JP6334945B2 - 半導体発光装置、半導体発光素子、及び、半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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Claims (7)
- 実装基板と、該実装基板上に実装される半導体発光素子と、を含む半導体発光装置であって、
前記実装基板は、
支持基板と、
前記支持基板上に形成される第1基板電極と、
前記支持基板上に、前記第1基板電極と間隙を空けて、該第1基板電極の少なくとも一部を囲うように形成される第2基板電極と、
を備え、
前記半導体発光素子は、
前記第1基板電極および前記第2基板電極の上方に配置され、発光性を有する光半導体積層と、
前記光半導体積層の下面中央に形成される中央電極と、
前記光半導体積層の下面周縁に、前記中央電極と間隙を空けて、該中央電極の少なくとも一部を囲うように形成される周縁電極と、
前記中央電極および前記周縁電極に一部が乗り上げるように形成される絶縁膜と、
前記中央電極および前記周縁電極の間隙に沿って形成され、前記実装基板に向かって突出するガイド部材であって、前記絶縁膜上に該絶縁膜より狭い幅で形成された、金属からなるガイド部材と、
を備え、
前記ガイド部材は、前記第1基板電極と前記第2基板電極との間隙に挿入されており、前記中央電極および前記周縁電極は、それぞれ前記第1基板電極および前記第2基板電極に接触している半導体発光装置。 - 前記光半導体積層は、前記実装基板側から、p型半導体層、発光性を有する活性層、および、n型半導体層、が積層する構成を有し、さらに、該p型半導体層側表面の中央領域において、該p型半導体層および該活性層が除去され、該n型半導体層が表出する穴部を備え、
前記中央電極は、前記穴部を通って、前記n型半導体層と電気的に接続し、
前記周縁電極は、前記p型半導体層の表面において該p型半導体層と電気的に接続する、
請求項1記載の半導体発光装置。 - 前記光半導体積層は、前記実装基板側から、p型半導体層、発光性を有する活性層、および、n型半導体層、が積層する構成を有し、
前記中央電極は、前記p型半導体層の表面において該p型半導体層と電気的に接続し、
前記周縁電極は、前記p型半導体層および前記活性層の側面を通って、前記n型半導体層と電気的に接続する、
請求項1記載の半導体発光装置。 - 前記ガイド部材は、相互に離隔した複数のパターンにより構成される請求項1〜3いずれか1項記載の半導体発光装置。
- 前記第1基板電極および前記中央電極は強磁性体材料を含み、該第1基板電極は自発磁化されている請求項1〜4いずれか1項記載の半導体発光装置。
- 発光性を有する光半導体積層と、
前記光半導体積層表面の中央領域に形成される中央電極と、
前記光半導体積層表面の周縁領域に、前記中央電極と間隙を空けて、該中央電極の少なくとも一部を囲うように形成される周縁電極と、
前記中央電極および前記周縁電極に一部が乗り上げるように形成される絶縁膜と、
前記中央電極および前記周縁電極の間隙に沿って形成されるガイド部材であって、前記絶縁膜上に該絶縁膜より狭い幅で形成された、金属からなるガイド部材と、
を備える半導体発光素子。 - 工程a)支持基板と、前記支持基板上に形成される第1基板電極と、前記支持基板上に、前記第1基板電極と間隙を空けて、該第1基板電極の少なくとも一部を囲うように形成される第2基板電極と、を備える実装基板を準備する工程と、
工程b)発光性を有する光半導体積層と、前記光半導体積層表面の中央領域に形成される中央電極と、前記光半導体積層表面の周縁領域に、前記中央電極と間隙を空けて、該中央電極の少なくとも一部を囲うように形成される周縁電極と、前記中央電極および前記周縁電極に一部が乗り上げるように形成される絶縁膜と、前記中央電極および前記周縁電極の間隙に沿って形成されるガイド部材であって、前記絶縁膜上に該絶縁膜より狭い幅で形成された、金属からなる凸部状のガイド部材と、を備える半導体発光素子を準備する工程と、
工程c)前記半導体発光素子を、前記実装基板上に載置する工程であって、溶媒中にて、前記ガイド部材を前記第1基板電極および前記第2基板電極の間隙に挿入して、前記中央電極および前記周縁電極を、それぞれ該第1基板電極を前記中央電極と接触させる工程と、
を有する半導体発光装置の製造方法。
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