JP6291157B2 - エラー訂正回路を具備したオンチップ・データ・スクラビング装置及び方法 - Google Patents
エラー訂正回路を具備したオンチップ・データ・スクラビング装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6291157B2 JP6291157B2 JP2012131050A JP2012131050A JP6291157B2 JP 6291157 B2 JP6291157 B2 JP 6291157B2 JP 2012131050 A JP2012131050 A JP 2012131050A JP 2012131050 A JP2012131050 A JP 2012131050A JP 6291157 B2 JP6291157 B2 JP 6291157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refresh
- scrubbing
- command
- memory device
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 title claims description 278
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000012937 correction Methods 0.000 title description 79
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 49
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 46
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 38
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1048—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
- G06F11/106—Correcting systematically all correctable errors, i.e. scrubbing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
- G06F3/0619—Improving the reliability of storage systems in relation to data integrity, e.g. data losses, bit errors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
- G06F3/0644—Management of space entities, e.g. partitions, extents, pools
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0646—Horizontal data movement in storage systems, i.e. moving data in between storage devices or systems
- G06F3/0652—Erasing, e.g. deleting, data cleaning, moving of data to a wastebasket
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
- G06F3/0671—In-line storage system
- G06F3/0673—Single storage device
- G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
- G11C11/40611—External triggering or timing of internal or partially internal refresh operations, e.g. auto-refresh or CAS-before-RAS triggered refresh
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
- G11C11/40618—Refresh operations over multiple banks or interleaving
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
- G11C11/40622—Partial refresh of memory arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/52—Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0409—Online test
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0411—Online error correction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Dram (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
本発明の他の目的は、シングルビット以上のエラーの蓄積を防止し、データの信頼性を向上させたエラー訂正回路を具備するオンチップ・データ・スクラビング装置及び方法を提供することである。
1000 メモリ・モジュール
1100 半導体メモリ装置
1110,3100 メモリアレイ
1121,3210 ロウ・デコーダ
1122,3230 ドライバ/センスアンプ
1123,3220 カラム・デコーダ
1130,3300 コマンド・デコーダ
1140 リフレッシュ制御回路
1151 内部アドレス発生部
1152 アドレス・バッファ部
1160 周期情報保存部
1170,3500 エラー訂正回路
1181,3610 ライトデータ経路
1182,3620 リードデータ経路
1300 SPD
2000 メモリ・コントローラ
3000 DRAMチップ
3400 アドレス・バッファ
3700 スクラビング・リフレッシュ管理部
3710 ロウ・カウンタ
3720 ページセグメント・カウンタ
3800 モードレジスタ・セット
Claims (23)
- メモリ装置のリフレッシュ方法において、
コマンド・デコーダがリフレッシュ・コマンドを受信するたびに、リフレッシュ・コマンド・カウンタがカウンティングし、リフレッシュ・コマンド・カウントを発生させる段階と、
前記リフレッシュ・コマンド・カウンタが、前記リフレッシュ・コマンド・カウントの下位の一つ以上のビットを増加させた時、前記メモリ装置の対応する部分に対して、スクラビングのない少なくとも1つのリフレッシュを行う段階と、
前記リフレッシュ・コマンド・カウンタが、前記リフレッシュ・コマンド・カウントの上位の一つ以上のビットを増加させた時、前記メモリ装置の対応する部分に対して、スクラビングを有する少なくとも1つのリフレッシュを行う段階と、を含み、
前記スクラビングを有するリフレッシュは、受信された1つのリフレッシュ・コマンドに対応してスクラビングとリフレッシュとを共に行い、
前記受信された1つのリフレッシュ・コマンドにより、複数のサブページを含む1つのページが選択され、
前記1つのページに含まれる前記複数のサブページの一部は選択され他は非選択となり、
前記選択されたサブページに対しては前記スクラビングを有するリフレッシュが行われ、前記非選択されたサブページに対しては前記スクラビングのないリフレッシュが行われ、
前記メモリ装置は、第1周波数によって、前記スクラビングのないリフレッシュを行うと共に、第2周波数によって、前記スクラビングを有するリフレッシュを行うことを特徴とするメモリ装置のリフレッシュ方法。 - 前記スクラビングのないリフレッシュと、前記スクラビングを有するリフレッシュは、経時的に交互に行われることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。
- 前記スクラビングのない少なくとも1つのリフレッシュの第1個数は、前記スクラビングを有する少なくとも1つのリフレッシュの第2個数より多いことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。
- それぞれのスクラビングを有するリフレッシュは、複数のスクラビングのないリフレッシュの間に行われることを特徴とする請求項3に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。
- 前記リフレッシュ・コマンドは、第1タイプ・リフレッシュ・コマンド及び第2タイプ・リフレッシュ・コマンドを含み、
それぞれのスクラビングのないリフレッシュは、メモリ・コントローラから発生する前記第1タイプ・リフレッシュ・コマンドに応答して行われ、それぞれのスクラビングを有するリフレッシュは、前記メモリ・コントローラから発生する前記第2タイプ・リフレッシュ・コマンドに応答して行われることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。 - それぞれのスクラビングのないリフレッシュは、前記メモリ・コントローラから発生するオートリフレッシュ・コマンドまたはセルフリフレッシュ・コマンドに応答して行われることを特徴とする請求項5に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。
- それぞれのスクラビングを有するリフレッシュは、前記メモリ・コントローラから発生する特定のリフレッシュ・スクラビング・コマンドに応答して行われることを特徴とする請求項6に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。
- 前記特定のリフレッシュ・スクラビング・コマンドが発生するとき、
前記メモリ装置の少なくとも2枚のサブページそれぞれに対してスクラビングを含むリフレッシュをそれぞれ順次に行う段階を含むことを特徴とする請求項7に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。 - 前記少なくとも2枚のサブページのスクラビングを有するリフレッシュの後、前記メモリ装置の少なくとも2枚のサブページをプリチャージする段階をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。
- 前記メモリ装置について行われる前記スクラビングのない少なくとも1つのリフレッシュの第1個数は、前記メモリ装置について行われる前記スクラビングを有する少なくとも1つのリフレッシュの第2個数より多いことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。
- それぞれのスクラビングのないリフレッシュまたは前記スクラビングを有するリフレッシュは、メモリセルのそれぞれのページについて行われることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。
- それぞれのスクラビングのないリフレッシュは、メモリセルのそれぞれのページについて行われ、それぞれのスクラビングを有するリフレッシュは、前記メモリセルのそれぞれのサブページについて行われることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置のリフレッシュ方法。
- メモリ装置において、
セルアレイと、
リフレッシュ管理部と、を具備し、
前記リフレッシュ管理部は、
コマンド・デコーダがリフレッシュ・コマンドを受信するたびにカウンティングし、リフレッシュ・コマンド・カウントを発生させるリフレッシュ・コマンド・カウンタと、
前記リフレッシュ・コマンド・カウンタが、前記リフレッシュ・コマンド・カウントの下位の一つ以上のビットを増加させた時、前記セルアレイの対応する部分について、スクラビングのない少なくとも1つのリフレッシュの実行を制御する第1カウンタと、
前記リフレッシュ・コマンド・カウンタが、前記リフレッシュ・コマンド・カウントの上位の一つ以上のビットを増加させた時、前記セルアレイの対応する部分について、スクラビングを有する少なくとも1つのリフレッシュの実行を制御する第2カウンタと、を具備し、
前記スクラビングを有するリフレッシュは、受信された1つのリフレッシュ・コマンドに対応してスクラビングとリフレッシュとが共に行われ、
前記受信された1つのリフレッシュ・コマンドにより、複数のサブページを含む1つのページが選択され、
前記1つのページに含まれる前記複数のサブページの一部は選択され他は非選択となり、
前記選択されたサブページに対しては前記スクラビングを有するリフレッシュが行われ、前記非選択されたサブページに対しては前記スクラビングのないリフレッシュが行われ、
前記メモリ装置は、第1周波数によって前記スクラビングのないリフレッシュを行うと共に、第2周波数によって前記スクラビングを有するリフレッシュを行うことを特徴とするメモリ装置。 - 前記スクラビングのない少なくとも1つのリフレッシュと、前記スクラビングを有する少なくとも1つのリフレッシュは、経時的に交互に行われることを特徴とする請求項13に記載のメモリ装置。
- 前記スクラビングのない少なくとも1つのリフレッシュの第1個数は、前記スクラビングを有する少なくとも1つのリフレッシュの第2個数より多いことを特徴とする請求項13に記載のメモリ装置。
- それぞれのスクラビングを有するリフレッシュは、複数のスクラビングのないリフレッシュの間に行われることを特徴とする請求項15に記載のメモリ装置。
- 前記リフレッシュ・コマンドは、第1タイプ・リフレッシュ・コマンド及び第2タイプ・リフレッシュ・コマンドを含み、
それぞれのスクラビングのないリフレッシュは、メモリ・コントローラから発生する前記第1タイプ・リフレッシュ・コマンドに応答して行われ、それぞれのスクラビングを有するリフレッシュは、前記メモリ・コントローラから発生する前記第2タイプ・リフレッシュ・コマンドに応答して行われることを特徴とする請求項13に記載のメモリ装置。 - それぞれのスクラビングのないリフレッシュは、前記メモリ・コントローラから発生するオートリフレッシュ・コマンドまたはセルフリフレッシュ・コマンドに応答して行われることを特徴とする請求項13に記載のメモリ装置。
- それぞれのスクラビングを有するリフレッシュは、前記メモリ・コントローラから発生する特定のリフレッシュ・スクラビング・コマンドに応答して行われることを特徴とする請求項18に記載のメモリ装置。
- 前記特定のリフレッシュ・スクラビング・コマンドが発生するとき、
前記メモリ装置の少なくとも2枚のサブページそれぞれについてスクラビングを有するリフレッシュがそれぞれ順次に行われることを特徴とする請求項19に記載のメモリ装置。 - 前記少なくとも2枚のサブページのスクラビングを有するリフレッシュの後、前記メモリ装置の少なくとも2枚のサブページがプリチャージされることを特徴とする請求項20に記載のメモリ装置。
- 前記メモリ装置について行われる前記スクラビングのない少なくとも1つのリフレッシュの第1個数は、前記メモリ装置について行われる前記スクラビングを有する少なくとも1つのリフレッシュの第2個数より多いことを特徴とする請求項13に記載のメモリ装置。
- それぞれのスクラビングのないリフレッシュまたはスクラビングを有するリフレッシュは、メモリセルのそれぞれのページについて行われることを特徴とする請求項13に記載のメモリ装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110055744A KR101873526B1 (ko) | 2011-06-09 | 2011-06-09 | 에러 정정회로를 구비한 온 칩 데이터 스크러빙 장치 및 방법 |
KR10-2011-0055744 | 2011-06-09 | ||
US13/241,205 US9053813B2 (en) | 2011-06-09 | 2011-09-23 | Method and apparatus for refreshing and data scrubbing memory device |
US13/241205 | 2011-09-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012256414A JP2012256414A (ja) | 2012-12-27 |
JP6291157B2 true JP6291157B2 (ja) | 2018-03-14 |
Family
ID=47294147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012131050A Active JP6291157B2 (ja) | 2011-06-09 | 2012-06-08 | エラー訂正回路を具備したオンチップ・データ・スクラビング装置及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9053813B2 (ja) |
JP (1) | JP6291157B2 (ja) |
KR (1) | KR101873526B1 (ja) |
CN (1) | CN102820049A (ja) |
TW (1) | TWI579844B (ja) |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101873526B1 (ko) | 2011-06-09 | 2018-07-02 | 삼성전자주식회사 | 에러 정정회로를 구비한 온 칩 데이터 스크러빙 장치 및 방법 |
WO2013068862A1 (en) * | 2011-11-11 | 2013-05-16 | International Business Machines Corporation | Memory module and memory controller for controlling a memory module |
US11024352B2 (en) | 2012-04-10 | 2021-06-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system for access concentration decrease management and access concentration decrease method |
US20140219007A1 (en) * | 2013-02-07 | 2014-08-07 | Nvidia Corporation | Dram with segmented page configuration |
US9454451B2 (en) * | 2013-02-11 | 2016-09-27 | Arm Limited | Apparatus and method for performing data scrubbing on a memory device |
KR102143517B1 (ko) | 2013-02-26 | 2020-08-12 | 삼성전자 주식회사 | 에러 정정회로를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작방법 |
EP3629123B1 (en) | 2013-07-27 | 2021-02-24 | Netlist, Inc. | Memory module with local synchronization |
US9529673B2 (en) * | 2013-07-30 | 2016-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory device having adjustable refresh period and method of operating the same |
WO2015030751A1 (en) | 2013-08-28 | 2015-03-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Refresh rate adjust |
US9281046B2 (en) * | 2013-10-08 | 2016-03-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Data processor with memory controller for high reliability operation and method |
KR102144367B1 (ko) * | 2013-10-22 | 2020-08-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
US9274888B2 (en) | 2013-11-15 | 2016-03-01 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for multiple-bit DRAM error recovery |
US9881656B2 (en) | 2014-01-09 | 2018-01-30 | Qualcomm Incorporated | Dynamic random access memory (DRAM) backchannel communication systems and methods |
US10248331B2 (en) | 2014-07-23 | 2019-04-02 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Delayed read indication |
KR102189780B1 (ko) * | 2014-08-11 | 2020-12-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR102210327B1 (ko) | 2014-08-21 | 2021-02-01 | 삼성전자주식회사 | 에러 알림 기능이 있는 메모리 장치 |
KR102204390B1 (ko) | 2014-09-12 | 2021-01-18 | 삼성전자주식회사 | 빠른 불량 셀 구제 동작의 메모리 장치 |
KR102252376B1 (ko) | 2014-12-08 | 2021-05-14 | 삼성전자주식회사 | 셀 특성 플래그를 이용하여 리프레쉬 동작을 제어하는 메모리 장치 |
RU2682843C1 (ru) * | 2015-03-10 | 2019-03-21 | Тосиба Мемори Корпорейшн | Устройство памяти и система памяти |
KR101653999B1 (ko) * | 2015-04-02 | 2016-09-09 | 서울시립대학교 산학협력단 | 낸드 플래시 기반의 스토리지 시스템 및 데이터 보존 강화 방법 |
KR101679509B1 (ko) | 2015-04-09 | 2016-12-06 | 경희대학교 산학협력단 | 메모리, 방사능 환경에서 메모리의 동작 방법, 전력제어 장치 및 전력제어 방법 |
KR102258905B1 (ko) | 2015-07-02 | 2021-05-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 동작 방법 |
CN106527959B (zh) * | 2015-09-10 | 2019-07-26 | 阿里巴巴集团控股有限公司 | 刷新磁盘输入输出请求的处理方法及设备 |
KR20170045806A (ko) * | 2015-10-20 | 2017-04-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
WO2017074292A1 (en) | 2015-10-25 | 2017-05-04 | Hewlett-Packard Enterprise Development LP | Volatile memory device with automatic lower power state |
US10193576B2 (en) * | 2015-10-30 | 2019-01-29 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and memory device |
KR102434053B1 (ko) * | 2015-11-16 | 2022-08-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
KR102435181B1 (ko) * | 2015-11-16 | 2022-08-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
US9823964B2 (en) | 2015-12-08 | 2017-11-21 | Nvidia Corporation | Method for memory scrub of DRAM with internal error correcting code (ECC) bits during either memory activate and/or precharge operation |
US10049006B2 (en) | 2015-12-08 | 2018-08-14 | Nvidia Corporation | Controller-based memory scrub for DRAMs with internal error-correcting code (ECC) bits contemporaneously during auto refresh or by using masked write commands |
US9880900B2 (en) | 2015-12-08 | 2018-01-30 | Nvidia Corporation | Method for scrubbing and correcting DRAM memory data with internal error-correcting code (ECC) bits contemporaneously during self-refresh state |
US10936044B2 (en) | 2015-12-21 | 2021-03-02 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Quality of service based memory throttling |
US10467020B2 (en) * | 2016-02-26 | 2019-11-05 | Toshiba Memory Corporation | Memory device, and information-processing device |
US10628248B2 (en) * | 2016-03-15 | 2020-04-21 | International Business Machines Corporation | Autonomous dram scrub and error counting |
KR102636039B1 (ko) * | 2016-05-12 | 2024-02-14 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법 및 카피백 방법 |
EP3553662A1 (en) * | 2016-05-28 | 2019-10-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Intergral post package repair |
US10042700B2 (en) | 2016-05-28 | 2018-08-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integral post package repair |
KR102561346B1 (ko) | 2016-08-23 | 2023-07-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
US20180061484A1 (en) * | 2016-08-29 | 2018-03-01 | Apple Inc. | Systems and Methods for Memory Refresh Timing |
KR102508132B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2023-03-09 | 주식회사 멤레이 | 자기 저항 메모리 모듈 및 이를 포함하는 컴퓨팅 디바이스 |
US10042702B2 (en) * | 2016-11-07 | 2018-08-07 | SK Hynix Inc. | Memory device transferring data between master and slave device and semiconductor package including the same |
KR20180060084A (ko) | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 스크러빙 컨트롤러, 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
US9865323B1 (en) | 2016-12-07 | 2018-01-09 | Toshiba Memory Corporation | Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller |
KR20180081282A (ko) | 2017-01-06 | 2018-07-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
KR20180106494A (ko) * | 2017-03-20 | 2018-10-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
KR102243582B1 (ko) * | 2017-04-24 | 2021-04-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
KR20180129233A (ko) * | 2017-05-26 | 2018-12-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 리프레시 동작을 제어하는 반도체 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US10482943B2 (en) | 2017-06-28 | 2019-11-19 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods for improved error correction in a refreshable memory |
US20190066760A1 (en) * | 2017-08-23 | 2019-02-28 | Nanya Technology Corporation | Dram and method for operating the same |
KR20190052315A (ko) | 2017-11-08 | 2019-05-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
KR102410022B1 (ko) | 2017-11-24 | 2022-06-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 에러스크럽방법 및 이를 이용한 반도체모듈 |
KR102415867B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2022-07-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 셀의 결함을 제거하기 위한 메모리 시스템 및 그의 동작 방법 |
US11004495B2 (en) * | 2017-12-18 | 2021-05-11 | SK Hynix Inc. | Data storage device and operating method thereof |
KR102393427B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2022-05-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 반도체시스템 |
US10635327B2 (en) * | 2018-01-31 | 2020-04-28 | Western Digital Technologies, Inc. | Data availability during memory inaccessibility |
KR102583797B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-10-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
KR102457630B1 (ko) | 2018-04-17 | 2022-10-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 이를 포함하는 메모리 모듈 |
KR102658230B1 (ko) | 2018-06-01 | 2024-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
CN110838314A (zh) * | 2018-08-17 | 2020-02-25 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种存储数据的加固方法及装置 |
WO2020077283A1 (en) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | Supermem, Inc. | Error correcting memory systems |
KR102583266B1 (ko) * | 2018-10-24 | 2023-09-27 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 모듈, 스토리지 모듈의 동작 방법, 및 스토리지 모듈을 제어하는 호스트의 동작 방법 |
KR102649315B1 (ko) | 2018-12-03 | 2024-03-20 | 삼성전자주식회사 | 휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 모듈 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR102145688B1 (ko) * | 2019-06-18 | 2020-08-19 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 메모리 장치 |
KR102670661B1 (ko) * | 2019-06-19 | 2024-05-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
JP7016332B2 (ja) | 2019-07-05 | 2022-02-04 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 半導体メモリ装置 |
CN112216335B (zh) * | 2019-07-09 | 2022-12-02 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器故障处理方法和装置 |
US20220129198A1 (en) * | 2019-07-12 | 2022-04-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data updates for controllers |
KR102139888B1 (ko) * | 2019-07-23 | 2020-07-31 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 반도체 메모리 장치 |
KR20210026201A (ko) * | 2019-08-29 | 2021-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 이의 리페어 제어 방법 |
US11010243B2 (en) | 2019-09-09 | 2021-05-18 | Winbond Electronics Corp. | Memory apparatus with error bit correction in data reading period |
KR20210088917A (ko) | 2020-01-07 | 2021-07-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
US20200176072A1 (en) * | 2020-02-04 | 2020-06-04 | Intel Corporation | Dynamic random access memory built-in self-test power fail mitigation |
EP3913634A1 (en) * | 2020-05-22 | 2021-11-24 | Nxp B.V. | Memory testing by reading and verifying again memory locations after read access |
CN111679792B (zh) * | 2020-06-04 | 2023-04-07 | 四川九州电子科技股份有限公司 | 一种嵌入式设备NandFlash I/O数据监测系统及方法 |
US20220051744A1 (en) * | 2020-08-17 | 2022-02-17 | Mediatek Inc. | Memory controller with adaptive refresh rate controlled by error bit information |
WO2022058768A1 (en) * | 2020-09-21 | 2022-03-24 | Micron Technology, Inc | Memory apparatus and method for operating the same |
KR20220039432A (ko) | 2020-09-22 | 2022-03-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
US11579964B2 (en) | 2020-12-22 | 2023-02-14 | Micron Technology, Inc. | Parity data in dynamic random access memory (DRAM) |
KR20220094489A (ko) | 2020-12-29 | 2022-07-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
KR20230012274A (ko) | 2021-07-15 | 2023-01-26 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 동작 방법, 메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 메모리 시스템 |
US11605441B1 (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same |
KR20230072336A (ko) | 2021-11-17 | 2023-05-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
TWI792754B (zh) | 2021-12-09 | 2023-02-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 具有高資料頻寬的記憶體裝置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4369510A (en) | 1980-07-25 | 1983-01-18 | Honeywell Information Systems Inc. | Soft error rewrite control system |
JPS60225954A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Nec Corp | 記憶装置 |
JPS61123957A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-11 | Nec Corp | 記憶装置 |
JPH087995B2 (ja) * | 1985-08-16 | 1996-01-29 | 富士通株式会社 | ダイナミツク半導体記憶装置のリフレツシユ方法および装置 |
JPH01248399A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
EP0424301A3 (en) * | 1989-10-18 | 1992-09-16 | International Business Machines Corporation | Overlapped data scrubbing with data refreshing |
US5127014A (en) | 1990-02-13 | 1992-06-30 | Hewlett-Packard Company | Dram on-chip error correction/detection |
US6567417B2 (en) * | 2000-06-19 | 2003-05-20 | Broadcom Corporation | Frame forwarding in a switch fabric |
US6751698B1 (en) * | 1999-09-29 | 2004-06-15 | Silicon Graphics, Inc. | Multiprocessor node controller circuit and method |
JP2002056671A (ja) | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Hitachi Ltd | ダイナミック型ramのデータ保持方法と半導体集積回路装置 |
US6658610B1 (en) * | 2000-09-25 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Compilable address magnitude comparator for memory array self-testing |
US7051264B2 (en) | 2001-11-14 | 2006-05-23 | Monolithic System Technology, Inc. | Error correcting memory and method of operating same |
US6838331B2 (en) * | 2002-04-09 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Method and system for dynamically operating memory in a power-saving error correction mode |
US6957308B1 (en) * | 2002-07-11 | 2005-10-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | DRAM supporting different burst-length accesses without changing the burst length setting in the mode register |
KR100502659B1 (ko) | 2002-10-31 | 2005-07-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 저전력 셀프 리프레쉬 장치를 구비한 반도체 메모리 장치 |
US6781908B1 (en) * | 2003-02-19 | 2004-08-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Memory having variable refresh control and method therefor |
US7320100B2 (en) * | 2003-05-20 | 2008-01-15 | Cray Inc. | Apparatus and method for memory with bit swapping on the fly and testing |
US8205146B2 (en) * | 2005-07-21 | 2012-06-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Persistent error detection in digital memory |
US20070022244A1 (en) | 2005-07-25 | 2007-01-25 | Honeywell International Inc. | Methods and systems for refresh and error scrubbing of dynamic memory devices |
KR100855578B1 (ko) * | 2007-04-30 | 2008-09-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자의 리프레시 주기 제어회로 및 리프레시주기 제어방법 |
WO2009011052A1 (ja) | 2007-07-18 | 2009-01-22 | Fujitsu Limited | メモリリフレッシュ装置およびメモリリフレッシュ方法 |
US8826097B2 (en) * | 2011-03-30 | 2014-09-02 | Arm Limited | Memory scrubbing |
KR101873526B1 (ko) | 2011-06-09 | 2018-07-02 | 삼성전자주식회사 | 에러 정정회로를 구비한 온 칩 데이터 스크러빙 장치 및 방법 |
US11092567B2 (en) * | 2017-03-21 | 2021-08-17 | International Business Machines Corporation | Biosensor electrode having three-dimensional structured sensing surfaces |
-
2011
- 2011-06-09 KR KR1020110055744A patent/KR101873526B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-23 US US13/241,205 patent/US9053813B2/en active Active
-
2012
- 2012-03-05 TW TW101107250A patent/TWI579844B/zh active
- 2012-06-08 JP JP2012131050A patent/JP6291157B2/ja active Active
- 2012-06-08 CN CN2012101878137A patent/CN102820049A/zh active Pending
-
2015
- 2015-04-29 US US14/699,201 patent/US9600362B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101873526B1 (ko) | 2018-07-02 |
US20120317352A1 (en) | 2012-12-13 |
CN102820049A (zh) | 2012-12-12 |
US9053813B2 (en) | 2015-06-09 |
KR20120136674A (ko) | 2012-12-20 |
JP2012256414A (ja) | 2012-12-27 |
TW201250682A (en) | 2012-12-16 |
TWI579844B (zh) | 2017-04-21 |
US9600362B2 (en) | 2017-03-21 |
US20150248329A1 (en) | 2015-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6291157B2 (ja) | エラー訂正回路を具備したオンチップ・データ・スクラビング装置及び方法 | |
CN110556156B (zh) | 半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法 | |
US9087614B2 (en) | Memory modules and memory systems | |
KR101796116B1 (ko) | 반도체 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 시스템 및 그 동작방법 | |
KR102434053B1 (ko) | 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 | |
CN112837725A (zh) | 半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法 | |
US9823964B2 (en) | Method for memory scrub of DRAM with internal error correcting code (ECC) bits during either memory activate and/or precharge operation | |
US20170337984A1 (en) | Dram retention test method for dynamic error correction | |
US20170161143A1 (en) | Controller-based memory scrub for drams with internal error-correcting code (ecc) bits contemporaneously during auto refresh or by using masked write commands | |
US8117519B2 (en) | Memory apparatus and method using erasure error correction to reduce power consumption | |
JP2017182854A (ja) | 半導体装置 | |
US20130339821A1 (en) | Three dimensional(3d) memory device sparing | |
US9880900B2 (en) | Method for scrubbing and correcting DRAM memory data with internal error-correcting code (ECC) bits contemporaneously during self-refresh state | |
KR20150092451A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
CN114077384A (zh) | 存储器装置和用于控制存储器装置的刷新操作的方法 | |
KR102076067B1 (ko) | 메모리 모듈 및 메모리 시스템 | |
US20230142474A1 (en) | Memory device and memory system including the same | |
US11309054B2 (en) | Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same | |
JP2015170202A (ja) | キャッシュメモリおよびプロセッサシステム | |
JP5212100B2 (ja) | 半導体メモリおよびメモリシステム | |
US11664084B2 (en) | Memory device on-die ECC data |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170201 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171031 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6291157 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |