CN108115568A - 表面板清洁装置 - Google Patents

表面板清洁装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108115568A
CN108115568A CN201710817249.5A CN201710817249A CN108115568A CN 108115568 A CN108115568 A CN 108115568A CN 201710817249 A CN201710817249 A CN 201710817249A CN 108115568 A CN108115568 A CN 108115568A
Authority
CN
China
Prior art keywords
injection
nozzle
cleaning device
clean solution
angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710817249.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108115568B (zh
Inventor
郑灿民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Siltron Co Ltd
Original Assignee
LG Siltron Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Siltron Inc filed Critical LG Siltron Inc
Publication of CN108115568A publication Critical patent/CN108115568A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108115568B publication Critical patent/CN108115568B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01LCHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L9/00Supporting devices; Holding devices
    • B01L9/52Supports specially adapted for flat sample carriers, e.g. for plates, slides, chips
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0278Arrangement or mounting of spray heads
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/12Lapping plates for working plane surfaces
    • B24B37/16Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Clinical Laboratory Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

本发明公开了一种表面板清洁装置,其清洁表面板具有凹槽的表面。该表面板清洁装置包括注射单元和构造为使注射单元运动的运动单元,注射单元包括注射头和至少一个第一喷嘴和至少一个第二喷嘴,至少一个第一喷嘴包括注射第一清洁溶液的第一注射孔,至少一个第二喷嘴包括注射第二清洁溶液的第二注射孔,从注射头的上表面到第一注射孔的第一间隔距离与从注射头的上表面到第二注射孔的第二间隔距离不同,并且第一清洁溶液的第一注射角与第二清洁溶液的第二注射角不同。

Description

表面板清洁装置
本申请要求于2016年11月28日提交的韩国专利申请第10-2016-0159035号的优先权,其内容在此以参见的方式纳入本文,如同在本文中充分阐述一样。
技术领域
本发明涉及设置在晶片精磨设备中的表面板清洁装置。
背景技术
一般而言,精磨是一种执行以获得具有良好的平整度的表面的加工方法,并且已经被广泛地使用,以使半导体晶片的表面或各种基片的表面变得平坦。
在一般的精磨工序中,将晶片置于精磨设备的上表面板与下表面板之间,并且当供应用于抛光的浆液到晶片时,上表面板与下表面板转动。随后,晶片的表面可由包含在浆液中的研磨颗粒抛光。
可在表面板、例如上表面板与下表面板的表面上设置用于有效地供应或排出浆液的凹槽。如果反复地执行精磨工序,与晶片和表面板隔开的外界物质和使用过的浆液可能积聚在表面板的凹槽中,并且浆液的供应和排出可能因此受阻,并且由此晶片的平整度会变差。此外,如果凹槽中积聚的污泥进入表面板中的晶片,则晶片可能被刮擦。
为了解决这些问题,使用表面板清洁装置,以周期性地去除积聚在表面板的凹槽中的外界物质和使用过的浆液。
发明内容
因此,本发明涉及表面板清洁装置,其基本上解决由于现有技术的限制或缺点引起的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种表面板清洁装置,其能够提升由精磨工序造成的晶片的平整度,并且防止由于污泥引起的在晶片上产生刮痕。
本发明的附加的优点、目标和特征将会在以下的说明书中部分地阐述,并且部分地会对本领域的技术人员来说在查阅下文时得以明白或可从本发明的实践中得以了解。本发明的目标和其它优点可借助在书面描述和其权利要求以及附图中具体指出的结构实现并达到。
为实现这些目标和其它优点并且根据本发明的目的,如本文中实施且宽泛地描述的,表面板清洁装置包括注射单元和构造为使注射单元运动到待清洁的表面板的表面的运动单元,该注射单元包括注射头和布置在注射头的上表面上的至少一个第一喷嘴和至少一个第二喷嘴,其中,至少一个第一喷嘴包括注射第一清洁溶液的第一注射孔,而至少一个第二喷嘴包括注射第二清洁溶液的第二注射孔,从注射头的上表面到第一注射孔的第一间隔距离与从注射头的上表面到第二注射孔的第二间隔距离不同,并且第一清洁溶液的第一注射角与第二清洁溶液的第二注射角不同。
第二间隔距离可大于第一间隔距离。
第二注射角可小于第一注射角。
至少一个第一喷嘴可包括多个第一喷嘴,至少一个第二喷嘴可包括多个第二喷嘴,每个第二喷嘴距注射头的上表面的第二间隔距离可大于每个第一喷嘴距注射头的上表面的第一间隔距离,而从每个第二喷嘴的第二注射孔注射的第二清洁溶液的第二注射角可小于从每个第一喷嘴的第一注射孔注射的第一清洁溶液的第一注射角。
各第一喷嘴可沿从注射头的一端到另一端的方向沿线设置,而各第二喷嘴可沿从注射头的一端到另一端的方向沿线设置。
第一喷嘴和第二喷嘴可沿从注射头的一端到另一端的方向交替地设置。
表面板可包括具有第一凹槽的上表面板和具有第二凹槽的下表面板,而第一喷嘴和第二喷嘴可注射第一和第二清洁溶液到具有第一凹槽的上表面板的表面。
注射单元还可包括布置在注射头的下表面的至少一个第三喷嘴和至少一个第四喷嘴,至少一个第三喷嘴可包括注射第三清洁溶液的第三注射孔,至少一个第四喷嘴可包括注射第四清洁溶液的第四注射孔,并且从注射头的下表面到第三注射孔的第三间隔距离与从注射头的下表面到第四注射孔的第四间隔距离可不同。
第三清洁溶液的第三注射角与第四清洁溶液的第四注射角可不同。
至少一个第三喷嘴可包括多个第三喷嘴,至少一个第四喷嘴可包括多个第四喷嘴,每个第四喷嘴距注射头的下表面的第四间隔距离可大于每个第三喷嘴距注射头的下表面的第三间隔距离,而从每个第四喷嘴的第四注射孔注射的第四清洁溶液的第四注射角可小于从每个第三喷嘴的第三注射孔注射的第三清洁溶液的第三注射角。
各第三喷嘴可沿从注射头的一端到另一端的方向沿线设置,而各第四喷嘴可沿从注射头的一端到另一端的方向沿线设置。
第三喷嘴和第四喷嘴可沿从注射头的一端到另一端的方向交替地设置。
每个第一注射角和第三注射角可以是40°至50°,而每个第二注射角和第四注射角可以是10°至20°。
从至少一个第二喷嘴注射的第二清洁溶液的注射压力可高于从至少一个第一喷嘴注射的第一清洁溶液的注射压力,而从至少一个第四喷嘴注射的第四清洁溶液的注射压力可高于从至少一个第三喷嘴注射的第三清洁溶液的注射压力。
第二注射孔和第四注射孔中每个的直径可小于第一注射孔和第三注射孔中每个的直径。
表面板清洁装置还可包括供应管道,供应管道构造为供应清洁溶液到第一至第四喷嘴。
第一注射角与第二注射角之间的差值可以是20°至40°。
应当理解的是,本发明以上的概括描述和以下的详细描述都是示例性的和说明性的,并且意在提供如权利要求的发明的进一步解释。
附图说明
包括于此以提供对本发明的进一步理解、并包含在本申请中且构成其一部分的附图示出了本发明的实施例,并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是根据本发明的一个实施例的表面板清洁装置的平面图;
图2是图1中示出的注射单元沿线A-B截取的剖视图;
图3是图2中示出的注射单元的放大视图;
图4A是图3中示出的注射单元沿线C-D截取的剖视图;
图4B是图3中示出的注射单元沿线E-F截取的剖视图;
图5是示出从注射单元朝向上表面板和下表面板注射的清洁溶液的视图;
图6A是示出由一般的表面板清洁装置清洁表面板的示意图;
图6B是表示借助图6A中示出的表面板清洁装置的表面板的清洁程度的曲线图;
图7A是示出由根据本发明的一个实施例的表面板清洁装置的注射单元清洁表面板的示意图;以及
图7B是表示借助图7A中示出的表面板清洁装置的表面板的清洁程度的曲线图。
具体实施方式
现将详细参照本发明的较佳实施例,其示例在附图中示出。
在各实施例的以下描述中,将理解的是,当各元件被称为在另一元件之“上”或之“下”时,它可以直接地在另一元件之“上”或之“下”,或可以间接地以在它们之间的一个或多个中间元件形成。此外,将理解的是,如果各元件被称为在另一元件之“上”或之“下”时,这些术语意在包括不仅一个元件的向上方向,而且包括该元件的下方向。
附加的,将会理解的是,尽管关系术语“第一”、“第二”、“上/上方”和“下/下方”等可以不总是要求或包括物质或元件或它们的次序之间任何物理的或逻辑的关系,并且可仅用于描述来自另一物质或元件的任何物质或元件。此外,在附图中,相同或相似的元件以相同的附图标记表示,尽管它们在不同的附图中描绘。
图1是根据本发明的一个实施例的表面板清洁装置100的平面图,而图2是图1中示出的注射单元110沿线A-B截取的剖视图。
参照图1和2,表面板清洁装置100包括注射单元110、运动单元120和流体供应单元130。。
注射单元110朝向例如晶片抛光设备的精磨设备的表面板、即上表面板10和下表面板20的表面注射高压流体(例如清洁溶液),由此清洁表面板的表面。
运动单元120与注射单元110组合起来并且使注射单元110运动。例如,运动单元120可以是机械臂,但不限于此。
例如,运动单元120可转动注射单元110,以使得其在上表面板10与下表面板20之间摆动。
例如,如图1中示例性示出的,当未实施清洁工序时,运动单元120将注射单元110定位为位于表面板、例如下表面板20的外侧(参照以图1的虚线示出的注射单元110)。
此外,当实施清洁工序时,运动单元120将注射单元110定位为位于表面板、例如下表面板20之上(参照以图1的实线示出的注射单元110)。
此外,运动单元120可使注射单元110沿垂直方向或沿水平方向运动。例如,垂直方向可以是从上表面板10到下表面板20的方向或它的反方向。水平方向可以是从上或下表面板10或20的边缘到上或下表面板10或20的中心的方向或它的反方向。
表面板清洁装置100还可包括支承单元或台架140,运动单元120安装于其上或由其支承运动单元120。
流体供应单元130供应流体到注射单元110。例如,流体供应单元130可供应清洁溶液、例如去离子水(DIW)到注射单元110。此外,流体供应单元130可供应气体、例如压缩空气到注射单元110。
例如,流体供应单元130可包括供应清洁溶液的清洁溶液供应单元131和以预先确定的压力供应气体、例如空气的气体供应单元132。
例如,清洁溶液供应单元131可连接到第一供应管道412(参照图4A和4B),并且通过第一供应管道412供应清洁溶液到注射单元110的第一至第四喷嘴312、314、322和324。此外,例如,气体供应单元132可连接到第二供应管道414(参照图4A和4B)并且通过第二供应管道414供应气体到注射单元110。
图3是图2中示出的注射单元110的放大视图,图4A是图3中示出的注射单元110沿线C-D截取的剖视图,图4B是图3中示出的注射单元110沿线E-F截取的剖视图,以及图5是示出从注射单元110朝向上表面板10和下表面板20注射的清洁溶液50a、50b、60a和60b的视图。
参照图3至5,注射单元110包括注射头305、第一注射部件310、第二注射部件320、第一供应管道412和第二供应管道414。
注射头305接纳第一和第二注射部件310和320以及第一和第二供应管道412和414。
第一注射部件310设置在注射头305的一侧,并且沿向上方向注射清洁溶液和气体。第二注射部件320设置在注射头305的另一侧,并且沿向下方向注射清洁溶液和气体。例如,第一和第二注射部件310和320可沿相反方向注射清洁溶液50a、50b、60a和60b和气体。
第一和第二注射部件310和310可包括注射清洁溶液50a、50b、60a和60b的清洁溶液喷嘴以及注射气体316-1、316-2、326-1和326-2的气体喷嘴。
注射单元110可包括注射头305、至少一个第一喷嘴312和至少一个第二喷嘴314。
例如,第一喷嘴312的数量可以是两个或以上,并且第二喷嘴314的数量可以是两个或以上。
例如,注射单元110的第一注射部件310的清洁溶液喷嘴可包括至少一个第一喷嘴312和至少一个第二喷嘴314,它们从注射头305的一个表面、例如上表面305a外露。
第一和第二喷嘴312和314可设置或安装在注射头305的上表面305a上,并且朝向精磨设备的上表面板注射清洁溶液。
如在图3中示例性示出的,第一喷嘴312的第一注射孔312a距注射头305的上表面305a的第一间隔距离d1与第二喷嘴314的第二注射孔314a距注射头305的上表面305a的第二间隔距离d2不同。
例如,第二间隔距离d2可能比第一间隔距离d1大(d2>d1)。
此外,例如,各第一喷嘴312的第一注射孔312a距注射头305的上表面305a的第一间隔距离d1可以彼此相等,并且各第二喷嘴314的第二注射孔314a距注射头305的上表面305a的第二间隔距离d2可以彼此相等,但本公开不限于此。
第一喷嘴312的直径可与第二喷嘴314的直径不同。例如,第一喷嘴312的直径可小于第二喷嘴314的直径。
例如,第一喷嘴312的第一注射孔312a的第一直径R1可与第二喷嘴314的第二注射孔314a的第二直径R2不同。例如,第二直径R2可小于第一直径R1(R2<R1)。
例如,各第一喷嘴312的第一直径可彼此相等,并且各第二喷嘴314的第二直径可彼此相等,但本公开不限于此。
例如,各第一喷嘴312的第一注射孔312a的第一直径R1可彼此相等,并且各第二喷嘴314的第二注射孔314a的第二直径R2可彼此相等,但本公开不限于此。
如在图5中示例性示出的,第一喷嘴312可沿向上方向或沿朝向上表面板10的方向注射第一清洁溶液50a,而第二喷嘴314可沿向上的方向或沿朝向上表面板10的方向注射第二清洁溶液50b。
从第一喷嘴312的第一注射孔312a注射的第一清洁溶液50a的第一注射角θ1可与从第二喷嘴314的第二注射孔314a注射的第二清洁溶液50b的第二注射角θ2不同。例如,第二注射角θ2可小于第一注射角θ1(θ2<θ1)。
例如,第一注射角θ1可以是40°至50°。进一步,例如,第一注射角θ1可以是45°。
例如,第二注射角θ2可以是10°至20°。进一步,例如,第二注射角θ2可以是15°。
第一注射角θ1与第二注射角θ2之间的差值θ1-θ2可以是20°至40°。如果差值θ1-θ2小于20°,去除位于表面板的表面上形成的凹槽中的污泥的效果可能降低。如果差值θ1-θ2超过40°,去除位于表面板的表面上的(除了在凹槽内部的)污泥的效果可能降低。
第一注射部件310可包括彼此间隔开的多个第一喷嘴312和彼此间隔开的多个第二喷嘴314。
各第一喷嘴312可设置为以使得其沿从注射头305的一端到另一端的方向彼此间隔开。例如,各第一喷嘴312沿从注射头305的一端到另一端的方向沿线设置。
各第二喷嘴314可设置为以使得沿从注射头305的一端到另一端的方向彼此间隔开。例如,各第二喷嘴314沿从注射头305的一端到另一端的方向沿线设置。
此外,第一喷嘴和第二喷嘴312和314可沿从注射头305的一端到另一端的方向交替地设置。例如,第一和第二喷嘴312和314可沿从注射头305的一端到另一端的方向以直线或曲线设置,但本公开不限于此。
根据另一实施例,第一注射单元310的清洁溶液喷嘴可包括第一线和第二线,各第一喷嘴沿第一线沿从注射头305的一端到另一端的方向设置,各第二喷嘴沿从注射头305的一端到另一端的方向沿第二线设置。在此,第一线和第二线可设置为以使得彼此平行,或以使得彼此不平行。
否则,例如,第一喷嘴312和第二喷嘴314可沿从注射头305的一端到另一端的方向沿线设置。
否则,例如,第一喷嘴312和第二喷嘴314可设置为,以使得其沿从注射头305的一端到另一端的方向成z字形。
在根据此实施例的表面板清洁装置100中,运动单元120可实施摆动操作,以在清洁工序的起始时间使注射单元110运动到上表面板10与下表面板20之间的间隙中,在清洁工序期间保持注射单元110的停止状态而不摆动,并且当清洁工序终止时,执行摆动操作以使注射单元110运动到上表面板10和下表面板20的外侧。
由于在清洁工序期间保持注射单元110在上表面板10与下表面板20之间的停止状态,以便同时地清洁转动的上表面板10和下表面板20的表面,沿从注射头305的一端到另一端的方向沿线设置的第一喷嘴312和第二喷嘴314可对应于上表面板10和下表面板20中的每个的内周面与外周面之间的区域。
从第一喷嘴312注射的第一清洁溶液50a可清洁上表面板10的第一表面11a,而从第二喷嘴314注射的第二清洁溶液50b可清洁上表面板10的第二表面11b。在此,可在第二表面11b上设置用于在抛光工序期间有效地供应和排出浆液的凹槽501。也就是说,第二表面11b可从第一表面11a凹下,并且与第一表面11a具有高度差值。
在此实施例中,由从第一喷嘴312注射的第一清洁溶液50a对上表面板10的第一表面11a的清洁和由从第二喷嘴314注射的第二清洁溶液50b对在第二表面11b上形成的凹槽501的内部的清洁可同时实施。因此,不需要用于去除存在于凹槽501中的外界物质(例如污泥)的单独的开槽工序。
第一注射部件310的气体喷嘴316-1和316-2可设置或安装在注射头305的上表面305a上,并且注射气体、例如惰性气体或空气到精磨设备的上表面板10。从气体喷嘴316-1和316-2注射的气体可用于在清洁期间从上表面板10隔开或去除外界物质等。
第一注射部件310的气体喷嘴316-1和316-2可设置在清洁溶液喷嘴的两侧,但本公开不限于此。
此外,第一注射部件310的气体喷嘴316-1和316-2可布置或设置为使得沿从注射头305的一端到另一端的方向彼此隔开。例如,第一注射部件310的气体喷嘴316-1和316-2可设置为使得沿与第一和第二喷嘴312和314的设置方向相同的方向彼此隔开。例如,第一注射部件310的气体喷嘴316-1和316-2可沿线设置。
例如,第一注射部件310的气体喷嘴316-1和316-2可沿线设置在第一和第二喷嘴312和314的两侧,但本公开不限于此。例如,根据另一实施例,第一注射部件310的气体喷嘴316-1和316-2可沿线仅设置在第一和第二喷嘴314和314的一侧,或被省去。
注射单元110的第二注射部件320的清洁溶液喷嘴可包括至少一个第三喷嘴322和至少一个第四喷嘴324,它们从注射头305的另一表面、例如下表面305b外露。
注射单元110还可包括至少一个第三喷嘴322和至少一个第四喷嘴324。
例如,第三喷嘴322的数量可以是两个或以上,并且第四喷嘴324的数量可以是两个或以上。
第三喷嘴322的第三注射孔距注射头305的下表面305b的第三间隔距离与第四喷嘴324的第四注射孔距注射头305的下表面305b的第四间隔距离不同。
例如,第四间隔距离可大于第三间隔距离。
此外,例如,各第三喷嘴322的第三注射孔距注射头305的下表面305b的第三间隔距离可彼此相等,并且各第四喷嘴324的第四注射孔距注射头305的下表面305b的第四间隔距离可彼此相等,但本公开不限于此。
例如,第三间隔距离可等于第一间隔距离d1,而第四间隔距离可等于第二间隔距离d2。
此外,第三喷嘴322的第三注射孔的第三直径可与第四喷嘴324的第四注射孔的第四直径不同。例如,第四直径可小于第三直径。
例如,各第三喷嘴322的第三注射孔的第三直径可彼此相等,并且各第四喷嘴324的第四注射孔的第四直径可彼此相等,但本公开不限于此。
例如,第四直径可等于第二直径R2,而第三直径可等于第一直径R1。
第三喷嘴322可沿向下方向或朝向下表面板20的方向注射第三清洁溶液60a,而第四喷嘴324可沿向下方向或朝向下表面板20的方向注射第四清洁溶液60b。
从第三喷嘴322的第三注射孔注射的第三清洁溶液60a的第三注射角可与从第四喷嘴324的第四注射孔注射的第四清洁溶液60b的第四注射角不同。例如,第四注射角可小于第三注射角。
例如,第三注射角可以是40°至50°。进一步,例如,第三注射角可以是45°。例如,第四注射角可以是10°至20°。进一步,例如,第四注射角可以是15°。
第三注射角与第四注射角之间的差值可以是20°至40°。如果第三注射角与第四注射角之间的差值小于20°,去除位于在表面板的表面上形成的凹槽中的污泥的效果可能降低。如果第三注射角与第四注射角之间的差值超过40°,去除位于表面板的表面上的(除了在凹槽内部的)污泥的效果可能降低。
第二注射部件320可包括彼此间隔开的多个第三喷嘴322和彼此间隔开的多个第四喷嘴324。
以上对于第一喷嘴312和第二喷嘴314的设置的描述可应用于第三喷嘴322和第四喷嘴324的设置。
各第三喷嘴322可设置为以使得其沿从注射头305的一端到另一端的方向彼此间隔开。例如,各第三喷嘴322沿从注射头305的一端到另一端的方向沿线设置。
各第四喷嘴324可设置为以使得其沿从注射头305的一端到另一端的方向彼此间隔开。例如,各第四喷嘴324沿从注射头305的一端到另一端的方向沿线设置。
此外,第三喷嘴322和第四喷嘴324可沿从注射头305的一端到另一端的方向交替地设置。例如,第三和第四喷嘴322和324可沿从注射头305的一端到另一端的方向沿直线或曲线设置,但本公开不限于此。
根据另一实施例,第二注射单元320的清洁溶液喷嘴可包括第三线和第四线,各第三喷嘴沿第三线、沿从注射头305的一端到另一端的方向设置,各第四喷嘴沿第四线、沿从注射头305的一端到另一端的方向设置。在此,第三线和第四线可设置为以使得彼此平行,或以使得彼此不平行。
从第三喷嘴322注射的第三清洁溶液60a可清洁下表面板20的第一表面12a,而从第四喷嘴324注射的第四清洁溶液60b可清洁下表面板20的第二表面12b。
在此,可在下表面板20的第二表面12b上设置用于在抛光工序期间有效地供应和排出浆液的凹槽502。第二表面12b可从第一表面12a凹下,并且与第一表面12a具有高度差。
第二注射部件320的气体喷嘴326-1和326-2可设置或安装在注射头305的下表面305b上,并且朝向精磨设备的下表面板20注射气体、例如惰性气体或空气。从气体喷嘴326-1和326-2注射的气体可用于在清洁期间从下表面板20分离或去除外界物质等。
第二注射部件320的气体喷嘴326-1和326-2可设置在清洁溶液喷嘴的两侧,但本公开不限于此。
此外,第二注射部件320的气体喷嘴326-1和326-2可设置为使得彼此沿从注射头305的一端到另一端的方向隔开。以上对第一注射部件310的气体喷嘴316-1和316-2的描述可应用于第二注射部件320的气体喷嘴326-1和326-2。
如图4A和4B中示例地示出的,从清洁溶液供应单元131供应的清洁溶液可通过第一供应管道312供应到第一注射部件310的第一和第二喷嘴312和314和第二注射部件320的第三和第四喷嘴322和324。
尽管图4A和4B中示出第一供应管道412用于供应清洁溶液到第一和第二注射部件310和320,但本公开不限于此,并且清洁溶液可通过单独的供应管道分别地供应到第一和第二注射部件310和320。
从第二喷嘴314注射的第二清洁溶液50b的注射压力可高于从第一喷嘴312注射的第一清洁溶液50a的注射压力。
此外,从第四喷嘴324注射的第四清洁溶液60b的注射压力可高于从第三喷嘴322注射的第三清洁溶液60a的注射压力。
其原因在于,虽然清洁溶液可以相同的压力通过第一供应管道412供应到第一至第四喷嘴312、314、322和324,但是第二喷嘴314的第二注射孔314a的第二直径小于第一喷嘴312的第一注射孔312a的第一直径,并且第四喷嘴324的第四注射孔的第四直径小于第三喷嘴322的第三注射孔的第三直径。
根据另一实施例,清洁溶液可以通过单独的供应管道以不同的压力供应到第一和第二喷嘴312和314,并且清洁溶液可以不同的压力供应到第三和第四喷嘴322和324。
第一和第二清洁溶液50a和50b可通过第一和第二喷嘴312和314同时注射到上表面板10,而第三和第四清洁溶液60a和60b可通过第三和第四喷嘴322和324同时注射到下表面板20。
图6A是示意图,示出由一般的表面板清洁装置600清洁表面板,而图6B是曲线图g1,其表示由图6A中示出的表面板清洁装置600对表面板的清洁程度。
参照图6A,在各喷嘴610a保持距表面板601的第一表面601a均匀距离的情况下,喷嘴610a和610b注射清洁溶液620到表面板601的第一和第二表面601a和601b。由注射的清洁溶液620,可去除位于表面板601的第一表面601a上的污泥,但未去除位于表面板601的第二表面601b上形成的凹槽611中的污泥。此外,位于第一表面601a上的污泥可能进入凹槽611。
在图6B中,x轴表示从第一表面601a到表面板601的第二表面601b的凹槽611的位置或距离,而y轴表示清洁程度。
参照图6B,表面板601的第一表面601a具有最高的清洁程度,而表面板601的第二表面601b的凹槽611具有最低的清洁程度。由于在凹槽611中未去除的污泥,已经由精磨设备执行其精磨工序的晶片的平整度的质量可能下降。此外,如果积聚在凹槽611内的污泥进入晶片,晶片可能被刮擦.
图7A是示意图,示出由根据本发明的一个实施例的表面板清洁装置100的注射单元110清洁表面板,而图7B是曲线图g2,其表示由图7A中示出的表面板清洁装置对表面板的清洁程度。
参照图7A和7B,第四喷嘴324的第四注射孔距注射头305的下表面305b的第四间隔距离大于第三喷嘴323的第三注射孔距注射头305的下表面305b的第三间隔距离,并且,因此,第四注射孔与下表面板20的第二表面12b上形成的凹槽502的底部502a之间的距离小于第三注射孔与凹槽502的底部502a之间的距离。
第四清洁溶液60b的第四注射角小于第三清洁溶液60a的第三注射角,并且,因此,第四清洁溶液可直接注射到下表面板20的凹槽502内。
位于下表面板20的第一表面12a的污泥712可由从第三喷嘴322注射的第三清洁溶液60去除。
从第四喷嘴324注射的第四清洁溶液60b可直接注射到下表面板20的凹槽502内,并且存在于凹槽502内部的污泥711可由直接注射到下表面板20的凹槽502内的第四清洁溶液60隔开到凹槽502的外部并由此被移除到下表面板20的外部。
如图7B中示例地示出,与曲线图g1相比,在曲线图g2中,凹槽502内部的清洁程度提升了。由此,可获得污泥通过凹槽502的平稳的流动,并且,因此,可提升由精磨工序造成的晶片的平整度,并且可防止由于污泥引起晶片上产生刮痕。
以上参照图7A和7B给出的对于下表面板20的清洁效果提升的描述也可应用于由第一注射部件310对上表面板10的清洁。
如从以上描述显而易见的是,根据本发明的一个实施例的表面板清洁装置可提升由精磨工序造成的晶片的平整度,并且防止由于污泥引起晶片上产生刮痕。
