JP6415643B2 - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6415643B2 JP6415643B2 JP2017116619A JP2017116619A JP6415643B2 JP 6415643 B2 JP6415643 B2 JP 6415643B2 JP 2017116619 A JP2017116619 A JP 2017116619A JP 2017116619 A JP2017116619 A JP 2017116619A JP 6415643 B2 JP6415643 B2 JP 6415643B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- polishing
- temperature
- contact member
- polishing pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 454
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 166
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 143
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 140
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 34
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 25
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 22
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 8
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/015—Temperature control
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/14—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the temperature during grinding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/025—Interfacing a pyrometer to an external device or network; User interface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/48—Thermography; Techniques using wholly visual means
- G01J5/485—Temperature profile
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
特許文献1において提案されたパッド接触部材は、研磨レート向上を重視してより素早く研磨パッドの表面温度を目標温度に上昇させるために、レイアウト上可能な限り接触面積を大きくとるようにしている。すなわち、パッド接触部材は、半径方向において研磨パッドの外周部から研磨パッドの中心近傍まで延び、またパッド接触部材の幅は、研磨中における研磨パッドの表面の半径方向に沿った温度勾配を想定して、研磨パッドの外周側で大きく、研磨パッドの中心に向かって徐々に小さくなっている。したがって、パッド接触部材は、概略三角形の平面形状を有し、内部に液体流路を有した板状体になっている。
研磨レート向上を重視して素早く研磨パッドの表面を昇温させるために、レイアウト上可能な限りパッド接触部材の接触面積を大きく取っていたため、研磨パッド全体としては素早く昇温するが、研磨パッドの温度分布は、研磨パッドの外周部の温度上昇が中央部の温度上昇に比べて大きいものであった。そのため、パッド接触部材で研磨パッドを全体として昇温させることができるため、研磨レートは向上したが、研磨プロファイルが凹型に崩れることが判明した。すなわち、基板の被研磨面の中央部が外周部より削られるため、中央部が凹むという問題がある。研磨パッドを昇温しない場合には、研磨プロファイルが凹型に崩れることはなく、したがって、研磨パッドの半径方向温度分布や基板が研磨中に受ける温度の履歴をパッド接触部材無しのものに似せる必要があることが判明した。
本発明の好ましい態様によれば、前記パッド接触部材の内部には、複数の流路が設けられていることを特徴とする。
本発明の実施形態によれば、前記研磨パッドの表面の半径方向における温度プロファイルは、前記研磨パッドの表面の半径方向における温度分布である。
本発明の実施形態によれば、前記研磨パッドの表面の半径方向における温度プロファイルは、前記研磨パッドの半径方向に複数のエリアを定義し、前記研磨パッドの温度測定ポイントをエリア毎に少なくとも1点設け、前記温度測定ポイントで測定された測定値を用いて作成する。
本発明の実施形態によれば、前記研磨工程中、前記研磨パッドの表面の半径方向における温度プロファイルの温度変化率に応じて、前記研磨パッドの表面温度を調整する前記研磨パッドの領域の部分を可変とする。
本発明の実施形態によれば、前記研磨パッドの表面温度を調整する部分は、前記研磨パッドの半径方向に同心円環状の複数のエリアを規定し、規定した複数のエリアのうち少なくとも1つのエリアである。
本発明の実施形態によれば、前記基板の研磨中に、前記研磨パッドの表面の半径方向における温度プロファイルを作成する。
本発明の実施形態によれば、前記研磨パッドの表面の半径方向における温度プロファイルの温度変化率は、前記研磨パッドの温度測定ポイント毎に算出する。
本発明の実施形態によれば、前記研磨パッドの温度測定は、サーモグラフィーまたは、放射温度計で行う。
本発明の実施形態によれば、前記バルブの切り替え時には、前記パッド接触部材および配管内に残った冷水を排水した後に、前記パッド接触部材に温水を供給する。
1)研磨パッドの表面温度を調整することにより研磨レートを向上させつつ研磨プロファイルをコントロールすることが可能となる。
2)基板の被研磨膜の膜厚を測定することなく、研磨パッドの表面温度を測定するという方法により得られたデータを基に被研磨膜の研磨プロファイルを調節することができる。
3)パッド接触部材の領域毎に供給する液体の流量差を付けることにより基板の温度履歴をコントロールできる。また、パッド接触部材を移動させて研磨パッドの温度を調整することにより基板の温度履歴をコントロールできる。
図1は、本発明の一実施形態に係る研磨装置を示す模式図である。図1に示すように、研磨装置は、半導体ウエハなどの基板を保持して回転させるトップリング1と、研磨パッド3を支持する研磨テーブル2と、研磨パッド3の表面に研磨液(例えばスラリー)を供給する研磨液供給機構4と、研磨パッド3の表面温度を調整するパッド温度調整機構5とを備えている。
本発明者らは、特許文献1に記載されているパッド接触部材を用いて加熱領域を種々変更することにより、図1に示す形態のパッド接触部材11を創案したものであり、以下にこの創案の過程を説明する。
図3(a)は、従来のパッド接触部材111、研磨パッド3および研磨対象の基板(ウエハ)Wを示す図である。図3(b)は図3(a)のパッド接触部材111を示す斜視図であり、図3(c)は図3(b)に示すパッド接触部材111の内部に形成された流路構成を示す平面図である。
図3(b)に示すように、パッド接触部材111は、研磨パッド3の表面に接触する接触面を有する板部材115と、内部に液体の流路が形成された流路形成部材116とを備えている。板部材115は、流路形成部材116の下部に固定されている。流路形成部材116の上面には、液体流入口123と液体流出口124とが形成されている。
図4(a)に示すように、パッド接触部材111に元々形成されていた液体流入口(図ではIN(オリジナル)で示す)および液体流出口(図ではOUT(オリジナル)で示す)に加えて、1つの液体流入口(図ではIN(追加工)で示す)と2つの液体流出口(図ではOUT(追加工)で示す)を形成する。
図5(a),(b),(c)において、Referenceはパッド接触部材なしの場合であり、Original Slider(3.5)は図3に示す従来型のパッド接触部材を用いた場合であり、Sealed Slider(3.5)およびSealed Slider(7.0)は図4(a),(b)に示す改良型のパッド接触部材を用いた場合である。Sealed Slider(3.5)は液体を3.5リットル/分だけ流し、Sealed Slider(7.0)は液体を7.0リットル/分だけ流した場合であり、どちらもIN(追加工)から液体を入れて、2つのOUT(追加工)の両方から液体を排出する。
すなわち、研磨パッドの半径方向における所定の領域を温度調整(加熱)することにより、パッド接触部材無しの場合の研磨パッド表面の半径方向における温度プロファイルを基準として、研磨パッド表面の半径方向各点における温度上昇度(温度変化率)を研磨パッドの半径方向に亘って一定とすることができることがわかった。
図6(a)に示すように、本発明のパッド接触部材11は、概略台形状の平面形状を有し、内部に液体流路を有した板状体になっている。すなわち、パッド接触部材11は、上辺11aと下辺11bと両側辺11s,11sとを有し、上辺11aと下辺11bとが平行な概略台形状の平面形状を有している。なお、パッド接触部材11の上辺11aの左右の端部側が中央部に対して傾斜した辺11al,11arになっているため、パッド接触部材11の平面形状は、変形六角形というべきものである。
図6(a)に示すように、本発明のパッド接触部材11は、内部に液体の流路が形成されるとともに研磨パッド3の表面に接触する下面を有する流路形成部材12と、流路形成部材12の上面に固定される板部材13とから構成されている。板部材13の上面には、液体流入口15と液体流出口16とが形成されている。
図7において、現行シールは、図5において説明したSealed Slider(3.5)を用いた場合を示し、変形六角は、図6(a),(b)に示す本発明のパッド接触部材11を用いた場合を示す。
新型0mmは、パッド接触部材11の下辺11bの中央が同心円C1と一致するようにパッド接触部材11を配置した場合である。新型50mmは、パッド接触部材11の下辺11bの中央が同心円C1から50mmだけ半径方向外側にシフトした同心円C2と一致するようにパッド接触部材11を配置した場合である。新型100mmは、パッド接触部材11の下辺11bの中央が同心円C1から100mmだけ半径方向外側にシフトした同心円C3と一致するようにパッド接触部材11を配置した場合である。
図8(a)から明らかなように、パッド接触部材を使用しないRefスライダー無しの場合と比較して、パッド接触部材を使用した新型0mm、新型50mm、新型100mmの場合は、いずれも研磨レートが高くなっている。基板の半径方向位置が±140mm付近すなわち基板のエッジ部での研磨レートは、Refスライダー無しの場合と、新型0mm、新型50mm、新型100mmの場合とで同様の分布形状を示しているため、パッド接触部材の基板の研磨プロファイルへの影響は少ないと考えられる。一方、基板の中央部においては、研磨レートは新型0mmが一番高く、次に新型50mmで一番低いのは新型100mmであることから、パッド接触部材の設置位置が、基板の中央部の研磨プロファイルに影響を与えることがわかる。ここでは新型50mmの研磨レート分布が、Refスライダー無しの場合の分布に一番近いものになっており、基板の研磨プロファイルもより平坦になっている。
図8(b)〜(d)から明らかなように、パッド接触部材を用いていない場合よりもパッド接触部材を用いた場合の方が研磨パッドの温度が高くなり、温度上昇の場所がパッド接触部材の設置場所の移動に沿って変化しているが、いずれの場合も研磨パッドの半径方向位置が230mmを超えると温度比は1以下になり外周部に近づくにつれて温度が下がっていることがわかる。新型0mm、50mm、100mmのうちでは、図8(b)に示す新型50mmの研磨パッドの温度比分布がパッド接触部材が無い場合(Ref)の分布に一番近いものになっている。
図8(e)は、基板(ウエハ)の中心が接触する部分における研磨パッドの温度の時間的変化を示している。新型0mm,50mm,100mmの場合の温度変化は、わずかな差はあるものの重なりあうように同じ変化を示しており、Refの場合の温度変化と同様の変化を示している。
図10(a)は、研磨パッド3と基板(ウエハ)Wとパッド接触部材11とを示す斜視図である。図10(a)に示すように、研磨パッド3は自身の中心O1の周りに回転し、研磨パッド3に摺接する基板Wは自身の中心O2の周りに回転する。研磨パッド3上には中心O1の周りに4つの同心円C1,C2,C3,C4が描かれている。研磨パッド3の表面はパッド接触部材11により加熱されているため、図10(a)の上部のグラフに示すように、研磨パッド3の表面温度は研磨パッド3上の半径位置によって異なる。基板Wが研磨パッド3の表面に接触している面である被研磨面上の各点は、基板Wが一回転する間に表面温度がそれぞれ異なる研磨パッド3上の半径位置の各点と接触する。
このように基板が研磨パッドから受ける熱量を算出し、算出された熱量から基板の回転に伴う熱量積算値を基板の半径方向位置毎に算出して基板の半径方向における熱量積算値プロファイルを得る。熱量積算値プロファイルを研磨パッドの表面温度を調整するエリア毎に作成し蓄積し、基準となるパッド接触部材を使用しない場合の熱量積算値プロファイルと比較し、基準となる熱量積算値プロファイルに一番近いプロファイルを蓄積した熱量積算値プロファイルから選択し、選択された熱量積算値プロファイルに基づいて研磨パッドの表面温度を調整するエリアを決定する。
図11(a),(b),(c)において、Refスライダー無し,新型0mm,新型50mm,100mmは、それぞれ図9において説明したとおりである。また、図11(a)は、図8(a)と同様のグラフである。
図11(b)に基板の半径方向位置における温度履歴積分値を示す。図11(b)から温度履歴積分値は、基板の中心に近い部分では新型0mmの場合が高く、半径Rが約50〜80mmの範囲では新型50mmの場合が高く、半径Rが約80mm以上の範囲では新型100mmの場合が高くなっている。図11(c)は、図11(b)のデータを標準化したものである。
図11(c)に示す標準化されたデータから明らかなように新型50mmを用いる場合がRefスライダー無しの場合に最も近似させることができることがわかる。研磨レートを向上させるという観点からは基板の中央部の温度が高い新型0mmを用いた場合が特に高いので、パッド接触部材の設置場所を新型0mmに確保しつつ基板の半径方向外方の温度をさらに上昇させればよいと考えられる。
図12(a)に示すパッド接触部材11は、概略台形状の平面形状であったが、図12(b)に示すパッド接触部材11は、概略六角形状の平面形状をしている。すなわち、図12(b)に示すパッド接触部材11は、上辺11aと下辺11bと両側辺11s,11sとを有している。両側辺11s,11sは、上辺11aの両端から上辺11aに対して概略直交して研磨パッド3の外周側に延びる第1側辺11s1,11s1と、該第1側辺11s1,11s1の端部から内側に折曲された第2側辺11s2,11s2とを有している。したがって、パッド接触部材11は概略六角形状の平面形状を有している。なお、上辺11aは、図11(a)に示すものと同様に左右の端部側が中央部に対して傾斜した辺11al,11arになっているため、変形八角形というべきものである。
図13(a)に示すパッド接触部材11においては、内部に設けられた複数の仕切り14は横方向に延び、各仕切り14の一端部は外枠に接続されており、これら仕切り14によって幾重にも折れ曲がった一本のジグザグ流路を形成している。液体は、流入口(IN)より流入し、ジグザグ流路を流れて流出口(OUT)より流出する。
図13(b)に示すパッド接触部材11においては、内部に設けられた複数の仕切り14は縦方向に延び、各仕切り14の一端部は外枠に接続されており、これら仕切り14によって幾重にも折れ曲がった一本のジグザグ流路を形成している。液体は、流入口(IN)より流入し、ジグザグ流路を流れて流出口(OUT)より流出する。
