JP6087573B2 - 処理装置、それを用いた物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、封止部材を用いた処理装置、およびそれを用いた物品の製造方法に関する。

半導体デバイスなどの製造工程に含まれるリソグラフィー工程では、露光装置や荷電粒子線を用いた描画装置などのリソグラフィー装置により被処理体上に所望のパターンが形成される。特に、次世代半導体露光装置として開発が進められているＥＵＶ露光装置や、描画装置は、処理動作を真空環境内で行うため、真空処理装置とも分類される。このような装置では、投影光学系または電子光学系を含む鏡筒や各種位置を計測する干渉計などを支持する支持構造体、または原版（レチクルなど）もしくは被処理体（ウエハなど）を保持しつつ移動させるステージは、真空チャンバー内に配置される。このチャンバー内外の気圧差によるチャンバー自体の変形や、チャンバーを介した床面またはステージからの振動は、支持構造体に伝わると各種精度に影響を及ぼす。そこで、支持構造体に伝わり得るチャンバーの変形や振動を抑えるために、チャンバーは、マウント（防振機構）を介して床面に設置されたベースプレートに支持される。加えて、ステージの支柱は、チャンバーに設けられた開口部を非接触に貫通し、ベースプレートに直接支持される。特にこの場合には、開口部に、チャンバー内を密閉空間とするとともに、この開口部からも伝わり得る変形や振動を抑えることを考慮した封止部材（封止機構）を設置する必要がある。特許文献１は、このような封止部材としてベローズ（伸縮配管）を採用する露光装置を開示している。さらに、特許文献２は、封止機構として差動排気システムによる低剛性シールを採用するリソグラフィー装置を開示している。

特開２００９−９９７２３号公報 特開２０００−３４０５０２号公報

しかしながら、特許文献１に示す露光装置のようにベローズを用いる場合には、ベローズの伸縮方向に平行な軸の周りの回転方向の剛性が高いため、チャンバーの変形形状や振動の伝達方向により、支持構造体がベローズからの変形や振動を受ける可能性がある。さらに、特許文献２に示すリソグラフィー装置のように低剛性シールを用いる場合には、真空チャンバー内の真空度を維持させるのが難しい。

本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、例えば、内部を特定の環境とするチャンバーを介して伝わり得る変形や振動などを低減するのに有利な処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、特定の環境にて被処理体に所定の処理を実施する処理装置であって、開口部を有し、内部を特定の環境とするチャンバーと、一部がチャンバーの内部に含まれ、他の一部が開口部から貫通してチャンバーに非接触である支持機構と、支持機構を支持する少なくとも１つの支持部材と、一端が開口部に接続され、かつ、他端が支持部材に接続されていて、特定の環境と大気環境との境界を構成する封止部材と、支持部材と該支持部材を支持する構造体との間で鉛直方向の軸の周りの相対的な回転を許容する部材と、を備え、支持部材は、支持部材と構造体との間の回転以外の相対的な運動を制限する形状を有する、ことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、内部を特定の環境とするチャンバーを介して伝わり得る変形や振動などを低減するのに有利な処理装置を提供することができる。

本発明の第１実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。

（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る処理装置について説明する。本実施形態にて説明する処理装置は、一例として、半導体デバイスなどの製造工程に含まれるリソグラフィー工程や、露光装置にて使用される原版（レチクルなど）の製造などにて採用されるリソグラフィー装置とする。その中でも、本実施形態の処理装置は、真空（特定）の環境にて、電子線（荷電粒子線）を用いて基板上に描画を行う描画装置とする。描画装置は、単数または複数の電子線を偏向させ、かつ電子線のブランキング（照射のＯＦＦ）を制御することで、所定のパターンを基板の所定の位置に描画する。ここで、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線などの他の荷電粒子線であってもよい。

図１は、本実施形態に係る描画装置１の構成を示す概略図である。なお、図１では、基板に対する電子線の照射方向（本実施形態では鉛直方向）にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。描画装置１は、まず、電子源、およびこの電子源から生成された電子線を少なくとも偏向および結像させる光学系を内部に含む鏡筒２と、基板３を保持する基板ステージ４を内部に設置するチャンバー５と、不図示の制御部とを備える。なお、基板３は、例えば、単結晶シリコンからなるウエハや、ガラスプレートなどの被処理体であり、表面上には感光性のレジストが塗布されている。

鏡筒２に含まれる電子源は、不図示であるが、ディスペンサーカソード型のカソード電極などを電子放出部に含む、いわゆる熱電子型の電子源である。この電子源は、カソード電極を１２５０〜１４５０Ｋ程度に加熱させることで、熱電子を放出させる。放出された熱電子は、ビーム電流量が制御され、別に設置されたアノード電極により数ｋＶの電圧が印加されて加速し、クロスオーバーから電子線として発散する。また、鏡筒２に含まれる光学系は、不図示であるが、電子源から放射された電子線を、基板ステージ４に載置および保持された基板３上に照射する電子光学系である。この光学系は、例えば、電子源側から順に、第１静電レンズ、ブランキング偏向器、ブランキング絞り、偏向器、および第２静電レンズなどを含み得る。第１静電レンズは、円形状の開口を有する３枚の電極板から構成されるレンズであり、ブランキング偏向器上に電子線を結像（収束）させる。ブランキング偏向器は、電子線の照射のＯＮ（非ブランキング状態）／ＯＦＦ（ブランキング状態）動作を実施する。ブランキング絞りは、ブランキング偏向器を通過した電子線のうち偏向された所望の電子線を遮蔽する。偏向器は、電子線を基板３の表面上でＸ軸方向に偏向（走査）させる。さらに、第２静電レンズは、偏向器を通過した電子線を基板３上に結像（収束）させる。ここで、電子線は、大気圧雰囲気ではすぐに減衰し、また、高電圧による放電を防止する意味もかねて、鏡筒２の内部は、第１真空ポンプ（真空排気系）６により内部圧力が調整される。特に鏡筒２の内部は、高い真空度に維持されており、具体的な真空度は、電子線を照射しない状態で、例えば１０^−４Ｐａ以下である。

基板ステージ（保持部）４は、例えば静電吸着により基板３を保持しつつ、少なくともＸＹの２軸方向に移動可能とする移動体７を含む。この移動体７は、床面に敷設されるベースプレート（構造体）８に複数（例えば４本）の支柱９を介して支持されるステージ定盤１０を固定体として移動する。さらに、移動体７の移動位置は、干渉計（計測部）１１が、移動体７の側部に固定された参照ミラー１２にヘリウムネオンなどのレーザーを照射し、その反射光を受光することで計測される。干渉計１１は、計測精度を維持する観点から、可能な限り振動などの外乱を受けない部位に設置されることが望ましい。そこで、干渉計１１は、移動体７の移動位置を鏡筒２を基準として計測可能なように、鏡筒２に対する相対的な位置を調整しやすい、後述のチャンバー５の上部定盤５ａの下面（真空側の面）に設置される。

チャンバー（真空チャンバー）５は、鏡筒２を支持する上部定盤（定盤、支持構造体）５ａと、上部定盤５ａを複数（例えば４本）の支柱５ｂで支持する下部定盤５ｃと、上部定盤５ａと下部定盤５ｃとで挟まれる空間を密閉する側面板５ｄとから構成される。チャンバー５の内部は、側面板５ｄの一部に接続される第２真空ポンプ１３により内部圧力が調整される。チャンバー５の内部も、鏡筒２と同様に高い真空度に維持されており、具体的な真空度は、電子線を照射しない状態で、例えば１０^−４Ｐａ台である。また、チャンバー５は、側面板５ｄに隣接する予備排気室１４と接続されている。予備排気室１４は、不図示であるが、大気側の装置外部と真空側の基板ステージ４との間で基板３を搬入出させる搬送装置と、予備排気室１４の内部圧力を調整する真空ポンプとを備える。描画装置１は、このような予備排気室１４を備えることにより、チャンバー５内の真空状態を維持させたままで、基板３の搬入出を行うことができる。さらに、チャンバー５は、下部定盤５ｃと連結する複数（例えば４つ）のマウント１５により支持される。さらに、マウント１５は、床面に敷設されるベースプレート８に支持される。マウント１５は、例えばエアマウントなどの除振機構であり、床面やベースプレート８からの振動がチャンバー５側に伝わらないように遮断する。加えて、マウント１５は、不図示の位置センサーが検出した出力信号に基づいて、アクチュエーターとしてチャンバー５の位置決めも実施する。

チャンバー５は、マウント１５を介してベースプレート８に支持されるが、ステージ定盤１０も、複数の支柱９を介してベースプレート８に支持される。そこで、マウント１５により可動のチャンバー５は、内部を密閉空間とするために、複数の支柱９による支持位置にそれぞれ対応する封止部材２０を備える。まず、ステージ定盤１０を支持する支柱９は、それぞれ下部定盤５ｃに形成されている開口部５ｅを非接触で貫通し、ベースプレート８に延設される。そして、特に本実施形態では、封止部材２０として、一端が下部定盤５ｃの開口部５ｅに締結（密閉接続）し、他端がベースプレート８側に締結するように設置されるベローズ（伸縮配管）を採用する。この場合、複数の支柱９をそれぞれベローズの管内を非接触で貫通させることで、封止部材２０は、チャンバー５内の真空環境と大気環境との境界を構成することになる。

さらに、ベースプレート８は、支柱９および封止部材２０との接続領域に、２つの支持部材（第１支持部材２１および第２支持部材２２）と、２つの回転部材（第１回転部材２３および第２回転部材２４）とを備える。まず、第１支持部材２１は、ベースプレート８側に存在する掘り込み部に嵌め込まれるような、ベースプレート８の平面（ＸＹ平面）に対して鉛直方向（Ｚ軸方向）から一定の角度で傾斜するテーパー面（円錐面）を有する。なお、この第１支持部材２１は、独立した部材としてもよいし、支柱９の先端部の一部としてもよい。第２支持部材２２は、第１支持部材２１のテーパー面の外側に位置する部材であり、第１支持部材２１を嵌め込む掘り込み部を有する。そして、この第２支持部材２２も、第１支持部材２１と同様に、ベースプレート８に存在する掘り込み部に嵌め込まれるような、ベースプレート８の平面に対して鉛直方向から一定の角度で傾斜するテーパー面を有する。さらに、第１回転部材２３は、第１支持部材２１と第２支持部材２２とが面する領域、すなわち、第１支持部材２１のテーパー面と、このテーパー面に対向する第２支持部材２２の掘り込み面との間に設置される。一方、第２回転部材２４は、第２支持部材２２とベースプレート８の本体とが面する領域、すなわち、第２支持部材２２のテーパー面と、このテーパー面に対向するベースプレート８の掘り込み面との間に設置される。これらの第１回転部材２３および第２回転部材２４は、支柱９の軸方向（封止部材２０の伸縮方向）に平行な軸の周りの回転方向（ωＺ方向）に摩擦力の小さく、この回転方向での回転を許容する。第１回転部材２３および第２回転部材２４としては、例えば、ローラーベアリング、磁気ベアリング、または回転板バネが採用可能であり、この場合、その内部の接触面には真空グリスを塗布しておく。このような構成のもと、上記の説明にて、ベースプレート８側に締結するとした封止部材２０の他端は、第２支持部材２２の表面（ＸＹ平面）に締結される。すなわち、ベースプレート８や支柱９は、封止部材２０の他端が固定された第２支持部材２２に対してωＺ方向のみ相対回転可能である。なお、本実施形態では、各支持部材２１、２２は、それぞれベースプレート８に設置される構成としているが、例えば、描画装置１が設置（敷設）される床部に直接設置する構成もあり得る。さらに、参考として、図１（同様に後述の図２）では、チャンバー５の構成要素、およびこのチャンバー５と連設しつつ一体となる構成要素には、斜線を付している。

制御部は、例えばコンピュータなどで構成され、描画装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。なお、制御部は、描画装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、描画装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。

次に、描画装置１における封止部材２０とその周辺構造の動作について説明する。描画装置１が描画処理を実施している間、チャンバー５の内部は、第２真空ポンプ１３の排気により高い真空圧に維持されている。そのため、チャンバー５は、なんら対策を施さないならば、内外の気圧差に起因して変形する可能性がある。また、チャンバー５に連設された鏡筒２も、なんら対策を施さないならば、チャンバー５を介して床面からの振動を受ける可能性がある。さらに、基板ステージ４は、支柱９を介してチャンバー５と接触する部分が仮に存在すると、その駆動反力からチャンバー５に対して変形や振動を直接与える可能性がある。ここで、鏡筒２などの所定の処理（本実施形態でいう描画処理）を直接的に実施する処理機構を支持する支持構造体が上記のような外乱を受けると、鏡筒２内の光学系や干渉計１１などに位置ずれが生じ、結果的に、描画精度や計測精度などに影響を及ぼす。そこで、本実施形態に係る描画装置１は、支持構造体に伝わり得るチャンバー５の変形や床面からの振動を抑えるために、以下のような動作を行う。

まず、床面やベースプレート８にて生じ、直接、チャンバー５へ伝達され得るＺ軸方向成分およびωＺ方向成分の振動や力は、複数のマウント１５の駆動（移動）により低減される。このとき、封止部材２０の動作は、Ｚ軸方向成分のみの振動や力であるならば、Ｚ軸方向の伸縮にて対応可能である。一方、床面やベースプレート８にて、ωＺ方向の振動や力が生じる場合には、これらの振動や力が封止部材２０を介してチャンバー５へ伝達することも考えられる。そこで、本実施形態では、ωＺ方向の振動や力を、第２回転部材２４が適宜回転して受けることで、第２支持部材２２への伝達を抑える。すなわち、第２支持部材２２自体は、ωＺ方向に変動しない（または変動しづらい）ため、この第２支持部材２２に締結されている封止部材２０へのωＺ方向の振動や力の伝達も抑えられ、結果的にチャンバー５への伝達も低減される。さらに、支柱９（基板ステージ４）は、第２支持部材２２の内側にある第１支持部材２１に支持されているため、床面やベースプレート８にて生じたωＺ方向の振動や力を受けづらい。次に、基板ステージ４の駆動反力により生じ、チャンバー５へ伝達され得るωＺ方向の振動や力は、第１回転部材２３が適宜回転して受けることで、チャンバー５への伝達が低減される。これとは反対に、仮にチャンバー５にて、ωＺ方向成分の振動や変形力が生じる場合は、同様に第１回転部材２３が適宜回転して受けることで、支柱９への伝達が低減される。

さらに、第１支持部材２１と第２支持部材２２とは、鉛直方向にて、それぞれテーパー面にて支柱９（基板ステージ４）と封止部材２０との荷重を受ける。したがって、第１支持部材２１と第２支持部材２２との間の相対的な運動方向（変位方向）、および、第２支持部材２２とベースプレート８との間の相対的な運動方向は、いずれもωＺ方向の回転方向のみである。これにより、特に支柱９は、第１回転部材２３や第２回転部材２４を介してベースプレート８に支持されていても、所定の位置に維持され、ωＺ方向の回転以外の運動が制限される。なお、ここでいう「ωＺ方向の回転以外の運動」とは、封止部材２０の伸縮方向および該伸縮方向に平行な軸に直交する面に平行な方向の移動や、前記直交する面に平行な軸の回りの回転のことである。

このように、描画装置１は、封止部材２０としてωＺ方向の剛性が高いベローズを採用するが、封止部材２０にωＺ方向の振動や力が伝わりづらい構成としているので、結果的に鏡筒２や干渉計１１を支持する支持構造体にも伝わりづらい。したがって、描画装置１は、チャンバー５を介して伝達する振動や力に起因した描画精度や計測精度などへの影響を抑えることができる。さらに、描画装置１は、封止部材２０としてベローズを採用するので、例えば低剛性シールを採用した場合に比べて、チャンバー５内の真空度を容易に維持させることができる。

以上のように、本実施形態によれば、内部を特定の環境とするチャンバーを介して伝わり得る変形や振動などを低減するのに有利な処理装置を提供することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る処理装置について説明する。本実施形態に係る処理装置の特徴は、第１実施形態に係る描画装置１の構成を変更し、鏡筒２を支持する支持構造体を真空チャンバーとは独立した構造とする場合に、第１実施形態のような封止部材とその周辺構成を適用させる点にある。図２は、本実施形態に係る描画装置３０の構成を示す概略図である。なお、図２において第１実施形態に係る描画装置１と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。この場合、鏡筒２は、後述の支持部材３１および回転部材３２を介して支持構造体３３に支持され、この支持構造体３３は、マウント１５を介し、床面に敷設された後述の下部定盤３７ｃに支持された複数の支柱３４により支持される。ステージ定盤３５は、複数の支柱３６により直接下部定盤３７ｃに支持される。チャンバー３７は、鏡筒２を貫通させる開口部３７ａを含む上部隔壁３７ｂと、下部定盤３７ｃと、上部隔壁３７ｂを支持しつつ、上部隔壁３７ｂと下部定盤３７ｃとで挟まれる空間を密閉する側面板３７ｄとから構成される。

チャンバー３７は、第１実施形態におけるチャンバー５とは異なり、マウント１５を介さず床面に敷設された下部定盤３７ｃに支持されるが、この場合も内部を密閉空間とするための封止部材３８を備える。この封止部材３８は、第１実施形態と同様にベローズであり、一端が上部隔壁３７ｂの開口部３７ａに締結し、他端が下部定盤３７ｃ側に締結するように設置される。そして、鏡筒２をベローズの管内を非接触で貫通させることで、封止部材３８は、チャンバー３７内の真空環境と大気環境との境界を構成することになる。

さらに、支持構造体３３は、封止部材２０との接続領域に、鏡筒２を直接支持する支持部材３１と、回転部材３２とを備える。まず、支持部材３１は、支持構造体３３側に存在する掘り込み部に嵌め込まれるような、支持構造体３３の平面に対して鉛直方向から一定の角度で傾斜するテーパー面を有する。さらに、回転部材３２は、第１実施形態における第１回転部材２３に対応し、支持部材３１と支持構造体３３とが面する領域、すなわち、支持部材３１のテーパー面と、このテーパー面に対向する支持構造体３３の掘り込み面との間に設置される。この回転部材３２は、鏡筒２の軸方向（封止部材３８の伸縮方向）であるＺ軸周りの回転方向（ωＺ方向）に摩擦力の小さく、この回転方向での回転を許容する。このような構成のもと、上記の説明にて、支持構造体３３側に締結するとした封止部材３８の他端は、支持部材３１の表面（ＸＹ平面）に締結される。

この構成によれば、まず、床面や下部定盤３７ｃにて生じ、チャンバー３７全体を介して支持構造体３３へ伝達され得るＺ軸方向成分の振動や力は、封止部材３８の伸縮により低減される。一方、床面や下部定盤３７ｃにて、ωＺ方向の振動や力が生じる場合には、この振動や力が、チャンバー３７全体および封止部材２０を介して支持構造体３３へ伝達することも考えられる。そこで、本実施形態では、ωＺ方向の振動や力を回転部材３２が適宜回転して受けることで、支持構造体３３への伝達を抑える。また、仮に支持構造体３３にてωＺ方向成分の振動や力が生じる場合は、同様に回転部材３２が適宜回転して受けることで、鏡筒２およびチャンバー３７への伝達が低減される。さらに、本実施形態の場合も、支持部材３１は、テーパー面にて鏡筒２と封止部材３８との鉛直方向の荷重を受ける。したがって、支持部材３１と支持構造体３３との間の相対的な運動方向は、ωＺ方向の回転のみである。これにより、特に鏡筒２は、回転部材３２を介して支持部材３１に支持されていても、所定の位置に維持され、ωＺ方向の回転以外の運動が制限される。

このように、本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏するが、特に封止部材３８を介してチャンバー３７側から伝わるωＺ方向の振動や力が、支持構造体３３に設置されている干渉計１１の計測精度などへ影響することを抑えるのに有利である。なお、本実施形態の構成によれば、支持部材３１と支持構造体３３との間の相対的な回転運動により、鏡筒２と基板ステージ４との間にωＺ方向の位置ずれが生じる可能性がある。仮にこのような位置ずれが生じるのであれば、例えば、鏡筒２上に存在する不図示のミラーの位置を支持構造体３３に設置されている干渉計１１のレーザー光で計測することにより、予め補正制御することで対応可能である。

なお、上記の実施形態においては、リソグラフィー装置として描画装置を例に説明したが、本発明は、これに限定するものではない。本発明を適用し得るリソグラフィー装置として、例えば、ＡｒＦエキシマレーザー光などの波長２００ｎｍ以下の紫外線により、原版のパターンを投影光学系を介して感光性の基板に転写する、隔壁形成用のベローズを備える露光装置としてもよい。この変形例における隔壁は、その内部に特定の空間を形成する、例えば、よりクリーンなエアー空間を形成したり、不活性ガス空間を形成したりするために使用される。一方、本発明の処理装置としても、リソグラフィー装置に限定するものではなく、例えば半導体デバイスや液晶表示装置の製造工程に用いられる装置と考えるならば、所定の処理を真空チャンバー内で実施する種々の装置に本発明の内容を適用し得る。このような装置としては、例えば、成膜装置やエッチング装置がある。

（物品の製造方法）
実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、物体（例えば、感光材を表面に有する基板）上に上記のリソグラフィー装置を用いてパターン（例えば潜像パターン）を形成する工程と、当該工程でパターンを形成された物体を処理する工程（例えば、現像工程）とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形または変更が可能である。

１ 描画装置
３ 被処理体
４ 基板ステージ
５ チャンバー
５ｅ 開口部
８ ベースプレート
２０ 封止部材
２１ 第１支持部材
２２ 第２支持部材
２３ 第１回転部材
２４ 第２回転部材

Claims (11)

1. 特定の環境にて被処理体に所定の処理を実施する処理装置であって、
   開口部を有し、内部を前記特定の環境とするチャンバーと、
   一部が前記チャンバーの内部に含まれ、他の一部が前記開口部から貫通して前記チャンバーに非接触である支持機構と、
   前記支持機構を支持する少なくとも１つの支持部材と、
   一端が前記開口部に接続され、かつ、他端が前記支持部材に接続されていて、前記特定の環境と大気環境との境界を構成する封止部材と、
   前記支持部材と該支持部材を支持する構造体との間で鉛直方向の軸の周りの相対的な回転を許容する部材と、
   を備え、
   前記支持部材は、前記支持部材と前記構造体との間の前記回転以外の相対的な運動を制限する形状を有する、
   ことを特徴とする処理装置。
2. 前記支持部材は、鉛直方向から一定の角度で傾斜するテーパー面を有することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
3. 特定の環境にて被処理体に所定の処理を実施する処理装置であって、
   開口部を有し、内部を前記特定の環境とするチャンバーと、
   一部が前記チャンバーの内部に含まれ、他の一部が前記開口部から貫通して前記チャンバーに非接触である支持機構と、
   前記支持機構を支持する少なくとも１つの支持部材と、
   一端が前記開口部に接続され、かつ、他端が前記支持部材に接続されていて、前記特定の環境と大気環境との境界を構成する封止部材と、
   前記支持部材と該支持部材を支持する構造体との間で鉛直方向の軸の周りの相対的な回転を許容する部材と、
   除振機構を備え、
   前記支持機構は、前記被処理体を保持し移動可能な保持部を含み、
   前記構造体は、床部または床面に敷設された部材であり、
   前記チャンバーは、定盤を含み、かつ前記構造体に前記除振機構を介して支持されている、
   ことを特徴とする処理装置。
4. 前記定盤に支持され、前記保持部の位置を計測するための計測部を備えることを特徴とする請求項３に記載の処理装置。
5. 特定の環境にて被処理体に所定の処理を実施する処理装置であって、
   開口部を有し、内部を前記特定の環境とするチャンバーと、
   一部が前記チャンバーの内部に含まれ、他の一部が前記開口部から貫通して前記チャンバーに非接触である支持機構と、
   前記支持機構を支持する少なくとも１つの支持部材と、
   一端が前記開口部に接続され、かつ、他端が前記支持部材に接続されていて、前記特定の環境と大気環境との境界を構成する封止部材と、
   前記支持部材と該支持部材を支持する構造体との間で鉛直方向の軸の周りの相対的な回転を許容する部材と、を備え、
   前記支持部材は、前記支持機構に接続されている第１支持部材と、前記第１支持部材を支持し、前記封止部材の他端が接続されている第２支持部材と、を含み、
   前記回転を許容する部材は、前記第１支持部材と前記第２支持部材との相対的な回転を許容する第１の部材と、前記第２支持部材と前記構造体との相対的な回転を許容する第２の部材と、を含む、
   ことを特徴とする処理装置。
6. 特定の環境にて被処理体に所定の処理を実施する処理装置であって、
   開口部を有し、内部を前記特定の環境とするチャンバーと、
   一部が前記チャンバーの内部に含まれ、他の一部が前記開口部から貫通して前記チャンバーに非接触である支持機構と、
   前記支持機構を支持する少なくとも１つの支持部材と、
   一端が前記開口部に接続され、かつ、他端が前記支持部材に接続されていて、前記特定の環境と大気環境との境界を構成する封止部材と、
   前記支持部材と該支持部材を支持する構造体との間で鉛直方向の軸の周りの相対的な回転を許容する部材と、を備え、
   前記チャンバーは、前記支持部材とは独立して支持されている、
   ことを特徴とする処理装置。
7. 前記封止部材は、伸縮配管であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の処理装置。
8. 前記特定の環境は、真空環境であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の処理装置。
9. 荷電粒子線を用いて前記被処理体に描画を行うための光学系を含むことを特徴とする請求項８に記載の処理装置。
10. 原版のパターンを前記被処理体に転写するための光学系を含むことを特徴とする請求項８に記載の処理装置。
11. 請求項９または１０に記載の処理装置を用いてパターンの形成を被処理体に行う工程と、前記工程で前記パターンの形成を行われた前記被処理体を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。

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