JP6268036B2 - Cu配線の製造方法 - Google Patents
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Description
最初に、本発明のCu配線の製造方法の一実施形態について図1のフローチャートおよび図2の工程断面図を参照して説明する。
次に、Cu膜206を成膜する工程について詳細に説明する。
Cu膜206は、上述したように、iPVD、例えばプラズマスパッタにより成膜する。iPVDは、処理容器内にArガス等のプラズマ生成ガスを導入してプラズマ化し、プラズマ生成ガスのイオン例えばArイオンにより、ターゲットから放出されたCu粒子をイオン化するとともに、ウエハに高周波バイアスを印加してArイオンおよびCuイオンをウエハに引き込みながら、Cu膜を形成するものであり、ウエハに印加する高周波バイアスのパワー(バイアスパワー)を調整することにより、Arイオンの作用によりフィールド部のCuをトレンチ内に流入(リフロー)させてボトムアップさせながらCuを成膜することができる。このため、通常のPVD成膜の場合のようなCuの凝集が生じ難く、トレンチの間口のオーバーハングの生成を抑制することができる。
次に、実験例について説明する。
最初に、通常のiPVDステップとリスパッタリングステップとを比較した。ここでは、配線幅が140nmのトレンチが形成された層間絶縁膜上にバリア膜としてiPVDによりTaN膜を成膜し、その上にCVDによりRu膜を成膜した後、275℃で通常のiPVDステップでCu膜の埋め込みを行い、初期段階(Cu膜厚10nm相当)で停止したサンプル(サンプルA)、および同様にしてRu膜まで成膜した後、275℃でリスパッタリングステップによりCu膜の埋め込みを行い、初期段階(Cu膜厚10nm相当)で停止したサンプル(サンプルB)について、断面を走査型顕微鏡(SEM)により観察した。
次に、本発明の実施形態に係るCu配線の製造方法の実施に用いられるCu配線製造システムについて説明する。図8は、そのようなCu配線製造システムの一例を示す概略図である。
次に、本発明において主要な工程であるCu膜を形成する工程であるCu膜の形成に用いるCu膜成膜装置22a,22bの好適な例について説明する。図9は、Cu膜成膜装置の一例を示す断面図である。
まず、真空ポンプ56を動作させることにより1×10−7Torr以下の高真空状態にされた処理容器51内に、ガス制御部60を操作して所定流量でArガスを流しつつスロットルバルブ55を制御して処理容器51内を所定の真空度に維持する。その後、可変直流電源84から直流電力をターゲット83に印加し、さらにプラズマ発生源78の高周波電源81から誘導コイル80に高周波電力(プラズマ電力)を供給する。一方、バイアス用高周波電源74から静電チャック66の電極66bに対して所定のバイアス用の高周波電力を供給する。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、成膜システムおよびCu成膜装置は単なる一例であり、上記実施形態のものに限定されない。
12a,12b;バリア膜成膜装置
14a,14b;Ru膜成膜装置
22a,22b;Cu膜成膜装置
40;制御部
201;下部構造
202;層間絶縁膜
203;トレンチ
204;バリア膜
205;Ru膜
206;Cu膜
207;Cu配線
209;フィールド部
210;Cu
211;Cu塊
212;安定化Cu膜
W;半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (9)
- 表面に所定パターンのトレンチが形成された層間絶縁膜を有する基板に対し、Cu配線を製造するCu配線の製造方法であって、
少なくとも前記トレンチの表面に、バリア膜を形成する工程と、
前記バリア膜の表面にCVDによりRu膜を形成する工程と、
その後、Ru膜の上にCu膜またはCu合金膜を形成して前記トレンチを埋め込む工程とを有し、
前記Cu膜またはCu合金膜を形成する際に、処理容器内に基板を配置し、処理容器内にプラズマ生成ガスを供給してプラズマを生成し、前記処理容器内に配置されたCuまたはCu合金からなるターゲットからCuまたはCu合金からなる粒子を放出させるとともに、前記処理容器内のプラズマ生成ガスのイオンにより、CuまたはCu合金からなる粒子をイオン化させ、前記基板に高周波バイアスを印加し、前記プラズマ生成ガスのイオン、およびイオン化されたCuまたはCu合金からなる粒子を基板に引き込む成膜装置を用い、
最初に、成膜されるCu膜またはCu合金膜が前記プラズマ生成ガスのイオンの作用によりリスパッタリングされる条件で処理を行い、成膜されるCu膜またはCu合金膜をリスパッタリングしつつ前記トレンチの底部の角部にCu膜またはCu合金膜を形成する第1工程を実施し、
次いで、前記基板のフィールド部にCu膜またはCu合金膜が形成され、かつ前記フィールド部のCu膜またはCu合金膜が前記プラズマ生成ガスのイオンの作用により前記トレンチ内にリフローされる条件で、前記トレンチ内にCu膜またはCu合金膜を埋め込む第2工程を実施することを特徴とするCu配線の製造方法。 - 前記成膜装置は、プラズマ中で前記ターゲットをスパッタリングしてCu膜またはCu合金膜を形成するプラズマスパッタ装置であることを特徴とする請求項1に記載のCu配線の製造方法。
- 前記第1工程では、リスパッタリングにより前記Cu膜またはCu合金膜が主にトレンチ側壁部およびトレンチ底角部に形成され、さらに前記プラズマ生成ガスのイオンの作用により、前記トレンチ側壁部のCu膜またはCu合金膜が前記トレンチの底部の角部にリフローされ安定化されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のCu配線の製造方法。
- 前記プラズマ生成ガスはArガスであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のCu配線の製造方法。
- 前記Cu膜またはCu合金膜を前記トレンチの上端よりも上に積み増すように形成し、その後、全面を研磨することにより前記Cu配線を製造することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のCu配線の製造方法。
- 配線幅を規定するトレンチ幅が50nm以上であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のCu配線の製造方法。
- 前記Cu合金膜を構成するCu合金は、Cu−Mn、Cu−Al、Cu−Mg、Cu−Ag、Cu−Sn、Cu−Pb、Cu−Zn、Cu−Pt、Cu−Au、Cu−Ni、Cu−Co、およびCu−Tiから選択されるものであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のCu配線の製造方法。
- 前記バリア膜は、Ti膜、TiN膜、Ta膜、TaN膜、Ta/TaNの2層膜、TaCN膜、W膜、WN膜、WCN膜、Zr膜、ZrN膜、V膜、VN膜、Nb膜、NbN膜からなる群から選択されるものであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のCu配線の製造方法。
- コンピュータ上で動作し、Cu配線製造システムを制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項8のいずれかのCu配線の製造方法が行われるように、コンピュータに前記Cu配線製造システムを制御させることを特徴とする記憶媒体。
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