JP6310816B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
<プラズマエッチング装置>
まず、本実施の形態1による水素プラズマ処理において用いるプラズマエッチング装置について説明する。図1は、本実施の形態1による水素プラズマ処理において用いるプラズマエッチング装置の一例を示す概略図である。図2は、本実施の形態1による水素プラズマ処理において用いるプラズマエッチング装置の変形例を示す概略図である。図3は、本発明者らが比較のために検討したプラズマエッチング装置の一例を示す概略図である。
次に、半導体基板と、半導体基板上に形成された絶縁膜との界面への水素イオンの注入効果について、図4、図5および図6を用いて説明する。図4は、各試料における水素ガスのTDS(Thermal Desorption Spectroscopy)分析結果を示し、(a)は、各試料における水素スペクトルを示すグラフ図であり、(b)は、各試料における100℃〜1,000℃の水素スペクトルの積分値を示すグラフ図である。図5は、各試料における水素イオン濃度のSIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)分析結果を示すグラフ図である。図6(a)および(b)はそれぞれ、水素プラズマ処理および水素アニール処理における水素イオンの供給モデルを説明する模式図である。
図7は、CMOSイメージセンサを示す平面図である。図8(a)および(b)はそれぞれ、半導体基板と絶縁膜との界面におけるダングリングボンドを介して流れる電流パスを示すイメージ図および半導体基板と絶縁膜との界面におけるダングリングボンドを水素で終端した状態を示すイメージ図である。
前述した実施の形態1では、金属膜をリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて加工することにより、第1層目の配線M1、第2層目の配線M2および第3層目の配線M3を形成したが、これに限定されるものではない。例えば多層配線(第1層目の配線M1、第2層目の配線M2および第3層目の配線M3)をダマシン(damascene)法により形成してもよい。
画素部のフォトダイオード形成領域以外の領域および周辺回路部では、トラップ準位の生成を抑えるために、水素イオンを供給しないことが望ましい。しかし、画素部のフォトダイオード形成領域以外の領域および周辺回路部へも少量の水素イオンを供給することが望ましい場合もある。このような場合は、配線を形成する前に、画素部および周辺回路部の全面に水素イオンを供給し、さらに、配線を形成した後に、前述した実施の形態1と同様にして、水素プラズマ処理を実施して、選択的に水素イオンを画素部のフォトダイオード形成領域へ供給する。
C キャパシタ
CN1,CN2,CN3 接続孔
CP 電流パス
DB ダングリングボンド
DE 下部電極
FD n型拡散層
GE,GET ゲート電極
GI,GIT ゲート絶縁膜
HL 水平信号線
HP 水素プラズマ
IL 絶縁膜
IL1,IL2,IL3 層間絶縁膜
IL4 絶縁膜
M1 第1層目の配線
M2 第2層目の配線
M3 第3層目の配線
NHP アンモニアプラズマ
PD フォトダイオード
PDn n型領域
PDp p型領域
PEM0,PEM1,PEM2 プラズマエッチング装置
PI 画素部
PIL 保護膜
PIX 画素
PL1,PL2,PL3 プラグ
PS 画素選択スイッチ
PW1 第1p型ウエル
PW2 第2p型ウエル
RC 列回路
RF1 第1高周波電源
RF2 第2高周波電源
RS 列選択スイッチ
SB 半導体基板
SD n型拡散層
SL シリサイド膜
SN 窒化シリコン膜
SS サイドウォール
STI 素子分離部
SW 半導体ウエハ
TC 電圧変換回路
TR1,TR2,TR3 配線溝
UE 上部電極
VL 垂直信号線
Claims (9)
- 以下の工程を含む半導体装置の製造方法:
(a)第1面と、前記第1面と反対側の第2面とを有する半導体基板を用意する工程;
(b)前記半導体基板の前記第1面の互いに異なる領域に、第1素子部と第2素子部とを形成する工程;
(c)前記(b)工程の後、前記第2素子部に配線を形成する工程;
(d)前記(c)工程の後、互いに対向する上部電極と下部電極とを備えるプラズマ装置の前記下部電極上に、前記下部電極と前記半導体基板の前記第2面とを接触させて、前記半導体基板を搭載し、前記半導体基板の前記第1面と前記上部電極との間に水素プラズマを発生させる工程、
を有し、
さらに、前記(d)工程は、以下の工程を含む:
(d1)前記上部電極または前記下部電極に第1高周波電力を印加して、前記水素プラズマを発生させる工程;
(d2)前記下部電極に第2高周波電力を印加して、前記第1素子部の前記半導体基板の前記第1面と、前記第1素子部の前記半導体基板の前記第1面上に形成された第1絶縁膜との界面に、前記水素プラズマに存在する水素イオンを供給する工程。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1高周波電力の周波数は、27MHz〜60MHzであり、
前記第2高周波電力の周波数は、2MHz〜27MHzである、半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1高周波電力は、200W〜5,000Wであり、
前記第2高周波電力は、200W〜5,000Wである、半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
さらに、前記(d2)工程では、
前記第2素子部の前記半導体基板の前記第1面と、前記第2素子部の前記半導体基板の前記第1面上に形成された第2絶縁膜との界面に、前記水素プラズマに存在する水素イオンを供給し、
前記第1素子部の前記半導体基板の前記第1面と前記第1絶縁膜との界面に供給された水素イオンの濃度は、前記第2素子部の前記半導体基板の前記第1面と前記第2絶縁膜との界面に供給された水素イオンの濃度よりも高い、半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程と前記(d)工程との間に、
(e)前記第1素子部および前記第2素子部にわたって、前記配線の上に保護膜を形成する工程、
を有する、半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1素子部には、
前記半導体基板の前記第1面から第1深さを有する第1導電型の第1領域と、
前記第1領域内に形成され、前記半導体基板の前記第1面から前記第1深さよりも浅い第2深さを有する第2導電型の第2領域と、
からなるフォトダイオードが形成されている、半導体装置の製造方法。 - 以下の工程を含む半導体装置の製造方法:
(a)第1面と、前記第1面と反対側の第2面とを有する半導体基板を用意する工程;
(b)前記半導体基板の前記第1面の互いに異なる領域に、第1素子部と第2素子部とを形成する工程;
(c)前記(b)工程の後、前記第2素子部に銅からなる配線を形成する工程;
(d)前記(c)工程の後、互いに対向する上部電極と下部電極とを備えるプラズマ装置の前記下部電極上に、前記下部電極と前記半導体基板の前記第2面とを接触させて、前記半導体基板を搭載し、前記半導体基板の前記第1面と前記上部電極との間にアンモニアプラズマを発生させる工程、
を有し、
前記(d)工程では、
前記上部電極に第1高周波電力を印加して、前記アンモニアプラズマを発生させ、前記第1素子部の前記半導体基板の前記第1面と、前記第1素子部の前記半導体基板の前記第1面上に形成された第1絶縁膜との界面に、前記アンモニアプラズマに存在する水素イオンを供給する、半導体装置の製造方法。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程では、さらに、
前記第2素子部に形成された前記配線の表面を窒化する、半導体装置の製造方法。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1素子部には、
前記半導体基板の前記第1面から第1深さを有する第1導電型の第1領域と、
前記第1領域内に形成され、前記半導体基板の前記第1面から前記第1深さよりも浅い第2深さを有する第2導電型の第2領域と、
からなるフォトダイオードが形成されている、半導体装置の製造方法。
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JP2003142579A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
KR20030040865A (ko) * | 2001-11-16 | 2003-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 암전류를 감소시키기 위한 이미지센서의 제조 방법 |
JP2003218121A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2007020684A1 (ja) | 2005-08-15 | 2007-02-22 | Renesas Technology Corp. | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP4837370B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2011-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
JP2008300630A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009010125A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009188038A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009295799A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Sharp Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2010010578A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Canon Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010165744A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5548396B2 (ja) * | 2009-06-12 | 2014-07-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 薄膜トランジスタ用配線層構造及びその製造方法 |
KR101636008B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2016-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
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