図13(c)に示すパッド接触部材11においては、内部に横方向に延びる第1仕切り14Aが設けられており、第1仕切り14Aの両端は外枠に接続されている。すなわち、パッド接触部材11の内部は第1仕切り14Aによって上下2つの空間(エリア)に仕切られている。そして、上下の空間には、それぞれ縦方向に延びる複数の第2仕切り14Bが設けられ、各第2仕切り14Bの一端部は外枠又は第1仕切り14Aに接続されている。したがって、上下の空間には、それぞれ複数の仕切り14Bによって幾重にも折れ曲がった一本のジグザグ流路が形成されている。液体は、上下の空間に形成された2つの流入口(IN)より流入し、並列する2つのジグザグ流路を流れて2つの流出口(OUT)より流出する。
図14(b)は、図14(a)のデータを標準化したものである。図14(b)に示す標準化されたデータから明らかなように新型0mm+100mmを用いる場合の標準化した温度履歴積分値のプロファイルも新型50mmの場合と同様にRefスライダー無しの場合の標準化した温度履歴積分値のプロファイルに近似させることができることがわかる。
パッド接触部材11は、パッド接触部材11の下辺11bの中央が研磨パッドの円(半径:290mm)と一致するように配置されている。
図15(a)に種々のパッド接触部材を用いた場合の基板半径方向位置と基板表面が受ける温度履歴積分値の関係を示す。
本発明の他の実施形態におけるパッド接触部材11のうち、図13(a)に示すパッド接触部材を用いた場合を横流れと称し、図13(b)に示すパッド接触部材を用いた場合を縦流れと称し、図13(c)に示すパッド接触部材を用いた場合を3種類に分けてセンターのみ、エッジのみ、両方と称する。センターのみとは、第1仕切り14Aによって仕切られる空間のうち研磨パッドの中央側の空間に形成された流路のみ温水が流れるようにした場合であり、エッジのみとは、第1仕切り14Aによって仕切られる空間のうち研磨パッドの外周側の空間に形成された流路のみ温水が流れるようにした場合であり、両方とは、第1仕切り14Aによって仕切られる空間の両方に温水が流れるようにした場合である。さらに、新型0mmの場合を示しているが、新型0mmは、図6において説明した形状のパッド接触部材を図8で説明した場所に設置した場合である。いずれの場合もパッド接触部材に流す温水の流量は5.0リットル/分である。
図15(b)は、両方、センターのみ、エッジのみの場合の研磨パッド半径方向位置における研磨パッドの温度を示している。図15(b)から明らかなように、エッジのみの場合には研磨パッド半径方向位置が約150mm付近から研磨パッドの温度が上昇し始め約250mm付近で温度上昇の山が見られる。センターのみの場合は、研磨パッド半径方向位置が約80mmになると研磨パッドの温度上昇が始まり、約150mm付近から最大温度になり研磨パッド半径方向位置が約200mmになると下がり始める。両方の場合は、センターのみの場合とエッジのみの場合の特長を合わせたような曲線となり、研磨パッドの一定高温状態が長く続く。
図15(c)は、両方、横流れ、縦流れの場合の研磨パッド半径方向位置における研磨パッドの温度を示している。図15(c)から明らかなように、いずれの場合においても研磨パッドの温度は同じような温度変化曲線となるが、研磨パッド半径方向位置が170mm以上の範囲では、横流れ、縦流れより両方の場合の方がわずかに研磨パッドの温度が高くなる。横流れ、縦流れの場合はパッド接触部材の全体に温水が供給されるがパッド接触部材の設置場所を変更することによって研磨パッドの温度を調節することができる。
図15に示す結果は、いずれの場合も温水の流量が5リットル/分であるので、第1仕切り14Aによって仕切られる2つの空間にそれぞれ異なる流量の温水を流すことにより研磨パッドの温度を調節することができる。また、流す液体の温度を変えることにより研磨パッドの温度を調節することができる。
図20(a)は、パッド接触部材11に温水と冷水とを選択的に供給するための液体供給システムを示す図である。図20(a)は図2に示す液体供給システムを簡略化した図である。図20(a)に示すように、供給ライン32にはバルブV1が設置されており、温水はバルブV1を介してパッド接触部材11に供給されるようになっている。供給ライン32を流れる温水はバルブV2を介して液体供給タンク31(図2参照)に戻り、温水循環可能になっている。冷水ライン41にはバルブV3が設置されており、冷水はバルブV3を介してパッド接触部材11に供給されるようになっている。戻りライン33には、バルブV4が設置されており、パッド接触部材11に供給された温水はバルブV4を介して液体供給タンク31(図2参照)に戻るようになっている。戻りライン33を流れる冷水はバルブV5を介して排水可能になっている。以上のように、バルブV1は温水供給用バルブ、バルブV2は温水循環用バルブ、バルブV3は冷水供給用バルブ,バルブV4は温水戻り用バルブ,バルブV5は排水用バルブである。
図21(a)は、研磨パッド3の表面温度の変化を示す図であり、横軸は時間を示し、縦軸は研磨パッド3の表面温度を示し、縦軸には、研磨パッド3の表面の設定温度Ts1,Ts2が記載されている。
図21(a)に示すように、研磨パッド3の現在温度が設定温度Ts2より低い場合、すなわち、設定温度>現在温度である場合、温水供給を開始する(Step1開始)。そして、研磨パッド3の現在温度が設定温度Ts1より高くなった場合、すなわち設定温度<現在温度である場合、冷水供給を開始する(Step2開始)。
2 研磨テーブル
3 研磨パッド
4 研磨液供給機構
5 パッド温度調整機構
11 パッド接触部材
11a 上辺
11al,11ar 辺
11b 下辺
11s1 第1側辺
12 流路形成部材
13 板部材
14 仕切り
14A 第1仕切り
14B 第2仕切り
15 液体流入口
16 液体流出口
30 液体供給システム
31 液体供給タンク
32 供給ライン
32A,32B 供給ライン
33 戻りライン
35 レギュレータ
36 圧力計
37 流量計
39 放射温度計
40 温度コントローラ
41 冷水ライン
42 排水ライン
43 電空レギュレータ
50 CMPコントローラ
52 エアシリンダー
53 モータ
54 アーム
55 モータ
56 モータコントローラ
57 放射温度計
58 主コントローラ
61A 比例制御弁
61B 比例制御弁
62 温度コントローラ
63 電源装置
103 研磨パッド
111 パッド接触部材
115 板部材
116 流路形成部材
118 仕切り
121 第1の液体流路
122 第2の液体流路
123 液体流入口
124 液体流出口
125 バッフル
126 シール部材
127 シール部材
V1〜V5 バルブ
Claims (8)
- 研磨テーブル上の研磨パッドに基板を押圧して基板を研磨する研磨装置において、
前記研磨テーブル上の前記研磨パッドに前記基板を押し付けるトップリングと、
前記研磨パッドの表面に接触して研磨パッドを加熱又は冷却するパッド接触部材と、
温度調整された液体を前記パッド接触部材に供給する液体供給システムとを備え、
前記液体供給システムは、
温水を供給する温調機と、
前記温調機から供給される温水を前記パッド接触部材に供給する温水供給ラインと、
冷水を前記パッド接触部材に供給する冷水供給ラインと、
前記温水供給ラインに設けられた第一のバルブと、
前記冷水供給ラインに設けられた第二のバルブとを有し、
前記第一のバルブと前記第二のバルブとを切り替えることにより前記温水と前記冷水を選択的に前記パッド接触部材に供給し、
前記液体供給システムは、前記パッド接触部材に供給した温水を前記温調機に戻す戻りラインと、前記パッド接触部材に供給した液体を排出する排出ラインをさらに有し、前記戻りラインには第三のバルブが設けられ、前記排出ラインには第四のバルブが設けられていることを特徴とする研磨装置。 - 回転可能な研磨テーブル上の研磨パッドに基板を押圧して基板を研磨する研磨装置において、
前記研磨テーブル上の前記研磨パッドに前記基板を押し付けるトップリングと、
前記研磨パッドの表面に前記研磨パッドの上から接触して研磨パッドを加熱又は冷却するパッド接触部材と、
温度調整された液体を前記パッド接触部材に供給する液体供給システムとを備え、
前記パッド接触部材は研磨パッドの半径方向に仕切られた複数のパッド接触部からなり、該複数のパッド接触部は研磨パッドの周縁部と中心部との間に研磨パッドの半径方向に並んで配置され、該複数のパッド接触部は研磨パッドの表面の半径方向の領域毎に接触して研磨パッドの半径方向温度を領域毎に制御するように構成され、
前記液体供給システムは、
温水を供給する温調機と、
前記温調機から供給される温水を供給する複数の温水供給ラインと、
冷水を供給する複数の冷水供給ラインと、
前記複数の温水供給ラインの1本と前記複数の冷水供給ラインの1本とが合流する合流点が複数あり、該複数の合流点にそれぞれ設けられた複数の制御弁とを有し、
前記複数の制御弁は、前記温水供給ラインから供給された前記温水と前記冷水供給ラインから供給された前記冷水との混合比を個別に変えて液体の温度を調整し、個別に温度調整された液体を前記複数のパッド接触部にそれぞれ供給することにより、該複数のパッド接触部は研磨パッドの半径方向温度を領域毎に制御することを特徴とする研磨装置。 - 前記温水から前記冷水への切り替えるときには、前記温水から前記冷水に切り替えた後、所定の遅れを持たせて前記第三のバルブを開から閉へ切り替え前記第三のバルブを閉じることを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
- 前記冷水から前記温水への切り替えるときには、前記冷水から前記温水に切り替えた後、所定の遅れを持たせて前記第四のバルブを開から閉へ切り替え前記第四のバルブを閉じることを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
- 前記パッド接触部材の内部には、複数の流路が設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記パッド接触部材は複数のパッド接触部材からなり、前記複数のパッド接触部材は、前記研磨パッドの半径方向に並置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記研磨パッドの表面温度を測定する温度計と、
前記研磨パッドの表面温度を制御する温度コントローラをさらに備え、
前記温度コントローラは、前記温度計で測定された前記研磨パッドの表面温度を監視し、前記監視した研磨パッドの表面温度と設定温度の比較結果に基づいて前記パッド接触部材に前記温水または前記冷水の供給を開始するように制御することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記設定温度には、制御上限値と制御下限値が設けられており、
前記温度コントローラは、前記研磨パッドの表面温度が前記制御上限値に達した時または前記制御下限値まで下がった時に前記パッド接触部材に前記冷水または前記温水の供給を開始するように制御することを特徴とする請求項7記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017116619A JP6415643B2 (ja) | 2013-08-27 | 2017-06-14 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013175471A JP6161999B2 (ja) | 2013-08-27 | 2013-08-27 | 研磨方法および研磨装置 |
JP2017116619A JP6415643B2 (ja) | 2013-08-27 | 2017-06-14 | 研磨装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013175471A Division JP6161999B2 (ja) | 2013-08-27 | 2013-08-27 | 研磨方法および研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017193048A JP2017193048A (ja) | 2017-10-26 |
JP6415643B2 true JP6415643B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=52668358
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013175471A Active JP6161999B2 (ja) | 2013-08-27 | 2013-08-27 | 研磨方法および研磨装置 |
JP2017116619A Active JP6415643B2 (ja) | 2013-08-27 | 2017-06-14 | 研磨装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013175471A Active JP6161999B2 (ja) | 2013-08-27 | 2013-08-27 | 研磨方法および研磨装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9782870B2 (ja) |
JP (2) | JP6161999B2 (ja) |
KR (2) | KR102232431B1 (ja) |
CN (2) | CN110076683B (ja) |
SG (1) | SG10201405189QA (ja) |
TW (3) | TWI658897B (ja) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG10201606197XA (en) * | 2015-08-18 | 2017-03-30 | Ebara Corp | Substrate adsorption method, substrate holding apparatus, substrate polishing apparatus, elastic film, substrate adsorption determination method for substrate holding apparatus, and pressure control method for substrate holding apparatus |
JP6580939B2 (ja) * | 2015-10-20 | 2019-09-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
KR102569631B1 (ko) * | 2015-12-18 | 2023-08-24 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법 |
US10420154B2 (en) * | 2016-02-10 | 2019-09-17 | Qualcomm Incorporated | Providing a system information block request and response |
US10414018B2 (en) * | 2016-02-22 | 2019-09-17 | Ebara Corporation | Apparatus and method for regulating surface temperature of polishing pad |
JP6929072B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2021-09-01 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの表面温度を調整するための装置および方法 |
KR101722555B1 (ko) * | 2016-03-08 | 2017-04-03 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마장치 및 방법 |
US10388537B2 (en) * | 2016-04-15 | 2019-08-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning apparatus, chemical mechanical polishing system including the same, cleaning method after chemical mechanical polishing, and method of manufacturing semiconductor device including the same |
JP6752657B2 (ja) * | 2016-08-23 | 2020-09-09 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
JP2018122406A (ja) | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの表面温度を調整するための熱交換器、研磨装置、研磨方法、およびコンピュータプログラムを記録した記録媒体 |
KR102232984B1 (ko) * | 2017-03-02 | 2021-03-29 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마장치 |
JP6923342B2 (ja) * | 2017-04-11 | 2021-08-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、及び、研磨方法 |
KR102370992B1 (ko) * | 2017-05-25 | 2022-03-07 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
CN107088825A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-08-25 | 上海华力微电子有限公司 | 化学机械研磨机台、温度控制系统及其温度控制方法 |
US10350724B2 (en) * | 2017-07-31 | 2019-07-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Temperature control in chemical mechanical polish |
KR102591901B1 (ko) | 2017-10-31 | 2023-10-20 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 패드의 연마면의 온도를 조정하기 위한 열교환기, 해당 열교환기를 구비한 연마 장치, 해당 열교환기를 사용한 기판의 연마 방법 및 연마 패드의 연마면의 온도를 조정하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
JP7059117B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2022-04-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの研磨面の温度を調整するための熱交換器、該熱交換器を備えた研磨装置、該熱交換器を用いた基板の研磨方法、および研磨パッドの研磨面の温度を調整するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
CN107962452A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-04-27 | 李三源 | 一种具有加工刀更换功能的车床 |
JP2019102473A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置における電流調整方法 |
JP6896598B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2021-06-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの温度を調整するためのパッド温調機構および研磨装置 |
JP6975078B2 (ja) | 2018-03-15 | 2021-12-01 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US10875148B2 (en) | 2018-06-08 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus and methods for chemical mechanical polishing |
US11787007B2 (en) * | 2018-06-21 | 2023-10-17 | Illinois Tool Works Inc. | Methods and apparatus to control a fluid dispenser on a metallurgical specimen preparation machine |
WO2020005749A1 (en) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Applied Materials, Inc. | Temperature control of chemical mechanical polishing |
US12017322B2 (en) * | 2018-08-14 | 2024-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing method |
JP7066599B2 (ja) * | 2018-11-28 | 2022-05-13 | 株式会社荏原製作所 | 温度調整装置及び研磨装置 |
TWI838459B (zh) * | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 化學機械拋光裝置及化學機械拋光方法 |
TWI771668B (zh) | 2019-04-18 | 2022-07-21 | 美商應用材料股份有限公司 | Cmp期間基於溫度的原位邊緣不對稱校正 |
KR20220003644A (ko) | 2019-05-29 | 2022-01-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학적 기계적 연마 시스템을 위한 수증기 처리 스테이션들 |
US11628478B2 (en) | 2019-05-29 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Steam cleaning of CMP components |
US11633833B2 (en) | 2019-05-29 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Use of steam for pre-heating of CMP components |
JP7217202B2 (ja) | 2019-05-31 | 2023-02-02 | 株式会社荏原製作所 | 温度調整装置および研磨装置 |
US11897079B2 (en) | 2019-08-13 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Low-temperature metal CMP for minimizing dishing and corrosion, and improving pad asperity |
JP7397617B2 (ja) * | 2019-10-16 | 2023-12-13 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
JP7236990B2 (ja) | 2019-12-09 | 2023-03-10 | 株式会社荏原製作所 | パッドの表面温度を調整するためのシステムおよび研磨装置 |
JP7421413B2 (ja) * | 2020-05-08 | 2024-01-24 | 株式会社荏原製作所 | パッド温度調整装置、パッド温度調整方法、および研磨装置 |
US11693435B2 (en) | 2020-06-25 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Ethercat liquid flow controller communication for substrate processing systems |
JP2023518650A (ja) | 2020-06-29 | 2023-05-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械研磨のための蒸気発生の制御 |
EP4171873A4 (en) | 2020-06-29 | 2024-07-24 | Applied Materials Inc | TEMPERATURE AND SLURRY FLOW RATE CONTROL IN CMP |
US11577358B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Gas entrainment during jetting of fluid for temperature control in chemical mechanical polishing |
KR20220156633A (ko) | 2020-06-30 | 2022-11-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Cmp 온도 제어를 위한 장치 및 방법 |
JP2022149635A (ja) | 2021-03-25 | 2022-10-07 | 株式会社荏原製作所 | パッド温度調整装置、および研磨装置 |
USD1015344S1 (en) * | 2021-07-23 | 2024-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display screen or portion thereof with transitional graphical user interface |
USD1000473S1 (en) * | 2021-07-23 | 2023-10-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display screen or portion thereof with transitional graphical user interface |
USD1012947S1 (en) * | 2021-07-23 | 2024-01-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display screen or portion thereof with transitional graphical user interface |
USD1001155S1 (en) * | 2021-07-23 | 2023-10-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display screen or portion thereof with transitional graphical user interface |
USD997189S1 (en) * | 2021-07-23 | 2023-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device with transitional graphical user interface |
CN116638429B (zh) * | 2023-06-20 | 2024-01-16 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 一种可调式晶圆边缘抛光装置 |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4313284A (en) * | 1980-03-27 | 1982-02-02 | Monsanto Company | Apparatus for improving flatness of polished wafers |
US4450652A (en) * | 1981-09-04 | 1984-05-29 | Monsanto Company | Temperature control for wafer polishing |
JPS6113631A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Toshiba Mach Co Ltd | 研磨機の温度制御装置および温度制御方法 |
JP2674665B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1997-11-12 | 住友電気工業株式会社 | 半導体ウェーハの研削装置 |
US5127196A (en) * | 1990-03-01 | 1992-07-07 | Intel Corporation | Apparatus for planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate |
JPH0699350A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Toshiba Mach Co Ltd | 定盤の温度制御方法 |
US5607718A (en) * | 1993-03-26 | 1997-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing method and polishing apparatus |
JP2850803B2 (ja) * | 1995-08-01 | 1999-01-27 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ研磨方法 |
JPH09123057A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-13 | Sony Corp | 基板研磨装置 |
TW311243B (en) * | 1996-07-25 | 1997-07-21 | Ind Tech Res Inst | Method for detecting thickness polished by chemical mechanical polish and apparatus thereof |
JP3672685B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2005-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
TW396085B (en) * | 1997-07-16 | 2000-07-01 | Ind Tech Res Inst | Method and apparatus for chemical mechanical polishing (CMP) with temperature compensation |
US5957750A (en) * | 1997-12-18 | 1999-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates |
JP3693483B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2005-09-07 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
US20050118839A1 (en) * | 1999-04-23 | 2005-06-02 | Industrial Technology Research Institute | Chemical mechanical polish process control method using thermal imaging of polishing pad |
EP1602444B1 (en) * | 2000-01-31 | 2008-03-12 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Polishing method |
US20020009953A1 (en) * | 2000-06-15 | 2002-01-24 | Leland Swanson | Control of CMP removal rate uniformity by selective heating of pad area |
US6488571B2 (en) * | 2000-12-22 | 2002-12-03 | Intel Corporation | Apparatus for enhanced rate chemical mechanical polishing with adjustable selectivity |
TW541224B (en) * | 2001-12-14 | 2003-07-11 | Promos Technologies Inc | Chemical mechanical polishing (CMP) apparatus with temperature control |
US20030119427A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Misra Sudhanshu Rid | Temprature compensated chemical mechanical polishing apparatus and method |
US6896586B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-24 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for heating polishing pad |
JP2004042217A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Ebara Corp | 研磨方法、研磨装置および研磨工具の製造方法 |
US7169014B2 (en) * | 2002-07-18 | 2007-01-30 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses for controlling the temperature of polishing pads used in planarizing micro-device workpieces |
US20060226123A1 (en) * | 2005-04-07 | 2006-10-12 | Applied Materials, Inc. | Profile control using selective heating |
US7201634B1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-04-10 | Infineon Technologies Ag | Polishing methods and apparatus |
JP4787063B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2011-10-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
US8152594B2 (en) * | 2007-01-30 | 2012-04-10 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JP4902433B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2012-03-21 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置の研磨面加熱、冷却装置 |
DE102007041209B4 (de) * | 2007-08-31 | 2017-11-23 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Polierkopf, der Zonenkontrolle verwendet |
DE102007063232B4 (de) * | 2007-12-31 | 2023-06-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Verfahren zum Polieren eines Substrats |
US8172641B2 (en) * | 2008-07-17 | 2012-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMP by controlling polish temperature |
US8439723B2 (en) * | 2008-08-11 | 2013-05-14 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polisher with heater and method |
JP2010183037A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
US20100279435A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Applied Materials, Inc. | Temperature control of chemical mechanical polishing |
JP2011079076A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Toshiba Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JP5547472B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-07-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置 |
JP5481417B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2014-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2012148376A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
JP5628067B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2014-11-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置 |
JP5695963B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-04-08 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法 |
JP5898420B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2016-04-06 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドのコンディショニング方法及び装置 |
TWI548483B (zh) * | 2011-07-19 | 2016-09-11 | 荏原製作所股份有限公司 | 研磨裝置及方法 |
CN103029032B (zh) * | 2011-10-09 | 2015-04-08 | 沈阳理工大学 | 烧结聚晶金刚石冷板冷却高速研磨装置 |
CN202491166U (zh) * | 2012-02-03 | 2012-10-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 提高晶圆研磨均匀性的研磨头和研磨装置 |
US20130210173A1 (en) * | 2012-02-14 | 2013-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multiple Zone Temperature Control for CMP |
CN202462200U (zh) * | 2012-03-05 | 2012-10-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 研磨温控系统和研磨装置 |
JP6340205B2 (ja) * | 2014-02-20 | 2018-06-06 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドのコンディショニング方法及び装置 |
US10654145B2 (en) * | 2015-06-30 | 2020-05-19 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods and systems for polishing pad control |
WO2020005749A1 (en) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Applied Materials, Inc. | Temperature control of chemical mechanical polishing |
-
2013
- 2013-08-27 JP JP2013175471A patent/JP6161999B2/ja active Active
-
2014
- 2014-08-18 TW TW106137127A patent/TWI658897B/zh active
- 2014-08-18 TW TW103128263A patent/TWI607831B/zh active
- 2014-08-18 TW TW106137125A patent/TWI642514B/zh active
- 2014-08-20 KR KR1020140108234A patent/KR102232431B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-21 US US14/465,792 patent/US9782870B2/en active Active
- 2014-08-25 SG SG10201405189QA patent/SG10201405189QA/en unknown
- 2014-08-26 CN CN201910120242.7A patent/CN110076683B/zh active Active
- 2014-08-26 CN CN201410424687.1A patent/CN104416451B/zh active Active
-
2017
- 2017-06-14 JP JP2017116619A patent/JP6415643B2/ja active Active
- 2017-09-06 US US15/697,047 patent/US10195712B2/en active Active
- 2017-09-06 US US15/696,926 patent/US10035238B2/en active Active
-
2018
- 2018-12-19 US US16/226,497 patent/US10710208B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-19 KR KR1020210035629A patent/KR102371948B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110076683B (zh) | 2021-06-25 |
CN104416451B (zh) | 2019-03-22 |
TWI607831B (zh) | 2017-12-11 |
KR20150024781A (ko) | 2015-03-09 |
TWI658897B (zh) | 2019-05-11 |
CN110076683A (zh) | 2019-08-02 |
KR102232431B1 (ko) | 2021-03-29 |
US10710208B2 (en) | 2020-07-14 |
US20180021917A1 (en) | 2018-01-25 |
KR20210035131A (ko) | 2021-03-31 |
US20150079881A1 (en) | 2015-03-19 |
US20170361420A1 (en) | 2017-12-21 |
TWI642514B (zh) | 2018-12-01 |
CN104416451A (zh) | 2015-03-18 |
US10035238B2 (en) | 2018-07-31 |
TW201806696A (zh) | 2018-03-01 |
US20190118334A1 (en) | 2019-04-25 |
JP6161999B2 (ja) | 2017-07-12 |
US10195712B2 (en) | 2019-02-05 |
JP2017193048A (ja) | 2017-10-26 |
JP2015044245A (ja) | 2015-03-12 |
TW201806697A (zh) | 2018-03-01 |
SG10201405189QA (en) | 2015-03-30 |
TW201507810A (zh) | 2015-03-01 |
KR102371948B1 (ko) | 2022-03-08 |
US9782870B2 (en) | 2017-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6415643B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP6929072B2 (ja) | 研磨パッドの表面温度を調整するための装置および方法 | |
US10414018B2 (en) | Apparatus and method for regulating surface temperature of polishing pad | |
US10589398B2 (en) | Heat exchanger for regulating surface temperature of a polishing pad, polishing apparatus, polishing method, and medium storing computer program | |
JP6340205B2 (ja) | 研磨パッドのコンディショニング方法及び装置 | |
US6544111B1 (en) | Polishing apparatus and polishing table therefor | |
KR20150048687A (ko) | 연마 패드용 온도 조정 기구를 구비한 연마 장치와, 패드 접촉 부재의 세정 방법 | |
US12076830B2 (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
US20190308293A1 (en) | Method of regulating a surface temperature of polishing pad, and polishing apparatus | |
JP2020003083A (ja) | 温度調整された加熱流体および冷却流体を熱交換器に供給するシステム、および研磨装置 | |
JP7217202B2 (ja) | 温度調整装置および研磨装置 | |
US11642751B2 (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
JP2022165024A (ja) | 研磨方法、および研磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6415643 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |