JP6402035B2 - スチレン構造を含む自己組織化膜の下層膜形成組成物 - Google Patents
スチレン構造を含む自己組織化膜の下層膜形成組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6402035B2 JP6402035B2 JP2014553127A JP2014553127A JP6402035B2 JP 6402035 B2 JP6402035 B2 JP 6402035B2 JP 2014553127 A JP2014553127 A JP 2014553127A JP 2014553127 A JP2014553127 A JP 2014553127A JP 6402035 B2 JP6402035 B2 JP 6402035B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- self
- forming
- assembled
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D125/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D125/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
- C09D125/04—Homopolymers or copolymers of styrene
- C09D125/08—Copolymers of styrene
- C09D125/14—Copolymers of styrene with unsaturated esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F212/06—Hydrocarbons
- C08F212/08—Styrene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F212/06—Hydrocarbons
- C08F212/12—Monomers containing a branched unsaturated aliphatic radical or a ring substituted by an alkyl radical
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D125/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D125/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
- C09D125/04—Homopolymers or copolymers of styrene
- C09D125/08—Copolymers of styrene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D153/00—Coating compositions based on block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
有機フォトクロミック材料を非硬化性ポリスチレン/ポリ(メチルメタクリレート)コポリマー中に混合した特性について報告されている。
非硬化性ポリスチレン/ポリ(メチルメタクリレート)コポリマーを用いたプラズマエッチングを用いたナノパターニング特性について報告されている。
非硬化性ポリスチレン/ポリ(メチルメタクリレート)コポリマーを用いたナノパターニング特性について報告されている。
スチレン単位を含む酸感受性コポリマーを形成し、それをガイドとして自己組織化層を形成する方法が記載されている(特許文献2、特許文献3を参照)。
第2観点として、架橋形成基がヒドロキシ基、エポキシ基、カルボキシル基、アミノ基、イソシアネート基、保護されたヒドロキシ基、保護されたカルボキシル基、保護されたアミノ基、又は保護されたイソシアネート基である第1観点に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物、
第3観点として、架橋形成基含有化合物が、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸、グリシジルメタクリレート、又はグリシジルアクリレートである第1観点又は第2観点に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物、
第4観点として、更に架橋剤を含む第1観点乃至第3観点のいずれか一つに記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物、
第5観点として、更に酸又は酸発生剤を含む第1観点乃至第4観点のいずれか一つに記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物、
第6観点として、自己組織化膜が有機モノマー(a)を単位構造として含む有機ポリマー鎖(A)と、有機モノマー(a)とは異なるモノマー(b)を単位構造として含み該有機ポリマー鎖(A)に結合するポリマー鎖(B)とを含むブロックポリマーである第1観点乃至第5観点のいずれか一つに記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物、
第7観点として、ブロックポリマーがポリスチレン(A)とポリメチルメタクリレート(B)、ポリスチレン(A)とポリイソプレン(B)、ポリスチレン(A)とポリブタジエン(B)、ポリスチレン(A)とポリジメチルシロキサン(B)、ポリスチレン(A)とポリエチレンオキシド(B)、又はポリスチレン(A)とポリビニルピリジン(B)の夫々の組み合わせからなるブロックコポリマーである第6観点に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物、
第8観点として、基板上に請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物を塗布し焼成し下層膜を形成する工程、その上に自己組織化膜形成組成物を塗布し焼成する工程を含む自己組織化膜を形成するパターン構造の形成方法、
第9観点として、基板上に第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物を塗布し焼成し下層膜を形成する工程、該下層膜を溶剤と接触させて該下層膜の表面層を除去する工程、その上に自己組織化膜形成組成物を塗布し焼成する工程を含む自己組織化膜を形成するパターン構造の形成方法、
第10観点として、下層膜を形成する工程の前に、下地膜を形成する工程を含む第8観点又は第9観点に記載のパターン構造の形成方法、
第11観点として、下地膜が反射防止膜又はハードマスクである第10観点に記載のパターン構造の形成方法、及び
第12観点として、第8観点乃至第11観点のいずれか一つに記載のパターン構造の形成方法により得られたデバイスである。
したがって、本発明の下層膜形成組成物を下層膜に用いることにより、上層に存在する自己組織化ポリマーのミクロ相分離構造を所望の垂直パターン構造に配列し易くし、所望の垂直ラメラ構造や垂直シリンダー構造を持った自己組織化膜を形成することができるという効果を奏する。
さらにこの様にミクロ相分離された自己組織化膜は、例えば、ブロックコポリマーに含まれるポリマー鎖間のエッチング速度差(アルカリ溶解速度差や、ガスエッチング速度差)を利用してレジストパターンに相当するパターン構造を形成することも可能である。
また、本発明の下層膜形成組成物から形成される下層膜は上層の自己組織化膜とインターミキシング(層混合)を引き起こさず、自己組織化膜に垂直パターン構造を形成せしめることができる。
このようなブロックポリマーにミクロ相分離を誘起させ自己組織化させるために、その下層膜に本発明の下層膜形成組成物による下層膜が用いられる。
この下層膜はビニルナフタレンの単位構造を含むポリマーであり、上層に存在する自己組織化ポリマーをミクロ相分離させ垂直ラメラ構造や垂直シリンダー構造を持った自己組織化膜を形成することができる。
この様にミクロ相分離させた自己組織化膜は、有機ポリマー鎖(A)とポリマー鎖(B)のポリマー間の性質の差を利用して、様々な適用が考えられる。例えば、ポリマー間のエッチング速度差(アルカリ溶解速度差や、ガスエッチング速度差)を利用してレジストパターンに相当するパターン構造を形成することも可能である。
該ポリマーはポリマーの全単位構造中に置換されていても良いスチレンに由来する単位構造が70乃至95モル%、架橋形成基含有化合物に由来する単位構造が5乃至30モル%の割合に含有することもできる。
上記置換基としては、アルキル基等が挙げられ、以下に例示される炭素原子数1乃至10のアルキル基が用いられる。この置換基としてはt−ブチル基が好ましく用いられる。
自己組織化膜の下層膜形成組成物は、自己組織化膜の下層に存在する膜を形成するための組成物であり、この膜形成組成物を基板に塗布し、焼成し、下層膜が形成され、その上に自己組織化膜形成組成物を塗布し、乾燥し、自己組織化膜が形成される。
固形分中に占める上記ポリマーの割合は、60乃至100質量%、又は70乃至99質量%、又は70乃至99質量%にすることができる。
保護化剤としてのフェノール誘導体は例えば炭素数6乃至20のフェノール誘導体が挙げられ、パラ−t−ブチルフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール等が例示される。
保護化剤としての多環フェノールは例えば炭素数10乃至20の多環フェノールが挙げられ、それらはフェノール性ヒドロキシ基を有する芳香族縮合環であり、ヒドロキシナフタレン、ヒドロキシアントラセン等が例示される。
保護化剤としてのイミドは例えば炭素数6乃至20のイミドが挙げられ、シクロヘキサンジカルボキシイミド、シクロヘキサエンジカルボキシイミド、ベンゼンジカルボキシイミド、シクロブタンジカルボキシイミド、カルボジイミド等が例示される。
保護化剤としてのイミンは例えば炭素数1乃至20のイミンが挙げられ、ヘキサン−1−イミン、2−プロパンイミン、エタン−1,2−イミン等が例示される。
保護化剤としてのオキシムは例えば炭素数1乃至20のオキシムであり、アセトキシム、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシム、ジメチルケトオキシム、メチルイソブチルケトオキシム、メチルアミルケトオキシム、ホルムアミドオキシム、アセトアルドキシム、ジアセチルモノオキシム、ベンゾフェノンオキシム、シクロヘキサンオキシム等が例示される。
保護化剤としてのラクタムは例えば炭素数4乃至20のラクタムであり、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、γ−ブチロラクタム、β−プロピルラクタム、γ−ピロリドン、ラウリルラクタム等が例示される。
保護化剤としての活性メチレン含有化合物としては例えば炭素数3乃至20の活性メチレン含有化合物であり、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセチルアセトン等が例示される。
重量平均分子量はGPCで測定することができ、GPCの測定条件は、例えばGPC装置(商品名HLC−8220GPC、東ソー株式会社製)、GPCカラム(商品名ShodexKF803L、KF802、KF801、昭和電工製)、カラム温度は40℃、溶離液(溶出溶媒)はテトラヒドロフラン、流量(流速)は1.0ml/min、標準試料はポリスチレン(昭和電工株式会社製)を用いて行うことができる。
架橋剤の添加量は、使用する塗布溶剤、使用する下地基板、要求される溶液粘度、要求される膜形状などにより変動するが、全固形分に対して0.001乃至80質量%、好ましくは0.01乃至50質量%、さらに好ましくは0.05乃至40質量%である。これら架橋剤は自己縮合による架橋反応を起こすこともあるが、本発明の上記のポリマー中に架橋性置換基が存在する場合は、それらの架橋性置換基と架橋反応を起こすことができる。
酸発生剤としては、熱酸発生剤や光酸発生剤が挙げられる。
光酸発生剤は、レジストの露光時に酸を生ずる。そのため、下層膜の酸性度の調整ができる。これは、下層膜の酸性度を上層のレジストとの酸性度に合わせるための一方法である。また、下層膜の酸性度の調整によって、上層に形成されるレジストのパターン形状の調整ができる。
オニウム塩化合物としてはジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフエート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロノルマルオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホネート及びビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート等のヨードニウム塩化合物、及びトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
光酸発生剤が使用される場合、その割合としては、縮合物(ポリオルガノシロキサン)100質量部に対して、0.01乃至5質量部、または0.1乃至3質量部、または0.5乃至1質量部である。
レオロジー調整剤は、主に下層膜形成組成物の流動性を向上させ、特にベーキング工程において、下層膜形成組成物の膜厚均一性の向上を高める目的で添加される。具体例としては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体、ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体、ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体、またはノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体を挙げることができる。これらのレオロジー調整剤は、下層膜形成組成物の全固形分に対して通常30質量%未満の割合で配合される。
この上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明の下層膜形成組成物が塗布され、その後、焼成することにより下層膜が形成される。
そして、自己組織化膜形成組成物は固形分0.1乃至70質量%、又は0.1乃至50質量%、又は0.1乃至30質量%とすることができる。固形分は膜形成組成物中から溶剤を除いた残りの割合である。
固形分中に占めるブロックコポリマーの割合は、30乃至100質量%、又は50乃至100質量%、又は50乃至90質量%、又は50乃至80質量%にすることができる。
ブロックコポリマー中に存在するブロックの種類が2又は3以上とすることができる。そして、ブロックコポリマー中に存在するブロック数が2又は3以上とすることができる。
ポリマー鎖(B)を変えることにより、例えばモノマー(c)を単位構造として含む隣接するポリマー鎖(C)を用いることが可能である。
ブロックコポリマーを合成する方法の一つとして、重合過程が開始反応と成長反応のみからなり、成長末端を失活させる副反応を伴わないリビングラジカル重合、リビングカチオン重合によって得られる。成長末端は重合反応中に成長活性反応を保ち続けることができる。連鎖移動を生じなくすることで長さの揃ったポリマー(A)が得られる。このポリマー(A)の成長末端を利用して違うモノマー(b)を添加することにより、このモノマー(b)のもとで重合が進行しブロックコポリマー(AB)を形成することができる。
例えばブロックの種類がAとBの2種類である場合に、ポリマー鎖(A)とポリマー鎖(B)はモル比で1:9乃至9:1、好ましくは3:7乃至5:5とすることができる。
ホモポリマーA、又はBは、ラジカル重合可能な反応性基(ビニル基又はビニル基含有有機基)を少なくとも一つ有する重合性化合物である。
この有機溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒および非プロトン系溶媒からなる群から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。
架橋剤はブロックコポリマー100質量部に対して1乃至50質量部、または3乃至50質量部、または5乃至50質量部、または10乃至40質量部、または20乃至30質量部で使用することができる。架橋剤の種類や含有量を変えることによって、弾性率や段差被覆性の調整することができる。
架橋触媒としては、芳香族スルホン酸化合物が使用できる。芳香族スルホン酸化合物の具体例としては、p−トルエンスルホン酸、ピリジニウム−p−トルエンスルホン酸、スルホサリチル酸、4−クロロベンゼンスルホン酸、4−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、1−ナフタレンスルホン酸、及びピリジニウム−1−ナフタレンスルホン酸等を挙げることができる。架橋触媒は、一種のみを使用することができ、また、二種以上を組み合わせて用いることもできる。
架橋触媒はブロックコポリマー100質量部に対して0.01乃至10質量部、または0.05乃至5質量部、または0.1乃至3質量部、または0.3乃至2質量部、または0.5乃至1質量部で使用することができる。
半導体、液晶ディスプレイ、ハードディスク用記録材料、固体撮像素子、太陽電池パネル、発光ダイオード、有機発光デバイス、ルミネセントフィルム、蛍光フィルム、MEMS、アクチュエーター、反射防止材料、レジスト、レジスト下層膜、レジスト上層膜、又はナノインプリント用テンプレート(モールド)の製造に使用される加工基板(例えば、シリコン/二酸化シリコン被覆基板、シリコンウエハ基板、シリコンナイトライド基板、ガラス基板、ITO基板、ポリイミド基板、低誘電率材料(low−k材料)被覆基板等)の上に、電子線やレーザ照射による凹凸変化や表面エネルギー変化によるパターン情報を入れる本発明の下層膜(BrushLayer、Migaku・Layer)形成組成物を塗布することができる。そして、その上に、スピナー、コーター、スプレー、インクジェット等の適当な塗布方法により自己組織化膜形成組成物が塗布され塗布膜が形成される。
パターンガイドに沿って自己組織化させた自己組織化膜は、自己組織化膜を構成するポリマー鎖中の単位構造の種類により、現像液やエッチングガス等で優先的な除去される部分があり、それらの単位構造を現像除去して、レジストパターン幅の縮小(シュリンク)や、サイドウォール(Sidewall)の形成を行うこともできる。
本発明の下層膜形成組成物により形成される下層膜は特定割合の芳香族ビニル化合物を含有することにより、ブロックポリマーを自己組織化させることができるが、下層膜の表面性を変化させることでパターン情報を入力することもできる。
下層膜に接触させる溶剤としては、下層膜形成組成物に用いる上記溶剤を用いることができる。溶剤を接触させることによって下層膜の表面層を除去することができ、表面層の除去は当初の下層膜の膜厚を1/10以下にすることができ、下層膜は例えば1乃至10nmの薄膜とすることができる。
スチレン15.00g(ポリマー全体中に90モル%含有)、ヒドロキシエチルメタクリレート2.12g(ポリマー全体中に10モル%含有)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.87g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート41.9gを混合溶解した後、この溶液を加熱し、85℃で約20時間撹拌した。得られたポリマーは上記式(1−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、8,800であった。
