JP6417471B2 - 成膜装置及び成膜装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Description
以下本発明を実施の形態1に係る成膜装置1を示す図面に基づいて説明する。図1は成膜装置1の構成を略示する概略図である。
以下本発明を実施の形態2に係る成膜装置1を示す図面に基づいて説明する。図4は成膜装置1の構成を略示する概略図である。供給管10の周囲にはヒータ14が設けられている。また供給管10に温度センサ15が設けられている。
2 チャンバ
10 供給管
14 ヒータ
15 温度センサ
20 基板
50 制御部(プラズマ生成部、温度制御部、供給部)
51 CPU
52 ROM
53 RAM
54 記憶部
55 入力I/F
56 出力I/F
Claims (9)
- 基板に薄膜を形成する成膜処理が行われるチャンバと、
クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、
該クリーニングガス供給部から供給されたクリーニングガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部によってプラズマ化されたクリーニングガスを前記チャンバに供給するための供給管と、
制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記クリーニングガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御して、前記プラズマ化されたクリーニングガスを前記供給管を通じて前記チャンバに供給させ、前記成膜処理において前記チャンバの壁面に付着した堆積物を除去するための第1のクリーニング処理を実行し、
前記第1のクリーニング処理を実行してから、前記第1のクリーニング処理時の前記供給管の到達温度に基づいて設定された所定時間が経過するまでの間に、前記クリーニングガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御して、前記プラズマ化されたクリーニングガスを前記供給管を通じて前記チャンバに供給させ、前記第1のクリーニング処理後に前記供給管に残留した残留物を除去するための第2のクリーニング処理を実行し、
前記所定時間は、前記到達温度となった前記供給管を前記所定時間放置した場合に前記供給管内にパーティクルが発生し始める時間である
成膜装置。 - 前記制御部は、前記プラズマ化されたクリーニングガスの温度が前記到達温度になるように前記プラズマ生成部の駆動を制御する
請求項1に記載の成膜装置。 - 前記供給管には、ヒータが設けられており、
前記制御部は、前記供給管の温度が前記到達温度となるように前記ヒータの駆動を制御する
請求項1又は2に記載の成膜装置。 - 前記制御部は、前記第2のクリーニング処理を実行してから前記所定時間が経過するまでに、前記第2のクリーニング処理を再び実行する
請求項1から3のいずれか一つに記載の成膜装置。 - 前記第2のクリーニング処理時に前記クリーニングガス供給部が供給するクリーニングガスの量は、前記第1のクリーニング処理時に前記クリーニングガス供給部が供給するクリーニングガスの量よりも少ない
請求項1から4のいずれか一つに記載の成膜装置。 - 前記第2のクリーニング処理が実行される前に、前記チャンバの内壁のエッチングを防止するための膜が前記チャンバの内壁に形成される
請求項1から5のいずれか一つに記載の成膜装置。 - 前記供給管には、前記プラズマ化されたクリーニングガスの流路を開閉する開閉弁が設けられており、
前記制御部は、前記第1のクリーニング処理又は前記第2のクリーニング処理を実行する際に前記開閉弁を開け、前記第1のクリーニング処理又は前記第2のクリーニング処理を実行した後に前記開閉弁を閉じるように制御する
請求項1から6のいずれか一つに記載の成膜装置。 - 前記到達温度は、100℃以上200℃以下の温度であり、
前記所定時間は、5時間以上6時間以下の時間であること
を特徴とする請求項1から7のいずれか一つに記載の成膜装置。 - 基板に薄膜を形成する成膜処理が行われるチャンバと、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、該クリーニングガス供給部から供給されたクリーニングガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、前記プラズマ生成部によってプラズマ化されたクリーニングガスを前記チャンバに供給するための供給管とを備える成膜装置のクリーニング方法であって、
前記プラズマ化されたクリーニングガスを前記供給管を通じて前記チャンバに供給し、前記成膜処理において前記チャンバの壁面に付着した堆積物を除去するための第1のクリーニング処理を実行し、
前記第1のクリーニング処理を実行してから、前記第1のクリーニング処理時の前記供給管の到達温度に基づいて設定された所定時間が経過するまでの間に、前記プラズマ化されたクリーニングガスを前記供給管を通じて前記チャンバに供給し、前記第1のクリーニング処理後に前記供給管に残留した残留物を除去するための第2のクリーニング処理を実行し、
前記所定時間は、前記到達温度となった前記供給管を前記所定時間放置した場合に前記供給管内にパーティクルが発生し始める時間である
成膜装置のクリーニング方法。
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