KR102274002B1 - 스팀 장치 및 이를 포함하는 세정 시스템 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 기판에 스팀을 가하는 스팀 장치에 있어서, 제1 스팀부; 및 상기 제1 스팀부와 이격 배치되는 제2 스팀부를 포함하고, 상기 제1 스팀부는, 상기 기판으로 유체를 분사하는 제1 노즐부; 및 상기 기판을 제1 방향으로 이동시키는 제1 이송부;를 포함하고, 상기 제2 스팀부는, 상기 기판으로 유체를 분사하는 제2 노즐부; 및 상기 기판을 제1 방향으로 이동 시키는 제2 노즐부를 포함하고, 상기 제1 노즐부에서 유체의 토출 압력은 상기 제2 노즐부에서 유체의 토출 압력보다 작은 스팀 장치를 개시한다.
Description
실시 예는 스팀 장치 및 이를 포함하는 세정 시스템에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 패널, 반도체 소자가 점차 미세화 되고 있어 세정 중 발생하는 패널의 긁힘, 얼룩 균일도, 두께편차 및 미세한 굴곡 등의 문제가 대두되고 있으며, 최근에는 1㎛이하(Submicron)의 손상이나 이물질도 제품 품질에 문제가 되는 경우가 발생하는 문제가 존재한다.
이와 관련하여, 디스플레이용 스팀(Steam) 세정 장비는 패널 생산 과정에서 발생하는 이물(유?무기물)을 제거하여 수율을 증대시키고자 하는 장비이다. 특히, 생산 수율이 매우 중요한 이슈인 디스플레이 제작 공정에서 필수적이고, 기존에는 화학세정(Chemical Cleaning) 및 물리세정(Physical Cleaning) 방식을 사용해왔다.
반도체 소자는 미세한 회로선이 고밀도로 집적되어 제조됨에 따라, 이에 상응하는 정밀 연마가 웨이퍼 표면에 행해질 수 있어야 한다. 웨이퍼의 연마를 보다 정밀하게 행하기 위해서는 기계적인 연마뿐만 아니라 화학적 연마가 병행되는 화학 기계적 연마 공정이 수행될 수 있다.
이러한 화학 기계적 연마 공정은 반도체 소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는 공정이다.
그리고 연마 공정이 종료된 웨이퍼는 캐리어 헤드에 의하여 파지되어 공정면에 묻은 이물질을 세정하는 세정 공정을 거치게 된다.
뿐만 아니라, 반도체가 미세화 및 고집적화됨에 따라 웨이퍼의 세정 효율에 대한 중요성이 점차 커지고 있다. 특히, 세정 모듈에서 웨이퍼의 세정 공정이 완료된 후에도 웨이퍼의 표면에 이물질이 잔존하면, 수율이 저하되고, 안정성 및 신뢰성이 저하되기 때문에 세정 모듈에서 이물질이 최대한 제거될 수 있어야 한다.
다만, 세정 모듈과 별도로 예비 세정을 진행하기 위한 예비 세정 공간을 추가적으로 마련해야 함에 따라, 설비의 레이아웃에 불리할 뿐만 아니라, 웨이퍼의 이송 및 세정 처리 공정이 복잡해지고 세정 시간이 증가하는 문제점이 존재한다.
실시 예는 세정 효과가 개선된 스팀 장치를 제공한다.
또한, 노즐의 분사 방향이 상이한 스팀 장치를 제공한다.
또한, 최소화가 용이한 스팀 장치를 제공한다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
실시예에 따른 스팀 장치는 기판에 스팀을 가하는 스팀 장치에 있어서, 제1 스팀부; 및 상기 제1 스팀부와 이격 배치되는 제2 스팀부를 포함하고, 상기 제1 스팀부는, 상기 기판으로 유체를 분사하는 제1 노즐부; 및 상기 기판을 제1 방향으로 이동시키는 제1 이송부;를 포함하고, 상기 제2 스팀부는, 상기 기판으로 유체를 분사하는 제2 노즐부; 및 상기 기판을 제1 방향으로 이동 시키는 제2 노즐부를 포함하고, 상기 제1 노즐부에서 유체의 토출 압력은 상기 제2 노즐부에서 유체의 토출 압력보다 작다.
상기 제1 노즐부는 상기 기판과 제1 이격 거리만큼 이격 배치되고, 상기 제2 노즐부는 상기 기판과 제2 이격 거리만큼 이격 배치되며, 상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이격 거리보다 작을 수 있다.
상기 제1 노즐부는 상기 기판에 수직한 제1 가상선과 제1 각도를 이루고, 상기 제1 각도는 변경될 수 있다.
상기 제2 노즐부는 상기 기판에 수직한 제2 가상선과 제2 각도를 이루고, 상기 제2 각도는 상기 제1 각도보다 작을 수 있다.
상기 제1 노즐부와 상기 제2 노즐부는 이격 배치될 수 있다.
상기 제1 노즐부는, 유체가 주입되는 제1 상면; 유체가 출사되는 제1 하면; 및 내부에서 상기 제1 상면 및 제1 하면을 관통하는 제1 관통홀;을 포함할 수 있다.
상기 제2 노즐부는, 유체가 주입되는 제2 상면; 유체가 출사되는 제2 하면; 및 내부에서 상기 제2 상면 및 제2 하면을 관통하는 제2 관통홀;을 포함할 수 있다..
상기 제1 하면의 면적은 상기 제2 하면의 면적보다 클 수 있다.
제1 이송부 및 상기 제2 이송부는 상기 기판을 제1 방향으로 이송시키는 복수 개의 이송 롤러를 포함할 수 있다.
상기 제1 이송부의 이송 속도와 상기 제2 이송부의 이송 속도를 제어하는 속도 제어부;를 더 포함하고, 상기 속도 제어부는 상기 제1 이송부의 이송 속도가 상기 제2 이송부의 이송 속도보다 작게 제어할 수 있다.
실시 예에 따르면, 세정 효과가 개선된 스팀 장치를 구현할 수 있다.
또한, 노즐의 분사 방향이 상이한 스팀 장치를 제작할 수 있다.
또한, 최소화가 용이한 스팀 장치를 제작할 수 있다.
