを下定盤の外側に離脱させるとか除去する役目をすることができる。
第2噴射部320の気体噴射ノズル326−1、326−2は洗浄液噴射ノズルの一側及び他側に配置されることができるが、これに限定されるものではない。
第2噴射部320の気体噴射ノズルは噴射ヘッド305の一端から他端への方向に互いに離隔して配置されることができる。第1噴射部310の気体噴射ノズル316−1、316−2についての説明は第2噴射部320の気体噴射ノズル326−1、326−2に同様に適用可能である。
図4a及び図4bに示したように、洗浄液供給部から提供された洗浄液は第1供給管412を通じて第1噴射部310の第1及び第2噴射ノズル312、314及び第2噴射部320の第3及び第4噴射ノズル322、324に提供されることができる。
図4a及び図4bでは単一供給管を通じて洗浄液が第1及び第2噴射部に提供されるが、これに限定されるものではなく、第1及び第2噴射部のそれぞれに別個の供給管を通じて洗浄液が供給されることもできる。
第2噴射ノズル314から噴射される第2洗浄液50bの噴射圧力は第1噴射ノズル312から噴射される第1洗浄液50aの噴射圧力より高くてもよい。
また、第4噴射ノズル324から噴射される第4洗浄液60bの噴射圧力は第3噴射ノズル322から噴射される第3洗浄液60aの噴射圧力より高くてもよい。
これは、第1供給管412を通じて第1〜第4噴射ノズル312、314、322、324には同じ圧力の洗浄液が供給されることができるが、第2噴射ノズル314の第2噴射口314aの第2直径が第1噴射ノズル312の第1噴射口312aの第1直径より小さく、第4噴射ノズル324の第4噴射口324aの第4直径が第3噴射ノズル322の第3噴射口322aの第3直径より小さいからである。
他の実施例では、別個の供給管を通じて第1及び第2噴射ノズルに互いに異なる圧力の洗浄液が供給されることもでき、第3及び第4噴射ノズルに互いに異なる圧力の洗浄液が供給されることもできる。
第1及び第2洗浄液50a、50bは第1及び第2噴射ノズル312、314を通じて同時に上定盤10に噴射されることができ、第3及び第4洗浄液は第3及び第4噴射ノズル322、324を通じて同時に下定盤20に噴射されることができる。
図6aは一般的な定盤洗浄装置600の定盤洗浄模式図を示し、図6bは図6aに示した定盤洗浄装置600の洗浄程度を示すグラフg1である。
図6aを参照すると、噴射ノズル610a、610bは、定盤601の第1表面601aから均一な距離を維持する状態で洗浄液620を定盤601の第1及び第2表面601a、601bに噴射する。このように噴射された洗浄液によって定盤601の第1表面601aに位置するスラッジ(sludge)603aが除去されることができるが、定盤601の第2表面601bに設けられた溝(groove)611内に位置するスラッジ603bは除去されない。むしろ、第1表面601aに位置するスラッジが溝611内に流入することもできる。
図6bで、x軸は定盤601の第1表面601aから第2表面601bの溝611までの距離を示し、y軸は洗浄程度を示す。
図6bを参照すると、定盤601の第1表面601aで洗浄程度が最良であり、定盤601の第2表面601bの溝611内で洗浄程度が最低である。このような溝611内の除去されないスラッジのため、ラッピング装置によってラッピング工程が行われたウエハーの平坦度品質が悪くなることがある。また、溝611の内部に積もったスラッジ成分がウエハーに流入する場合、ウエハーにスクラッチ(scratch)が発生することがある。
図7aは実施例による定盤洗浄装置100の噴射ユニット110による洗浄模式図を示し、図7bは図7aに示した定盤洗浄装置100の洗浄程度を示すグラフg2である。
図7a及び図7bを参照すると、噴射ヘッド305の下面305bに対する第4噴射ノズル324の第4噴射口の第4離隔距離は第3噴射ノズル322の第3噴射口の第3離隔距離より大きいため、第4噴射口と下定盤20の第2表面12bに形成された溝502の底面502aの間の距離は第3噴射口と溝502の底面502aの間の距離より小さい。
第4洗浄液60bの第4噴射角度は第3洗浄液60bの第3噴射角度より小さいから、第4洗浄液60bは下定盤20の溝502の内部に直接噴射されることができる。
第3ノズル322から噴射される第3洗浄液60aによって下定盤20の第1表面12aに位置するスラッジ(sludge)712は下定盤20の外に除去されることができる。
第4ノズル324からの第4洗浄液60bは下定盤20の溝502の内部に直接噴射されることができ、下定盤20の溝502の内部に直接噴射された第4洗浄液60bによって溝502内に存在するスラッジ711は溝502の外に離脱して下定盤20の外に除去されることができる。
図7bに示したように、g1と比較するとき、g2では溝502内に存在するスラッジに対する洗浄(cleaning)程度が向上する。これにより、溝502を通じてのスラリーの流れを円滑にすることでき、その結果、ラッピング工程によって平坦度を向上させるとともにスラッジによるウエハーのスクラッチ発生を防止することができる。
図7a及び図7bで説明した下定盤20の洗浄向上効果についての説明は第1噴射部310による上定盤10に対する洗浄にも同様に適用可能である。
以上で実施例で説明した特徴、構造、効果などは本発明の少なくとも一実施例に含まれ、必ずしも一実施例にのみ限定されるものではない。また、各実施例で例示した特徴、構造、効果などは実施例が属する分野の通常の知識を有する者によって他の実施例に対して組合せ又は変形実施が可能である。したがって、このような組合せ及び変形に係わる内容は本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならないであろう。
110 噴射ユニット
120 移動ユニット
130 流体供給部
140 支持部

Claims (14)

  1. 溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置であって、
    噴射ヘッド、及び前記噴射ヘッドの上面に配置される少なくとも一つの第1噴射ノズル及び少なくとも一つの第2噴射ノズルを含む噴射ユニット;及び
    前記噴射ユニットを洗浄しようとする前記定盤の表面に移動させる移動ユニットを含み、
    前記少なくとも一つの第1噴射ノズルは前記定盤の表面へ第1洗浄液を噴射する第1噴射口を含み、前記少なくとも一つの第2噴射ノズルは前記定盤の表面へ第2洗浄液を噴射する第2噴射口を含み、
    前記噴射ヘッドの上面から前記第2噴射口までの第2離隔距離は前記噴射ヘッドの上面から前記第1噴射口までの第1離隔距離よりも大きく、
    前記第2噴射口から前記定盤の表面に噴射される前記第2洗浄液の第2噴射角度は、前記第1噴射口から前記定盤の表面に噴射される前記第1洗浄液の第1噴射角度よりも小さく、
    前記溝は、研磨工程中にスラリーを供給及び排出するためのものであり、
    前記第2噴射口と前記溝の底との間の距離は、前記第1噴射口と前記溝の底との間の距離よりも小さく、前記第2洗浄液が前記溝に直接注入される、溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  2. 前記少なくとも一つの第1噴射ノズルは複数の第1噴射ノズルを含み、
    前記少なくとも一つの第2噴射ノズルは複数の第2噴射ノズルを含み、
    前記複数の第2噴射ノズルのそれぞれの第2離隔距離は前記複数の第1噴射ノズルのそれぞれの第1離隔距離より大きく、
    前記複数の第2噴射ノズルのそれぞれの第2噴射口から噴射される第2洗浄液の第2噴射角度は前記複数の第1噴射ノズルのそれぞれの第1噴射口から噴射される第1洗浄液の第1噴射角度より小さい、請求項1に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  3. 前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記複数の第1噴射ノズルが一列に配列され、
    前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記複数の第2噴射ノズルが一列に配列される、請求項2に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  4. 前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記第1噴射ノズルと前記第2噴射ノズルは互いに交互に配列される、請求項3に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  5. 前記定盤は第1溝を有する上定盤及び第2溝を有する下定盤を含み、
    前記複数の第1噴射ノズル及び前記複数の第2噴射ノズルは前記第1溝が設けられた前記上定盤の下面に前記第1及び第2洗浄液を噴射する、請求項2に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  6. 前記噴射ユニットは、
    前記噴射ヘッドの下面に配置される少なくとも一つの第3噴射ノズル及び少なくとも一つの第4噴射ノズルをさらに含み、
    前記少なくとも一つの第3噴射ノズルは前記第2溝を有する下定盤の上面へ第3洗浄液を噴射する第3噴射口を含み、前記少なくとも一つの第4噴射ノズルは前記第2溝を有する下定盤の上面へ第4洗浄液を噴射する第4噴射口を含み、
    前記噴射ヘッドの下面から前記第3噴射口までの第3離隔距離と前記噴射ヘッドの下面から前記第4噴射口までの第4離隔距離は互いに違う、請求項5に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  7. 前記少なくとも一つの第3噴射ノズルは複数の第3噴射ノズルを含み、
    前記少なくとも一つの第4噴射ノズルは複数の第4噴射ノズルを含み、
    前記複数の第4噴射ノズルのそれぞれの第4離隔距離は前記複数の第3噴射ノズルのそれぞれの第1離隔距離より大きく、
    前記複数の第4噴射ノズルのそれぞれの第4噴射口から噴射される第4洗浄液の第4噴射角度は前記複数の第3噴射ノズルのそれぞれの第3噴射口から噴射される第3洗浄液の第3噴射角度より小さい、請求項6に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  8. 前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記複数の第3噴射ノズルが一列に配列され、
    前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記複数の第4噴射ノズルが一列に配列される、請求項6に記載の定盤洗浄装置。
  9. 前記噴射ヘッドの一端から他端への方向に前記第3噴射ノズルと前記第4噴射ノズルは互いに交互に配列される、請求項8に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  10. 前記第1噴射角度及び前記第3噴射角度のそれぞれは40°〜50°であり、
    前記第2噴射角度及び前記第4噴射角度のそれぞれは10°〜20°である、請求項7に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  11. 前記少なくとも一つの第2噴射ノズルから噴射される前記第2洗浄液の噴射圧力は前記少なくとも一つの第1噴射ノズルから噴射される前記第1洗浄液の噴射圧力より高く、
    前記少なくとも一つの第4噴射ノズルから噴射される前記第4洗浄液の噴射圧力は前記少なくとも一つの第3噴射ノズルから噴射される前記第3洗浄液の噴射圧力より高い、請求項6に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  12. 前記第2及び第4噴射口のそれぞれの直径は前記第1及び第3噴射口のそれぞれの直径より小さい、請求項6に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  13. 前記第1〜第4噴射ノズルに洗浄液を供給する供給管をさらに含む、請求項12に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
  14. 前記第1噴射角度と前記第2噴射角度の差は20°〜40°である、請求項7に記載の溝を有する定盤の表面を洗浄する定盤洗浄装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220073192A (ko) * 2020-11-26 2022-06-03 에스케이실트론 주식회사 연마 패드 세정 장치 및 연마 장치
CN112718619A (zh) * 2020-12-15 2021-04-30 华海清科股份有限公司 可动态调整姿态的晶圆清洗装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55106769A (en) * 1979-01-31 1980-08-15 Masami Masuko Lapping method and its apparatus
JPS57168109A (en) * 1981-04-10 1982-10-16 Shinetsu Eng Kk Device for measuring thickness of work piece in lapping plate
US4407094A (en) * 1981-11-03 1983-10-04 Transat Corp. Apparatus for automatic lapping control
US4918869A (en) * 1987-10-28 1990-04-24 Fujikoshi Machinery Corporation Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor
US4940507A (en) * 1989-10-05 1990-07-10 Motorola Inc. Lapping means and method
JP3678468B2 (ja) * 1995-07-18 2005-08-03 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JPH09309063A (ja) * 1996-05-24 1997-12-02 Nippon Steel Corp 研磨定盤の洗浄方法およびその装置
JP3641349B2 (ja) * 1997-05-19 2005-04-20 株式会社荏原製作所 洗浄装置
JPH1128657A (ja) * 1997-07-08 1999-02-02 Syst Seiko Kk 研磨具のドレッシング方法および装置
JP2000176826A (ja) * 1998-12-17 2000-06-27 Mitsubishi Materials Silicon Corp ラップ定盤のクリーニング方法およびその装置
JP2000246639A (ja) * 1999-03-04 2000-09-12 Koyo Mach Ind Co Ltd 平面研削装置
US6258177B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-10 Seh America Apparatus for cleaning the grooves of lapping plates
JP2001237204A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
KR100710805B1 (ko) * 2006-02-06 2007-04-23 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 세정 장치 및 방법
KR20100052028A (ko) * 2008-11-10 2010-05-19 주식회사 실트론 양면 연마기의 패드 드레싱 방법
US8707974B2 (en) * 2009-12-11 2014-04-29 United Microelectronics Corp. Wafer cleaning device
JP2012179680A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Asahi Glass Co Ltd ガラス板の研磨方法
KR101210297B1 (ko) * 2011-08-01 2012-12-10 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 세정 기구
US9403258B2 (en) * 2013-06-27 2016-08-02 Seagate Technology Llc Method for forming an abrasive lapping plate
JP2015044251A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法

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