JP6262811B2 - 真空成膜装置 - Google Patents

真空成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6262811B2
JP6262811B2 JP2016136249A JP2016136249A JP6262811B2 JP 6262811 B2 JP6262811 B2 JP 6262811B2 JP 2016136249 A JP2016136249 A JP 2016136249A JP 2016136249 A JP2016136249 A JP 2016136249A JP 6262811 B2 JP6262811 B2 JP 6262811B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fixing member
tank wall
mask
vacuum chamber
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016136249A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018003141A (ja
Inventor
河野 貴志
貴志 河野
石井 博
博 石井
佐藤 智之
智之 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Priority to JP2016136249A priority Critical patent/JP6262811B2/ja
Priority to KR1020170080647A priority patent/KR101979090B1/ko
Priority to CN201710549204.4A priority patent/CN107587104B/zh
Publication of JP2018003141A publication Critical patent/JP2018003141A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6262811B2 publication Critical patent/JP6262811B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment

Description

本発明は、真空成膜装置に関するものである。
真空成膜装置においては、近年、基板の大型化に伴う真空槽の大型化により、真空時の真空槽の槽壁の歪みが大きくなっている。
そのため、真空槽内が大気圧の状態で基板とマスクとの位置関係を調整(アライメント)しても、真空槽内を真空にした際に槽壁の歪みにより、基板とマスクとの位置関係にずれが生じ、基板とマスクとのアライメント精度に影響を与える場合がある。
図1に大気時の真空成膜装置を、図2に真空時の真空成膜装置を示す。Aは基板を支持する基板支持体、BはマスクCを支持するマスク支持体、Dは真空槽、Eは蒸発源、Fは基板支持体Aを真空槽Dに固定する固定部材、Gはマスク支持体Bを真空槽Dに固定する固定部材、Hは基板とマスクとの位置調整を行うアライメント機構である。
図1及び図2に図示したように、基板支持体A及びマスク支持体Bは、いずれも固定部材F,Gを介して真空槽Dの槽壁の夫々異なる位置に固定されている。しかし、槽壁の歪みの度合いは位置により異なることから、基板支持体Aの点aにおける変位量とマスク支持体Bの点bにおける変位量とは夫々異なり、この変位量の差分δだけ、マスクと基板支持面との間隔IとI’とに差が生じる。
即ち、前記変位量の差分δに起因して基板支持体A及びマスク支持体Bの位置関係がずれ、これらに支持される基板及びマスクに位置ずれが生じる場合がある。
そこで、例えば特許文献1では、基板支持体及びマスク支持体が設けられるアライメント機構を、真空槽の上方に設けられる支持板に載置し、この支持板と真空槽の天板とを離間させる脚部を支持板と真空槽との天板との間に設けることで、基板とマスクとの位置ずれを抑制している。
特開2012−33468号公報
しかしながら、特許文献1に開示される構成は、アライメント機構に基板支持体及びマスク支持体の双方を設ける構成であり、これらを真空槽の上方にまとめて設ける必要があることから、アライメント機構が大型化・複雑化し、コスト高となることは避けられず、現実的でない。
本発明は、上述のような現状に鑑みなされたもので、簡易な構成で真空槽の槽壁の歪みに起因する基板とマスクとの位置ずれを抑制できる真空成膜装置を提供するものである。
真空槽と、この真空槽内に設けられる基板を支持する基板支持体及びマスクを支持するマスク支持体と、前記真空槽外に設けられ前記基板支持体に支持された基板と前記マスク支持体に支持されたマスクとの相対位置を調整するためのアライメント機構とを備えた真空成膜装置であって、前記基板支持体が接続された前記アライメント機構が設けられ前記真空槽の槽壁外面に当接固定される第1の固定部材と、前記マスク支持体が設けられ前記真空槽の槽壁内面に当接固定される第2の固定部材とを有し、前記第1の固定部材の前記槽壁外面との当接端部と、前記第2の固定部材の前記槽壁内面との当接端部とが、前記槽壁を挟んで対向位置に設けられていることを特徴とする真空成膜装置に係るものである。
本発明は上述のように構成したから、簡易な構成で真空槽の槽壁の歪みに起因する基板とマスクとの位置ずれを抑制できる真空成膜装置となる。