合成例2
スチレン18.00g(ポリマー全体中に80モル%含有)、ヒドロキシエチルメタクリレート5.62g(ポリマー全体中に20モル%含有)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル1.18g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート98.4gを混合溶解した後、この溶液を加熱し、85℃で約20時間撹拌した。得られたポリマーは上記式(1−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、8,100であった。
合成例3
スチレン8.00g(ポリマー全体中に80モル%含有)、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート2.77g(ポリマー全体中に20モル%含有)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.54g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート45.2gを混合溶解した後、この溶液を加熱し、85℃で約16時間撹拌した。得られたポリマーは上記式(1−2)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、7,500であった。
合成例4
スチレン8.00g(ポリマー全体中に80モル%含有)、ヒドロキシエチルアクリレート2.23g(ポリマー全体中に20モル%含有)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.51g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート43.0gを混合溶解した後、この溶液を加熱し、85℃で約16時間撹拌した。得られたポリマーは上記式(1−3)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、8,200であった。
合成例5
tert-ブチルスチレン15.0g(ポリマー全体中に90モル%含有)、ヒドロキシエチルアクリレート1.35g(ポリマー全体中に10モル%含有)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.82g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート51.1gを混合溶解した後、この溶液を加熱し、85℃で約16時間撹拌した。得られたポリマーは上記式(1−14)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、16,600であった。
スチレン6.0g(ポリマー全体中に60モル%含有)、メタクリル酸メチル2.0g(ポリマー全体中に20モル%含有)、メタクリル酸ヒドロキシエチル2.0g(ポリマー全体中に20モル%含有)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.50g、プロピレングリコールモノメチルエーテル42.0gを混合溶解した後、この溶液を加熱し、100℃で約16時間撹拌した。得られたポリマーは上記式(2−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、10,100であった。
比較合成例2
スチレン7.0g(ポリマー全体中に50モル%含有)、メタクリル酸ヒドロキシエチル8.8g(ポリマー全体中に50モル%含有)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.79g、プロピレングリコールモノメチルエーテル38.6gを混合溶解した後、この溶液を加熱し、85℃で約20時間撹拌した。得られたポリマーは上記式(1−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、9,700であった。
合成例1で得た樹脂2gを、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.3g、ピリジニウム−p−トルエンスルホナート0.03g、界面活性剤(DIC(株)製、品名:メガファック〔商品名〕R−30、成分はフッ素系界面活性剤)0.002g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート6.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル15.8gに溶解して溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を調製した。
実施例2
合成例2で得た樹脂2gを、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.3g、ピリジニウム−p−トルエンスルホナート0.03g、界面活性剤(DIC(株)製、品名:メガファック〔商品名〕R−30、成分はフッ素系界面活性剤)0.002g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート6.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル15.8gに溶解して溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を調製した。
実施例3
合成例3で得た樹脂1.7gを、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.3g、ピリジニウム−p−トルエンスルホナート0.03g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート31.0g、プロピレングリコールモノメチルエーテル14.4gに溶解して溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を調製した。
実施例4
合成例4で得た樹脂1.7gを、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.3g、ピリジニウム−p−トルエンスルホナート0.03g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート31.0g、プロピレングリコールモノメチルエーテル14.4gに溶解して溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を調製した。
実施例5
合成例1で得た樹脂0.25gを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート17.3g、プロピレングリコールモノメチルエーテル7.4gに溶解して溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を調製した。
実施例6
合成例5で得た樹脂0.25gを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート17.3g、プロピレングリコールモノメチルエーテル7.4gに溶解して溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を調製した。
比較合成例1で得た樹脂0.59gを、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.15g、パラフェノールスルホン酸0.01g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート14.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル31.4gに溶解して溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いる自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を調製した。
比較例2
比較合成例2で得た樹脂2gを、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.3g、ピリジニウム−p−トルエンスルホナート0.03g、界面活性剤(DIC(株)製、品名:メガファック〔商品名〕R−30、成分はフッ素系界面活性剤)0.002g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート6.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル15.8gに溶解して溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を調製した。
実施例1乃至4、比較例1乃至2で調製した自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240℃1分間焼成し、下層膜層(膜厚0.20μm)を形成した。これらの下層膜層をレジストに使用する溶剤、例えば乳酸エチル、ならびにプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に対する浸漬試験を行った。結果を表1に示した。残膜率はそれぞれの溶媒に60秒間浸漬し、浸漬前後の膜厚を測定し、(浸漬後の膜厚)/(浸漬前の膜厚)×100にて算出した結果である。
ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のものを用いた。
RIE−10NR(サムコ製):CF4
実施例1乃至4、比較例1乃至2で調製した自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240℃1分間焼成し、自己組織化膜の下層膜形成組成物(膜厚0.20μm)を形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定した。
また、クレゾールノボラック樹脂(市販品、重量平均分子量は4000)の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に205℃1分間焼成し、有機ハードマスク層(膜厚0.20μm)を形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用して実施例1乃至4、比較例1乃至2と同様にドライエッチング速度を測定し、実施例1乃至4、比較例1乃至2と、有機ハードマスク層のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表2に示した。速度比(1)は(実施例1乃至4及び比較例1乃至2で用いた自己組織化膜の下層膜、240℃1分間焼成膜)/(クレゾールノボラック樹脂、205℃1分間焼成膜)のドライエッチング速度比である。結果を表2に示した。
プロピレングリコールモノメチルエーテル32.33gにブロックコポリマーであるポリスチレン/ポリ(メチルメタクリレート)コポリマー(POLYMER SOURCE INC.製、PS(18,000)−b−PMMA(18,000)、多分散度=1.07)1.0gを溶解させ、2質量%溶液とした後、孔径0.02μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、ブロックコポリマーからなる自己組織化膜形成組成物の溶液を調製した。
実施例1乃至4、比較例1乃至2で得られた自己組織化膜の下層膜形成組成物をシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、自己組織化膜の下層に存在させる下層膜(A層)を得た。下層膜の膜厚は200nmであった。
実施例5および6で得られた自己組織化膜の下層膜形成組成物をそれぞれシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱した後、膜厚が200nmの下層膜を得た。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテル/プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート=70/30の混合溶媒に60秒間浸漬し、自己組織化膜の下層に存在させる下層膜(A層)を得た。下層膜の膜厚は3nmであった。
その上にブロックコポリマーからなる自己組織化膜形成組成物をスピナーにより塗布し、ホットプレート上で100℃にて1分間加熱し、膜厚40nmの自己組織化膜(B層)を形成した。続いて窒素雰囲気下、ホットプレート上で240℃にて5分間加熱し、ブロックコポリマーのミクロ相分離構造を誘起させた。
ミクロ相分離構造を誘起させたシリコンウェハーはLam製エッチャー(Lam 2300)を用い、エッチングガスとしてO2/N2ガスを使用して3秒間エッチングすることで、PMMA領域を優先的にエッチングし、続いて走査型電子顕微鏡(Hitachi S−9380)で形状を観察した。
一方で比較例から得られた下層膜はスチレンに由来する単位構造と架橋形成基含有化合物に由来する単位構造と更にその他のビニルモノマーに由来する単位構造を含むポリマーであり、ブロックコポリマーを基板に対して垂直にミクロ相分離させることが出来ない。
Claims (10)
- 置換されていても良いスチレンに由来する単位構造と架橋形成基含有化合物に由来する単位構造とのみからなるポリマーであって、該ポリマーの全単位構造中にスチレンに由来する単位構造が80乃至90モル%、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート又はヒドロキシプロピルメタクリレートである架橋形成基含有化合物に由来する単位構造が10乃至20モル%の割合からなる該ポリマーを含む自己組織化膜の下層膜形成組成物。
- 更に架橋剤を含む請求項1に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物。
- 更に酸又は酸発生剤を含む請求項1又は請求項2に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物。
- 自己組織化膜が有機モノマー(a)を単位構造として含む有機ポリマー鎖(A)と、有機モノマー(a)とは異なるモノマー(b)を単位構造として含み該有機ポリマー鎖(A)に結合するポリマー鎖(B)とを含むブロックポリマーである請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物。
- ブロックポリマーがポリスチレン(A)とポリメチルメタクリレート(B)、ポリスチレン(A)とポリイソプレン(B)、ポリスチレン(A)とポリブタジエン(B)、ポリスチレン(A)とポリジメチルシロキサン(B)、ポリスチレン(A)とポリエチレンオキシド(B)、又はポリスチレン(A)とポリビニルピリジン(B)の夫々の組み合わせからなるブロックコポリマーである請求項4に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物。
- 基板上に請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物を塗布し焼成し下層膜を形成する工程、その上に自己組織化膜形成組成物を塗布し焼成する工程を含む自己組織化膜を形成するパターン構造の形成方法。
- 基板上に請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物
を塗布し焼成し下層膜を形成する工程、該下層膜を溶剤と接触させて該下層膜の表面層を除去する工程、その上に自己組織化膜形成組成物を塗布し焼成する工程を含む自己組織化膜を形成するパターン構造の形成方法。 - 下層膜を形成する工程の前に、下地膜を形成する工程を含む請求項6又は請求項7に記載のパターン構造の形成方法。
- 下地膜が反射防止膜又はハードマスクである請求項8に記載のパターン構造の形成方法。
- 請求項6乃至請求項9のいずれか1項に記載のパターン構造の形成工程を含むデバイスの形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012276134 | 2012-12-18 | ||
JP2012276134 | 2012-12-18 | ||
PCT/JP2013/083602 WO2014098025A1 (ja) | 2012-12-18 | 2013-12-16 | スチレン構造を含む自己組織化膜の下層膜形成組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014098025A1 JPWO2014098025A1 (ja) | 2017-01-12 |
JP6402035B2 true JP6402035B2 (ja) | 2018-10-10 |
Family
ID=50978355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014553127A Active JP6402035B2 (ja) | 2012-12-18 | 2013-12-16 | スチレン構造を含む自己組織化膜の下層膜形成組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10280328B2 (ja) |
EP (1) | EP2937385A4 (ja) |
JP (1) | JP6402035B2 (ja) |
KR (1) | KR102126789B1 (ja) |
CN (1) | CN104870551B (ja) |
TW (1) | TWI627187B (ja) |
WO (1) | WO2014098025A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102285718B1 (ko) | 2013-09-19 | 2021-08-04 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 지방족 다환구조를 포함하는 자기조직화막의 하층막 형성조성물 |
FR3017395B1 (fr) * | 2014-02-11 | 2017-11-03 | Arkema France | Procede de controle de l'energie de surface d'un substrat |
JP6475963B2 (ja) * | 2014-12-05 | 2019-02-27 | 東京応化工業株式会社 | 下地剤組成物及び相分離構造を含む構造体の製造方法 |
KR102653125B1 (ko) * | 2016-01-13 | 2024-04-01 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트의 하부막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102452808B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2022-10-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 하드마스크용 조성물 |
KR102442826B1 (ko) * | 2016-08-19 | 2022-09-13 | 오사카 유키가가쿠고교 가부시키가이샤 | 용이 박리막 형성용 경화성 수지 조성물 및 그의 제조 방법 |
WO2018033995A1 (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 大阪有機化学工業株式会社 | 易剥離膜形成用硬化性樹脂組成物及びその製造方法 |
US10865262B2 (en) * | 2016-09-13 | 2020-12-15 | Nissan Chemical Corporation | Upper-layer film forming composition and method for producing a phase-separated pattern |
US11440985B2 (en) * | 2017-01-19 | 2022-09-13 | Nissan Chemical Corporation | Underlayer film-forming composition for use in forming a microphase-separated pattern |
KR102448940B1 (ko) * | 2017-01-19 | 2022-09-30 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 미세상분리 패턴형성을 위한 자기조직화막 형성 조성물 |
JP7076237B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2022-05-27 | 東京応化工業株式会社 | 下地剤、及び相分離構造を含む構造体の製造方法 |
CN107722160B (zh) * | 2017-11-08 | 2020-05-19 | 怀化学院 | 一种2-羟甲基丙烯酸酯与苯乙烯的共聚物及其制备方法 |
WO2020017494A1 (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 日産化学株式会社 | 微細相分離パターン形成のためのブロックコポリマー層形成組成物 |
US11999844B2 (en) * | 2020-03-09 | 2024-06-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Optically clear shear thickening fluids and optical display device comprising same |
CN113913075B (zh) * | 2021-10-25 | 2022-09-20 | 嘉庚创新实验室 | 一种抗反射涂层组合物及可交联聚合物 |
TW202406953A (zh) * | 2022-05-03 | 2024-02-16 | 德商馬克專利公司 | 開發含有羥基單體之新型中性墊以改善用於雙嵌段共聚物定向自組裝之SiARC基板的相容性 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007023710A1 (ja) | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ビニルナフタレン樹脂誘導体を含有するリソグラフィー用塗布型下層膜形成組成物 |
EP2048541A4 (en) | 2006-08-04 | 2010-12-01 | Jsr Corp | PROCESS FOR FORMING PATTERN, COMPOSITION FOR FORMING UPPER LAYER FILM, AND COMPOSITION FOR FORMING LOWER LAYER FILM |
US7964107B2 (en) * | 2007-02-08 | 2011-06-21 | Micron Technology, Inc. | Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning |
JP2008195747A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Asahi Kasei Corp | 親水化された芳香族エーテル系高分子からなる樹脂成形品。 |
US8114306B2 (en) * | 2009-05-22 | 2012-02-14 | International Business Machines Corporation | Method of forming sub-lithographic features using directed self-assembly of polymers |
JP2011122081A (ja) | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Nissan Chem Ind Ltd | 熱硬化性膜形成組成物 |
KR101838477B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2018-03-14 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 감광성 레지스트 하층막 형성 조성물 |
JP5729537B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2015-06-03 | 東京応化工業株式会社 | 下地剤 |
JP5820676B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2015-11-24 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 下層組成物および下層を像形成する方法 |
JP6035017B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2016-11-30 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 下層組成物および下層を像形成する方法 |
TWI537675B (zh) * | 2010-10-07 | 2016-06-11 | 東京應化工業股份有限公司 | 導光圖型形成用負型顯像用光阻組成物、導光圖型形成方法、含嵌段共聚物之層的圖型形成方法 |
WO2012111694A1 (ja) | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 独立行政法人理化学研究所 | ナノ構造体を表面に備える基板の製造方法 |
US20130209755A1 (en) * | 2012-02-15 | 2013-08-15 | Phillip Dene Hustad | Self-assembled structures, method of manufacture thereof and articles comprising the same |
JP5993654B2 (ja) | 2012-03-09 | 2016-09-14 | 東京応化工業株式会社 | ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法、及び下地剤 |
JP6118573B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2017-04-19 | 東京応化工業株式会社 | 下地剤、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法 |
JP6306810B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2018-04-04 | 東京応化工業株式会社 | 下地剤、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法 |
-
2013
- 2013-12-16 EP EP13864564.3A patent/EP2937385A4/en not_active Withdrawn
- 2013-12-16 US US14/651,018 patent/US10280328B2/en active Active
- 2013-12-16 WO PCT/JP2013/083602 patent/WO2014098025A1/ja active Application Filing
- 2013-12-16 KR KR1020157016040A patent/KR102126789B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-16 CN CN201380066214.2A patent/CN104870551B/zh active Active
- 2013-12-16 JP JP2014553127A patent/JP6402035B2/ja active Active
- 2013-12-18 TW TW102146898A patent/TWI627187B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104870551B (zh) | 2017-12-08 |
TW201441264A (zh) | 2014-11-01 |
KR102126789B1 (ko) | 2020-06-25 |
EP2937385A4 (en) | 2016-07-20 |
KR20150096668A (ko) | 2015-08-25 |
US20150315402A1 (en) | 2015-11-05 |
CN104870551A (zh) | 2015-08-26 |
EP2937385A1 (en) | 2015-10-28 |
US10280328B2 (en) | 2019-05-07 |
JPWO2014098025A1 (ja) | 2017-01-12 |
WO2014098025A1 (ja) | 2014-06-26 |
TWI627187B (zh) | 2018-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6402035B2 (ja) | スチレン構造を含む自己組織化膜の下層膜形成組成物 | |
US10508181B2 (en) | Bottom layer film-formation composition of self-organizing film containing polycyclic organic vinyl compound | |
KR102285718B1 (ko) | 지방족 다환구조를 포함하는 자기조직화막의 하층막 형성조성물 | |
KR102044968B1 (ko) | 첨가제를 포함하는 규소함유 euv레지스트 하층막 형성 조성물 | |
TWI450042B (zh) | 具有團塊化異氰酸酯基之含矽光阻下層膜形成組成物 | |
JP2011122081A (ja) | 熱硬化性膜形成組成物 | |
JP5757242B2 (ja) | ケイ素化合物を用いる膜形成組成物 | |
TWI793388B (zh) | 矽烷 | |
KR102134673B1 (ko) | 설폰 구조 및 아민 구조를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 | |
TWI665525B (zh) | 含有具有雜原子的環狀有機基之含矽阻劑底層膜形成組成物 | |
TW201716872A (zh) | 感放射線性組成物 | |
TWI732032B (zh) | 包含經縮醛保護之矽醇基之聚矽氧烷組成物 | |
JP7070434B2 (ja) | 微細相分離パターン形成のための自己組織化膜形成組成物 | |
WO2024106492A1 (ja) | 自己組織化材料のための下層膜材料 | |
JPWO2020017494A1 (ja) | 微細相分離パターン形成のためのブロックコポリマー層形成組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170804 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171121 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171129 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20171222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180910 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6402035 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |