JP6303663B2 - 電圧駆動型電力用半導体素子の駆動回路 - Google Patents
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電圧駆動型電力用半導体素子の駆動回路において、
シリコンよりもバンドギャップが大きい半導体材料を基板に含むワイドギャップの前記電圧駆動型電力用半導体素子の制御電極端子に制御抵抗部を介して充電する電源と、
前記電圧駆動型電力用半導体素子のターンオン指令時にオンされて前記電源と前記制御抵抗部とを接続するスイッチング素子とを備えており、
前記制御抵抗部は、
前記スイッチング素子のオンにより前記電源及び前記制御電極端子間に直列接続される第1抵抗部と、
前記スイッチング素子のオンから遅延回路により遅延時間だけ遅れたタイミングで、前記第1抵抗部と並列に前記電源及び前記制御電極端子間に直列接続される第2抵抗部と、
を有している、
ことを特徴とする。
なお、遅延回路3による遅延時間(t2−t1)は、電力用半導体素子Q1のターンオン(図2(a)の時点t1)、つまり、トランジスタQ2のオン(図2(b)の時点t1)から、急峻な電流変化Sの発生が収まるまでの経過時間(急峻な電流変化Sの発生期間)以上の時間に設定することができる。また、電力用半導体素子Q1に接続する不図示の負荷や電力用半導体素子Q1の個体差による急峻な電流変化Sの発生期間の誤差分を考慮して、遅延回路3による遅延時間(t2−t1)を設定してもよい。
次に、図5を参照して、本発明の参考例に係る電圧駆動型電力用半導体素子の駆動回路について説明する。
なお、図6(a)に示す第1変形例のように、遅延回路3の抵抗Rg7に、抵抗Rg7を流れる電流の向きとは逆向きの電流を通す追加のダイオードD4を並列接続してもよい。このダイオードD4を追加することで、スイッチング用MOSFETQ5をオフにする(電力用半導体素子Q1をターンオフする)際に、遅延回路3のコンデンサC3の電荷を、抵抗Rg7を経由する回路よりも低抵抗で高速に放電させることができる。
3 遅延回路
AMP 増幅部
C1〜C4 コンデンサ
D1〜D4 ダイオード
G ゲートG(制御電極端子)
Q1 ワイドギャップの電圧駆動型電力用半導体素子
Q2 NPNトランジスタ(スイッチング素子)
Q3 PNPトランジスタ
Q4,Q5 スイッチング用MOSFET
Rg1 第1ゲート抵抗(第1抵抗部、制御抵抗部)
Rg2 第2ゲート抵抗
Rg3 第3ゲート抵抗(第2抵抗部、制御抵抗部)
Rg4,Rg41,Rg6,Rg7,Rg8 抵抗
Rg5 第5ゲート抵抗(第2抵抗部、制御抵抗部)
S 急峻な電流変化
Vcc 電源
Claims (1)
- 電圧駆動型電力用半導体素子の駆動回路において、
シリコンよりもバンドギャップが大きい半導体材料を基板に含むワイドギャップの前記電圧駆動型電力用半導体素子の制御電極端子を制御抵抗部を介して充電する電源と、
前記電圧駆動型電力用半導体素子のターンオン指令時にオンされて前記電源と前記制御抵抗部とを接続するスイッチング素子とを備えており、
前記制御抵抗部は、
前記スイッチング素子のオンにより前記電源及び前記制御電極端子間に直列接続される第1抵抗部と、
前記スイッチング素子のオンから遅延回路による遅延時間だけ遅れたタイミングで、前記遅延回路の出力によってゲートが充電されるnチャネルMOSFETがオンされることで、前記スイッチング素子及び前記第1抵抗部と並列に前記電源及び前記制御電極端子間に直列接続される第2抵抗部と、
を有している、
ことを特徴とする電圧駆動型電力用半導体素子の駆動回路。
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