従来例の概略説明断面図である。 従来例の概略説明断面図である。 本実施例の概略説明断面図である。 本実施例の概略説明断面図である。 本実施例の要部の概略説明斜視図である。
好適と考える本発明の実施形態を、図面に基づいて本発明の作用を示して簡単に説明する。
図3に図示したように、大気圧状態でアライメント機構6により基板2とマスク4との相対位置を調整した後、真空槽1内を真空状態とした際に槽壁が歪んでも、図4に図示したように、第1の固定部材7及び第2の固定部材8の当接端部9,10が槽壁を挟んで対向位置に夫々設けられているため、第1の固定部材7及び第2の固定部材8は、槽壁の歪みの影響を略同じ量だけ受けることになる。
即ち、第1の固定部材7及び第2の固定部材8の当接端部9,10が、槽壁の平面視における同一部位の内外に夫々設けられているため(同軸上に設けられているため)、第1の固定部材7及び第2の固定部材8の槽壁の歪みに起因する変位量は略等しくなる。
従って、第1の固定部材7と第2の固定部材8との前記変位量の差は最小限となり、マスクと基板支持面との間隔XとX’との差が少ないから、第1の固定部材7に設けられるアライメント機構6(の基板支持体3)に支持される基板2と第2の固定部材8に設けられるマスク支持体5に支持されるマスク4との位置ずれを抑制することができ、アライメント精度への影響を低減できることになる。
また、マスク支持体5が設けられる第2の固定部材8をアライメント機構6に接続せず、真空槽1の槽壁内面に当接固定する構成であるから、特許文献1に開示される構成に比べ、アライメント機構6が大型化・複雑化せず、それだけコストを抑制でき、より実現性の高い構成となる。
本発明の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。
本実施例は、図3,4に図示したように、真空槽1と、この真空槽1内に設けられる基板2を支持する基板支持体3及びマスク4を支持するマスク支持体5と、蒸発源11とを備えた真空成膜装置に本発明を適用した例である。この真空成膜装置には、蒸発源11から放出された蒸発粒子の蒸発レートをモニタする膜厚モニタ、真空槽1外に設けたモニタした蒸発粒子の量を膜厚に換算する膜厚計、換算された膜厚が所望の膜厚になるように成膜材料の蒸発レートを制御するために蒸発源11を加熱するヒータ用電源等が設けられる。
真空槽1の外部上方位置には、基板支持体3に支持された基板2とマスク支持体5に支持されたマスク4との相対位置を調整するためのアライメント機構6が設けられている。
基板支持体3は、基板2の下面を支持する支持具12とアライメント機構6の固定板14とを連結する連結部材13とで構成されている。
アライメント機構6の固定板14は、ガイド部材15を介して真空槽1の槽壁天面部1aの外面に固定される第1の固定部材7により、真空槽1に固定されている。従って、基板支持体3も第1の固定部材7により真空槽1に固定される。図3,4中、符号19はベローズである。
第1の固定部材7は、真空槽1の槽壁天面部1aの外面に当接固定される複数の角柱状の脚部16を有する構成である。脚部16は天面部1aの外面に垂直状態に立設されている。本実施例においては、図5に図示したように平面視矩形状で各角部に夫々脚部16を有するテーブル状体としている。
この脚部16の槽壁天面部1aの外面との当接部が第1の固定部材7の当接端部9である。
マスク支持体5は、マスク4を支持する支持具17と、この支持具17と真空槽1の槽壁天面部1aの内面とを連結する第2の固定部材8とで構成されている。図5中、符号18は支持具17と第2の固定部材8とを繋ぐ斜材である。第2の固定部材8は角柱状であり、その上端部が真空槽1の槽壁天面部1aの内面に当接固定された当接端部10である。第2の固定部材8は、天面部1aの内面に垂直状態に垂設されている。
本実施例においては、第1の固定部材7の脚部16と同数の第2の固定部材8を設ける構成としており、当接端部9,10を4組有する構成としている。
第1の固定部材7と第2の固定部材8の当接端部9,10は、槽壁を挟んで夫々対向位置に設けられている。
具体的には、第1の固定部材7の当接端部9及び第2の固定部材8の当接端部10は、真空槽1の槽壁天面部1aの面方向と直交する垂直方向で重なるように夫々配設される。
更に具体的には、第1の固定部材7及び前記第2の固定部材8の前記槽壁を挟んで対向位置に設けられる当接端部9,10は、一方の当接端部の当接端面を他方の当接端部が当接する槽壁面に投影した投影面内に、他方の当接端部の当接端面が収まる形状に夫々設定されている。
本実施例においては、第1の固定部材7の当接端部9の当接端面の投影面内に第2の固定部材8の当接端部10の当接端面が収まる形状に夫々設定されている。
更に、本実施例においては、第1の固定部材7の当接端部9の中心軸と第2の固定部材8の当接端部10の中心軸とが同軸上となるように設定している。
従って、本実施例は、真空槽1が内部を真空状態とした際に槽壁が変形しても、槽壁の歪み量が同一となる部位に第1の固定部材及び第2の固定部材の当接端部が固定されることで、第1の固定部材7及び第2の固定部材8の変位量の差は最小限となり、マスク4と基板支持体3の基板支持面との間隔XとX’との差が少なく、基板3とマスク4との位置ずれを抑制することができ、アライメント精度への影響を低減できることになる。
本発明は、本実施例に限られるものではなく、各構成要件の具体的構成は適宜設計し得るものである。
1 真空槽
2 基板
3 基板支持体
4 マスク
5 マスク支持体
6 アライメント機構
7 第1の固定部材
8 第2の固定部材
9 当接端部
10 当接端部

Claims (3)

  1. 真空槽と、この真空槽内に設けられる基板を支持する基板支持体及びマスクを支持するマスク支持体と、前記真空槽外に設けられ前記基板支持体に支持された基板と前記マスク支持体に支持されたマスクとの相対位置を調整するためのアライメント機構とを備えた真空成膜装置であって、前記基板支持体が接続された前記アライメント機構が設けられ前記真空槽の槽壁外面に当接固定される第1の固定部材と、前記マスク支持体が設けられ前記真空槽の槽壁内面に当接固定される第2の固定部材とを有し、前記第1の固定部材の前記槽壁外面との当接端部と、前記第2の固定部材の前記槽壁内面との当接端部とが、前記槽壁を挟んで対向位置に設けられていることを特徴とする真空成膜装置。
  2. 前記第1の固定部材及び前記第2の固定部材の前記槽壁を挟んで対向位置に設けられる当接端部は複数組設けられていることを特徴とする請求項1に記載の真空成膜装置。
  3. 前記第1の固定部材及び前記第2の固定部材の前記槽壁を挟んで対向位置に設けられる当接端部は、一方の前記当接端部の当接端面を他方の前記当接端部が当接する槽壁面に投影した投影面内に、前記他方の当接端部の当接端面が収まる形状に夫々設定されていることを特徴とする請求項1,2のいずれか1項に記載の真空成膜装置。
JP2016136249A 2016-07-08 2016-07-08 真空成膜装置 Active JP6262811B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016136249A JP6262811B2 (ja) 2016-07-08 2016-07-08 真空成膜装置
KR1020170080647A KR101979090B1 (ko) 2016-07-08 2017-06-26 진공 성막 장치
CN201710549204.4A CN107587104B (zh) 2016-07-08 2017-07-07 真空成膜装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016136249A JP6262811B2 (ja) 2016-07-08 2016-07-08 真空成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018003141A JP2018003141A (ja) 2018-01-11
JP6262811B2 true JP6262811B2 (ja) 2018-01-17

Family

ID=60948368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016136249A Active JP6262811B2 (ja) 2016-07-08 2016-07-08 真空成膜装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6262811B2 (ja)
KR (1) KR101979090B1 (ja)
CN (1) CN107587104B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102304434B1 (ko) * 2018-04-03 2021-09-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 챔버 내에서의 캐리어 정렬을 위한 장치 및 진공 시스템, 및 캐리어를 정렬하는 방법
CN112771688A (zh) * 2018-10-30 2021-05-07 应用材料公司 基板处理装置
JP7118864B2 (ja) * 2018-11-07 2022-08-16 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、製造システム、有機elパネルの製造システム
JP7299725B2 (ja) * 2019-03-15 2023-06-28 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜システム
JP7361671B2 (ja) * 2020-09-30 2023-10-16 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、調整装置、調整方法、及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW552480B (en) * 1999-04-19 2003-09-11 Asml Netherlands Bv Moveable support in a vacuum chamber and its application in lithographic projection apparatus
JP4251857B2 (ja) * 2002-11-27 2009-04-08 株式会社アルバック 真空成膜装置及び真空成膜方法
JP4609754B2 (ja) * 2005-02-23 2011-01-12 三井造船株式会社 マスククランプの移動機構および成膜装置
WO2007023553A1 (ja) * 2005-08-25 2007-03-01 Hitachi Zosen Corporation 真空蒸着用アライメント装置
JP4624236B2 (ja) * 2005-10-25 2011-02-02 日立造船株式会社 真空蒸着用アライメント装置
JP4773834B2 (ja) * 2006-02-03 2011-09-14 キヤノン株式会社 マスク成膜方法およびマスク成膜装置
JP5297046B2 (ja) * 2008-01-16 2013-09-25 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
JP5277059B2 (ja) * 2009-04-16 2013-08-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置及び成膜システム
JP5783811B2 (ja) 2010-07-06 2015-09-24 キヤノン株式会社 成膜装置
KR20140145383A (ko) * 2013-06-13 2014-12-23 진중 김 인라인형 대면적 oled 하향식 증착기
WO2016114351A1 (ja) * 2015-01-14 2016-07-21 花王株式会社 静電荷像現像用トナー製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107587104A (zh) 2018-01-16
KR101979090B1 (ko) 2019-05-15
CN107587104B (zh) 2020-05-05
KR20180006296A (ko) 2018-01-17
JP2018003141A (ja) 2018-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6262811B2 (ja) 真空成膜装置
JP4773834B2 (ja) マスク成膜方法およびマスク成膜装置
JP6304934B2 (ja) インプリント装置および物品の製造方法
KR102074088B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법
JP2013038365A (ja) インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
CN102725696A (zh) 用于平版印刷成像系统的放大控制
JP6093091B2 (ja) Xyステージ、アライメント装置、蒸着装置
JP2014120653A (ja) 位置決め装置、リソグラフィー装置、それを用いた物品の製造方法
JP6087573B2 (ja) 処理装置、それを用いた物品の製造方法
KR20170027660A (ko) 왜곡 검출 방법, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2016025126A (ja) モールド、インプリント装置および物品製造方法
JP6298110B2 (ja) マスク支持体、成膜装置及び成膜方法
JP2013038137A (ja) モールド、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
US10858735B2 (en) Alignment systems employing actuators providing relative displacement between lid assemblies of process chambers and substrates, and related methods
JPH0831514B2 (ja) 基板の吸着装置
JP2014103171A (ja) 投影光学系、露光装置および物品の製造方法
JP2009537966A (ja) レチクル及び他の平面体用のチャック
JP2014086476A (ja) リソグラフィー装置、それを用いた物品の製造方法
JP2016129165A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置
KR20110053904A (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2015038967A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び描画チャンバ
JP7257915B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置および真空用配管
KR102229916B1 (ko) 복합재 스프링백 보정 가공 장치
WO2023032721A1 (ja) 基板保持装置、及び導電膜付き基板の製造方法
JP2012123971A (ja) 荷電粒子線レンズ

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20171108

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171116

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6262811

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250