또한, 화학/물리 세정 방식 대비 스팀(Steam) 세정 방식을 적용하여 분사되는 입자의 평균 크기가 작고, 더 낮은 사용 압력을 가져 미세패턴에 데미지(Damage)를 감소시킬 수 있으며, 작은 입자 크기로 인해 미세패턴 사이사이에 침입하여 세정효과를 극대화할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 실시예에 따른 박리 시스템의 개략도이고,
도 2는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 사시도이고,
도 3은 일 실시예에 따른 박리 시스템의 스팀 장치의 상면도이고,도 4는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 스팀 장치의 측면도이고,
도 5는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 측면도이고,
도 6은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 단면도이고,
도 7은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 사시도이고,
도 8은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 하면도이고,
도 9는 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 일 측면도이고,
도 10은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 다른 측면도이고,
도 11은 일 실시예에 따른 제2 스팀부의 등각도이고,
도 12는 일 실시예에 따른 제2 스팀부의 측면도이고,
도 13는 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 개념도이고,
도 14은 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 측면도이고,
도 15는 도 14에서 A부분의 확대도이고,
도 16는 도 14에서 B부분의 확대도이고,
도 17은 또 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 측면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 사시도이고,
도 3은 일 실시예에 따른 박리 시스템의 스팀 장치의 상면도이고,도 4는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 스팀 장치의 측면도이고,
도 5는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 측면도이고,
도 6은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 단면도이고,
도 7은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 사시도이고,
도 8은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 하면도이고,
도 9는 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 일 측면도이고,
도 10은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 다른 측면도이고,
도 11은 일 실시예에 따른 제2 스팀부의 등각도이고,
도 12는 일 실시예에 따른 제2 스팀부의 측면도이고,
도 13는 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 개념도이고,
도 14은 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 측면도이고,
도 15는 도 14에서 A부분의 확대도이고,
도 16는 도 14에서 B부분의 확대도이고,
도 17은 또 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 측면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 실시예에 따른 박리 시스템의 개략도이고, 도 2는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 사시도이다.
박리 시스템(1)은 웨이퍼, 글라스 등을 포함하는 모재인 기판을 적재하는 로더 장치(10), 기판을 세정하기 위한 스팀 장치(20), 세정된 기판을 세척하는 린스 장치(30), 세척된 기판을 건조하는 건조 장치(40), 건조된 기판을 외부로 반출하는 언로더 장치(50)를 포함할 수 있다.
먼저, 로더 장치(10)는 다수의 기판들을 외부로부터 반입할 수 있다. 그리고 스팀 장치(20)는 반입된 기판들의 표면에 존재하는 이물질을 제거할 수 있다. 이 때, 스팀 장치(20)는 스팀을 통해 상기 이물질을 제거할 수 있으며, 이에 대한 자세한 내용은 이하 도 2 내지 도 17에서 설명한다.
그리고 린스 장치(30)는 소정의 액을 이용하여 기판을 세척할 수 있다. 그리고 건조 장치(40)는 기판을 건조할 수 있다. 예컨대, 건조 장치(40)는 소정 rpm 범위의 원심력으로 기판을 회전 시킬 수 있다. 이러한 회전을 통해 세정액 등을 용이하게 제거할 수 있다. 다만, 이러한 방식에 한정되는 것은 아니다.
이후에, 언로더 장치(50)는 건조된 기판을 외부로 반출할 수 있다. 언로더 장치(50)는 로더 장치(10)와 일체로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상술한 내용과 같이 박리 시스템(1)은 기판을 반입하고 세정, 세척, 건조 과정을 순차로 수행한 이후에 외부로 반출할 수 있다. 이로써, 에칭 등의 공정을 거친 기판 상에 이물질 등이 형성되더라도 이를 용이하게 제거할 수 있다. 이에 따라, 이물질에 의한 오동작, 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 박리 시스템의 스팀 장치의 상면도이고, 도 4는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 스팀 장치의 측면도이고, 도 5는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 측면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 스팀 장치(20)는 제1 스팀부(210), 제2 스팀부(220)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 스팀부(210)는 제2 스팀부(220)와 공간적으로 분리될 수 있다. 예컨대, 제1 스팀부(210)와 제2 스팀부(220)는 이격 배치되고, 제1 방향(X축 방향)으로 나란히 배치될 수 있다. 여기서, 제1 방향(X축 방향)은 스팀 장치(20) 내에서 기판이 이동하는 방향이고, 제2 방향(Y축 방향)은 제1 방향(X축 방향)에 수직한 방향이며, 제3 방향(Z축 방향)은 제1 방향(X축 방향)과 제2 방향(Y축 방향)에 모두 수직한 방향이다. 이러한 기준은 이하에 모두 동일하게 적용될 수 있다.
그리고 제1 스팀부(110)는 기판이 인입되는 제1 인입구 및 기판이 배출되는 제1 배출구를 포함하고, 제2 스팀부(120)는 제1 스팀부를 통과하는 기판이 인입하는 제2 인입구와 기판이 배출되는 제2 배출구를 포함할 수 있다.
이러한 제1 스팀부(110)는 유체를 분사하는 제1 노즐부(111)와, 기판을 제1 방향으로 이동시키는 제1 이송부(112)를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 스팀부(110)는 제1 노즐부(111)를 둘러싸는 제1 하우징(113) 및 제1 하우징(113)과 연결되고 중공의 제1 유입라인(114)을 포함할 수 있다.
먼저, 제1 노즐부(111)는 제1 스팀부(110)와 연결될 수 있다. 예컨대, 제1 노즐부(111)는 제1 노즐부(111)의 상면 하부에 위치할 수 있다. 그리고 제1 노즐부(111)는 복수 개의 제1 홀을 포함할 수 있다. 이러한 복수 개의 제1 홀은 제1 유입라인(114)을 통해 유입된 스팀(steam)이 제1 이송부(112)와 제1 노즐부(111) 사이에서 이송되는 기판으로 분사될 수 있다. 실시예로 제1 이송부(112)는 제1 노즐부(111)와 이격 배치되어, 기판이 이송 가능한 공간을 형성할 수 있다. 그리고 이러한 구성에 의하여 제1 노즐부(111)는 스팀을 분사하여 기판 주위 환경을 원하는 온도, 습도 등으로 설정할 수 있다. 뿐만 아니라, 기판 상의 이물질 층(이후 유기물(O))과 기판 간의 결합력이 감소될 수 있다.
그리고 제1 하우징(113)은 제1 노즐부(111) 상부에 배치되고, 제1 노즐부(111)의 평면 면적보다 작을 수 있다. 또한, 제1 하우징(113)은 제1 노즐부(111)에서 복수 개의 제1 홀의 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 하우징(113)을 통해 유입된 스팀은 손실 없이 효율적으로 제1 홀을 통해 하부의 기판으로 토출될 수 있다.
구체적으로, 제1 유입라인(114)은 일단이 제1 하우징(113)의 상부와 소정의 통로를 통해 연결될 수 있다. 또한, 제1 유입라인(114)은 타단이 스팀을 공급하는 장치와 연결될 수 있다. 이러한 스팀을 공급하는 장치는 스팀 장치(20) 내부 또는 외부에 존재할 수 있다. 또한, 제1 유입라인(114)을 통해 유입되는 스팀은 일정 온도까지 상승하여 가열된 상태로 유입될 수 있다.
제1 노즐부(111)는 제1 스팀부(110)의 상면과 높이차(hd)를 가지도록 배치될 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 제1 노즐부(111)를 통해 기판으로 분사되는 스팀의 토출압력보다 제2 노즐부(121)를 통해 기판으로 분사되는 스팀의 토출압력이 더 클 수 있다. 뿐만 아니라, 제1 노즐부(111)와 기판 간의 소정의 이격 거리를 가짐으로써 기판에 대한 스팀의 분사정도를 균일하게 유지할 수 있다. 또한, 제1 노즐부(111)는 후술하는 제2 노즐부(121)보다 상부에 위치할 수 있다.
이러한 제1 스팀부(110)에 대한 자세한 설명은 후술한다.
그리고 제2 스팀부(120)는 유체를 분사하는 제2 노즐부(121)와 기판을 제1 방향(X축 방향)으로 이동시키는 제2 이송부(122) 및 제2 유입라인(123)을 포함할 수 있다.
먼저, 제2 노즐부(121)는 복수 개일 수 있다. 그리고 제2 노즐부(121)는 유체를 하부의 기판으로 분사할 수 있다. 이에 따라, 제2 노즐부(121)는 토출구가 하부일 수 있다.
또한, 유체는 다양한 물질의 혼합으로 이루어질 수 있다. 실시예에 따르면 유체는 스팀 공급부(미도시됨)로부터 제공되는 스팀, 탈이온수(DI)가 저장된 탈이온 공급부(미도시됨)로부터 제공되는 탈이온수(DIW) 및 세정 기체인 CDA를 포함할 수 있다. 이하에서는 제1 유체는 스팀을 의미하고, 제2 유체는 DIW를 의미하고, 제3 유체는 CDA를 의미하는 것으로 설명한다.
이러한 유체는 각각이 서로 다른 유입라인을 통해 제1 노즐부(121)로 제공될 수 있다. 이에, 유입라인은 복수 개일 수 있으며, 제2 스팀부(120)는 제2-1 유입 라인(123a), 제2-2 유입라인(123b)을 포함할 수 있다.
그리고 제2 노즐부(121)는 스팀을 기판 상으로 분사하여 기판 상에 존재하는 이물질 층을 타력에 의하여 제거할 수 있다. 즉, 제2 노즐부(121)는 기판 상에 잔류하는 유기물(O)을 제거할 수 있다. 이러한 제2 노즐부(121)에 대한 구체적인 설명은 후술한다.
또한, 제2 노즐부(121)와 제1 노즐부(111)는 이격 배치되고, 제1 이송부(112)와 제2 이송부(122)도 이격 배치될 수 있다. 그리고 제1 이송부(112)와 제2 이송부(122)는 동일한 방향(제1 방향)으로 기판을 이동시키도록 회전할 수 있다.
그리고 제2 이송부(122)는 제2 스팀부(120) 하부에 배치되어, 제1 이송부(112)를 통해 기판을 제2 스팀부(120) 내부로 이동시킬 수 있다. 제2 이송부(122)는 제1 이송부(112)와 마찬가지로 회전하는 복수 개의 이송 롤러로 이루어질 수 있다. 그리고 복수 개의 이송 롤러는 제1 방향(X축 방향)으로 나란히 배치될 수 있으며, 제1 방향(X축 방향)으로 기판을 이송하도록 회전할 수 있다.
이 때, 제2 이송부(122)는 이송 속도(S2)가 제1 이송부(112)의 이송 속도(S1)와 상이할 수 있다. 여기서, 이송 속도는 이송부에 의해 기판이 이송되는 속도로 정의한다. 실시예로, 제1 이송부(112)와 제2 이송부(122)는 속도 제어부(130)부로부터 이송 속도가 제어될 수 있다.
또한, 스팀 장치(20)는 후술하는 바와 같이 제1 스팀부(110)와 제2 스팀부(120) 사이에 배치되는 이송 터널을 더 포함할 수도 있다. 이송 터널은 제1 스팀부(110)와 제2 스팀부(120) 간에 공간적 연결을 제공할 수 있다. 그리고 이러한 이송 터널은 기판(W)이 제1 스팀부(110)에서 제2 스팀부(120)로 이송되는 경로 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 스팀부(110)에서 1차 스팀 처리된 기판(W)이 제2 스팀부(120)으로 이동하여 2차 스팀 처리될 수 있다.
이 때, 이송 터널(T)은 기판(W)이 제1 스팀부(110)에서 제2 스팀부(120)로 이동하는 경우에 열리고, 이외의 경우에는 닫힐 수 있다. 예컨대, 이송 터널(T)에 인접한 제1 이송부(112)에 센서를 설치하고, 센서로부터 무게, 압력 등의 정보를 얻어 기판(W)이 이송 터널(T)에 인접하였는지 판단함으로써, 이송 터널(T)의 열림/닫힘을 제어할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 단면도이고, 도 7은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 사시도이고, 도 8은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 하면도이고, 도 9는 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 일 측면도이고, 도 10은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 다른 측면도이다.
도 6 내지 도 10을 참조하면, 상술한 바와 같이 이 때, 제1 유입라인(114)은 제1 하우징(113) 상부에 배치되며, 중공을 통해 유입된 스팀이 제1 하우징(113) 상부에서 제1 하우징(113) 내부로 이동할 수 있다.
이 떼, 제1 유입라인(114)은 제1 하우징(113)의 상부면에서 중앙에 위치할 수 있다. 제1 유입라인(114)은 제1 하우징(113)의 상면에서 복수 개의 측면과 접하는 각 모서리의 이등분선의 교점과 중첩되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 유입라인(114)을 통해 유입된 스팀이 제1 하우징(113) 내부에 전체적으로 균일하게 이동할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 제1 하우징(113)은 복수 개의 측면을 포함할 수 있다. 실시예로, 제1 하우징(113)은 서로 마주보는 제1-1 측면(113a), 서로 마주보고 제1-1 측면(113a)과 연결되는 제1-2 측면(113b)을 포함할 수 있다. 이 때, 제1-1 측면(113a)은 제1 방향으로 길이가 제1-2 측면(113b)의 제3 발향으로 길이보다 길이가 클 수 있다. 즉, 제1 하우징(113)은 기판이 이동하는 제1 방향으로의 길이와 대응되도록 측면의 길이를 설정하여 스팀에 의한 이물질 분리 효과를 더욱 개선할 수 있다. 이로써, 스팀에 의한 기판 상의 이물질 층(이후 유기물(O))과 기판 간의 결합력 감소가 더욱 증가될 수 있다.
그리고 제1 노즐부(111)는 상술한 바와 같이 제1 하우징(113)의 하부에 배치될 수 있다. 이 때, 제1 노즐부(111)는 제1 하우징(113) 및 제1 하우징(113)과 제2 방향으로 중첩하는 제1 영역(111a) 및 제1 영역(111a) 이외의 영역인 제2 영역(111b)을 포함할 수 있다. 즉, 제2 영역(111b)은 제1 하우징(113)과 제2 방향으로 중첩되지 않을 수 있다.
그리고 제2 영역(111b)은 제1 영역(111a)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉, 제2 영역(11b)을 가짐으로써 제1 노즐부(111)는 평면(XZ)상 면적이 제1 하우징(113)의 면적보다 클 수 있다. 이에, 제1 노즐부(111)는 제1 하우징(113)을 용이하게 지지하면서 제12 하우징(113) 내부의 스팀이 외부로 빠져나가는 것을 용이하게 방지할 수 있다.
또한, 제1 노즐부(111)는 제1 유입라인(114)과 마주보도록 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 유입라인(114)은 제1 스팀부(110)에서 상부에 위치하고, 제1 노즐부(111)는 제1 유입라인(114)의 하부에 위치할 수 있다. 또한, 제1 유입라인(114)은 제1 하우징(113)의 상면에 연결되나, 제1 노즐부(111)는 제1 하우징(113)의 하면에 위치할 수 있다. 이와 같이 제1 노즐부(111)와 제1 유입라인(114)을 마주보도록 위치하여, 제1 하우징(113) 내부의 스팀이 제1 노즐부(111)의 홀을 통해 하부로 균일하게 토출되게 유지할 수 있다.
또한, 제1 노즐부(111)에는 상술한 바와 같이 복수 개의 홀이 배치되고, 복수 개의 홀은 제1 방향 및 제3 방향으로 평행 및 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 이에, 제1 노즐부(111)의 홀을 통해 하부로 분사되는 스팀이 이동하는 기판에 균일하게 조사되어, 기판 전체에서 이물질층이 용이하게 분리가능해질 수 있다. 즉, 제2 스팀부(120)에서 유체에 의해 타력으로 이물질층이 기판 전체에 이루어지는 환경을 제공할 수 있다.
상술한 제1 스팀부는 일체형 또는 다수의 모듈, 구성요소가 조립되어 이루어질 수 있다. 다만, 이러한 구성에 한정되는 것은 아니다.
도 11은 일 실시예에 따른 제2 스팀부의 등각도이고, 도 12는 일 실시예에 따른 제2 스팀부의 측면도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제2 스팀부(120)는 복수 개의 층으로 분리될 수 있다.
구체적으로, 제2 스팀부(120)는 제1 스팀부재(121a), 제2 스팀부재(121b), 제3 스팀부재(121c) 및 제4 스팀부재(121d)를 포함할 수 있다.
제1 스팀부재(121a)는 제2 스팀부재(121b) 상부에 배치될 수 있다. 제2 스팀부재(121b)는 제3 스팀부재(121c) 상부에 배치될 수 있으며, 제3 스팀부재(121c)는 제4 스팀부재(121d) 상부에 배치될 수 있다.
제1 스팀부재(121a)는 제2 스팀부재(121b)와 제3 스팀부재(121c)를 덮을 수 있다. 즉, 제1 스팀부재(121a)는 제2 스팀부재(121b)와 제3 스팀부재(121c)의 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
그리고 제3 스팀부재(121c)는 면적이 제2 스팀부재(121b)의 면적보다 클 수 있다. 그리고 제4 스팀부재(121d)는 면적이 제3 스팀부재(121c)의 면적보다 클 수 있다. 또한, 제4 스팀부재(121d)는 최대면적이 제1 스팀부재(121a)의 최대면적과 동일할 수 있다.
또한, 제4 스팀부재(121d)와 제1 스팀부재(121a)가 접하는 영역에 홀이 배치되어 내부의 유체가 홀을 통해 하부로 토출될 수 있다.
먼저, 제2 스팀부재(121b)는 각 유체를 공급하는 유체 공급부와 연결될 수 있다. 즉, 제2 스팀부재(121b) 내지 제4 스팀부재(121d)는 각각이 제2 유입라인과 연결되어 유체를 공급받을 수 있다. 예컨대, 제2 스팀부재(121b)는 제2-1 유입라인과 연결될 수 있다. 예시적으로, 제2 스팀부재(121b)는 스팀을 제공받고, 제3 스팀부재(121c)는 DIW를 제공받고, 제4 스팀부재(121d)는 CDA를 제공받을 수 있다.
그리고 제2 스팀부재(121b)는 제1 토출홀(h1)을 포함할 수 있고, 제3 스팀부재(121c)는 제2 토출홀(h2)을 포함할 수 있으며, 제4 스팀부재(121d)는 제3 토출홀을 포함할 수 있다.
이에 따라, 제2 스팀부재(121b)와 제3 스팀부재(121c)를 통해 일측 토출되는 제1 유체(K1)와 제2 유체(K2)는 각각 제1 토출홀(h1) 및 제2 토출홀(h2)을 지나 제1 스팀부재(121a)를 따라 하부로 이동할 수 있다. 그리고 제4 스팀부재(121d)를 통해 타측으로 토출되는 제3 유체(K3)는 제4 스팀부재(121d)를 따라 하부로 이동할 수 있다.
이 때, 제2 스팀부(120)는 제1 측면(1300) 및 제1 측면(1300)을 마주보는 제2 측면(1400)을 포함하고, 제1 측면(1300)과 연결되고 하부로 경사진 제1 경사면(1100) 및 제2 측면(1400)과 연결되고 하부로 경사지며 제1 경사면(1100)과 접하는 제2 경사면(1200)을 포함할 수 있다.
이 때, 제1 측면(1300)은 제2 방향으로 길이가 제2 측면(1400)의 제2 방향으로 길이와 상이할 수 있다. 실시예로, 제1 측면(1300)은 제2 방향으로 길이가 제2 측면(1400)의 제2 방향으로 길이보다 작을 수 있다. 또한, 제1 경사면(1100)은 제2 방향으로 연장된 길이가 서로 상이할 수 있다. 실시예로, 제1 경사면(1100)은 제2 방향으로 연장된 길이가 제2 경사면(1200)의 제2 방향으로 연장된 길이보다 클 수 있다.
이러한 길이의 제어에 의하여, 토출된 제1 유체(K1)와 제2 유체(K2)가 혼합된 이후에 제3 유체(K3)와 최종적으로 혼합된 이후에 하부로 토출되는 압력(토출 압력)을 용이하게 제어할 수 있다. 이 때, 제1 경사면110)과 제2 경사면(1200) 사이의 토출공간을 통해 제1 유체 내지 제3 유체가 모두 혼합되어 하부로 토출될 수 있다. 또한, 상술한 제1 토출홀(h1) 내지 제3 토출홀(h3)은 복수 개일 수 있다.도 13은 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 개념도이고, 도 14는 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 측면도이고, 도 15는 도 14에서 A부분의 확대도이고, 도 16은 도 14에서 B부분의 확대도이고, 도 17은 또 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 측면도이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 다른 실시예에 따른 스팀 장치(20)는 제1 스팀부(210), 제2 스팀부(220)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 스팀부(210)는 제2 스팀부(220)와 공간적으로 분리될 수 있다. 제1 스팀부(210)와 제2 스팀부(220)는 이격 배치되고, 제1 방향(X축 방향)으로 나란히 배치될 수 있다. 상술한 바와 동일하게, 제1 방향(X축 방향)은 스팀 장치(20) 내에서 기판(W)이 이동하는 방향이고, 제2 방향(Y축 방향)은 제1 방향(X축 방향)에 수직한 방향이며, 제3 방향(Z축 방향)은 제1 방향(X축 방향)과 제2 방향(Y축 방향)에 모두 수직한 방향이다. 또한, 동일한 명칭을 갖는 구성요소는 각 실시예에서 설명하는 내용에 따라 상이할 수 있으며, 기재되지 않은 부분은 서로 다른 실시예에 용이하게 변경될 수도 있다.그리고 제1 스팀부(210)는 기판이 인입되는 인입구를 포함하고, 제2 스팀부(220)는 기판이 배출되는 배출구를 포함할 수 있다.
먼저, 제1 스팀부(210)는 유체를 분사하는 복수 개의 제1 노즐부(211)와, 기판(W)을 제1 방향으로 이동시키는 제1 이송부(212)를 포함할 수 있다. 또한, 제2 스팀부(220)는 유체를 분사하는 복수 개의 제2 노즐부(221)와 기판(W)을 제1 방향(X축 방향)으로 이동시키는 제2 이송부(222)를 포함할 수 있다.
또한, 제2 노즐부(221)와 제1 노즐부(211)는 이격 배치되고, 제1 이송부(212)와 제2 이송부(222)도 이격 배치될 수 있다. 그리고 제1 이송부(212)와 제2 이송부(222)는 동일한 방향(제1 방향)으로 기판(W)을 이동시키도록 회전할 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 노즐부(211)는 복수 개의 노즐 장치로 이루어질 수 있으며, 제1 노즐부(211)도 복수 개일 수 있다. 예컨대, 제1 노즐부(211)는 제1-1 노즐부(211a), 제1-2 노즐부(211b), 제1-3 노즐부(211c)를 포함할 수 있다. 그리고 제1-1 노즐부(211a), 제1-2 노즐부(211b), 제1-3 노즐부(211c)는 제1 방향(X축 방향)으로 순차로 배치될 수 있다.
제1-1 노즐부(211a), 제1-2 노즐부(211b), 제1-3 노즐부(211c)는 스팀(steam)을 외부로 분출할 수 있다. 즉, 제1 노즐부(211)는 스팀을 분사하여 기판(W) 주위 환경을 원하는 온도, 습도 등으로 설정할 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 기판(W) 상의 이물질 층(이후 유기물(O))은 기판(W)과의 결합력이 감소될 수 있다.
또한, 제1 노즐부(211)는 스팀 공급부(미도시됨)로부터 스팀을 공급받을 수 있다. 그리고 스팀 공급부(미도시됨)는 스팀을 일정 온도까지 상승하여 가열된 상태로 유지할 수 있다. 즉, 제1 노즐부(211)는 스팀 관(미시됨)을 통해 스팀 공급부(미도시됨)로부터 스팀을 제공받고, 외부로 분사할 수 있다.
또한, 제2 노즐부(221)는 노즐 장치로 이루어질 수 있으며, 복수 개일 수 있다. 예컨대, 제2 노즐부(221)는 제2-1 노즐부(221a), 제2-2 노즐부(221b), 제2-3 노즐부(221c)를 포함할 수 있다. 그리고 제2-1 노즐부(221a), 제2-2 노즐부(221b), 제2-3 노즐부(221c)는 제1 방향(X축 방향)으로 순차로 배치될 수 있다.
그리고 제2-1 노즐부(221a), 제2-2 노즐부(221b), 제2-3 노즐부(221c)는 상술한 스팀 공급부(미도시됨)로부터 스팀을 제공받아 외부로 분출할 수 있다. 그리고 제2 노즐부(221)는 스팀을 기판(W) 상으로 분사하여 기판(W) 상에 존재하는 이물질 층을 타력에 의하여 제거할 수 있다. 즉, 제2 노즐부(221)는 기판(W) 상에 잔류하는 유기물(O)을 제거할 수 있다.
또한, 제2 노즐부(221)는 스팀 공급부(미도시됨)로부터 스팀을 제공받고, 탈이온수(DI)가 저장된 탈이온 공급부(미도시됨)로부터 탈이온수를 추가로 제공받을 수 있다. 더 나아가, 제2 노즐부(221)는 N2, CDA 등의 세정 기체 등을 추가로 제공받을 수 있다. 다만, 이러한 종류에 한정되는 것은 아니다.
그리고 제1 이송부(212)는 제1 스팀부(210) 하부에 배치되어, 로더 장치(10)로부터 이송된 기판(W)을 이동시킬 수 있다. 제1 이송부(212)는 회전하는 복수 개의 이송 롤러로 이루어질 수 있다. 그리고 복수 개의 이송 롤러는 제1 방향(X축 방향)으로 나란히 배치될 수 있으며, 제1 방향(X축 방향)으로 기판(W)을 이송하도록 회전할 수 있다.
그리고 제1 이송부(212)는 제1 노즐부(211)와 이격 배치되어, 기판(W)이 이송 가능한 공간을 형성할 수 있다.
제2 이송부(222)는 제2 스팀부(220) 하부에 배치되어, 제1 이송부(212)를 통해 기판(W)을 제2 스팀부(220) 내부로 이동시킬 수 있다. 제2 이송부(222)는 제1 이송부(212)와 마찬가지로 회전하는 복수 개의 이송 롤러로 이루어질 수 있다. 그리고 복수 개의 이송 롤러는 제1 방향(X축 방향)으로 나란히 배치될 수 있으며, 제1 방향(X축 방향)으로 기판(W)을 이송하도록 회전할 수 있다.
이 때, 제2 이송부(222)는 이송 속도(S2)가 제1 이송부(212)의 이송 속도(S1)와 상이할 수 있다. 여기서, 이송 속도는 이송부에 의해 기판(W)이 이송되는 속도로 정의한다. 실시예로, 제1 이송부(212)와 제2 이송부(222)는 속도 제어부(230)부로부터 이송 속도가 제어될 수 있다.
이에 따라, 제1 이송부(212)의 이송 속도(S1)는 제2 이송부(222)의 이송 속도(S2)보다 작을 수 있다. 그리고 제1 이송부(212)의 제1 방향(X축 방향)으로 길이가 제2 이송부(222)의 제1 방향(X축 방향)으로 길이보다 작더라도, 기판(W)이 제1 이송부(212)와 제2 이송부(222) 내에 존재하는 시간은 서로 같을 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 이송 속도를 조절하여 제1 스팀부(210)와 제2 스팀부(220)의 크기를 용이하게 소형화할 수 있다.
또한, 스팀 장치(20)는 제1 스팀부(210)와 제2 스팀부(220) 사이에 배치되는 이송 터널(T)을 더 포함할 수 있다. 이송 터널(T)은 제1 스팀부(210)와 제2 스팀부(220) 간에 공간적 연결을 제공할 수 있다. 그리고 이러한 이송 터널(T)은 기판(W)이 제1 스팀부(210)에서 제2 스팀부(220)로 이송되는 경로 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 스팀부(210)에서 1차 스팀 처리된 기판(W)이 제2 스팀부(220)으로 이동하여 2차 스팀 처리될 수 있다.
이 때, 이송 터널(T)은 기판(W)이 제1 스팀부(210)에서 제2 스팀부(220)로 이동하는 경우에 열리고, 이외의 경우에는 닫힐 수 있다. 예컨대, 이송 터널(T)에 인접한 제1 이송부(212)에 센서를 설치하고, 센서로부터 무게, 압력 등의 정보를 얻어 기판(W)이 이송 터널(T)에 인접하였는지 판단함으로써, 이송 터널(T)의 열림/닫힘을 제어할 수 있다.
도 15 및 도 16를 참조하면, 전술한 바와 같이, 제1 스팀부(210)에서 제1 노즐부(211)는 기판(W)과 제1 이격 거리(h1)를 가지도록 이격 배치될 수 있다. 이 때, 제1 이격 거리(h1)는 기판(w)과 제1 노즐부(211) 간의 최소 거리이다. 또한, 제1 노즐부(211)는 스팀(steam)을 기판(W) 주위로 분사할 수 있다. 이 때, 제1 노즐부(211)는 기판(W)을 상면을 향해 스팀을 분사할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고 제1 노즐부(211)는 스팀이 주입되는 제1 상면(211-1)과 스팀이 출사되는 제1 하면(211-2)을 포함할 수 있다. 그리고 제1 노즐부(211) 내부에 스팀이 통과하는 제1 관통홀(H1)을 포함할 수 있다. 제1 관통홀(H1)은 제1 노즐부(211)의 제1 상면(211-1)과 제1 하면(211-2)을 관통할 수 있다.
또한, 제1 관통홀(H1)은 위치에 따라 면적이 변할 수 있다. 예컨대, 제1 관통홀(H1)의 면적은 제1 상면(211-1)의 면적인 제1 면적(R1), 제1 하면(211-2)의 면적인 제3 면적(R3) 및 제1 상면(211-1)과 제1 하면(211-2) 사이에서 최소 면적인 제2 면적(R2)을 포함할 수 있다.
이 때, 제1 면적(R1), 제3 면적(R3) 및 제2 면적(R2) 순으로 면적이 감소할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 관통홀(H1)은 면적이 스팀의 유동 방향을 따라 제1 면적(R1)을 유지하다가, 제2 면적(R2)까지 점차 감소할 수 있다. 그리고 제2 면적(R2)에서 제3 면적(S3)으로 면적이 점차 증가할 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 제1 노즐부(211)는 제1 면적(R1)을 유지하여 스팀의 흐름을 안정화할 수 있다. 그리고 제2 면적(R2)까지 면적이 감소하면서 스팀이 압축되어 유속을 증가시킬 수 있다. 그리고 제3 면적(R3)까지 점진적으로 면적이 증가하여 유속이 증가된 유체(즉, 스팀)를 균일하게 외부로 배출할 수 있다.
이에 따라, 제1 노즐부(211)로 분사된 유체는 기판(W)을 향해 이동할 수 있다. 이 때, 유체는 기판(W) 상의 유기물(O) 주위에 위치하여 기판(W) 간의 결합력(K)을 감소시킬 수 있다. 또한, 유체 유기물(O)과 기판(W) 사이에 위치하는 무기물(I)과 유기물(O) 간의 결합력도 저하시킬 수 있다. 여기서, 유기물(O)은 기판(W)이나 무기물(I) 상에 형성된 찌꺼기, 불순물을 포함하는 의미이다.
그리고 제2 스팀부(220)에서 제2 노즐부(221)는 기판(W)과 제2 이격 거리(h2)를 가지도록 이격 배치될 수 있다. 이 때, 제2 이격 거리(h2)는 기판(w)과 제2 노즐부(221) 간의 최소 거리이다.
또한, 제2 노즐부(221)는 스팀(steam)을 기판(W) 주위로 분사할 수 있다. 이 때, 제2 노즐부(221)는 기판(W)을 상면을 향해 스팀을 분사할 수 있다. 그리고 제2 노즐부(221)는 스팀이 주입되는 제2 상면(221-1)과 스팀이 출사되는 제2 하면(221-2)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 노즐부(221) 내부에 스팀이 통과하는 제2 관통홀(H2)을 포함할 수 있다.
제2 관통홀(H2)은 제2 노즐부(221)의 제2 상면(221-1)과 제2 하면(221-2)을 관통할 수 있다. 또한, 제2 관통홀(H2)은 위치에 따라 면적이 변할 수 있다. 예컨대, 제2 관통홀(H2)의 면적은 제2 상면(221-1)의 면적인 제4 면적(R4), 제2 하면(221-2)의 면적인 제6 면적(R6) 및 제2 상면(221-1)과 제2 하면(221-2) 사이에서 최소 면적인 제5 면적(R5)을 포함할 수 있다.
이 때, 제4 면적(R4), 제6 면적(R6) 및 제5 면적(R5) 순으로 면적이 감소할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2 관통홀(H2)은 면적이 스팀의 유동 방향을 따라 제4 면적(R4)을 유지하다가, 제5 면적(R5)까지 점차 감소할 수 있다. 그리고 제5 면적(R5)에서 제6 면적(S6)으로 면적이 점차 증가할 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 제2 노즐부(221)는 제4 면적(R4)을 유지하여 스팀의 흐름을 안정화할 수 있다. 그리고 제5 면적(R5)까지 면적이 감소하면서 스팀이 압축되어 유속을 증가시킬 수 있다. 그리고 제6 면적(R6)까지 점진적으로 면적이 증가하여 유속이 증가된 유체(즉, 스팀)를 균질하게 외부로 배출할 수 있다. 이에 따라, 제2 노즐부(221)로 분사된 유체는 기판(W)을 향해 이동할 수 있다.
다만, 제6 면적(R6)은 상술한 제3 면적(R3)보다 작을 수 있다. 이에 따라, 제1 노즐부(211)에 의한 토출 압력은 제2 노즐부(221)의 토출 압력보다 작을 수 있다. 실시예로, 제1 노즐부(211)에 의한 토출 압력은 제2 노즐부(221)에 의한 토출 압력의 30% 내지 60%일 수 있다. 여기서, 토출 압력은 제1 노즐부(211)와 제2 노즐부(221)를 통해 유체(증기)가 분사되는 압력으로 정의한다.
또한, 일예로 제2 노즐부(221)를 통해 출사되는 유체의 토출 압력은 1.2 kg/cm2 내지 1.5 kg/cm2일 수 있다. 그리고 제1 노즐부(221)를 통해 출사되는 유체의 토출 압력은 1.2 kg/cm2이하일 수 있다. 다만, 이러한 범위에 의해 제한되는 것은 아니다.
이에 따라, 제1 스팀부(210)에서는 기판(W) 주위로 증기를 집중할 수 있고, 제2 스팀부(220)에서는 기판(W)을 향해 유체를 분사하여 기판(W) 상의 유기물(O)에 충돌하여 유기물(O)을 기판(W) 등으로부터 박리(L)시킬 수 있다.
그리고 제2 이격 거리(h2)는 상술한 제1 이격 거리(h1)보다 작을 수 있다. 즉, 제1 노즐부(211)를 통해 분사되는 유체는 기판(W)에 인접하게 되면 충분하나, 제2 노즐부(221)를 통해 분사된 유체는 기판(W) 상에서 소정의 충돌압력을 가질 수 있다. 이로써, 제2 노즐부(221)에서 유체에 의한 유기물(O) 박리 효율이 개선될 수 있다.
또한, 제2 노즐부(221)에 의한 토출 압력을 증가하여 기판(W)과의 충돌압을 증가시킬 수도 있다.
도 17을 참조하면, 제1 노즐부(211)는 회전하여, 기판(W)에 수직한 제1 가상선(RL1)과 이루는 각도(이하 제1 각도, θ1)가 변경될 수 있다. 이와 달리 제2 노즐부(221)는 기판(W)에 수직한 제2 가상선(RL2) 상에 배치될 수 있다. 다만, 제2 노즐부(221)도 제2 가상선(RL2)과 소정의 각도를 가지도록 배치될 수 있다. 다만, 제2 노즐부(221)는 제2 가상선(RL2)과 이루는 각도(이하 제2 각도, θ2)를 일정하게 유지하도록 배치될 수 있다. 즉, 제2 각도는 제1 각도보다 작을 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 복수 개의 제1 노즐부(211)로부터 분사된 유체는 기판(W) 상에 골고루 분사될 수 있다.
이에 따라, 제1 노즐부(211)를 통해 분사되는 유체는 기판(W) 상에서 균일하게 분포될 수 있고, 상술한 바와 같이 기판(W) 상의 유기물(O) 과 기판(W) 간의 결합력을 감소시킬 수 있다.
그리고 제2 노즐부(221)는 제2 각도를 일정하게 유지하므로, 기판(W)상에서 유체가 제2 방향(Y축 방향)으로 동일한 충돌압이 가해질 수 있다. 이로써, 유체에 의해 기판(W)상의 무기물이 박리되거나, 기판(W) 상면에 유체에 의한 손상이 가해지는 것을 방지할 수 있다.
이로써, 실시예에 따른 스팀 장치는 기판(W) 상의 이물질 등을 기판(W)으로부터 용이하게 박리할 수 있으며, 기판(W)에 결함이 발생하는 것을 용이하게 방지할 수 있다. 이에 따라, 최종적으로 기판(W)을 포함하는 전자 장치의 신뢰성이 개선되고 이물질에 의한 오동작이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 실시예에서 사용되는 '~부'라는 용어는 소프트웨어 또는 FPGA(field-programmable gate array) 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미하며, '~부'는 어떤 역할들을 수행한다. 그렇지만 '~부'는 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다. 따라서, 일 예로서 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들, 및 변수들을 포함한다. 구성요소들과 '~부'들 안에서 제공되는 기능은 더 작은 수의 구성요소들 및 '~부'들로 결합되거나 추가적인 구성요소들과 '~부'들로 더 분리될 수 있다. 뿐만 아니라, 구성요소들 및 '~부'들은 디바이스 또는 보안 멀티미디어카드 내의 하나 또는 그 이상의 CPU들을 재생시키도록 구현될 수도 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (10)
- 기판에 스팀을 가하는 스팀 장치에 있어서,
제1 스팀부; 및
상기 제1 스팀부와 이격 배치되는 제2 스팀부를 포함하고,
상기 제1 스팀부는,
상기 기판으로 유체를 분사하는 제1 노즐부; 및
상기 기판을 제1 방향으로 이동시키는 제1 이송부;를 포함하고,
상기 제2 스팀부는,
상기 기판으로 유체를 분사하는 제2 노즐부; 및
상기 기판을 제1 방향으로 이동 시키는 제2 이송부를 포함하고,
상기 제1 노즐부에서 유체의 토출 압력은 상기 제2 노즐부에서 유체의 토출 압력보다 작고,
상기 제2 노즐부는 제1 스팀부재, 제2 스팀부재, 제3 스팀부재 및 제4 스팀부재를 포함하고,
상기 제1 스팀부재는 상기 제2 스팀부재 상부에 배치되고,
상기 제2 스팀부재는 상기 제3 스팀부재 상부에 배치되고,
상기 제3 스팀부재는 상기 제4 스팀부재에 배치되고,
상기 제1 스팀부재는 상기 제2 스팀부재와 상기 제3 스팀부재의 측면을 둘러싸도록 배치되고,
상기 제2 스팀부는 제1 토출홀을 포함하고,
상기 제3 스팀부재는 제2 토출홀을 포함하고,
상기 제4 스팀부재는 제3 토출홀을 포함하고,
상기 제1 토출홀 및 상기 제2 토출홀 각각을 통해 일측으로 토출되는 제1 유체와 제2 유체는 상기 제1 스팀부재를 따라 하부로 이동하고,
상기 제3 토출홀을 지나 타측으로 토출되는 제3 유체는 제4 스팀부재를 따라 하부로 이동하고,
상기 제2 스팀부는 제1 측면, 상기 제1 측면에 마주보는 제2 측면을 포함하고,
상기 제1 측면은 상기 기판이 이동하는 방향에 수직한 방향으로 길이가 제2 측면의 길이보다 작은 스팀 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 노즐부는 상기 기판과 제1 이격 거리만큼 이격 배치되고,
상기 제2 노즐부는 상기 기판과 제2 이격 거리만큼 이격 배치되며,
상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이격 거리보다 작은 스팀 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 노즐부는 상기 기판에 수직한 제1 가상선과 제1 각도를 이루고,
상기 제1 각도는 변경되는 스팀 장치.
- 제3항에 있어서,
상기 제2 노즐부는 상기 기판에 수직한 제2 가상선과 제2 각도를 이루고,
상기 제2 각도는 상기 제1 각도보다 작은 스팀 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1 노즐부는,
유체가 주입되는 제1 상면;
유체가 출사되는 제1 하면; 및
내부에서 상기 제1 상면 및 제1 하면을 관통하는 제1 관통홀;을 포함하는 스팀 장치.
- 제6항에 있어서,
상기 제2 노즐부는,
유체가 주입되는 제2 상면;
유체가 출사되는 제2 하면; 및
내부에서 상기 제2 상면 및 제2 하면을 관통하는 제2 관통홀;을 포함하는 스팀 장치.
- 제7항에 있어서,
상기 제1 하면의 면적은 상기 제2 하면의 면적보다 큰 스팀 장치.
- 제1항에 있어서,
제1 이송부 및 상기 제2 이송부는 상기 기판을 제1 방향으로 이송시키는 복수 개의 이송 롤러를 포함하는 스팀 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 이송부의 이송 속도와 상기 제2 이송부의 이송 속도를 제어하는 속도 제어부;를 더 포함하고,
상기 속도 제어부는 상기 제1 이송부의 이송 속도가 상기 제2 이송부의 이송 속도보다 작게 제어하는 스팀 장치.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2006334585A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Ogura Tekko Kk | 蒸気洗浄用助剤エジェクターノズル |
JP2007194490A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | 処理装置及び処理方法 |
KR100724696B1 (ko) * | 2006-10-12 | 2007-06-04 | 제만호 | 첨단산업 제조설비에서 개선된 세정능력을 갖는 스팀 분사형 습식세정 장치 |
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