CN107587104B - 真空成膜装置 - Google Patents

真空成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107587104B
CN107587104B CN201710549204.4A CN201710549204A CN107587104B CN 107587104 B CN107587104 B CN 107587104B CN 201710549204 A CN201710549204 A CN 201710549204A CN 107587104 B CN107587104 B CN 107587104B
Authority
CN
China
Prior art keywords
fixing member
vacuum
groove wall
mask
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710549204.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107587104A (zh
Inventor
河野贵志
石井博
佐藤智之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN107587104A publication Critical patent/CN107587104A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107587104B publication Critical patent/CN107587104B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种真空成膜装置,其能够以简易的结构抑制以真空槽的槽壁的变形为起因的基板与掩模之间的位置偏离。该真空成膜装置具备真空槽(1)、设置在该真空槽(1)内的基板支承体(3)及掩模支承体(5)、设置在真空槽(1)外且用于调整由基板支承体(3)支承的基板(2)与由掩模支承体(5)支承的掩模(4)的相对位置的对准机构(6),其中具有第一固定构件(7)和第二固定构件(8),该第一固定构件设置连接有基板支承体(3)的对准机构(6)且抵接固定于真空槽(1)的槽壁外表面,该第二固定构件设置掩模支承体(5)且抵接固定于真空槽(1)的槽壁内表面,第一固定构件(7)的与槽壁外表面抵接的抵接端部(9)和第二固定构件(8)的与槽壁内表面抵接的抵接端部(10)隔着槽壁设置在相对位置。

Description

真空成膜装置
技术领域
本发明涉及真空成膜装置。
背景技术
在真空成膜装置中,近年来,由于与基板的大型化相伴的真空槽的大型化,从而真空时的真空槽的槽壁的变形增大。
因此,即使在真空槽内为大气压的状态下调整(对准)基板与掩模的位置关系,在真空槽内为真空时由于槽壁的变形,基板与掩模的位置关系也会产生偏离,有时会给基板与掩模的对准精度造成影响。
图1示出大气时的真空成膜装置,图2示出真空时的真空成膜装置。A是对基板进行支承的基板支承体,B是对掩模C进行支承的掩模支承体,D是真空槽,E是蒸发源,F是将基板支承体A固定于真空槽D的固定构件,G是将掩模支承体B固定于真空槽D的固定构件,H是进行基板与掩模的位置调整的对准机构。
如图1及图2所图示那样,基板支承体A及掩模支承体B都经由固定构件F、G而固定在真空槽D的槽壁的分别不同的位置。然而,槽壁的变形的程度因位置而不同,因此基板支承体A的点a处的位移量与掩模支承体B的点b处的位移量分别不同,相应于该位移量的差量δ而掩模与基板支承面的间隔I和I’产生差别。
即,以所述位移量的差量δ为起因而存在基板支承体A及掩模支承体B的位置关系偏离且支承于它们的基板及掩模产生位置偏离的情况。
因此,例如在专利文献1中,将设有基板支承体及掩模支承体的对准机构载置于在真空槽的上方设置的支承板,在支承板与真空槽的顶板之间设置使该支承板与真空槽的顶板分离的腿部,由此抑制基板与掩模之间的位置偏离。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2012-33468号公报
发明内容
【发明要解决的课题】
然而,专利文献1公开的结构是在对准机构设置基板支承体及掩模支承体这双方的结构,需要将它们一并设置在真空槽的上方,因此对准机构大型化、复杂化,成本升高不可避免,并且不现实。
本发明鉴于上述的现状而作出,提供一种真空成膜装置,其能够以简易的结构抑制以真空槽的槽壁的变形为起因的基板与掩模之间的位置偏离。
【用于解决课题的方案】
一种真空成膜装置,其具备:真空槽、设置在该真空槽内的对基板进行支承的基板支承体及对掩模进行支承的掩模支承体、和对准机构,该对准机构设置在所述真空槽外,用于调整由所述基板支承体支承的基板与由所述掩模支承体支承的掩模的相对位置,其特征在于,所述真空成膜装置具有第一固定构件和第二固定构件,所述第一固定构件设置所述对准机构且抵接固定于所述真空槽的槽壁外表面,所述对准机构连接所述基板支承体,所述第二固定构件设置所述掩模支承体且抵接固定于所述真空槽的槽壁内表面,所述第一固定构件的与所述槽壁外表面抵接的抵接端部和所述第二固定构件的与所述槽壁内表面抵接的抵接端部隔着所述槽壁设置在相对位置。
【发明效果】
本发明由于如上所述构成,因此成为能够以简易的结构抑制以真空槽的槽壁的变形为起因的基板与掩模之间的位置偏离的真空成膜装置。
附图说明
图1是现有例的概略说明剖视图。
图2是现有例的概略说明剖视图。
图3是本实施例的概略说明剖视图。
图4是本实施例的概略说明剖视图。
图5是本实施例的主要部分的概略说明立体图。
【符号说明】
1 真空槽
2 基板
3 基板支承体
4 掩模
5 掩模支承体
6 对准机构
7 第一固定构件
8 第二固定构件
9 抵接端部
10 抵接端部
具体实施方式
基于附图示出本发明的作用,简单地说明考虑为优选的本发明的实施方式。
如图3所图示那样,在大气压状态下通过对准机构6调整了基板2与掩模4的相对位置之后,即使在真空槽1内成为真空状态时而槽壁变形,也如图4所图示那样,由于第一固定构件7及第二固定构件8的抵接端部9、10隔着槽壁而分别设置在相对位置,因此第一固定构件7及第二固定构件8也能大致同量地受到槽壁的变形的影响。
即,第一固定构件7及第二固定构件8的抵接端部9、10分别设置在槽壁的俯视观察下的同一部位的内外(设置在同轴上),因此第一固定构件7及第二固定构件8的以槽壁的变形为起因的位移量大致相等。
因此,第一固定构件7与第二固定构件8的所述位移量之差成为最小限度,掩模与基板支承面的间隔X和X’之差少,因此能够抑制由设于第一固定构件7的对准机构6(的基板支承体3)支承的基板2与由设于第二固定构件8的掩模支承体5支承的掩模4之间的位置偏离,能够降低给对准精度造成的影响。
另外,由于是将设置有掩模支承体5的第二固定构件8不与对准机构6连接而抵接固定于真空槽1的槽壁内表面的结构,因此与专利文献1公开的结构相比,对准机构6不会大型化、复杂化,相应地能够抑制成本,成为实现性更高的结构。
【实施例】
基于附图说明本发明的具体的实施例。
如图3、4所图示那样,本实施例是在真空成膜装置中适用了本发明的例子,该真空成膜装置具备真空槽1、设置在该真空槽1内的对基板2进行支承的基板支承体3及对掩模4进行支承的掩模支承体5、以及蒸发源11。在该真空成膜装置中设有膜厚监控器、膜厚计和加热器用电源等,所述膜厚监控器对于从蒸发源11放出的蒸发粒子的蒸发率进行监控,所述膜厚计设置在真空槽1外,将监控到的蒸发粒子的量换算成膜厚,所述加热器用电源为了以使换算后的膜厚成为所希望的膜厚的方式控制成膜材料的蒸发率而对蒸发源11进行加热。
在真空槽1的外部上方位置设有对准机构6,该对准机构6用于调整由基板支承体3支承的基板2与由掩模支承体5支承的掩模4的相对位置。
基板支承体3包括对基板2的下表面进行支承的支承用具12、和将对准机构6的固定板14与支承用具12连结的连结构件13。
对准机构6的固定板14通过第一固定构件7而被固定于真空槽1,该第一固定构件7经由引导构件15而固定于真空槽1的槽壁顶面部1a的外表面。因此,基板支承体3也通过第一固定构件7而被固定于真空槽1。在图3、4中,符号19是波纹管。
第一固定构件7是具有抵接固定在真空槽1的槽壁顶面部1a的外表面上的多个方柱状的腿部16的结构。腿部16在顶面部1a的外表面竖立设置成竖直状态。在本实施例中,如图5所图示那样成为俯视观察矩形形状且在各角部分别具有腿部16的桌子状体。
该腿部16的与槽壁顶面部1a的外表面抵接的抵接部是第一固定构件7的抵接端部9。
掩模支承体5包括对掩模4进行支承的支承用具17、将真空槽1的槽壁顶面部1a的内表面与该支承用具17连结的第二固定构件8。图5中,符号18是将支承用具17与第二固定构件8相连的斜材。第二固定构件8是方柱状,其上端部是抵接固定于真空槽1的槽壁顶面部1a的内表面的抵接端部10。第二固定构件8在顶面部1a的内表面垂设成竖直状态。
在本实施例中,设置与第一固定构件7的腿部16相同数量的第二固定构件8,抵接端部9、10具有4组。
第一固定构件7和第二固定构件8的抵接端部9、10隔着槽壁而分别设置在相对位置。
具体而言,第一固定构件7的抵接端部9及第二固定构件8的抵接端部10分别被配设成,在与真空槽1的槽壁顶面部1a的面方向正交的竖直方向上重叠。
更具体而言,第一固定构件7及所述第二固定构件8的隔着所述槽壁而设置在相对位置上的抵接端部9、10分别被设定成如下的形状:在将一方的抵接端部的抵接端面向另一方的抵接端部所抵接的槽壁面进行投影的投影面内,收纳另一方的抵接端部的抵接端面。
在本实施例中,分别设定成如下的形状:在第一固定构件7的抵接端部9的抵接端面的投影面内收纳第二固定构件8的抵接端部10的抵接端面。
此外,在本实施例中,第一固定构件7的抵接端部9的中心轴与第二固定构件8的抵接端部10的中心轴被设定成在同轴上。
因此,本实施例即使在真空槽1的内部为真空状态时而槽壁变形,通过在槽壁的变形量成为相同的部位上固定第一固定构件及第二固定构件的抵接端部,也能使第一固定构件7及第二固定构件8的位移量之差成为最小限度,掩模4与基板支承体3的基板支承面之间的间隔X和X’之差减少,能够抑制基板3与掩模4之间的位置偏离,能够降低对于对准精度造成的影响。
本发明并不局限于本实施例,各构成要件的具体结构可适当设计。

Claims (3)

1.一种真空成膜装置,所述真空成膜装置具备:真空槽、设置在该真空槽内的对基板进行支承的基板支承体及对掩模进行支承的掩模支承体、和对准机构,该对准机构设置在所述真空槽外,用于调整由所述基板支承体支承的基板与由所述掩模支承体支承的掩模的相对位置,其特征在于,
所述真空成膜装置具有第一固定构件和第二固定构件,所述第一固定构件设置所述对准机构且抵接固定于所述真空槽的槽壁外表面,所述对准机构连接所述基板支承体,所述第二固定构件设置所述掩模支承体且抵接固定于所述真空槽的槽壁内表面,所述第一固定构件的与所述槽壁外表面抵接的抵接端部和所述第二固定构件的与所述槽壁内表面抵接的抵接端部隔着所述槽壁设置在相对位置。
2.根据权利要求1所述的真空成膜装置,其特征在于,
所述第一固定构件及所述第二固定构件的隔着所述槽壁设置在相对位置的抵接端部被设置多组。
3.根据权利要求1或2所述的真空成膜装置,其特征在于,
所述第一固定构件及所述第二固定构件的隔着所述槽壁设置在相对位置的抵接端部分别被设定成如下的形状:在将一方的所述抵接端部的抵接端面向另一方的所述抵接端部所抵接的槽壁面进行投影的投影面内,收纳所述另一方的抵接端部的抵接端面。
CN201710549204.4A 2016-07-08 2017-07-07 真空成膜装置 Active CN107587104B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016136249A JP6262811B2 (ja) 2016-07-08 2016-07-08 真空成膜装置
JP2016-136249 2016-07-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107587104A CN107587104A (zh) 2018-01-16
CN107587104B true CN107587104B (zh) 2020-05-05

Family

ID=60948368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710549204.4A Active CN107587104B (zh) 2016-07-08 2017-07-07 真空成膜装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6262811B2 (zh)
KR (1) KR101979090B1 (zh)
CN (1) CN107587104B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102304434B1 (ko) * 2018-04-03 2021-09-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 챔버 내에서의 캐리어 정렬을 위한 장치 및 진공 시스템, 및 캐리어를 정렬하는 방법
CN112771688A (zh) * 2018-10-30 2021-05-07 应用材料公司 基板处理装置
JP7118864B2 (ja) * 2018-11-07 2022-08-16 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、製造システム、有機elパネルの製造システム
JP7299725B2 (ja) * 2019-03-15 2023-06-28 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜システム
JP7361671B2 (ja) * 2020-09-30 2023-10-16 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、調整装置、調整方法、及び電子デバイスの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101013274A (zh) * 2006-02-03 2007-08-08 佳能株式会社 掩模成膜方法及掩模成膜设备
CN101228290A (zh) * 2005-08-25 2008-07-23 日立造船株式会社 真空蒸镀用校准装置
KR20140145383A (ko) * 2013-06-13 2014-12-23 진중 김 인라인형 대면적 oled 하향식 증착기

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW552480B (en) * 1999-04-19 2003-09-11 Asml Netherlands Bv Moveable support in a vacuum chamber and its application in lithographic projection apparatus
JP4251857B2 (ja) 2002-11-27 2009-04-08 株式会社アルバック 真空成膜装置及び真空成膜方法
JP4609754B2 (ja) * 2005-02-23 2011-01-12 三井造船株式会社 マスククランプの移動機構および成膜装置
JP4624236B2 (ja) * 2005-10-25 2011-02-02 日立造船株式会社 真空蒸着用アライメント装置
JP5297046B2 (ja) * 2008-01-16 2013-09-25 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
JP5277059B2 (ja) * 2009-04-16 2013-08-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置及び成膜システム
JP5783811B2 (ja) 2010-07-06 2015-09-24 キヤノン株式会社 成膜装置
WO2016114351A1 (ja) * 2015-01-14 2016-07-21 花王株式会社 静電荷像現像用トナー製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101228290A (zh) * 2005-08-25 2008-07-23 日立造船株式会社 真空蒸镀用校准装置
CN101013274A (zh) * 2006-02-03 2007-08-08 佳能株式会社 掩模成膜方法及掩模成膜设备
KR20140145383A (ko) * 2013-06-13 2014-12-23 진중 김 인라인형 대면적 oled 하향식 증착기

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018003141A (ja) 2018-01-11
KR101979090B1 (ko) 2019-05-15
CN107587104A (zh) 2018-01-16
KR20180006296A (ko) 2018-01-17
JP6262811B2 (ja) 2018-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107587104B (zh) 真空成膜装置
JP3205145U (ja) 基板リフトピンアクチュエータ
JP7131583B2 (ja) 接合方法及び接合装置
KR20150101911A (ko) 스테이지 얼라이너 구조
TWI546886B (zh) 用於減少楔形誤差之裝置及方法
JP2013254938A (ja) インプリント装置および物品の製造方法
WO2016199759A1 (ja) 基板保持装置、成膜装置及び基板保持方法
CN107896512A (zh) 对准器结构和对准方法
US9939728B2 (en) Vacuum chamber with a thick aluminum base plate
KR20170080501A (ko) 반도체 프로세싱 장치 내에서 샤워헤드 틸팅을 동적으로 조정하기 위한 액추에이터
US9877576B2 (en) Table device and conveyance device
JP2012160635A (ja) 保持装置、それを用いたインプリント装置および物品の製造方法
CN107587105B (zh) 成膜装置
US8902405B2 (en) Stage apparatus, exposure apparatus and device fabrication method
KR101831375B1 (ko) 기판 이동을 위한 위치 설정 장치
JP2013143768A (ja) チルト補正装置及びこれを用いた接合方法
CN103732941A (zh) 多插片保持装置
JPH01319965A (ja) 基板の吸着装置
JP6275632B2 (ja) 常温接合装置及び常温接合方法
JP2012133122A (ja) 近接露光装置及びそのギャップ測定方法
EP3467868A1 (en) Support apparatus and support method
KR20160059040A (ko) 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드
KR100776634B1 (ko) 기판 스테이지
JP2010091628A (ja) 表示用パネル露光装置および露光方法並びに表示用パネル露光装置の組立てまたは調整方法
JP2002260566A (ja) 荷電ビーム装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant