JP4936146B2 - 基板処理装置及びこれを用いた基板処理装置洗浄方法 - Google Patents

基板処理装置及びこれを用いた基板処理装置洗浄方法 Download PDF

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Description

本発明は、処理液を用いて半導体基板を処理する基板処理装置及びこれを用いた基板処理装置洗浄方法に関する。
半導体素子を製造するためには蒸着、フォトリソグラフィ、エッチング、研磨などのような多様な工程が要求される。
一般に、半導体工程は所定の容器内で行われ、ウェハは容器内に配置され処理液または処理ガスによって処理される。このような半導体工程ではその特性上パーティクルが発生し、このようなパーティクルは容器内壁に付着しやすい。特に、ウェハの処理液として用いられる薬液は空気と反応して塩を形成する可能性があり、このような塩は容器内壁に付着する。
このような異物が容器内壁に残存し続ける場合、その後の半導体工程において容器内部を浮遊する異物がウェハに付着する可能性があり、これはウェハの不良の原因となる。
これを防止するために、周期的に容器内壁を洗浄する洗浄作業が要求される。容器を洗浄する方法には、作業者の手作業によって洗浄する方法とダミーウェハを利用する方法がある。手作業による洗浄方法によれば、先ず、容器を全て解体した後、作業者が容器の内壁をそれぞれ洗浄する。このように、容器の洗浄が手作業で行われるため、容器の洗浄時間が増加し、作業の効率性及び生産性が低下する。また、洗浄が行われる間は半導体処理工程を進行することが出来ないため、生産性が低下する。
一方、ダミーウェハを用いて洗浄する方法によれば、先ず、スピンヘッドにダミーウェハを載置させ、ダミーウェハを回転させながら洗浄液をダミーウェハに提供する。ダミーウェハに提供された洗浄液はダミーウェハの回転力によって容器内壁に噴射されて容器を洗浄する。しかし、半導体処理システムは生産性の向上のために多数の容器を具備し、半導体工程がそれぞれの容器で同時に行われる。従って、何れか一つの容器でダミーウェハを使用して洗浄工程が進行されると、他の容器は順番が回ってくるまで待機しなければならない。これにより、容器の洗浄時間が増加して作業の効率性及び生産性が低下する。
本発明の目的は、基板の洗浄効率及び生産性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、前記基板処理装置の洗浄方法を提供することにある。
上述した本発明の目的を実現するための一つの特徴による基板処理装置は、基板の処理工程が行われる空間を提供する処理容器と、前記処理容器内に受容されて前記基板を固定させ、前記処理容器に向けて流体を噴射する少なくとも一つの噴射孔が側面に形成された基板支持部材と、を含む。前記基板支持部材は、基板が載置され、一方向に回転し、前記噴射孔が形成されたスピンヘッドと、前記スピンヘッドと結合されて前記スピンヘッドを支持する固定軸と、前記固定軸内に内蔵され、前記流体を輸送する供給配管と、前記スピンヘッド及び前記固定軸と結合し、前記供給配管から前記流体を供給されて前記噴射孔に提供する回転結合部と、を含む。前記流体は、前記処理容器を洗浄するための洗浄液と、前記洗浄後に前記処理容器を乾燥させるための乾燥ガスである。
前記噴射孔は、前記スピンヘッドの側面から前記スピンヘッドの中心軸側に延長されて形成されてもよい。
また、前記回転結合部は、前記供給配管からの前記流体が流入する少なくとも一つの供給孔を有し、前記固定軸に固定された本体部と、前記スピンヘッドに結合され前記スピンヘッドと共に回転し、前記固定軸と結合して前記流体を提供され、前記流体を排出する少なくとも一つの排出孔を有する回転部と、前記回転部と前記本体部との間に介在して前記回転部と前記本体部とを結合する少なくとも一つの軸受と、を含むことができる。
また、前記回転部及び前記スピンヘッドと結合し、前記排出孔から排出された前記流体を前記噴射孔に提供する少なくとも一つの洗浄配管をさらに含むことができる。
また、前記本体部及び前記供給配管と結合し、前記供給配管から排出された前記流体を前記本体部に提供する少なくとも一つの連結配管をさらに含むことができる。
また、上述した本発明の目的を実現するための一つの特徴による基板処理装置の洗浄方法は、処理容器内に受容された基板支持部材の内部に流体を提供するステップと、前記基板支持部材を回転させ、これと同時に前記基板支持部材の側面の噴射孔から前記流体が噴射されて前記処理容器を洗浄するステップと、を含む。前記処理容器を洗浄するステップは、前記流体をなす洗浄液を前記基板支持部材が回転しながら噴射して前記処理容器を洗浄するステップと、前記流体をなす乾燥ガスを前記基板支持部材が回転しながら噴射して前記処理容器を乾燥させるステップと、を含む。
前記基板支持部材は、前記流体が噴射される間、前記処理容器内での垂直位置が調節される。
上述した本発明によれば、基板処理装置は基板が載置される基板支持部材を用いて処理容器の内壁を洗浄する。これにより、基板処理装置は処理容器を分解するか、ダミーウェハを使用することなく処理容器を洗浄できるので、洗浄時間を短縮させ、洗浄効率、生産性、及び製品の収率を向上させる。
以下、添付図面に基づき本発明の好ましい実施の形態をさらに詳しく説明する。
図１は、本発明の一実施の形態による基板処理装置を示す斜視図である。
図１に示すように、本発明の基板処理装置４００は、処理容器１００、基板支持部材２００、及び多数のノズル３１０、３２０を含む。
前記処理容器１００は上部が開口した円筒形状を有し、ウェハ１０を処理するための工程空間を提供する。前記処理容器１００の開口した上面は前記ウェハ１０の搬出及び搬入通路として提供される。前記工程空間には前記基板支持部材２００が受容される。前記基板支持部材２００は前記ウェハ１０の処理工程が行われる間、前記処理容器１００内に流入したウェハ１０を固定する。前記処理容器１００及び前記基板支持部材２００の構成の詳細は、図２乃至図７を参照して後述する。
前記処理容器１００の外側には前記多数のノズル３１０、３２０が具備される。前記ノズル３１０、３２０は前記ウェハ１０を洗浄、又はエッチングするための処理液や処理ガスを前記基板支持部材２００に固定されたウェハ１０に供給する。
図１では前記基板処理装置４００が処理する基板として前記ウェハ１０を例に挙げて示したが、本発明はこれに限定されず、ガラス基板のような多様な種類の基板にも適用されることができる。
以下、図面を参照して前記処理容器１００と前記基板支持部材２００について具体的に説明する。
図２は、図１の処理容器と基板支持部材を示す横断面図である。
図２に示すように、前記処理容器１００は円柱形状を有する第１、第２、及び第３回収筒１１０、１２０、１３０を具備する。この実施の形態において、前記処理容器１００は三つの回収筒１１０、１２０、１３０からなるが、前記回収筒１１０、１２０、１３０の個数は増加、又は減少し得る。
前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０は、前記ウェハ１０の処理工程時にウェハ１０に供給される処理液を回収する。即ち、前記基板処理装置４００は前記ウェハ１０を前記基板支持部材２００によって回転させながら前記処理液を用いて前記ウェハ１０を処理する。これにより、前記ウェハ１０に供給された処理液が飛散し、前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０は前記ウェハ１０から飛散した処理液を回収する。
具体的に、前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０は、それぞれ環状を有する底面及び前記底面から延長され円筒形状を有する側壁を具備する。前記第２回収筒１２０は前記第１回収筒１１０を囲み、前記第１回収筒１１０から離隔して位置する。前記第３回収筒１３０は前記第２回収筒１２０を囲み、前記第２回収筒１２０から離隔して位置する。
第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０は、前記ウェハ１０から飛散した処理液が流入する第１乃至第３回収空間ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３を形成する。前記第１回収空間ＲＳ１は前記第１回収筒１１０によって定義され、前記ウェハ１０を一次的に処理する第１処理液を回収する。前記第２回収空間ＲＳ２は前記第１回収筒１１０と前記第２回収筒１２０との間の離隔空間によって定義され、前記ウェハ１０を二次的に処理する第２処理液を回収する。前記第３回収空間ＲＳ３は前記第２回収筒１２０と前記第３回収筒１３０間との離隔空間によって定義され、前記ウェハ１０を三次的に処理する第３処理液を回収する。ここで、前記第３処理液としては前記ウェハ１０をリンス処理するリンス液を使用し得る。
以上、前記ウェハ１０の処理順序に従って前記第１回収筒１１０から第３回収筒１３０の順に各処理液を回収することを例に挙げて説明したが、前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０が処理液を回収する順序は、前記ウェハ１０の処理工程及びその位置によって変更され得る。
前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０の上面はそれぞれ前記中央部が開口し、連結された側壁から開口部側に向かうほど対応する底面との距離が次第に増加する傾斜面からなる。これにより、前記ウェハ１０から飛散した処理液が前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０の上面に沿って前記回収空間ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３内に案内される。
前記第１回収筒１１０は第１回収ライン１４１と連結される。前記第１回収空間ＲＳ１に流入した前記第１処理液は、前記第１回収ライン１４１を介して外部に排出される。前記第２回収筒１２０は第２回収ライン１４３と連結される。前記第２回収空間ＲＳ２に流入した前記第２処理液は、前記第２回収ライン１４３を介して外部に排出される。前記第３回収筒１３０は第３回収ライン１４５と連結される。前記第３回収空間ＲＳ３に流入した前記第３処理液は、前記第３回収ライン１４５を介して外部に排出される。
一方、前記処理容器１００は前記処理容器１００の垂直位置を変更させる垂直移動部３３０と結合される。前記垂直移動部３３０は前記第３回収筒１３０の外側壁に具備され、前記基板支持部材２００の垂直位置が固定された状態で前記処理容器１００を上下に移動させる。これにより、前記処理容器１００と前記ウェハ１０との間の相対的な垂直位置が変更される。従って、前記処理容器１００は前記各回収空間ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３毎に回収される処理液と汚染ガスの種類を異なるようにすることができる。
この実施の形態において、前記基板処理装置４００は前記処理容器１００を垂直移動させて前記処理容器１００と前記基板支持部材２００との間の相対的な垂直位置を変更させる。しかし、前記基板処理装置４００は前記基板支持部材２００を垂直移動させて前記処理容器１００と前記基板支持部材２００との間の相対的な垂直位置を変更させることができる。
図３は、図２の基板支持部材を示す横断面図であって、図４は図３の基板支持部材を示す斜視図であって、図５は図４のスピンヘッドを示す平面図である。
図２及び図３に示すように、前記処理容器１００内には前記基板支持部材２００が受容される。前記基板支持部材２００はスピンヘッド２１０、回転軸２２０、固定軸２３０、回転結合部２４０、及び多数の洗浄配管２５０を含む。
図４及び図５に示すように、前記スピンヘッド２１０は円盤状を有し、上面が前記ウェハ１０と対向する。前記スピンヘッド２１０の上面には前記ウェハ１０を支持する多数のチャックピン２１１が具備される。前記チャックピン２１１は前記ウェハ１０をチャックして前記スピンヘッド２１０上に前記ウェハ１０を固定させる。
前記スピンヘッド２１０の側面には多数の噴射孔２１２が形成される。前記多数の噴射孔２１２は互いに離隔して位置し、各々前記スピンヘッド２１０の側面から前記スピンヘッド２１０の中央部側に延長され形成される。従って、前記スピンヘッド２１０の上面から見て、前記噴射孔２１２は放射状をなす。
前記回転軸２２０は前記スピンヘッド２１０の下面に結合される。前記回転軸２２０は回転駆動部３４０と連結され、前記回転駆動部３４０の回転力により中心軸を基準に回転する。前記回転軸２２０の回転力は前記スピンヘッド２１０に伝達されて前記スピンヘッド２１０が回転し、これにより、前記スピンヘッド２１０に固定されたウェハ１０が回転する。
また、図２及び図３に示すように、前記回転軸２２０は前記固定軸２３０と結合される。前記固定軸２３０は一端が前記回転軸２２０内に挿入され、多数の軸受３６１を用いて前記回転軸２２０と結合する。これにより、前記固定軸２３０は回転せず、前記回転軸２２０のみ回転する。前記固定軸２３０には供給配管２３１が内蔵される。
前記供給配管２３１は前記固定軸２３０の長さ方向に沿って延長され、外部の流体供給部３５０と連結される。前記流体供給部３５０は前記処理容器１００を洗浄するための洗浄流体ＣＦを供給する。前記洗浄流体ＣＦは前記処理容器１００を洗浄する洗浄液及び前記処理容器１００を乾燥させるための乾燥ガスを含む。前記洗浄液の一例として超純水があって、前記乾燥ガスの一例として窒素ガスがある。前記流体供給部３５０は前記供給配管２３１に先ず前記洗浄液を提供した後、前記洗浄液を利用した前記処理容器１００の洗浄が完了すると前記乾燥ガスを供給する。
前記供給配管２３１の出力端は前記回転結合部２４０に結合され、前記供給配管２３１は前記洗浄流体ＣＦを前記回転結合部（Ｒｏｔａｒｙ ｊｏｉｎｔ）２４０に提供する。
図６は、図３の回転結合部と周辺機器との間の結合関係を示す斜視図であって、図７は図６の回転結合部を具体的に示す斜視図である。
図３及び図６に示すように、前記回転結合部２４０は前記回転軸２２０内に設置され、前記スピンヘッド２１０及び前記固定軸２３０と結合される。本発明の一例として、前記回転結合部２４０は円柱形状を有するが、円柱以外の形状を有し得る。
前記回転結合部２４０は前記固定軸２３０に結合された本体部２４１及び前記スピンヘッド２１０に結合された回転部２４３からなる。
図６及び図７に示すように、前記本体部２４１は少なくとも一つの供給孔２４１ａが形成され、前記供給孔２４１ａは前記供給配管２３１の出力端と連結される。これにより、前記供給配管２３１からの前記洗浄流体ＣＦが前記本体部２４１に供給される。
本発明の一例として、前記本体部２４１は前記固定軸２３０（図３参照）と結合される下面に前記供給孔２４１ａが形成され、前記供給孔２４１ａと前記供給配管２３１が直接連結される。しかし、前記供給孔２４１ａは前記本体部２４１の側面に形成されることもできる。この場合、前記基板支持部材２００は前記本体部２４１の側面に形成された供給孔と前記供給配管２３１を連結する別途の連結配管をさらに具備することもできる。
前記本体部２４１は軸受（図示せず）を用いて前記回転部２４３と結合される。従って、前記本体部２４１が固定された状態で前記回転部２４３のみ回転可能とする。前記回転部２４３は側面に多数の排出孔２４３ａが形成される。前記排出孔２４３ａは互いに離隔して位置し、前記本体部２４１からの前記洗浄流体ＣＦを排出する。前記排出孔２４３ａは前記多数の洗浄配管２５０と連結される。
前記洗浄配管２５０はそれぞれ一つの排出孔に連結され、対応する排出孔を介して前記洗浄流体ＣＦを供給される。この実施の形態において、前記排出孔２４３ａと前記洗浄配管２５０の個数は前記噴射孔２１２の個数によって決定される。
また、図２及び図３に示すように、前記洗浄配管２５０の出力端は前記噴射孔２１２と連結される。前記噴射孔２１２はそれぞれ連結された洗浄配管を介して前記洗浄流体ＣＦを供給され、前記洗浄流体ＣＦを前記処理容器１００に噴射して前記処理容器１００を洗浄する。
特に、前記噴射孔２１２は前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０の側壁と対向する前記スピンヘッド２１０の側面に形成される。従って、前記洗浄流体ＣＦが前記スピンヘッド２１０の側面から前記処理容器１００の内壁、即ち、前記第１及び第２回収筒１１０、１２０の側壁と上面、及び前記第３回収筒１３０の内壁に噴射される。
また、前記スピンヘッド２１０は前記回転駆動部３４０の駆動により一方向に回転しつつ前記洗浄流体ＣＦを噴射する。これにより、前記スピンヘッド２１０から噴射された前記洗浄流体ＣＦの噴射圧が上昇し、前記洗浄流体ＣＦが前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０の内壁に均一に噴射される。
前記洗浄流体ＣＦを利用した前記処理容器１００の洗浄工程が行われる間、前記スピンヘッド２１０と前記処理容器１００の底面との間の相対的な垂直位置が変更される。これにより、前記スピンヘッド２１０から供給される前記洗浄流体ＣＦが前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０の各々に均一に噴射される。
このように、前記スピンヘッド２１０は回転すると共に側面から前記洗浄流体ＣＦを噴射して前記処理容器１００を洗浄する。これにより、前記基板処理装置４００は前記処理容器１００の洗浄のために前記処理容器１００を分解するか、ダミーウェハを利用する必要がない。従って、前記基板処理装置４００は前記処理容器１００の洗浄時間を減少させ、洗浄効率を向上させ、生産性及び製品の収率を向上させることができる。
図示していないが、前記基板処理装置４００はバックノズルをさらに具備することもできる。前記バックノズルは前記基板支持部材２００に具備され前記ウェハ１０の背面を洗浄するための洗浄液または処理ガスを提供する。
以下、添付図面に基づき前記処理容器１００を洗浄する方法を具体的に説明する。
図８は、図２の基板処理装置で処理容器を洗浄する工程過程を示す図であって、図９は、図８の基板支持部材が洗浄流体を噴射する工程過程を示す平面図である。図９は前記スピンヘッド２１０から噴射される洗浄流体ＣＦを明確に示すために前記第３回収筒１３０の一部を切削して示している。
図３及び図８に示すように、先ず、前記垂直移動部３３０の駆動によって前記処理容器１００が垂直移動され、これにより、前記スピンヘッド２１０の上面が前記第３回収筒１３０の上面と隣接して配置される。
次いで、前記回転駆動部３４０によって前記回転軸２２０が回転し、前記回転軸２２０の回転力によって前記スピンヘッド２１０が一方向に回転する。これと同時に、前記スピンヘッド２１０に結合された前記回転結合部２４０の回転部２４３が前記スピンヘッド２１０と同じ方向に回転する。
前記流体供給部３５０は前記洗浄流体ＣＦを前記供給配管２３１に供給し、前記供給配管２３１は前記洗浄流体ＣＦを前記回転結合部２４０の本体部２４１に供給する。ここで、前記流体供給部３５０は前記洗浄液と前記乾燥ガスとのうち、前記洗浄液を先に提供する。
前記回転結合部２４０の回転部２４３は、前記スピンヘッド２１０と共に回転しながら前記洗浄液を前記洗浄配管２５０に提供する。前記回転結合部２４０の一部は前記固定軸２３０に固定され、他の一部は前記スピンヘッド２１０と共に回転するので、前記洗浄液を回転する前記スピンヘッド２１０に安定的に供給できる。
前記洗浄配管２５０は前記洗浄液を前記噴射孔２１２に供給し、前記噴射孔２１２に供給された前記洗浄液は、前記第３回収筒１３０の内壁側に噴射される。
図８及び図９に示すように、前記スピンヘッド２１０は一方向に回転しながら前記洗浄液を噴射する。これにより、前記洗浄液の噴射圧が上昇し、前記洗浄液が前記第３回収筒１３０の内壁に均一に噴射されるので、洗浄効率が向上する。
前記洗浄液は前記スピンヘッド２１０の側面から噴射されて前記第３回収筒１３０と前記第２回収筒１２０との間に噴射され、前記第３回収筒１３０の内壁と前記第２回収筒１２０の外壁を洗浄する。
前記洗浄液を利用した前記第３回収筒１３０の洗浄が完了すると、前記垂直移動部３３０は前記処理容器１００を上側へ移動させて前記スピンヘッド２１０の上面を前記第２回収筒１２０の上面と隣接するように配置する。これにより、前記スピンヘッド２１０からの洗浄液が前記第２回収筒１２０の内壁と前記第１回収筒１１０の外壁に噴射され前記第２回収筒１２０を洗浄する。
前記洗浄液を利用した前記第２回収筒１２０の洗浄が完了すると、前記垂直移動部３３０は前記処理容器１００を上側に移動させて前記スピンヘッド２１０の上面を前記第１回収筒１１０の上面と隣接するように配置する。これにより、前記スピンヘッド２１０からの洗浄液が前記第１回収筒１１０の内壁に噴射され前記第１回収筒１１０を洗浄する。
この実施の形態において、前記基板処理装置４００は前記スピンヘッド２１０の位置を前記第３回収筒１３０から前記第１回収筒１１０側に順次に移動させながら前記処理容器１００を洗浄する。しかし、これとは逆に、前記スピンヘッド２１０の位置を前記第１回収筒１１０から前記第３回収筒１３０側に移動させながら前記処理容器１００を洗浄することもできる。
前記洗浄液を利用した前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０の洗浄が完了すると、前記流体供給部３５０は前記乾燥ガスを前記基板支持部材２００に提供し、前記スピンヘッド２１０は前記乾燥ガスを噴射して前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０を乾燥させる。
前記基板支持部材２００が前記乾燥ガスを噴射する過程は前記洗浄液を噴射する過程と同一であるので、それに関する具体的な説明は省略する。
以下、前記基板支持部材２００が前記乾燥ガスを噴射する過程について簡単に説明する。先ず、前記流体供給部３５０が前記乾燥ガスを前記供給配管２３１に提供し、前記供給配管２３１は前記乾燥ガスを前記回転結合部２４０に提供する。前記回転結合部２４０は前記乾燥ガスを前記洗浄配管２５０を介して回転する前記スピンヘッド２１０に提供する。前記スピンヘッド２１０は回転しながら前記乾燥ガスを噴射して前記処理容器１００を乾燥する。
以上、本発明について実施の形態を参照して説明した。しかし、この技術分野における熟練した技術を有する当業者は、上記特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から離脱しない範囲内で、本発明を多様に修正、又は変更することが可能であることを理解できるはずである。
本発明の一実施の形態による基板処理装置を示す斜視図である。 図１の処理容器と基板支持部材を示す横断面図である。 図２の基板支持部材を示す横断面図である。 図３の基板支持部材を示す斜視図である。 図４のスピンヘッドを示す平面図である。 図３の回転結合部と周辺機器との間の結合関係を示す斜視図である。 図６の回転結合部を具体的に示す斜視図である。 図２の基板処理装置で処理容器を洗浄する工程過程を示す図面である。 図８の基板支持部材が洗浄流体を噴射する工程過程を示す平面図である。
符号の説明
１００ 処理容器
２００ 基板支持部材
３１０、３２０ ノズル
３３０ 垂直移動部
３４０ 回転駆動部
３５０ 流体供給部
４００ 基板処理装置

Claims (7)

  1. 基板の処理工程が行われる空間を提供する処理容器と、
    前記処理容器内に受容されて前記基板を固定させ、前記処理容器に向けて流体を噴射する少なくとも一つの噴射孔が側面に形成された基板支持部材と、を含み、
    前記基板支持部材は、
    基板が載置され、一方向に回転し、前記噴射孔が形成されたスピンヘッドと、
    前記スピンヘッドと結合されて前記スピンヘッドを支持する固定軸と、
    前記固定軸内に内蔵され、前記流体を輸送する供給配管と、
    前記スピンヘッド及び前記固定軸と結合し、前記供給配管から前記流体を供給されて前記噴射孔に提供する回転結合部と、を含み
    前記流体は、前記処理容器を洗浄するための洗浄液と、前記洗浄後に前記処理容器を乾燥させるための乾燥ガスであることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記噴射孔は、前記スピンヘッドの側面から前記スピンヘッドの中心軸側に延長されて形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記回転結合部は、
    前記供給配管からの前記流体が流入する少なくとも一つの供給孔を有し、前記固定軸に固定された本体部と、
    前記スピンヘッドに結合され前記スピンヘッドと共に回転し、前記固定軸と結合して前記流体を提供され、前記流体を排出する少なくとも一つの排出孔を有する回転部と、
    前記回転部と前記本体部との間に介在して前記回転部と前記本体部とを結合する少なくとも一つの軸受と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記回転部及び前記スピンヘッドと結合し、前記排出孔から排出された前記流体を前記噴射孔に提供する少なくとも一つの洗浄配管をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記本体部及び前記供給配管と結合し、前記供給配管から排出された前記流体を前記本体部に提供する少なくとも一つの連結配管をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 処理容器内に受容された基板支持部材の内部に流体を提供するステップと、
    前記基板支持部材を回転させ、これと同時に前記基板支持部材の側面の噴射孔から前記流体が噴射されて前記処理容器を洗浄するステップと、を含み、
    前記処理容器を洗浄するステップは、
    前記流体をなす洗浄液を前記基板支持部材が回転しながら噴射して前記処理容器を洗浄するステップと、
    前記流体をなす乾燥ガスを前記基板支持部材が回転しながら噴射して前記処理容器を乾燥させるステップと、を含むことを特徴とする基板処理装置洗浄方法。
  7. 前記基板支持部材は、前記流体が噴射される間、前記処理容器内での垂直位置が調節されることを特徴とする請求項６の基板処理装置洗浄方法。
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