对本领域的技术人员将会显然的是,可对本发明进行各种改型和变化而不脱离本发明的精神或范围。因此,本发明意在涵盖该发明的改型和变化,只要它们在所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (17)

1.一种表面板清洁装置,包括:
注射单元,所述注射单元包括注射头和设置在所述注射头的上表面的至少一个第一喷嘴和至少一个第二喷嘴;和
运动单元,所述运动单元构造为使所述注射单元运动到待清洁的表面板的表面,其中:
所述至少一个第一喷嘴包括注射第一清洁溶液的第一注射孔,而所述至少一个第二喷嘴包括注射第二清洁溶液的第二注射孔;
从所述注射头的所述上表面到所述第一注射孔的第一间隔距离与从所述注射头的所述上表面到所述第二注射孔的第二间隔距离不同;并且
所述第一清洁溶液的第一注射角与所述第二清洁溶液的第二注射角不同。
2.如权利要求1所述的表面板清洁装置,其特征在于,所述第二间隔距离大于所述第一间隔距离。
3.如权利要求2所述的表面板清洁装置,其特征在于,所述第二注射角小于所述第一注射角。
4.如权利要求1所述的表面板清洁装置,其特征在于:
所述至少一个第一喷嘴包括多个第一喷嘴;
所述至少一个第二喷嘴包括多个第二喷嘴;
每个所述第二喷嘴距所述注射头的所述上表面的第二间隔距离大于每个所述第一喷嘴距所述注射头的所述上表面的第一间隔距离;并且
从每个所述第二喷嘴的第二注射孔注射的所述第二清洁溶液的第二注射角小于从每个所述第一喷嘴的第一注射孔注射的所述第一清洁溶液的第一注射角。
5.如权利要求4所述的表面板清洁装置,其特征在于:
各所述第一喷嘴沿从所述注射头的一端到另一端的方向沿线设置;并且
各所述第二喷嘴沿从所述注射头的一端到另一端的方向沿线设置。
6.如权利要求5所述的表面板清洁装置,其特征在于,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴沿从所述注射头的一端到另一端的方向交替地设置。
7.如权利要求4所述的表面板清洁装置,其特征在于:
所述表面板包括具有第一凹槽的上表面板和具有第二凹槽的下表面板;并且
所述第一喷嘴和所述第二喷嘴注射所述第一和第二清洁溶液到所述上表面板具有所述第一凹槽的表面。
8.如权利要求7所述的表面板清洁装置,其特征在于,所述注射单元还包括设置在所述注射头的下表面上的至少一个第三喷嘴和至少一个第四喷嘴,其中:
所述至少一个第三喷嘴包括注射第三清洁溶液的第三注射孔,而所述至少一个第四喷嘴包括注射第四清洁溶液的第四注射孔;并且
从所述注射头的所述下表面到所述第三注射孔的第三间隔距离与从所述注射头的所述下表面到所述第四注射孔的第四间隔距离不同。
9.如权利要求8所述的表面板清洁装置,其特征在于,所述第三清洁溶液的第三注射角与所述第四清洁溶液的第四注射角不同。
10.如权利要求8所述的表面板清洁装置,其特征在于:
所述至少一个第三喷嘴包括多个第三喷嘴;
所述至少一个第四喷嘴包括多个第四喷嘴;
每个所述第四喷嘴距所述注射头的所述下表面的第四间隔距离大于每个所述第三喷嘴距所述注射头的所述下表面的第三间隔距离;并且
从每个所述第四喷嘴的第四注射孔注射的所述第四清洁溶液的第四注射角小于从每个所述第三喷嘴的第三注射孔注射的所述第三清洁溶液的第三注射角。
11.如权利要求10所述的表面板清洁装置,其特征在于:
各所述第三喷嘴沿从所述注射头的一端到另一端的方向沿线设置;并且
各所述第四喷嘴沿从所述注射头的一端到另一端的方向沿线设置。
12.如权利要求11所述的表面板清洁装置,其特征在于,所述第三喷嘴和所述第四喷嘴沿从所述注射头的一端到另一端的方向交替地设置。
13.如权利要求10所述的表面板清洁装置,其特征在于:
每个所述第一注射角和所述第三注射角是40°至50°;并且
每个所述第二注射角和所述第四注射角是10°至20°。
14.如权利要求8所述的表面板清洁装置,其特征在于:
从所述至少一个第二喷嘴注射的所述第二清洁溶液的注射压力高于从所述至少一个第一喷嘴注射的所述第一清洁溶液的注射压力;并且
从所述至少一个第四喷嘴注射的所述第四清洁溶液的注射压力高于从所述至少一个第三喷嘴注射的所述第三清洁溶液的注射压力。
15.如权利要求8所述的表面板清洁装置,其特征在于,所述第二和第四注射孔中每个的直径小于所述第一和第三注射孔中每个的直径。
16.如权利要求15所述的表面板清洁装置,其特征在于,包括供应管道,所述供应管道构造为供应清洁溶液到所述第一至第四喷嘴。
17.如权利要求10所述的表面板清洁装置,其特征在于,所述第一注射角与所述第二注射角之间的差值是20°至40°。
CN201710817249.5A 2016-11-28 2017-09-12 表面板清洁装置 Active CN108115568B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0159035 2016-11-28
KR1020160159035A KR101881379B1 (ko) 2016-11-28 2016-11-28 정반 세정 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108115568A true CN108115568A (zh) 2018-06-05
CN108115568B CN108115568B (zh) 2019-12-20

Family

ID=62117455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710817249.5A Active CN108115568B (zh) 2016-11-28 2017-09-12 表面板清洁装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10780548B2 (zh)
JP (1) JP6420874B2 (zh)
KR (1) KR101881379B1 (zh)
CN (1) CN108115568B (zh)
DE (1) DE102017213939B4 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220073192A (ko) * 2020-11-26 2022-06-03 에스케이실트론 주식회사 연마 패드 세정 장치 및 연마 장치
CN112718619A (zh) * 2020-12-15 2021-04-30 华海清科股份有限公司 可动态调整姿态的晶圆清洗装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1128657A (ja) * 1997-07-08 1999-02-02 Syst Seiko Kk 研磨具のドレッシング方法および装置
JP2000176826A (ja) * 1998-12-17 2000-06-27 Mitsubishi Materials Silicon Corp ラップ定盤のクリーニング方法およびその装置
JP2000246639A (ja) * 1999-03-04 2000-09-12 Koyo Mach Ind Co Ltd 平面研削装置
JP2001237204A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP3678468B2 (ja) * 1995-07-18 2005-08-03 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
KR20100052028A (ko) * 2008-11-10 2010-05-19 주식회사 실트론 양면 연마기의 패드 드레싱 방법
JP2012179680A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Asahi Glass Co Ltd ガラス板の研磨方法
KR101210297B1 (ko) * 2011-08-01 2012-12-10 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 세정 기구
CN103567163A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 株式会社荏原制作所 修整盘清洗用刷、清洗装置以及清洗方法
US8707974B2 (en) * 2009-12-11 2014-04-29 United Microelectronics Corp. Wafer cleaning device
JP2015044251A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55106769A (en) * 1979-01-31 1980-08-15 Masami Masuko Lapping method and its apparatus
JPS57168109A (en) * 1981-04-10 1982-10-16 Shinetsu Eng Kk Device for measuring thickness of work piece in lapping plate
US4407094A (en) * 1981-11-03 1983-10-04 Transat Corp. Apparatus for automatic lapping control
US4918869A (en) * 1987-10-28 1990-04-24 Fujikoshi Machinery Corporation Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor
US4940507A (en) * 1989-10-05 1990-07-10 Motorola Inc. Lapping means and method
JPH09309063A (ja) * 1996-05-24 1997-12-02 Nippon Steel Corp 研磨定盤の洗浄方法およびその装置
JP3641349B2 (ja) * 1997-05-19 2005-04-20 株式会社荏原製作所 洗浄装置
US6258177B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-10 Seh America Apparatus for cleaning the grooves of lapping plates
KR100710805B1 (ko) * 2006-02-06 2007-04-23 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 세정 장치 및 방법
US9403258B2 (en) * 2013-06-27 2016-08-02 Seagate Technology Llc Method for forming an abrasive lapping plate

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3678468B2 (ja) * 1995-07-18 2005-08-03 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JPH1128657A (ja) * 1997-07-08 1999-02-02 Syst Seiko Kk 研磨具のドレッシング方法および装置
JP2000176826A (ja) * 1998-12-17 2000-06-27 Mitsubishi Materials Silicon Corp ラップ定盤のクリーニング方法およびその装置
JP2000246639A (ja) * 1999-03-04 2000-09-12 Koyo Mach Ind Co Ltd 平面研削装置
JP2001237204A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
KR20100052028A (ko) * 2008-11-10 2010-05-19 주식회사 실트론 양면 연마기의 패드 드레싱 방법
US8707974B2 (en) * 2009-12-11 2014-04-29 United Microelectronics Corp. Wafer cleaning device
JP2012179680A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Asahi Glass Co Ltd ガラス板の研磨方法
KR101210297B1 (ko) * 2011-08-01 2012-12-10 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 세정 기구
CN103567163A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 株式会社荏原制作所 修整盘清洗用刷、清洗装置以及清洗方法
JP2015044251A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180147691A1 (en) 2018-05-31
KR101881379B1 (ko) 2018-08-24
DE102017213939B4 (de) 2023-03-02
DE102017213939A1 (de) 2018-05-30
US10780548B2 (en) 2020-09-22
CN108115568B (zh) 2019-12-20
JP6420874B2 (ja) 2018-11-07
JP2018086714A (ja) 2018-06-07
KR20180060033A (ko) 2018-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102285832B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI573629B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR101816694B1 (ko) 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법
KR102238880B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20190189470A1 (en) Wafer cleaning apparatus
CN108115568A (zh) 表面板清洁装置
KR20150139705A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101206923B1 (ko) 매엽식 웨이퍼 세정 장치
JP2013065795A (ja) 基板処理方法
JP5785462B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101292221B1 (ko) 매엽식 세정 및 건조 장치, 매엽식 세정 및 건조 방법
CN103035504A (zh) 化学机械抛光方法和化学机械抛光设备
JP2022036416A (ja) 基板保持回転機構、基板処理装置
KR101210297B1 (ko) 화학 기계적 연마 장치의 세정 기구
CN114536213B (zh) 清洁抛光垫的设备和抛光装置
KR101336730B1 (ko) 기판 건조 장치
CN216631781U (zh) 晶圆清洗装置
KR102379163B1 (ko) 제1 세정 장치, 이를 포함하는 세정 장비 및 방법
KR101615426B1 (ko) 슬러리 분사노즐 및 이를 이용한 기판 처리장치
KR102274002B1 (ko) 스팀 장치 및 이를 포함하는 세정 시스템
US11107671B2 (en) Method of processing semiconductor substrate
JP5308291B2 (ja) 基板洗浄装置
KR20080099169A (ko) 부착물 제거 장치 및 부착물 제거 방법
KR20110137029A (ko) 정반 세정 장치 및 정반 세정 방법
KR101848166B1 (ko) 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Han Guoqingshangbeidao

Applicant after: Sk siltron Inc.

Address before: Han Guoqingshangbeidao

Applicant before: LG Siltron, Inc.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant