JP6323652B2 - 発熱体、振動デバイス、電子機器及び移動体 - Google Patents
発熱体、振動デバイス、電子機器及び移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6323652B2 JP6323652B2 JP2013265873A JP2013265873A JP6323652B2 JP 6323652 B2 JP6323652 B2 JP 6323652B2 JP 2013265873 A JP2013265873 A JP 2013265873A JP 2013265873 A JP2013265873 A JP 2013265873A JP 6323652 B2 JP6323652 B2 JP 6323652B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- pad
- heating element
- plan
- view
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/08—Holders with means for regulating temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/26—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
- H05B3/265—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base the insulating base being an inorganic material, e.g. ceramic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Description
本適用例に係る発熱体は、半導体基板に形成された発熱手段と、前記発熱手段と平面視で重なっており、前記発熱手段に電流を入力するための入力手段と、を含み、前記入力手段は、表面と前記表面に対して反対面の裏面とを有し、前記裏面と前記発熱手段とが電気的に接続されており、前記発熱手段に流れる電流は、前記入力手段の前記表面と前記裏面との間を流れて前記発熱手段に入力される。
するための入力手段は、表面と裏面との間に電流が流れるように配置されているため、入力手段の厚さが電流の流れる距離になり、入力手段の面積が電流の流れる断面積となる。このため、入力手段に流れる電流密度を小さくすることができ、エレクトロマイグレーションによる断線の可能性を低減することができる。
本適用例に係る発熱体は、拡散抵抗層が形成された半導体基板と、前記拡散抵抗層に第1の電圧を印加するための第1電極と、前記拡散抵抗層に第2の電圧を印加するための第2電極と、を含み、前記第1電極は、前記拡散抵抗層と接する第1面と、前記第1面の裏面となるとともに平面視で前記第1面と重なっている第2面とを有し、前記第2電極は、前記拡散抵抗層と接する第3面と、前記第3面の裏面となるとともに平面視で前記第3面と重なっている第4面とを有し、前記第1電極と前記第2電極とは、平面視で、前記拡散抵抗層が形成された領域と重なっており、前記第1電極、前記第2電極、および前記拡散抵抗層を介して流れる電流は、前記第1面と前記第2面との間、および前記第3面と前記第4面との間を流れる。
上記適用例に係る発熱体において、前記第1電極および前記第2電極は、アルミニウム、またはアルミニウムを主成分とする合金であってもよい。
上記適用例に係る発熱体において、前記第1電極と前記第2電極とは、前記半導体基板の外周縁に沿って同一辺領域に配置されていてもよい。
上記適用例に係る発熱体は、前記拡散抵抗層の上に絶縁体層と、前記絶縁体層の上に形成された第1パッドおよび第2パッドとを有し、前記第1パッドは、前記第2面と電気的に接続されているとともに、平面視で前記第2面と重なっており、前記第2パッドは、前記第4面と電気的に接続されているとともに、平面視で前記第4面と重なっていてもよい
。
上記適用例に係る発熱体において、前記第1パッドおよび前記第2パッドは、前記第1電極および前記第2電極よりも抵抗率が低くてもよい。
本適用例に係る振動デバイスは、上記のいずれかの発熱体と、振動片と、を有し、前記振動片が前記発熱体の表面に配置されている。
上記適用例に係る振動デバイスにおいて、前記発熱体は、前記半導体基板上に形成された感温素子を有し、前記感温素子は、平面視で前記振動片と重なっていてもよい。
本適用例に係る電子機器は、上記のいずれかの発熱体、又は、上記のいずれかの振動デバイスを含む。
本適用例に係る移動体は、上記のいずれかの発熱体、又は、上記のいずれかの振動デバイスを含む。
1−1.第1実施形態
図1は、振動デバイスの一例である本実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)の機能ブロック図である。図1に示すように、本実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)1は、振動片2、発振用回路3、発熱回路4、温度センサー5及び温度制御用回路6を含んで構成されている。なお、本実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)1は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。
り形成されるP型の拡散層であってもよい。また、拡散層22は、例えば、ポリシリコンやフォトレジスト等で不純物をドープしたい領域のみを開口したパターンを半導体基板21上に形成した後に、不純物をイオン注入法等で半導体基板21にドープすることで形成することが可能であるため、拡散層22を所望の形状となるように容易に形成することができる。
と接続される。
なお、パッド26aにおけるパッド26aの開口部の上面以外の領域、およびパッド26iにおけるパッド26iの開口部の上面以外の領域は、電流入力電極を介して拡散層22に流れる電流の経路としては機能していないため、平面視において、拡散層22と重な
らない領域に形成されていてもよい。
なお、パッド26bにおけるパッド26bの開口部以外の領域、パッド26cにおけるパッド26cの開口部以外の領域、パッド26dにおけるパッド26dの開口部以外の領域、パッド26fにおけるパッド26fの開口部以外の領域、パッド26gにおけるパッド26gの開口部以外の領域、およびパッド26hにおけるパッド26hの開口部以外の領域は、拡散層22を介して電流出力電極に流れる電流の経路としては機能していないため、平面視において、拡散層22と重ならない領域に形成されていてもよい。
わち、スリット23a,23bは、拡散層22よりも発熱量が小さい領域である。
このため、パッド26a,26iから入力された電流は、スリット23a,23bを迂回するようにパッド26b,26c,26d,26f,26g,26hまで流れる。これにより、拡散層22における振動片2の搭載領域に十分な電流が流れ、振動片2を効率よく加熱することができる。
第1実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)では、拡散層22により形成される抵抗14の抵抗値が高すぎる場合があるため、第2実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)では、拡散層と導体層で構成される抵抗率を低下させた拡散抵抗層により抵抗14を実現する。
第1実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)では、パッド26aとパッド26bとを結ぶ仮想直線と交わるようにスリット23aが形成され、パッド26iとパッド26hとを結ぶ仮想直線と交わるようにスリット23bが形成されているが、第3実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)では、スリット23a,23bに代えて2つのオフ状態のMOSトランジスターを配置し、これらのMOSトランジスターを迂回するように拡散層22に電流を流す。
第1実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)では、発熱用IC20において絶縁層24の表面に形成されたパッド26a〜26kとパッケージ10に形成された各電極とがボンディングワイヤーで接続され、パッド26lと振動片2の下面電極とが導電性部材13により接続されている。これに対して、第4実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)では、発熱用IC20において、表面保護膜27の表面に再配線層を設け、再配線層に形成されたパッドと振動片2の下面電極及びパッケージ10に形成された電極とが接続される。
動片2の搭載領域と重なるように形成されている。
それぞれ構成される各電流出力電極を介してパッド41c,41d,41f,41g,41hに流れる電流は、それぞれ、不図示のビアの下面と電極26c,26d,26f,26g,26hの開口部の上面との間を流れる。
第1実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)では、振動片2の下面電極と発振用IC30の端子とを電気的に接続するために、振動片2を発熱用IC20のパッド26lに接着固定し、発熱用IC20のパッド26eをパッケージ10の電極とワイヤーボンディングしているが、第5実施形態の恒温槽型水晶発振器(OCXO)では、振動片2は下面電極を有さない構成(2つの上面電極を有する構成)とし、振動片2の2つの上面電極とパッケージ10の2つの電極をワイヤーボンディングする。従って、第5実施形態では、発熱用IC20は、振動片2とパッケージ10の電極とを電気的に接続させるためのパッドが不要となる。
図16は、本実施形態の電子機器の機能ブロック図である。本実施形態の電子機器300は、振動デバイス310、CPU(Central Processing Unit)320、操作部330、ROM(Read Only Memory)340、RAM(Random Access Memory)350、通信部360、表示部370を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図16の構成要素(各部)の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
ャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、PDR(歩行者位置方位計測)等が挙げられる。
図17は、本実施形態の移動体の一例を示す図(上面図)である。図17に示す移動体400は、振動デバイス410、エンジンシステム、ブレーキシステム、キーレスエントリーシステム等の各種の制御を行うコントローラー420,430,440、バッテリー450、バックアップ用バッテリー460を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図17の構成要素(各部)の一部を省略し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
温度センサー、6 温度制御用回路、10 パッケージ、11 リッド、12 ボンディングワイヤー、13 導電性部材、14 抵抗、15 MOSトランジスター、16 ダイオード、17 バイポーラトランジスター、20 発熱用IC、21 半導体基板、22 拡散層、23,23a,23b スリット、24 絶縁層、25a,25b ビア、26a〜26l,26n〜26q パッド(電極)、27 表面保護膜、28 Poly配線、29 シリサイド、30 発振用IC、40a Poly配線、41a〜41l
パッド、41m 配線、300 電子機器、310 振動デバイス、312 振動片、314 発熱体、320 CPU、330 操作部、340 ROM、350 RAM、360 通信部、370 表示部、400 移動体、410 振動デバイス、420,430,440 コントローラー、450 バッテリー、460 バックアップ用バッテリー
Claims (10)
- 半導体基板に形成された発熱手段と、
前記発熱手段と平面視で重なっている、前記発熱手段に電流を入力するための入力手段と、を含み、
前記入力手段は、前記発熱手段と平面視で重なっている表面と前記表面に対して反対面の裏面とを有し、前記裏面と前記発熱手段とが電気的に接続されており、
前記発熱手段に流れる電流は、前記入力手段の前記表面から入力され、前記表面から前記裏面に流れて前記発熱手段に入力される、発熱体。 - 拡散抵抗層が形成された半導体基板と、
前記拡散抵抗層に第1の電圧を印加するための第1電極と、
前記拡散抵抗層に第2の電圧を印加するための第2電極と、を含み、
前記第1電極は、前記拡散抵抗層と平面視で重なっている状態で前記拡散抵抗層と接する第1面と、平面視で前記第1面と重なり前記第1の電圧が印加される第2面とを有し、
前記第2電極は、前記拡散抵抗層と平面視で重なっている状態で前記拡散抵抗層と接する第3面と、平面視で前記第3面と重なり前記第2の電圧が印加される第4面とを有し、
前記第1電極、前記第2電極、および前記拡散抵抗層を介して流れる電流は、前記第2面から前記第1面に、および前記第3面から前記第4面に流れる、発熱体。 - 前記第1電極および前記第2電極は、アルミニウム、またはアルミニウムを主成分とする合金である、請求項2に記載の発熱体。
- 前記第1電極と前記第2電極とは、前記半導体基板の外周縁に沿って同一辺領域に配置されている、請求項2又は3に記載の発熱体。
- 前記拡散抵抗層の上に形成された絶縁体層と、
前記第2面と電気的に接続され、かつ、平面視で前記第2面と重なっている、前記絶縁体層の上に形成された第1パッドと、
前記第4面と電気的に接続され、かつ、平面視で前記第4面と重なっている、前記絶縁
体層の上に形成された第2パッドと、を有する、
請求項2乃至4のいずれか一項に記載の発熱体。 - 前記第1パッドおよび前記第2パッドは、前記第1電極および前記第2電極よりも抵抗率が低い、請求項5に記載の発熱体。
- 請求項2乃至6のいずれか一項に記載の発熱体と、
振動片と、を有し、
前記振動片が前記発熱体の表面に配置されている、振動デバイス。 - 前記発熱体は、前記半導体基板上に形成された感温素子を有し、
前記感温素子は、平面視で前記振動片と重なっている、請求項7に記載の振動デバイス。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発熱体、又は、請求項7又は8に記載の振動デバイスを含む、電子機器。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発熱体、又は、請求項7又は8に記載の振動デバイスを含む、移動体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013265873A JP6323652B2 (ja) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | 発熱体、振動デバイス、電子機器及び移動体 |
US14/571,338 US10084429B2 (en) | 2013-12-24 | 2014-12-16 | Heating body, resonation device, electronic apparatus, and moving object |
CN201410791057.8A CN104734659B (zh) | 2013-12-24 | 2014-12-18 | 发热体、振动器件、电子设备以及移动体 |
TW103144619A TWI660470B (zh) | 2013-12-24 | 2014-12-19 | 發熱體、振動裝置、電子機器及移動體 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013265873A JP6323652B2 (ja) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | 発熱体、振動デバイス、電子機器及び移動体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015122219A JP2015122219A (ja) | 2015-07-02 |
JP2015122219A5 JP2015122219A5 (ja) | 2017-02-09 |
JP6323652B2 true JP6323652B2 (ja) | 2018-05-16 |
Family
ID=53401231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013265873A Active JP6323652B2 (ja) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | 発熱体、振動デバイス、電子機器及び移動体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10084429B2 (ja) |
JP (1) | JP6323652B2 (ja) |
CN (1) | CN104734659B (ja) |
TW (1) | TWI660470B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105024667A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-11-04 | 广东大普通信技术有限公司 | 一种直接加热式恒温晶体振荡器 |
WO2017068839A1 (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子及びその温度制御方法、並びに圧電発振器 |
JP6665487B2 (ja) * | 2015-11-02 | 2020-03-13 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置、電子デバイス、電子機器、および基地局 |
DE102018105220A1 (de) * | 2018-03-07 | 2019-09-12 | Hauni Maschinenbau Gmbh | Verfahren zur Fertigung eines elektrisch betreibbaren Heizkörpers für einen Inhalator |
JP2022138842A (ja) | 2021-03-11 | 2022-09-26 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置及び発振器 |
KR20230018953A (ko) * | 2021-07-30 | 2023-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 진동 장치와 이를 포함하는 장치 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09196682A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 角速度センサと加速度センサ |
JPH1141032A (ja) | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Chuniti Denki Kogyo Kk | 水晶発振子の温度制御装置 |
JP3248882B2 (ja) | 1998-12-28 | 2002-01-21 | 東洋通信機株式会社 | 高安定圧電発振器の構造 |
JP3793555B2 (ja) | 1999-05-31 | 2006-07-05 | 京セラ株式会社 | 円盤状ヒータ |
JP2002016065A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP4483138B2 (ja) | 2001-02-09 | 2010-06-16 | エプソントヨコム株式会社 | 高安定圧電発振器の構造 |
GB0315526D0 (en) * | 2003-07-03 | 2003-08-06 | Qinetiq Ltd | Thermal detector |
JP2005310494A (ja) | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Harison Toshiba Lighting Corp | ヒータ、加熱装置、画像形成装置 |
JP4354347B2 (ja) | 2004-06-29 | 2009-10-28 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器 |
JP4804813B2 (ja) | 2005-06-24 | 2011-11-02 | 日本電波工業株式会社 | 圧電発振器 |
JP2007242445A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Alps Electric Co Ltd | マイクロヒータ及びそれを用いたフローセンサ |
TW200744314A (en) | 2006-05-18 | 2007-12-01 | Taitien Electronics Co Ltd | Oscillator device capable of keeping constant temperature |
JP4641294B2 (ja) | 2006-08-29 | 2011-03-02 | 日本電波工業株式会社 | 恒温槽型水晶発振器 |
US20090051447A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Mccracken Jeffrey A | Ovenized oscillator |
JP5194726B2 (ja) | 2007-11-12 | 2013-05-08 | パナソニック株式会社 | 面状発熱体 |
ATE534191T1 (de) * | 2009-03-09 | 2011-12-15 | Micro Crystal Ag | Oszillatorvorrichtung, die einen wärmegesteuerten piezoeletrischen quarz umfasst |
EP2447705A1 (en) * | 2009-06-25 | 2012-05-02 | Panasonic Corporation | Infrared gas detector and infrared gas measuring device |
WO2013068332A1 (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Unilever Plc | A carton |
EP2848914A4 (en) * | 2012-05-09 | 2015-10-21 | Panasonic Ip Man Co Ltd | INFRARED RADIATION ELEMENT |
-
2013
- 2013-12-24 JP JP2013265873A patent/JP6323652B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-16 US US14/571,338 patent/US10084429B2/en active Active
- 2014-12-18 CN CN201410791057.8A patent/CN104734659B/zh active Active
- 2014-12-19 TW TW103144619A patent/TWI660470B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI660470B (zh) | 2019-05-21 |
US10084429B2 (en) | 2018-09-25 |
US20150180443A1 (en) | 2015-06-25 |
CN104734659B (zh) | 2019-04-26 |
CN104734659A (zh) | 2015-06-24 |
JP2015122219A (ja) | 2015-07-02 |
TW201535634A (zh) | 2015-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6341362B2 (ja) | 発熱体、振動デバイス、電子機器及び移動体 | |
JP6323652B2 (ja) | 発熱体、振動デバイス、電子機器及び移動体 | |
US9468105B2 (en) | Electronic component, electronic apparatus, and moving object | |
US20150280101A1 (en) | Electronic component, electronic apparatus, and moving object | |
JP7259393B2 (ja) | 発振器、電子機器および移動体 | |
JP2015104074A (ja) | 発振回路、発振器、電子機器および移動体 | |
JP6436280B2 (ja) | 恒温槽型発振器の製造方法 | |
CN107070407B (zh) | 集成电路装置、电子器件、电子设备及基站 | |
US10476493B2 (en) | Buffer circuit, semiconductor integrated circuit device, oscillator, electronic apparatus, and base station | |
JP6790705B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP7419748B2 (ja) | 振動デバイス、電子機器および移動体 | |
JP7183699B2 (ja) | 発振器、電子機器及び移動体 | |
JP2016140009A (ja) | 電子部品、振動デバイス、電子機器、および移動体 | |
JP2014204140A (ja) | 振動デバイス、電子機器、移動体 | |
US11329041B2 (en) | Semiconductor integrated circuit, electronic device and vehicle | |
JP2019004438A (ja) | 回路装置、発振器、電子機器、移動体 | |
JP2016167659A (ja) | 電子部品、電子機器、および移動体 | |
JP2014197731A (ja) | 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器、移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161220 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171017 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180314 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6323652 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |