JP6271157B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6271157B2 JP6271157B2 JP2013109824A JP2013109824A JP6271157B2 JP 6271157 B2 JP6271157 B2 JP 6271157B2 JP 2013109824 A JP2013109824 A JP 2013109824A JP 2013109824 A JP2013109824 A JP 2013109824A JP 6271157 B2 JP6271157 B2 JP 6271157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- type high
- high concentration
- concentration layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 130
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 44
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 183
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 32
- 101000894525 Homo sapiens Transforming growth factor-beta-induced protein ig-h3 Proteins 0.000 description 29
- 102100021398 Transforming growth factor-beta-induced protein ig-h3 Human genes 0.000 description 29
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置SDの構成を示す断面図である。図2は、半導体装置SDにおける不純物層の平面レイアウトを示す図である。なお、図1は、図2のA−A´断面に対応している。
図7は、第2の実施形態に係る半導体装置SDの構成を示す平面図であり、第1の実施形態における図2に対応している。本実施形態に係る半導体装置SDは、第1の第2導電型高濃度層DL1及び第1導電型高濃度層DL2のレイアウトを除いて、第1の実施形態に係る半導体装置SDと同様の構成である。
図10は、第3の実施形態に係る半導体装置SDの構成を示す平面図であり、第1の実施形態における図2に対応している。本実施形態に係る半導体装置SDは、第1の第2導電型高濃度層DL1及び第1導電型高濃度層DL2のレイアウトを除いて、第1の実施形態に係る半導体装置SDと同様の構成である。
CON1 第1コンタクト
CON2 第2コンタクト
CON3 第3コンタクト
CSD1 半導体装置
CSD2 半導体装置
CSD3 半導体装置
DL1 第1の第2導電型高濃度層
DL2 第1導電型高濃度層
DL3 第2導電型層
EFR 素子形成領域
EPI エピタキシャル層
IL 層間絶縁膜
INC1 第1配線
INC2 第2配線
OP1 開口
OP2 開口
SD 半導体装置
SL 第2の第2導電型高濃度層
STI 素子分離膜
SUB 半導体基板
WL ウェル
Claims (6)
- 第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の下方で延伸する第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域上にあって前記第2半導体領域に接続し、平面視で前記第1半導体領域を囲む前記第2導電型の第3半導体領域と、
を備え、
前記第1半導体領域は、素子分離領域によって区画された第1領域を有し、
前記素子分離領域は、断面視において、前記第1半導体領域から前記第3半導体領域に亘って延在しており、
前記第1半導体領域の前記第1領域は、前記第1半導体領域よりも高濃度の前記第1導電型の第1不純物領域と、前記第2導電型の第2不純物領域と、を有し、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域とは、電気的に互いに接続しており、
前記第1不純物領域は、前記第1領域の最外周で前記素子分離領域に接する第1部分を含み、
前記第2不純物領域は、前記第1領域の最外周で前記素子分離領域に接する第2部分を含み、
前記第1不純物領域の前記第1部分と前記第2不純物領域の前記第2部分は、前記第1領域の最外周に沿って互いに隣接しており、
平面視において、前記第1不純物領域は、第1方向に延在しており、
平面視において、前記第2不純物領域は、前記第1方向に延在しており、前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記第1不純物領域と並んでおり、
前記第1部分は、前記第1方向における前記第1不純物領域の両端のそれぞれであり、
前記第2部分は、前記第1方向における前記第2不純物領域の両端のそれぞれであり、
前記第1半導体領域の前記第1領域は、複数の前記第1不純物領域と、複数の前記第2不純物領域と、を有し、
前記複数の第1不純物領域と前記複数の第2不純物領域とは、前記第2方向に沿って交互に並んでいる半導体装置。 - 第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の下方で延伸する第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域上にあって前記第2半導体領域に接続し、平面視で前記第1半導体領域を囲む前記第2導電型の第3半導体領域と、
を備え、
前記第1半導体領域は、素子分離領域によって区画された第1領域を有し、
前記素子分離領域は、断面視において、前記第1半導体領域から前記第3半導体領域に亘って延在しており、
前記第1半導体領域の前記第1領域は、前記第1半導体領域よりも高濃度の前記第1導電型の第1不純物領域と、前記第2導電型の第2不純物領域と、を有し、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域とは、電気的に互いに接続しており、
前記第1不純物領域は、前記第1領域の最外周で前記素子分離領域に接する第1部分を含み、
前記第2不純物領域は、前記第1領域の最外周で前記素子分離領域に接する第2部分を含み、
前記第1不純物領域の前記第1部分と前記第2不純物領域の前記第2部分は、前記第1領域の最外周に沿って互いに隣接しており、
前記第1半導体領域の前記第1領域は、複数の前記第1部分と、複数の前記第2部分と、を有し、
前記複数の第1部分と前記複数の第2部分とは、前記第1領域の最外周に沿って交互に並んでいる半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第1半導体領域の前記第1領域は、前記第1領域の最外周に沿って並ぶ複数の前記第1不純物領域を有し、
前記複数の第1不純物領域のそれぞれは、前記複数の第1部分のそれぞれを有し、
前記第2不純物領域は、隣り合う前記第1部分の間のそれぞれに、前記複数の第2部分のそれぞれを有する半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記第1半導体領域の前記第1領域は、前記複数の第1不純物領域が配置された領域よりも内側に、少なくとも一つの前記第1不純物領域をさらに有する半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第1半導体領域の前記第1領域は、前記第1領域の最外周に沿って並ぶ複数の前記第2不純物領域を有し、
前記複数の第2不純物領域のそれぞれは、前記複数の第2部分のそれぞれを有し、
前記第1不純物領域は、隣り合う前記第2部分の間のそれぞれに、前記複数の第1部分のそれぞれを有する半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記第1半導体領域の前記第1領域は、前記複数の第2不純物領域が配置された領域よりも内側に、少なくとも一つの前記第2不純物領域をさらに有する半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013109824A JP6271157B2 (ja) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013109824A JP6271157B2 (ja) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014229819A JP2014229819A (ja) | 2014-12-08 |
JP6271157B2 true JP6271157B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=52129384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013109824A Expired - Fee Related JP6271157B2 (ja) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6271157B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6971877B2 (ja) | 2018-02-20 | 2021-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55132052A (en) * | 1979-03-31 | 1980-10-14 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Semiconductor device |
JP5399650B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2014-01-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5641879B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2014-12-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2013089677A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2013
- 2013-05-24 JP JP2013109824A patent/JP6271157B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014229819A (ja) | 2014-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4844605B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6284421B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5439969B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6029397B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
US9780003B2 (en) | Bipolar junction transistor formed on fin structures | |
JP2007103902A (ja) | 半導体装置 | |
US10777545B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2019033109A (ja) | 半導体装置 | |
KR101450437B1 (ko) | Ldmos 소자와 그 제조 방법 | |
JP5432750B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20110186907A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
TWI621274B (zh) | 半導體元件及其製造方法 | |
JP2006186108A (ja) | 半導体装置 | |
TWI536562B (zh) | 高壓半導體元件及其製造方法 | |
JP5068057B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008060152A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2015070185A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6271157B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6234715B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8669639B2 (en) | Semiconductor element, manufacturing method thereof and operating method thereof | |
JP6188205B2 (ja) | 高降伏電圧を有するバイポーラトランジスタ | |
JP7425943B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
CN105355594B (zh) | 集成电路结构 | |
TWI566420B (zh) | 半導體裝置 | |
JP2023173412A (ja) | 炭化珪素半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170328 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171130 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6271157 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |