JP6374360B2 - Euvマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、第1の実施形態について説明する。
本実施形態に係るEUVマスクは、露光光としてEUVを用いたリソグラフィに用いられ、微小構造体を製造するための露光用のマスクである。なお、微小構造体には、例えば、LSI(large scale integrated circuit:大規模集積回路)、記憶装置及びディスプレイの基板回路等の集積回路、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor:金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)、IGBT(insulated gate bipolar transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)及びLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)等のディスクリート装置、並びに、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)等も含まれる。
図2(a)は、本実施形態に係るEUVマスクのパターン構造体を示す断面図であり、(b)は(a)の領域Bを示す一部拡大断面図であり、(c)は(b)に相当する参考図である。
なお、以下に示す図面は全て模式的なものであり、正確さよりも見やすさを優先しているため、各部の寸法比は必ずしも正確ではない。また、多数存在する構成要素については、数を減らして示している。
図3は、本実施形態に係るEUVマスクの製造方法を示すフローチャート図である。
図4(a)〜(c)は、本実施形態に係るEUVマスクの製造方法を示す断面図である。
図5(a)〜(c)は、本実施形態に係るEUVマスクの製造方法を示す断面図である。
具体的には、図4(c)に示すように、レジストパターン22をマスクとしてプラズマエッチングを施すことにより、レジストパターン22のパターンをハードマスク21に転写する。
本実施形態に係るEUVマスク1においては、多層膜12が選択的に除去されることにより、被加工回路パターンに対応するパターンに加工されている。これにより、多層膜12が残留している領域においては、照射されたEUVが反射され、多層膜12が存在していない領域においては、照射されたEUVが反射されない。この結果、EUVマスク1はEUVを選択的に反射し、被加工材であるウェーハ上に形成されたレジスト膜に対して、EUVを選択的に照射することができる。
図6(a)は、比較例に係るEUVマスクを示す光学モデル図であり、(b)は本実施形態に係るEUVマスクを示す光学モデル図である。
次に、第2の実施形態について説明する。
図7(a)は、本実施形態に係るEUVマスクを示す平面図であり、(b)はその断面図である。
図8は、本実施形態に係るEUVマスクの製造方法を示すフローチャート図である。
図9は、本実施形態に係るEUVマスクの製造方法を示す断面図である。
図10は、本実施形態における選択酸化処理工程を示す図である。
図9及び図10が示すEUVマスクの一部は、図7(b)に示す部分に相当する。
本実施形態によれば、図8のステップS6に示す工程において、多層膜12の各部の幅を測定し、ステップS8に示す工程において、幅が設計値よりも大きい部分については、追加で酸化処理を施す。これにより、多層膜12の各部の幅を設計値に近づけて、寸法精度を向上させることができる。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、第1材料を含む第1層及び第2材料を含む第2層が積層された第1のライン状部分と、
前記基板上に設けられ、前記第1材料を含む第1層及び前記第2材料を含む第2層が積層された第2のライン状部分と、
前記第1材料の酸化物を含み、前記第1のライン状部分の側面上に配置され、前記第1層の側面及び前記第2層の側面を覆う第1の側壁と、
前記第1材料の酸化物を含み、前記第2のライン状部分の側面上に配置され、前記第1層の側面及び前記第2層の側面を覆う第2の側壁と、
を備え、
前記第1の側壁の厚さと前記第2の側壁の厚さの差の絶対値は、前記第1のライン状部分の幅と前記第2のライン状部分の幅の差の絶対値よりも大きいEUVマスク。 - 前記第1の側壁は、前記第1のライン状部分の側面を覆う連続膜であり、
前記第2の側壁は、前記第2のライン状部分の側面を覆う連続膜である請求項1記載のEUVマスク。 - 前記第1の側壁における前記第1層の側面上に配置された部分は、前記第1の側壁における前記第2層の側面上に配置された部分よりも厚い請求項1または2に記載のEUVマスク。
- 前記第1の側壁の表面の形状は、前記第1層及び前記第2層の積層に対応した波状である請求項1〜3のいずれか1つに記載のEUVマスク。
- 前記多層膜の第1領域に配置された部分の形状及び第2領域に配置された部分の形状は、それぞれ、被加工パターンに対応し、
前記第1のライン状部分は前記第1領域内に配置され、前記第2のライン状部分は前記第2領域内に配置され、前記第1のライン状部分と前記第2のライン状部分は前記被加工パターンの同じ位置に対応する請求項1記載のEUVマスク。 - 前記第1材料はシリコンである請求項1〜5のいずれか1つに記載のEUVマスク。
- 前記第2材料はモリブデンである請求項1〜6のいずれか1つに記載のEUVマスク。
- 基板上に第1材料を含む第1層及び第2材料を含む第2層が積層された多層膜が設けられたブランク材上に、第1のライン状部分及び第2のライン状部分を含むレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記多層膜をパターニングする工程と、
前記パターニングされた多層膜の各部の幅を測定する工程と、
前記パターニングされた多層膜に対して酸化処理を施す工程と、
を備え、
前記酸化処理を施す工程において、前記多層膜における幅が設計値よりも大きく形成された部分に対して、前記多層膜の他の部分よりも前記酸化処理を強く実施するEUVマスクの製造方法。 - 前記酸化処理により、前記多層膜の第1のライン状部分の側面上及び第2のライン状部分の側面上に、前記第1材料の酸化物を含む連続膜が形成される請求項8記載のEUVマスクの製造方法。
- 前記ブランク材には、前記多層膜上にハードマスクが設けられており、
前記パターニングする工程は、
前記レジストマスクをマスクとしてエッチングを施すことにより、前記ハードマスクをパターニングする工程と、
前記パターニングされたハードマスクをマスクとしてエッチングを施すことにより、前記多層膜をパターニングする工程と、
を有し、
前記多層膜をパターニングする工程の後、前記ハードマスクを除去する工程をさらに備えた請求項8または9に記載のEUVマスクの製造方法。 - 前記酸化処理を施す工程は、
前記パターニングされた多層膜の側面全体を均一に酸化する工程と、
幅が前記設計値よりも大きい部分を選択的に酸化する工程と、
を有する請求項8記載のEUVマスクの製造方法。 - 前記多層膜の側面全体を均一に酸化する工程は、プラズマ酸化処理を施す工程を有する請求項11記載のEUVマスクの製造方法。
- 前記選択的に酸化する工程は、酸化雰囲気中において前記幅が設計値よりも大きい部分にレーザー光を照射する工程を有する請求項11または12に記載のEUVマスクの製造方法。
- 前記第1材料はシリコンである請求項8〜13のいずれか1つに記載のEUVマスクの製造方法。
- 前記第2材料はモリブデンである請求項8〜14のいずれか1つに記載のEUVマスクの製造方法。
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