KR102074088B1 - 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 Download PDF

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Abstract

기판 상의 임프린트재를 몰드와 접촉시킴으로써 임프린트재의 패턴을 형성하며, 상기 기판을 보유지지하고 이동시키는 이동 유닛 및 제어 유닛을 포함하는 임프린트 장치. 상기 제어 유닛은, 상기 기판이 아직 상기 이동 유닛에 의해 보유지지되지 않은 상태에서의 상기 기판의 휨 형상에 대한 정보를 참조하여, 상기 이동 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 표면 상의 각 위치에서의 위치 어긋남량을 표현하는 위치 어긋남량 표현 식을 구하고, 상기 구해진 식을 참고하여 상기 기판 표면 상의 위치에서의 위치 어긋남량을 계산하고, 상기 위치에서의 위치 어긋남량에 기초하여 상기 기판의 샷 영역에 관한 왜곡 성분을 구하며, 상기 구해진 왜곡 성분에 따라 상기 몰드와 상기 기판 중 적어도 하나의 형상 또는 위치를 제어한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND PRODUCT MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
정교한 반도체 디바이스 및 MEMS(Micro Electronic Mechanical Systems)의 형성 요구가 증가하면서, 종래의 포토리소그래피 기술 이외에, 기판 상의 미경화 수지를 몰드로 성형함으로써 기판(예를 들어, 웨이퍼, 유리 플레이트, 또는 필름 기판) 상에 수지 패턴을 형성할 수 있는 미세 처리 기술 - 이하 "임프린트 기술"이라 칭함 - 이 크게 주목받고 있다. 임프린트 기술은 기판 상에 나노미터 정도의 미세한 구조체를 형성하는 우수한 능력에서 기대된다.
특허문헌 1에 논의된 임프린트 기술(즉, 임프린트 장치)를 사용한 종래의 리소그래피 장치는 디바이스의 제조에서 유리한 스텝 앤드 플래시 임프린트 리소그래피(SFIL)를 채용하는 장치이다.
먼저, 상술한 임프린트 장치는 기판의 샷 영역(즉, 임프린트 영역)에 자외선 경화 수지(예를 들어, 임프린트재 또는 광 경화성 수지)를 도포하는 동작을 행한다. 이어서, 임프린트 장치는 기판을 몰드에 인접하는 위치로 이동시키고 수지를 몰드 패턴 영역에 충전시킨다. 그리고, 임프린트 장치는 수지에 자외선을 조사하여 수지를 경화시킨 후 몰드로부터 그 영역을 분리한다. 상술한 공정을 통해, 임프린트 장치는 기판 상에 수지 패턴을 형성한다.
상술한 임프린트 장치에 의해 나노미터 정도의 미세 패턴 형성을 이용하여 대량 생산을 실현하기 위해서는 중첩 정밀도의 향상이 요구된다. 이를 위해, 몰드 패턴 영역의 위치를 기판 상의 샷 영역에 정밀하게 정렬시키는 것이 중요하다.
또한, 상술한 임프린트 장치는 몰드 패턴 영역의 위치를 기판 상의 샷 영역에 대해 정렬시키기 위해 다이-바이-다이 정렬을 채용할 수 있다. 다이-바이-다이 정렬은 몰드에 제공된 몰드 마크와 기판에 제공된 기판 마크를 광학적으로 검출하고, 기판 상의 각 샷 영역에 대해 몰드 패턴 영역과 기판 상의 샷 영역 사이의 위치 편차 및 형상 편차를 보정하는 것에 의해 특징지어 진다.
특허문헌 2에서 논의된 방법은 몰드 및 기판의 패턴 형상을 보정하고, 외력을 가함으로써 몰드를 변형시킬 수 있는 형상 보정 기구 및 열을 가함으로써 기판을 변형시킬 수 있는 가열 기구를 조합함으로써 각각의 패턴 형상의 위치를 정밀하게 보정하는 것을 포함한다.
반도체 디바이스의 고집적화는 정교한 그리고 다층화된 배선을 필요로 한다. 다층화된 배선을 형성하는 공정은, 막 형성 동작 중에 발생되는 막 왜곡이 반도체 제조 공정의 후속 공정에서 축적되는 경향이 있기 때문에 전체적으로 발생하는 기판의 휨 현상을 유발한다. 휜 기판을 평평한 기판으로 재성형하는 것은 임프린트 장치의 기판 스테이지에 제공된 기판 척이 기판을 흡착 및 보유지지하게 함으로써 실현될 수 있다. 이 경우, 기판 척에 고정된 기판에서 큰 왜곡이 나타난다. 보정될 왜곡이 큰 경우 정렬 동작에 요구되는 처리 시간이 증가할 것이다. 또한, 임프린트 장치는, 몰드가 수지에 대해 가압된 상태에서의 수지 충전 동작 중에 정렬 동작을 행한다. 한편, 적절한 잔막 두께를 얻기 위해 요구되는 미리결정된 충전 시간은 미리 설정된다. 이 경우, 잔막 두께는 경화된 수지에 의해 형성된 볼록-오목 패턴의 오목부의 저면과 임프린트된 기판의 표면 사이의 수지의 두께를 나타낸다. 발생된 왜곡이 큰 경우, 정렬 동작은 미리 설정된 충전 시간 내에 완료될 수 없다. 따라서, 몰드와 기판 상이의 위치 정렬이 충분히 달성될 수 없고 중첩 정밀도가 저하될 가능성이 있다.
일본 특허 번호 4185941 일본 특허 출원 공개 번호 2013-98291
본 발명은, 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있는 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 양태에 따르면, 기판 상의 임프린트재를 몰드와 접촉시킴으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 장치는, 상기 기판을 보유지지하고 이동시키도록 구성되는 이동 유닛, 및 제어 유닛을 포함하고, 상기 제어 유닛은, 상기 기판이 아직 상기 이동 유닛에 의해 보유지지되지 않은 상태에서의 상기 기판의 휨 형상에 대한 정보를 참조하여, 상기 이동 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 표면 상의 각 위치에서의 위치 어긋남량을 표현하는 위치 어긋남량 표현 식을 구하고, 상기 구해진 위치 어긋남량 표현 식을 참고하여 상기 기판 표면 상의 복수의 위치에서의 위치 어긋남량을 계산하고, 상기 복수의 위치에서 구한 위치 어긋남량에 기초하여 상기 기판의 샷 영역에 관한 왜곡 성분을 구하며, 상기 구해진 왜곡 성분에 따라 상기 몰드와 상기 기판 중 적어도 하나의 형상 또는 위치를 제어한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 제1 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치의 대표적인 장치 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 웨이퍼의 휨 형상에 기초하여 변환 행렬을 구하는 처리를 도시하는 흐름도이다.
도 3a는 휨이 없는 편평한 웨이퍼를 도시하는 도면이다.
도 3b는 웨이퍼가 웨이퍼 척에 의해 고정된 상태에서의 도 3a에 도시된 웨이퍼를 도시하는 도면이다.
도 3c는 외향 돌출 볼록 표면을 갖는 웨이퍼를 도시하는 도면이다.
도 3d는 웨이퍼가 웨이퍼 척에 의해 고정된 상태에서의 도 3c에 도시된 웨이퍼를 도시하는 도면이다.
도 3e는 상향 돌출 볼록 표면을 갖는 웨이퍼를 도시하는 도면이다.
도 3f는 웨이퍼가 웨이퍼 척에 의해 고정되어 있는 상태에서의 도 3e에 도시된 웨이퍼를 도시하는 도면이다.
도 3g는 안장 형상 표면을 갖는 웨이퍼를 도시하는 도면이다.
도 3h는 웨이퍼가 웨이퍼 척에 의해 고정되어 있는 상태에서의 도 3g에 도시된 웨이퍼를 도시하는 도면이다.
도 4는 휨 형상 표현 식의 계수와 대응하는 휨 형상 사이의 대응 관계를 도시하는 도면이다.
도 5는 위치 어긋남량 표현 식의 계수와 대응하는 웨이퍼 왜곡 형상 사이의 대응 관계를 도시하는 도면이다.
도 6은 처리 대상 웨이퍼의 휨 형상으로부터 유도된 왜곡에 따라 보정을 행하고 샷 영역을 임프린트하는 처리를 도시하는 흐름도이다.
도 7a는 샷 영역에 관한 위치 어긋남과 변형을 도시하는 도면이다.
도 7b는 샷 영역에 관한 위치 어긋남과 변형을 도시하는 도면이다.
도 7c는 샷 영역에 관한 위치 어긋남과 변형을 도시하는 도면이다.
도 7d는 샷 영역에 관한 위치 어긋남과 변형을 도시하는 도면이다.
도 7e는 샷 영역에 관한 위치 어긋남과 변형을 도시하는 도면이다.
도 7f는 샷 영역에 관한 위치 어긋남과 변형을 도시하는 도면이다.
도 7g는 샷 영역에 관한 위치 어긋남과 변형을 도시하는 도면이다.
도 7h는 샷 영역에 관한 위치 어긋남과 변형을 도시하는 도면이다.
도 8은 사전정렬 유닛을 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명의 예시적인 실시예를 첨부의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 7h를 참고하여, 제1 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치에 대해서 상세하게 설명한다.
도 1은 제1 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치(1)의 대표적인 구성을 도시하는 도면이다. 임프린트 장치(1)는, 물품으로서의 디바이스(예를 들어, 반도체 디바이스)를 제조하기 위해 사용될 수 있는 장치이다. 임프린트 장치(1)는 몰드(다이)로 웨이퍼 상의 미경화 수지를 성형함으로써 웨이퍼(즉, 처리될 기판) 상에 수지 패턴을 형성할 수 있다. 본 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치는 광경화법을 채용한다. 또한, 도 1에서는, Z 축은 웨이퍼 상의 수지에 자외선을 조사하는 조명계의 광학 축에 평행하고, X 축 및 Y 축은 Z 축에 수직한 평면에 제공되고 서로 수직이다. 임프린트 장치(1)는, 광 조사 유닛(2), 몰드 보유지지 기구(3), 웨이퍼 스테이지(4), 도포 유닛(5), 웨이퍼 가열 기구(6), 및 제어 유닛(7)을 구비한다.
광 조사 유닛(2)은, 임프린트 처리 시에, 몰드(8)에 자외선(9)을 조사할 수 있다. 광 조사 유닛(2)은, 광원(도시하지 않음)과, 이 광원으로부터 방출된 자외선(9)을 임프린트 처리를 위한 적절한 광으로 조정할 수 있는 광학 소자(도시하지 않음)를 포함한다. 임프린트 장치(1)가 광 조사 유닛(2)을 포함하는 이유는 본 예시적인 실시예에서는 광경화법이 채용되기 때문이다. 그러나, 열경화법이 채용되는 경우, 광 조사 유닛(2)은 열경화성 수지를 경화시킬 수 있는 열원 유닛으로 대체될 수 있다.
몰드(8)는, 직사각형 외측 형상을 가지며, 웨이퍼(11)에 대면하는 면에 3차원적으로 형성된 패턴 영역(예를 들어, 전사될 회로 패턴 또는 임의의 다른 오목-볼록 패턴)(8a)을 포함한다. 또한, 몰드(8)는 자외선(9)을 투과시킬 수 있는 석영 또는 임의의 다른 유사한 재료로 구성된다. 또한, 몰드(8)는, 자외선(9)이 조사되는 표면에, 몰드(8)를 용이하게 변형시킬 수 있도록, 캐비티(즉, 오목부)(8b)를 갖도록 구성될 수 있다. 캐비티(8b)는 원형의 평면 형상을 갖는다. 캐비티(8b)의 두께(즉, 깊이)는 몰드(8)의 크기 및 재료를 고려하여 적절하게 설정될 수 있다. 또한, 몰드 보유지지 기구(3) 내의 개구 영역(17)에는, 이 개구 영역(17)의 일부와 캐비티(8b)에 의해 둘러싸이는 밀폐 공간(12)을 제공하기 위해서, 광 투과 부재(13)가 제공된다. 또한, 공간(12) 내의 압력을 제어하기 위해서 압력 조정 장치(도시하지 않음)가 제공될 수 있다. 예를 들어, 몰드(8)가 웨이퍼(11) 상의 수지(14)에 대해 가압될 때, 압력 조정 장치는 공간(12) 내의 압력을 외부 압력보다 높게 설정할 수 있다. 그리고, 몰드(8)의 패턴 영역(8a)은 웨이퍼(11)를 향해 볼록 형상으로 휘어진다. 그리고, 패턴 영역(8a)의 중앙부는 수지(14)에 접촉한다. 따라서, 패턴 영역(8a)과 수지(14) 사이의 밀폐 공간에 기체(공기)가 유지되는 것이 방지될 수 있다. 패턴 영역(8a)의 볼록-오목부는 수지(14)로 완전히 충전될 수 있다.
몰드 보유지지 기구(3)는 몰드 척(15)과 몰드 구동 기구(즉, 구동 유닛)(16)을 포함한다. 몰드 척(15)은 진공 흡착력 또는 정전기력에 의해 몰드(8)를 흡착하여 보유지지할 수 있다. 몰드 구동 기구(16)는 몰드 척(15)을 보유지지하고 몰드(8)(몰드 척(15))를 이동시킬 수 있다. 몰드 척(15) 및 몰드 구동 기구(16) 각각은, 광 조사 유닛(2)의 광원으로부터 방출된 자외선(9)이 웨이퍼(11)에 도달할 수 있도록, 중앙부(내측)에 개구 영역(17)을 갖는다. 또한, 몰드 보유지지 기구(3)는, 몰드(8)가 보유지지된 몰드 척(15)의 표면에 제공된 배율 보정 기구(즉, 몰드 변형 유닛)(18)를 포함한다. 배율 보정 기구(18)는 몰드(8)의 측면에 외력을 가하고 몰드(8)의 변위를 유발함으로써 패턴 영역(8a)의 형상을 변형시킬 수 있다. 배율 보정 기구(18)는, 몰드(8)의 형상을 변형시킴으로써, 웨이퍼(11)의 샷 형상에 대하여 패턴 영역(8a)의 형상을 맞출 수 있다.
몰드 구동 기구(16)는, 몰드(8)를 웨이퍼(11) 상의 수지(14)에 대해 가압하거나 몰드(8)를 수지(14)로부터 분리하도록 선택적으로 몰드(8)를 Z 축 방향으로 이동시킬 수 있다. 예를 들어 리니어 모터 또는 에어 실린더가 몰드 구동 기구(16)로서 채용가능한 액추에이터이다. 또한, 몰드(8)의 고정밀 정렬을 실현하기 위해서, 몰드 구동 기구(16)는 복수의 구동 시스템(예를 들어, 조동 구동계 및 미동 구동계의 조합)에 의해 구성될 수 있다. 또한, 몰드 구동 기구(16)는 Z 축 방향 이외에, X 축 방향, Y 축 방향 또는 θ(즉, Z 축 둘레의 회전) 방향의 위치 조정 기능을 갖도록 구성될 수 있다. 몰드 구동 기구(16)는 몰드(8)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능을 갖도록 구성될 수 있다. 임프린트 장치(1)의 상술한 가압 및 분리 동작은 상술한 바와 같이 몰드(8)를 Z 축 방향으로 이동시킴으로써 실현될 수 있다. 대안적으로, 상술한 가압 및 분리 동작은 웨이퍼 스테이지(4)를 Z 축 방향으로 이동시킴으로써 또는 몰드(8)와 웨이퍼 스테이지(4)를 상대적으로 이동시킴으로써 실현될 수 있다.
웨이퍼(11)는, 예를 들어 단결정 실리콘 기판 또는 SOI(Silicon on Insulator) 기판이다. 상술한 피처리면에는, 패턴 영역(8a)에 의해 성형될 수 있는 자외선 경화 수지(이하, 간단히 "수지"라 칭함)(14)가 도포된다.
웨이퍼 스테이지(즉, 기판 스테이지 또는 이동 유닛)(4)는, 웨이퍼(11)를 보유지지(또는 흡착)할 수 있고, 몰드(8)가 웨이퍼(11) 상의 수지(14)에 대해 가압될 때 몰드(8)와 수지(14)의 위치를 제어할 수 있다. 웨이퍼 스테이지(4)는 웨이퍼 척(즉, 기판 보유지지 유닛)(19) 및 스테이지 구동 기구(20)를 포함한다. 웨이퍼 척(19)은 웨이퍼(11)를 보유지지하기 위해 흡착력을 발생시킬 수 있다. 스테이지 구동 기구(20)는 기계적인 수단에 의해 웨이퍼 척(19)을 보유지지할 수 있고 XY 평면 내에서 웨이퍼 척(19)을 이동시킬 수 있다. 특히, 본 예시적인 실시예에 따른 웨이퍼 척(19)은, 웨이퍼(11)의 이면을 분할함으로써 얻을 수 있는 복수의 분할 영역을 흡착하여 보유지지할 수 있는 복수의 흡착부(도시하지 않음)를 구비한다. 이들 흡착부는, 상술한 압력 조정 장치(도시하지 않음)와 상이한 다른 압력 조정 장치(도시하지 않음)에 연결된다. 이 경우, 압력 조정 장치는, 웨이퍼(11)와 흡착부 사이의 압력을 감압하도록 조정된 흡착력을 발생시킴으로써 웨이퍼(11)를 흡착면 상에 보유지지한다. 또한, 압력 조정 장치는 각각의 흡착부에 대해 독립적으로 압력값(즉, 척력)을 변경할 수 있다. 제공되는 흡착부의 수(즉, 분할 수)는 특정 수로 한정되지 않으며 임의적으로 결정된 수일 수 있다. 또한, 웨이퍼 척(19)은, 그 표면 상에 몰드(8)를 정렬시킬 때에 사용되는 기준 마크(21)를 갖는다. 예를 들어, 리니어 모터가 스테이지 구동 기구(20)로서 채용가능한 액추에이터이다. 스테이지 구동 기구(20)는, X 축 방향 및 Y 축 방향의 각각에 대해서 복수의 구동계(예를 들어, 조동 구동계 및 미동 구동계의 조합)에 의해 구성될 수 있다. 또한, 스테이지 구동 기구(20)는 Z 축 방향의 웨이퍼(11)의 위치를 조정할 수 있는 구동계를 포함하도록 구성될 수 있거나, 또는 θ 방향의 웨이퍼(11)의 위치를 조정하는 능력 및 웨이퍼(11)의 틸트 각을 보정하는 능력을 갖도록 구성될 수 있다.
도포 유닛(5)은 웨이퍼(11) 위에 수지(즉, 미경화 수지)(14)를 도포할 수 있다. 본 예시적인 실시예에서, 수지(14)는, 자외선(9)이 조사될 때 경화되는 성질을 갖는 광 경화성 수지(즉, 임프린트재)이다. 수지(14)는 다양한 조건(예를 들어, 반도체 디바이스 제조 공정)을 참고하여 적절하게 선택된다. 또한, 도포 유닛(5)의 토출 노즐로부터 토출되는 수지(14)의 양은, 웨이퍼(11) 상에 형성되는 수지(14)의 원하는 두께 또는 형성되는 패턴의 밀도를 고려하여 적절하게 결정될 수 있다. 단일 임프린트 동작에서의 수지(14)의 도포 위치 및 도포량은 액적 패턴을 참조하여 미리 결정된다. 액적 패턴은, 1개의 샷 영역을 분할하여 얻을 수 있는 복수의 직사각형 영역을 포함한다. 수지(14)의 도포량은 각각의 분할된 영역에 대해 결정된다. 도포 유닛(5)은 액적 패턴에 따라 수지를 기판 상의 샷 영역에 토출한다.
웨이퍼 가열 기구(즉, 기판 변형 유닛)(6)는, 웨이퍼 스테이지(4) 위에 적재된 웨이퍼(11)의 형상, 더 구체적으로는 임프린트 장치(1)에 반입된 웨이퍼(11) 상의 샷 형상을 변경하기 위해서 웨이퍼(11)를 가열할 수 있다. 이 웨이퍼 가열 기구(6)는, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 광 조사 유닛(2)과 마찬가지로 몰드(8)를 투과해서 웨이퍼(11)에 도달할 수 있는 광을 방출함으로써 웨이퍼(11)를 가열할 수 있는 가열 광원을 포함할 수 있다. 가열 광원으로부터 방출된 광은, 웨이퍼(11)에 의해 흡수될 수 있으며, 파장이 광 경화 수지가 감광되지 않는(즉, 경화되지 않는) 특정 파장 대역에 있는 적외선 또는 유사한 광이다. 또한, 이 경우에, 웨이퍼 가열 기구(6)는, 가열 광원(도시하지 않음) 이외에, 가열 광원으로부터 방출된 광을 임프린트에 적합한 적절한 광으로 변환할 수 있는 복수의 광학 소자(도시하지 않음)를 포함할 수 있다. 상술한 가열 광원을 사용하는 대신에, 웨이퍼 가열 기구(6)는 웨이퍼 가열 기구(6)가 웨이퍼(11)를 직접적으로 가열할 수 있도록 웨이퍼 척(19)에 설치된 히터(도시하지 않음)로서 구성될 수 있다.
제어 유닛(7)은, 임프린트 장치(1)를 구성하는 각 요소의 동작 및 조정을 제어할 수 있다. 제어 유닛(7)은, 예를 들어 통신 회선을 통해 임프린트 장치(1)의 각 구성 요소에 연결되는 컴퓨터에 의해 구성될 수 있다. 제어 유닛(7)은 프로그램에 따라 각 구성 요소를 제어한다. 제어 유닛(7)은 임프린트 장치(1)의 다른 부분과 통합될 수 있거나(즉, 공통 케이싱 내에 수용될 수 있거나), 또는 임프린트 장치(1)와 별개로 제공될 수 있다(즉, 다른 케이싱에 수용될 수 있다). 제어 유닛(7)은, 웨이퍼 척(19)의 표면에 수직인 방향의 웨이퍼(11)의 변위에 대한 정보, 즉 웨이퍼(11)의 휨량에 대한 정보를 입력할 수 있다. 휨량 정보는, 계측 기기(임프린트 장치(1)에 포함되지 않음)에 의해 미리 취득될 수 있다. 장치의 조작자는 취득된 휨량 정보를 콘솔을 통해 장치에 입력할 수 있다. 대안적으로, 임프린트 장치(1)가 네트워크(예를 들어, LAN)에 연결되는 경우, 휨량 정보는 네트워크를 통해 장치에 입력될 수 있다. 제어 유닛(7)은, 그 휨량 정보에 기초하여, 패턴이 웨이퍼(11) 상에 형성된 상태, 즉 웨이퍼(11)가 웨이퍼 척(19)에 의해 고정된 상태에서, 웨이퍼 척(19)에 평행한 방향의 웨이퍼(11) 상의 샷 영역의 추정 변위량(즉, 왜곡)을 계산할 수 있다.
또한, 임프린트 장치(1)는, 개구 영역(17)에 제공된 정렬 계측계(22)를 구비한다. 정렬 계측계(22)는, 예를 들어 웨이퍼 정렬로서, 웨이퍼(11) 상에 형성된 정렬 마크와, 몰드(8)에 형성된 정렬 마크 사이의 X 축 및 Y 축 방향 각각의 위치 어긋남을 계측할 수 있다.
또한, 임프린트 장치(1)는, 웨이퍼 스테이지(4)를 탑재하는 베이스 정반(24), 몰드 보유지지 기구(3)를 고정하는 브리지 정반(25), 및 베이스 정반(24)으로부터 수직으로 연장되어 브리지 정반(25)을 지지하는 지지 샤프트(26)를 포함한다. 또한, 임프린트 장치(1)는 몰드 반송 기구(도시하지 않음) 및 기판 반송 기구(도시하지 않음)를 포함한다. 몰드 반송 기구는 장치 외부로부터 몰드 보유지지 기구(3)에 몰드(8)를 반송할 수 있다. 기판 반송 기구는 장치 외부로부터 웨이퍼 스테이지(4)에 웨이퍼(11)를 반송할 수 있다.
웨이퍼(11)는 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)에 웨이퍼(11)가 수용된 상태에서 임프린트 장치(1)의 미리결정된 위치에 세팅된다. 적어도 1개의 웨이퍼, 통상적으로 복수의 웨이퍼가 웨이퍼 카세트에 저장된다. 기판 반송 기구는 웨이퍼 카세트로부터 1개의 웨이퍼를 픽업할 수 있고, 추출된 웨이퍼를 이하에서 상세하게 설명되는 사전정렬 유닛(계측 유닛)(30)에 적재할 수 있다. 사전정렬 유닛(30)은 웨이퍼(11)의 방위 및 위치를 보정한다. 방위 및 위치 보정이 완료된 후, 기판 반송 기구는 웨이퍼(11)를 웨이퍼 척(19)에 세팅하여 임프린트 처리를 행한다. 임프린트 처리가 완료된 후, 웨이퍼(11)는 기판 반송 기구에 의해 웨이퍼 척(19)으로부터 제거된 후 웨이퍼 카세트에 회수된다. 한편, 사전정렬 유닛(30)에 대기하고 있던 다음 웨이퍼가 웨이퍼 척(19)에 반송되어 세팅된다. 이와 같이 하여, 웨이퍼가 차례차례 임프린트 처리될 수 있다.
이어서, 임프린트 장치(1)에 의해 행해질 수 있는 임프린트 처리에 대해서 이하에서 상세히 설명한다. 먼저, 제어 유닛(7)은, 기판 반송 기구가 웨이퍼(11)를 반송하여 웨이퍼(11)를 웨이퍼 스테이지(4) 상에 제공된 웨이퍼 척(19)에 적재 및 고정하게 한다. 이어서, 제어 유닛(7)은, 스테이지 구동 기구(20)를 구동하여, 웨이퍼(11) 상의 샷 영역이 도포 유닛(5)의 도포 위치를 향해 이동하게 한다. 이어서, 제어 유닛(7)은 도포 유닛(5)이 도포 공정으로서 수지(14)를 샷 영역에 도포하게 한다. 이어서, 제어 유닛(7)은, 스테이지 구동 기구(20)를 다시 구동하여, 웨이퍼(11) 상의 샷 영역이 패턴 영역(8a) 아래에 위치될 수 있도록 웨이퍼(11)를 이동시킨다. 이어서, 제어 유닛(7)은, 몰드 공정으로서, 웨이퍼(11) 상의 수지(14)를 몰드(8)에 가압하도록 몰드 구동 기구(16)를 구동한다. 상술한 가압 동작의 결과로서 패턴 영역(8a)의 볼록-오목 부분이 수지(14)로 충전된다. 또한, 제어 유닛(7)은, 정렬 계측계(22)가 웨이퍼(11) 상에 형성된 정렬 마크와 몰드(8)에 형성된 정렬 마크 사이의 위치 어긋남량을 계측하게 한다. 그리고, 계측된 위치 어긋남량에 기초하여, 제어 유닛(7)은, 몰드 구동 기구(16), 웨이퍼 스테이지(4), 배율 보정 기구(18), 및 웨이퍼 가열 기구(6)가 패턴 영역(8a)의 위치를 웨이퍼(11) 상의 샷 영역에 대해 정렬시키는 정렬 동작을 행하게 한다. 이 상태에서, 제어 유닛(7)은, 경화 공정으로서, 광 조사 유닛(2)이 몰드(8)의 상위 표면에 자외선(9)을 조사하게 하고, 몰드(8)를 투과한 자외선(9)에 의해 수지(14)를 경화시키게 한다. 그리고, 수지(14)의 경화가 완료된 후에, 제어 유닛(7)은, 몰드 분리 공정으로서, 몰드(8)를 수지(14)로부터 분리하도록 몰드 구동 기구(16)를 다시 구동시킨다. 상술한 순차적인 공정을 통해, 패턴 영역(8a)의 볼록-오목 부분에 합치하는 3차원 형상을 갖는 수지 패턴(층)이 웨이퍼(11) 상의 샷 영역의 표면에 형성될 수 있다. 대상 샷 영역이 웨이퍼 스테이지(4)의 구동에 따라 순차적으로 변경되는 상태에서 장치는 상술한 순차적인 임프린트 동작을 반복한다. 따라서, 복수의 수지 패턴이 1개의 웨이퍼(11) 상에 형성될 수 있다.
이어서, 휨 형상 정보에 기초하여 취득된 왜곡에 따라 보정 동작을 행하는 예시적인 방법에 대해서 설명한다. 도 2는 샘플 웨이퍼의 휨 형상에 기초하여 변환 행렬을 구하는 처리를 도시하는 흐름도이다.
단계 S01에서, 임프린트 장치는 샘플 웨이퍼(즉, 참조용 기판)에 대한 휨 형상 정보를 취득하며 취득된 휨 형상 정보를 제어 유닛(7)의 저장 장치에 저장한다. 더 구체적으로는, 임프린트 장치(1)는, 웨이퍼가 웨이퍼 척(19)에 아직 고정되지 않은 상태에서 외부 또는 내부 계측 기기가 휨 형상 정보를 계측하게 함으로써, 적어도 1개의 웨이퍼에 대해 복수의 휨 형상 정보를 취득한다. 본 예시적인 실시예에서, 휨 형상 정보는 웨이퍼 표면의 중심을 통과하고, 웨이퍼 표면에 평행한 편평한 표면에 대한, 웨이퍼 표면 상의 적어도 1개의 점에서의 휨량(즉, 편평한 표면으로부터 거리)이다. 대안적으로, 다양한 휨 형상에 대해서, 유한 요소법을 사용한 컴퓨터 시뮬레이션이 휨 형상 정보를 취득하는데 채용될 수 있다. 또한, 임프린트 장치(1)는 외부 휨 형상 정보를 취득할 수 있다. 예를 들어, 조작자는 임프린트 장치(1)의 콘솔을 통해 휨 형상 정보를 입력할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(1)가 적절한 네트워크(예를 들어, LAN)에 연결되는 경우, 네트워크에 연결된 외부 계측 기기, 서버, 또는 임의의 다른 장치가 네트워크를 통해 임프린트 장치(1)에 휨 형상 정보를 입력할 수 있다.
단계 S02에서는, 제어 유닛(7)은, 취득된 휨 형상 정보에 기초하여 휨 형상 표현 식을 미리 구한다. 이제, 이하에서 휨 형상 정보와 휨 형상 표현 식에 대해서 상세하게 설명한다. 도 3a 내지 도 3h 각각은 웨이퍼가 웨이퍼 척에 의해 고정된 상태에서 발생하는 왜곡과 휨 형상 사이의 대응 관계를 도시한다. 도 3a는, 비스듬한 상위 위치에서 본 휨이 없는 편평한 웨이퍼를 도시한다. 도 3b는, 웨이퍼가 웨이퍼 척에 의해 고정된 상태에서의 도 3a에 도시된 웨이퍼를 도시하는 평면도이다. 도 3b에서, 둘레 원형 선은 웨이퍼 에지를 나타내며, 내부 격자형 선은 웨이퍼 그리드를 나타낸다. 도 3b에 도시된 상태는 웨이퍼가 휨이 없기 때문에 왜곡을 포함하지 않는다. 마찬가지로, 도 3c는 비스듬한 상위 위치에서 본 하향 돌출 볼록 표면을 갖는 웨이퍼를 도시한다. 도 3d는 도 3c에 도시된 웨이퍼를 도시하는 평면도이다. 도 3d에서, 점선은 왜곡이 없는 참고용의 웨이퍼 그리드를 나타내며, 실선은 웨이퍼 척에 의해 왜곡된 웨이퍼 그리드를 나타낸다. 왜곡이 없는 그리드에 비해, 수축 방향으로 왜곡이 발생하는 경우에는 그리드가 변형되는 것이 이해된다. 도 3a 내지 도 3h는 휨 상태 및 왜곡이 용이하게 이해될 수 있도록 과장되게 도시된다. 많은 경우에, 실제 휨량은 수백 μm 내지 수 mm 정도이다. 실제 위치 어긋남량은 수백 nm 내지 수 μm 정도이다. 본 예시적인 실시예에서, 위치 어긋남량은 위치 어긋남이 없는 직사각형 격자 형상 웨이퍼 그리드에 대한 x 및 y 방향의 웨이퍼(즉, 기판) 상의 적어도 1개의 점의 2방향 변위량이다. 도 3e는 비스듬한 상위 위치에서 본 상향 돌출 볼록 표면을 갖는 웨이퍼를 도시한다. 도 3f는 도 3e에 도시된 웨이퍼를 도시하는 평면도이다. 또한, 도 3g는 비스듬한 상위 위치에서 본 안장 형상 표면을 갖는 웨이퍼를 도시한다. 도 3h는 도 3g에 도시된 웨이퍼를 도시하는 평면도이다. 웨이퍼가 새들 형상으로 변형될 때, 왜곡은 회전 비대칭 형상을 갖는다. 상술한 바와 같이, 휨 형상과 왜곡 사이의 상관관계는 도 3a 내지 도 3h에 도시된 바와 같이 미리 알려질 수 있다. 그러므로, 예비적으로 알려진 상관관계를 참고하여 휨 형상을 왜곡으로 변환하기 위해 사용될 수 있는 변환 식을 구성할 수 있다.
먼저, 휨 형상 나타내는 제1 식의 일반식으로서 이하의 식 (1)을 채용한다. 본 예시적인 실시예에서 채용되는 휨 형상 표현 식은 웨이퍼 표면(즉, 기판 표면) 상의 좌표를 나타내는 x 및 y의 고차 다항식이다.
z = C00 + C10x + C01y + C20x2 + C11xy + C02y2 + C30x3 + C21x2y + C12xy2 + C03y3 ... (1)
추가로, (x, y) 좌표 평면이 웨이퍼 중심에 위치된 원점으로부터 웨이퍼 표면을 따라 연장되고, z 축이 x 및 y 축에 수직인 방향으로 연장되는 것을 규정한다. 식 (1)에서, "z"는 점 (x, y)에서의 웨이퍼의 높이를 나타낸다. 더 구체적으로는, "z"는 휨량을 나타낸다. 식 (1)는 복수의 계수(C00, C10, C01, ... 및 C03)를 포함한다. C00의 항은 웨이퍼 전체의 상하 이동을 나타낸다. C10 및 C01의 항은 웨이퍼 전체의 경사를 나타내는 항이다. 그러므로, 이들 항은 휨 형상과는 관련이 없다. 이들 항은 웨이퍼 스테이지(4)의 위치 및 회전을 제어함으로써 보정될 수 있다. 따라서, 휨 형상을 나타내는 항은 C20의 항 및 이후의 항이다.
도 4는 휨 형상 표현 식의 각각의 계수와 대응하는 휨 형상 사이의 대응 관계를 나타낸다. 도 4는, 식 (1)의 각 항의 계수, 더 구체적으로는 C20 내지 C03(즉, 휨 형상 계수 세트(C))에 대응하는 휨 형상을 나타내고 있다. 통상적으로 관찰되는 매끄러운 휨 형상은 이들 항을 선형적으로 연결함으로써 표현될 수 있다. 실제로, 도 3a 내지 도 3h에 도시된 휨 형상(즉, 하향 돌출 볼록 형상, 상향 돌출 볼록 형상, 및 안장 형상)은 이들 항을 조합함으로써 표현될 수 있다. 표현되는 대상 휨 형상이 상술한 식 (1)을 이용함으로써 충분히 표현될 수 없는 높은 차원의 굴곡 성분을 포함하는 경우, 식 (1)의 차수 및/또는 항의 수를 적절히 증가시키는 것이 유용하다. 한편, 대상 휨 형상이 어떠한 높은 차원의 굴곡 성분도 포함하지 않고 계산 시간을 감소시키는 것이 요망되는 경우, 식 (1)의 차수 및/또는 항의 수를 감소시키는 것이 유용하다. 적어도 2차의 고차 다항식을 사용하는 것이 유용하다.
식 (1)이 휨 형상을 표현하기 위해 채용되는 경우, 웨이퍼 표면 상의 복수의 점(x, y) 각각에서의 휨량(z)을 취득하고, 최소 제곱법에 따라 식 (1)에 취득된 정보를 피팅함으로써 휨 형상 계수 세트(C)를 취득할 수 있다. 그리고, 취득된 휨 형상 계수 세트(C)를 식 (1)에 적용함으로써, 휨 형상 표현 식을 구할 수 있다.
단계 S03에서는, 단계 S01에서 웨이퍼에 대한 휨 형상 정보의 취득이 완료된 후, 제어 유닛(7)은 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지(4) 상의 웨이퍼 척(19)에 반송한다. 그리고, 단계 S04에서, 제어 유닛(7)은 웨이퍼의 위치 어긋남량에 대한 정보를 취득한다.
웨이퍼가 웨이퍼 척(19)에 부착된 상태에서, 정렬 계측계(22)(즉, 계측 유닛)는 웨이퍼 표면 상의 복수의 정렬 마크를 계측하고, 제어 유닛(7)은 각각의 정렬 마크에서의 위치 어긋남량 정보를 취득한다. 대안적으로, 정렬 마크를 계측하지 않고, 제어 유닛(7)은 유한 요소법을 사용하여 컴퓨터 시뮬레이션을 행함으로써 위치 어긋남량 정보를 취득할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(1)는 외부로부터 위치 어긋남량 정보를 취득할 수 있다. 예를 들어, 조작자는 임프린트 장치(1)를 통해 위치 어긋남량 정보를 입력할 수 있다. 대안적으로, 임프린트 장치(1)가 네트워크(예를 들어, LAN)에 연결되는 경우, 네트워크에 연결된 외부 계측 기기, 서버, 또는 임의의 다른 장치가 네트워크를 통해 임프린트 장치(1)에 위치 어긋남량 정보를 입력할 수 있다.
단계 S05에서는, 제어 유닛(7)은 취득된 위치 어긋남량에 기초하여 미리 위치 어긋남량 표현 식을 구한다. 이하의 식 (2)은 웨이퍼가 웨이퍼 척(19)에 의해 고정된 상태에서의 위치 어긋남량을 나타내는 제2 식의 일반식으로서 채용된다. 본 예시적인 실시예에서 채용되는 위치 어긋남량 표현 식은 웨이퍼 표면 상의 좌표를 나타내는 x 및 y의 고차 다항식이다.
Δx = A00 + A10x + A01y + A20x2 + A11xy + A02y2 + A30x3 + A21x2y + A12xy2 + A03y3
Δy = B00 + B10x + B01y + B20x2 + B11xy + B02y2 + B30x3 + B21x2y + B12xy2 + B03y3 ... (2)
식 (1)과 마찬가지로, x 및 y는 웨이퍼 표면 상의 임의의 점의 좌표를 나타낸다. 또한, Δx는 점(x, y)에서의 위치 어긋남량의 x 성분을 나타낸다. Δy는 마찬가지로 위치 어긋남량의 y 성분을 나타낸다. A00, A10, ..., A03, B00, B10, ..., 및 B03은 식 (2)의 계수이다.
도 5는, 위치 어긋남량 표현 식의 계수와 대응하는 웨이퍼 왜곡 형상 사이의 대응 관계를 나타낸다. 도 5에 도시된 웨이퍼 왜곡 형상은 식 (2)의 각각의 계수 항에 대응한다. 일반적인 왜곡 형상은 이들 항을 선형적으로 연결함으로써 표현될 수 있다. 도 3에 도시된 각각의 왜곡 형상은 이들 항의 조합을 사용하여 표현될 수 있다. 그러나, A00 및 B00의 항은 웨이퍼 전체의 시프트를 나타내며 웨이퍼 스테이지(4)의 위치를 제어함으로써 보정될 수 있다. 따라서, 왜곡 형상을 나타내는 항은 A10 및 B10의 항 및 이후의 항이다. 이들 항의 계수는 위치 어긋남량 계수 세트(A)로서 지칭된다. 표현될 대상 왜곡 형상이 식 (2)를 사용하여 충분히 표현될 수 없는 높은 차원의 굴곡 성분을 포함하는 경우, 식 (2)의 차수 및/또는 항의 수를 적절히 증가시키는 것이 요망된다. 한편, 대상 왜곡 형상의 어떠한 높은 차원의 굴곡 성분도 포함하지 않고 계산 시간을 감소시키는 것이 요망되는 경우, 식 (2)의 차수 및/또는 항의 수를 감소시키는 것이 유용하다. 적어도 1차의 고차 다항식을 사용하는 것이 유용하다.
식 (2)가 위치 어긋남량을 표현하기 위해 사용되는 경우, 웨이퍼 표면 상의 복수의 점(x, y) 각각에서의 위치 어긋남량을 취득하고, 취득된 정보를 최소 제곱법에 따라 식 (2)에 피팅함으로써 위치 어긋남량 계수 세트(A)를 취득할 수 있다. 그리고, 취득된 어긋남량 계수 세트(A)를 식 (2)에 적용함으로써, 위치 어긋남량 표현 식을 구할 수 있다.
단계 S06에서는, 제어 유닛(7)은, 미리 취득되거나 구해진 휨 형상 계수 세트(C)와 위치 어긋남량 계수 세트(A)에 기초하여 변환 행렬(M)을 구한다. 그리고, 단계 S07에서, 제어 유닛(7)은 구한 변환 행렬(M)을 제어 유닛(7)의 저장 장치(도시하지 않음)에 저장한다.
이하의 식 (3)은 휨 형상 표현 식과 위치 어긋남량 표현 식 사이의 변환에 유용한 제3 식으로서, 더 구체적으로는 휨 형상 계수 세트(C)와 위치 어긋남량 계수 세트(A)에 기초하여 변환 행렬(M)을 구할 수 있는 식으로서 채용된다.
식 3
Figure 112018031763698-pct00001
식 (3)에서, 변환 행렬(M)은 다양한 요소(M11, M12, ..., 및 M187)를 포함한다. 본 예시적인 실시예에서, 휨 형상 계수의 총 수가 7이고, 위치 어긋남량 계수의 총 수는 18이다. 그러므로, 변환 행렬(M)은 18개의 행과 7개의 열로 구성된다. 즉, 변환 행렬(M)은 126개의 요소를 포함한다. 변환 행렬(M)의 126개의 요소를 구하기 위해서, 제어 유닛(7)은, 웨이퍼가 웨이퍼 척에 의해 고정된 상태에서 적어도 1개의 웨이퍼의 표면 상의 복수의 지점(즉, 위치)에서의 휨 형상 및 위치 어긋남량을 계측함으로써 휨 형상 및 위치 어긋남량에 대한 복수의 데이터를 취득한다. 대안적으로, 제어 유닛(7)은 유한 요소법을 사용하여 컴퓨터 시뮬레이션을 행함으로써 다양한 형상을 갖는 복수의 웨이퍼로부터 휨 형상 및 위치 어긋남량에 대한 정보를 취득할 수 있다. 제어 유닛(7)은 취득된 휨 형상 및 위치 어긋남량에 기초하여 휨 형상 계수 세트(C) 및 위치 어긋남량 계수 세트(A)를 구한다. 제어 유닛(7)은 구한 정보(즉, 휨 형상 계수 세트(C) 및 위치 어긋남량 계수 세트(A))를 최소 제곱법에 따라 식 (3)에 적용하고 피팅함으로써 변환 행렬(M)의 요소를 구할 수 있다. 변환 행렬(M)을 구할 때, 휨 형상 계수 세트(C)와 위치 어긋남량 계수 세트(A) 각각은 1개의 세트만으로 한정되지 않고 복수의 세트에 의해 구성될 수 있다. 제어 유닛(7)은 구한 변환 행렬(M)의 요소를 제어 유닛(7)의 저장 장치에 저장한다.
도 6은 처리 대상 웨이퍼(즉, 처리 대상 기판)의 휨 형상으로부터 유도된 왜곡에 따라 보정을 행하고 샷 영역을 임프린트하는 처리를 도시하는 흐름도이다. 단계 S08에서, 제어 유닛(7)은 도 2의 단계 S01에 기재된 것과 마찬가지의 방법을 사용하여 처리 대상 웨이퍼의 휨 형상에 대한 정보를 취득한다. 본 예시적인 실시형태에서, 처리 대상 웨이퍼는 임프린트 장치(1)의 임프린트 처리(즉, 임프린트 재료 패턴 형성 처리)를 받을 대상 웨이퍼이다.
단계 S09에서는, 제어 유닛(7)은, 도 2의 단계 S02에 기재된 것과 마찬가지의 방법을 사용하여 취득된 휨 형상 정보에 기초하여 휨 형상 표현 식을 구한다.
단계 S10에서는, 제어 유닛(7)은 처리 대상 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지(4) 상의 웨이퍼 척(19)에 반송한다.
단계 S11에서는, 제어 유닛(7)은, 단계 S09에서 구한 휨 형상 표현 식의 휨 형상 계수 세트(C)와, 도 2에 도시된 단계 S07에서 제어 유닛(7)의 저장 장치에 저장된 변환 행렬(M)의 곱을 계산함으로써 위치 어긋남량 계수 세트(A)를 취득한다. 그리고, 제어 유닛(7)은 식(2)에 취득한 계수 세트를 적용함으로써 위치 어긋남량 표현 식을 구한다.
단계 S12에서는, 제어 유닛(7)은 처리 대상 웨이퍼의 이들 샷 영역을 임프린트하기 전에, 각각의 샷 영역의 위치 어긋남량 및 왜곡 성분을 구한다. 제어 유닛(7)은, 샷 영역의 적어도 2개의 점(예를 들어, 샷 영역의 4개의 코너 점)에 대한 좌표 정보를 위치 어긋남량 표현 식에 대입해서 처리 대상 웨이퍼(즉, 처리 대상 기판) 상의 복수의 위치에서의 위치 어긋남량을 구한다. 본 예시적인 실시예에서, 좌표 정보는 왜곡이 발생하지 않은 상태에서의 좌표에 대한 정보이며 설계값으로부터 얻을 수 있다. 제어 유닛(7)은 구한 위치 어긋남량에 기초하여 웨이퍼 그리드와 샷 형상에 관한 왜곡 성분을 구함으로써 왜곡 검출을 행한다. 본 예시적인 실시예에서, 웨이퍼 그리드는 웨이퍼 상에 배열된 복수의 샷 영역을 규정하는 격자이다. 샷 형상은 웨이퍼 상의 각각의 샷 영역의 형상을 나타낸다. 이 경우에 구해지는 왜곡 성분은 샷 영역에 관한 복수의 유형의 왜곡 성분(예를 들어, 위치 어긋남, 샷 회전, 및 샷 배율 변화)이다. 왜곡 성분은 최소 제곱법을 사용하여 구할 수 있다.
도 7a 내지 도 7h는 샷 영역에 관한 위치 어긋남 및 변형을 도시한다. 도 7a 내지 도 7h에서, 점선은, 외부 프레임이 각 샷 영역의 경계이고 내부 격자가 샷 내 그리드인, 어떠한 위치 어긋남 및 변형도 없는 상태를 나타낸다. 또한, 실선은, 외부 프레임이 각각의 샷 영역의 경계이고 내부 격자가 샷 내 그리드인, 위치 편차 또는 변형이 있는 상태를 나타낸다. 도 7a는 샷 영역의 x 방향 위치 어긋남을 나타낸다. 도 7b는 샷 영역의 y 방향 위치 편차를 나타낸다. 또한, 도 7c는 샷 배율 변화를 나타낸다. 도 7d는 샷 회전을 나타낸다. 복수의 위치(샷 영역의 적어도 2개의 점)에서의 위치 어긋남량에 기초하여 이들 왜곡 성분을 구하기 위해서 최소 제곱법이 채용될 수 있다.
단계 S13에서는, 제어 유닛(7)은 구한 왜곡 성분에 따라 샷 영역에 대한 보정(예를 들어, 위치 어긋남, 샷 회전, 및 샷 배율 변화)을 행하고 샷 영역을 임프린트 한다. 웨이퍼 휨 보정에서 발생하는 왜곡은 웨이퍼 그리드의 변형 및 샷 형상의 변형을 발생시킨다. 그러므로, 본 예시적인 실시예에서는, 제어 유닛(7)은 웨이퍼 그리드 및 샷 형상의 양자 모두에 대해 위치 및 형상 보정을 행한다. 샷 영역의 위치 어긋남(x 방향 또는 y 방향)은 웨이퍼 그리드의 변형에 대응하는 성분이다. 제어 유닛(7)은 웨이퍼 스테이지(4)의 위치를 제어함으로써 샷 영역의 위치 어긋남을 보정할 수 있다. 또한, 제어 유닛(7)은 웨이퍼 스테이지(4)의 회전을 제어함으로써 샷 회전을 보정할 수 있다. 또한, 샷 배율 변화는 샷 형상의 변형에 대응한다. 제어 유닛(7)은 배율 보정 기구(18)가 몰드(8)의 패턴 영역(8a)의 형상을 변화시키게 함으로써 샷 배율 변화를 보정할 수 있다.
또한, 샷 영역의 위치 어긋남은 몰드 구동 기구(16)의 위치를 제어함으로써 보정될 수 있다. 샷 회전은 몰드 구동 기구(16)의 회전을 제어함으로써 보정될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제어 유닛(7)은 왜곡 성분에 따라 몰드와 처리 대상 웨이퍼 중 적어도 하나의 형상 또는 위치를 제어함으로써 보정을 행할 수 있다.
또한, 도포 공정에서 도포 유닛(5)이 웨이퍼(11) 위에 수지(14)를 도포할 때에, 도포 유닛(5)은 왜곡 성분에 따라 수지(14)의 도포 위치 및 도포량 중 적어도 하나를 조정할 수 있다. 상술한 바와 같이, 수지(14)의 도포 위치 및 도포량은 액적 패턴에 의해 미리 결정된다. 그러나, 종래 기술에 따르면, 도포 위치 및 도포량은 웨이퍼의 휨으로부터 유도된 왜곡을 고려하여 결정되지 않는다. 그러므로, 왜곡에 따른 도포 위치 및 도포량의 적절한 결정을 행할 수 없다. 몰드 패턴은 수지로 충분히 충전될 수 없다. 패턴 및 잔막 두께에서 이상이 발생할 수 있다. 이는 왜곡에 따라 수지(14)의 도포 위치와 도포량 중 적어도 하나를 조정할 필요가 있기 때문이다.
수지(14)의 도포 위치와 도포량 중 적어도 하나를 조정하는 방법의 예를 이하에서 상세하게 설명한다. 액적 패턴의 분할 영역의 중심 위치의 위치 어긋남에 기초하여, 각 분할 영역의 도포량을 증가 또는 감소시킴으로써, 수지(14)의 도포 위치와 도포량 중 적어도 하나를 보정할 수 있다. 예를 들어, 이제 제1 분할 영역의 중심 위치가 +X 방향으로 시프트되고, 제1 분할 영역의 +X 측에 위치되는 제2 분할 영역의 중심 위치에 일치하는 것으로 한다. 이 경우에는, 방법은 제1 분할 영역의 도포량을 제2 분할 영역의 도포량에 전체적으로 가산하고, 제1 분할 영역의 도포량을 0으로 감산함으로써 수지의 도포 위치를 보정하는 것을 포함한다. 또한, 다른 예로서, 이제 제1 분할 영역의 중심 위치가 +X 방향으로 시프트되고, 제1 분할 영역의 중심 위치와 제2 분할 영역의 중심 위치 사이의 중간점에 일치하는 것으로 한다. 이 경우에는, 방법은 제1 분할 영역의 도포량의 절반을 제2 분할 영역의 도포량에 가산하고, 제1 분할 영역의 도포량을 절반으로 감산함으로써, 수지의 도포량을 보정하는 것을 포함한다. 방법은 제1 분할 영역의 중심 위치가 -X 방향 또는 ±Y 방향으로 시프트되는 경우에도 마찬가지의 방법을 사용하여 각각의 분할 영역의 도포량을 증가 및 감소시키는 것을 포함한다. 상술한 바와 같이, 모든 분할 영역에 대해서, 각 분할 영역의 중심 위치의 위치 어긋남과, 주변의 분할 영역의 중심 위치에 대한 거리의 비율을 고려하여, 도포량을 증가 및 감소시킴으로써, 수지(14)의 도포 위치와 도포량 중 적어도 하나를 보정할 수 있다. 수지(14)의 도포 위치와 도포량은 독립적으로 또는 상술한 몰드와 처리 대상 웨이퍼의 형상/위치 보정과 함께 보정될 수 있다.
또한, 보정될 왜곡 성분은, 상술한 샷 배율 변화로 한정되지 않고, 수직/수평 배율 차 성분, 평행사변형 성분(스큐(skew) 성분), 또는 사다리꼴 성분일 수 있다. 도 7e는 수직/수평 배율 차 성분의 예를 도시한다. 도 7f는 평행사변형 성분의 예를 도시한다. 도 7g 및 도 7h는 사다리꼴 성분의 예를 도시한다. 상술한 예를 보정함으로써 왜곡을 효과적으로 보정할 수 있다. 이 경우, 샷 영역의 복수의 위치(적어도 2개의 점)에서 취득한 위치 어긋남량을 참고하여 최소 제곱법에 따라 왜곡 성분(예를 들어, 수직/수평 배율 차 성분, 평행사변형 성분, 또는 사다리꼴 성분)을 구할 수 있다. 이하에서, 샷 영역에서 취득된 위치 어긋남량에 기초하여 최소 제곱법에 따라 왜곡 성분을 구하는 방법에 대해서 상세하게 설명한다. 예를 들어, Sx는 x 방향의 위치 어긋남을 나타내고, Sy는 y 방향에서의 위치 어긋남을 나타낸다. 마찬가지로, Rx 및 Ry는 x 방향 및 y 방향에서의 샷 회전량을 나타낸다. Mx 및 My는 x 방향 및 y 방향에서의 샷 배율 변화량을 나타낸다. Ax 및 Ay는 x 방향 및 y 방향에서의 수직/수평 배율 차 변화량을 나타낸다. Bx 및 By는 x 방향 및 y 방향에서의 평행사변형 변화량을 나타낸다. 이하의 식은 샷 영역의 점(x, y)에서의 위치 어긋남량(δx, δy)을 표현할 수 있는 xy 함수이다.
δx(x, y) = Sx - Ry + Mx + Ax + By
δy(x, y) = Sy + Rx + My - Ay + Bx
(x1, y1), (x2, y2), ..., 및 (xn, yn)은 샷 영역에 포함되는 복수의 점의 좌표를 나타내는 것으로 한다. (Δx1, Δy1), (Δx2, Δy2), ..., 및 (Δxn, Δyn)는 이들 점에서의 x 방향 및 y 방향의 위치 어긋남량을 나타낸다. 이하의 식은 본 예시적인 실시예의 Ω을 정의한다.
Ω = Σi =1 내지 n(Δxi - δx(xi, yi))2 + Σi =1 내지 n(Δyi- δy(xi, yi))2
왜곡 성분은 값 Ω을 최소화하는 Sx, Sy, M, R, A, 및 B를 구함으로써 샷 영역 내의 위치 어긋남량으로부터 구해질 수 있다. 구해질 왜곡 성분은 1개의 성분일 수 있거나 복수의 유형의 성분일 수 있다.
각 샷 형상의 왜곡 성분은 상술한 예(예를 들어, 샷 배율 변화, 수직/수평 배율 차 성분, 평행사변형 성분, 및 사다리꼴 성분)으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 샷 영역의 위치 어긋남량 계산 점을 증가시키는 것은 통 형상 변형 성분 또는 보빈 형상 변형 성분을 계산하고 보정하는데 유용하다. 또한, 임의의 보정가능한 왜곡 성분이 있는 경우, 그것은 보정될 왜곡 성분에 추가될 수 있다. 또한, 통 형상 또는 보빈 형상의 높은 차원의 변형 성분은 웨이퍼 가열 기구(6)가 웨이퍼(11) 상의 샷 형상을 변화시키게 함으로써 보정될 수 있다.
몰드(8)를 웨이퍼(11) 상의 수지(14)에 대해 가압하기 전에 상술한 보정을 완료하는 것은 후속하여 행해지는 정렬 동작에 필요한 시간을 단축하는데 유용하다. 결과적으로, 처리량이 향상될 수 있다. 또한, 정렬 동작에서, 패턴 영역(8a)은 수지(14)에 힘이 가해질 때 변형될 수 있다. 이 경우, 상술한 보정을 행하는 것은, 웨이퍼(11) 상의 수지(14)에 대해 몰드(8)가 가압된 후에 행해질 정렬 동작에서의 보정량을 감소시키는데 유용하다. 수지(14)로부터 패턴 영역(8a)에 가해지는 힘은 감소될 수 있다. 결과적으로, 패턴 영역(8a)의 변형이 억제될 수 있다.
또한, 웨이퍼 스테이지(4), 배율 보정 기구(18), 몰드 구동 기구(16) 또는 웨이퍼 가열 기구(6)를 사용한 상술한 보정은, 웨이퍼(11) 상의 수지(14)에 대해 몰드(8)가 가압된 상태에서 광 조사 유닛(2)에 의해 자외선(9)을 방출하기 직전까지의 적절한 타이밍에 행해질 수 있다.
또한, 도 6의 단계 S10의 순서는 단계 S13이 단계 S10을 앞서지 않는 한 적절히 변경될 수 있다. 또한, 단계 S10의 처리 및 다른 단계의 처리는 동시에 행해질 수 있다.
또한, 도 6의 단계 S12에서는, 제어 유닛(7)은 각 샷 영역을 임프린트하기 직전에 각 샷 영역의 왜곡 성분을 구한다. 이 경우, 왜곡 성분을 구하는데 시간이 걸리는 경우, 처리량이 저하된다. 그러므로, 처리량이 저하되는 것을 방지하기 위해서, 휨 형상 정보가 취득된 후에 모든 샷 영역의 왜곡 성분을 구하는 것이 유용하다.
또한, 도 6의 단계 S08 내지 S12에서는, 제어 유닛(7)은 처리 대상 웨이퍼 상의 정렬 마크를 계측하지 않고 각각의 샷 영역의 위치 어긋남량 및 왜곡 성분을 구한다. 또한, 중첩 정밀도를 향상시키기 위해서, 정렬 마크의 일부를 계측하여 위치 어긋남량을 구하고, 구한 데이터를 위치 어긋남량 표현 식을 사용하여 구한 위치 어긋남량과 조합하여, 왜곡 성분을 구하는 것이 유용하다. 예를 들어, 정렬 마크의 절반을 미리 계측 대상으로서 지정하고, 위치 어긋남량 표현 식을 사용하여 비계측 얼라이언트 마크의 위치 어긋남량을 구하는 것이 유용하다. 대안적으로, 정렬 마크가 성공적으로 계측될 수 없는 경우에, 위치 어긋남량 표현 식을 사용하여 위치 어긋남량을 구하는 것이 유용하다.
단계 S14에서는, 제어 유닛(7)은, 처리 대상 웨이퍼의 모든 샷 영역의 임프린트가 완료되었는지 여부를 결정한다. 모든 샷 영역의 임프린트가 완료된 경우에는(단계 S14에서 예), 제어 유닛(7)은 처리 대상 웨이퍼에 대한 임프린트 처리를 종료한다. 모든 샷 영역이 아직 임프린트되지 않은 경우에는(단계 S14에서 아니오), 동작은 단계 S12로 복귀하여 다음 샷 영역의 웨이퍼 그리드와 샷 형상에 대한 왜곡 성분을 구한다.
도 2의 단계 S02 또는 도 6의 단계 S09에서 구해지는 휨 형상 계수 세트(C), 또는 도 2의 단계 S05 또는 도 6의 단계 S11에서 구해지는 위치 어긋남량 계수 세트(A)는 외부 장치에 의해 구해질 수 있고, 제어 유닛(7)은 외부 장치로부터 미리 이들 계수 세트(A 및 C)를 취득할 수 있다. 예를 들어, 외부의 계측 기기는 휨 형상 및 위치 어긋남량에 대한 계측 데이터를 취득할 수 있다. 대안적으로, 외부 정보 처리 장치가 유사한 계산 데이터를 취득할 수 있다. 외부 정보 처리 장치는 계수 세트를 구할 수 있다. 조작자는 구한 계수 세트 정보를 콘솔을 통해 임프린트 장치(1)에 입력할 수 있다. 대안적으로, 임프린트 장치(1)가 네트워크(예를 들어, LAN)에 연결된 경우, 네트워크에 연결된 외부 계측 기기, 서버, 또는 임의의 다른 장치가 네트워크를 통해 임프린트 장치(1)에 계수 세트 정보를 입력할 수 있다.
또한, 휨 형상 표현 식 및 위치 어긋남량 표현 식은 고차 다항식으로 한정되지 않고 임의의 다른 함수 식일 수 있다.
따라서, 제1 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치는 웨이퍼 그리드와 샷 형상을 보정할 수 있고, 따라서 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있다.
제2 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치에 대해서 이하에서 상세하게 설명한다. 이하의 설명에서 구체적으로 언급되지 않은 사항은 제1 예시적인 실시예에서 이미 기재된 것과 마찬가지이다.
본 예시적인 실시예에서는, 휨 형상과 위치 어긋남량을 표현하기 위해 사용되는 일반식은 단위원에서 직교하는 성질을 갖는 제르니케(Zernike) 다항식이다.
먼저, 도 2의 단계 S02에서 구한 휨 형상 표현 식을 이하에서 상세하게 설명한다.
이하의 식 (4)는 휨 형상을 나타내기 위해 채용될 수 있다.
z = C1Z1(r, θ) + C2Z2(r, θ) + ... + C9Z9(r, θ) ... (4)
본 예시적인 실시예에서, (r, θ) 좌표면은 웨이퍼 중심에 위치되는 원점으로부터 웨이퍼 표면에 설정되고, z 축은 웨이퍼 표면에 수직인 방향으로 연장된다. 식 (4) 중에서, "z"는 점(r, θ)에서의 웨이퍼의 높이를 나타낸다. 더 구체적으로는, "z"는 휨량을 나타낸다. 웨이퍼 상의 (r, θ) 좌표면을 웨이퍼 반경에 의해 규격화하는 것이 유용하다. 식 (4)는 휨 형상 계수 세트(C)인 복수의 계수(C1, C2, ..., 및 C9)를 포함한다. 또한, 함수(Z1, Z2, ..., 및 Z9)는 이하의 방식으로 표현될 수 있는 제르니케 다항식을 구성한다.
Z1(r, θ) = 1
Z2(r, θ) = rcosθ
Z3(r, θ) = rsinθ
Z4(r, θ) = 2r2 - 1
Z5(r, θ) = r2cos2θ
Z6(r, θ) = r2sin2θ
Z7(r, θ) = (3r3 - 2r)cosθ
Z8(r, θ) = (3r3 - 2r)sinθ
Z9(r, θ) = 6r4 - 6r2 + 1
표현될 대상 휨 형상이 상술한 식을 사용하여 충분히 표현될 수 없는 높은 차원의 굴곡 성분을 포함하는 경우, 식 (4)의 차수 및/또는 항의 수를 적절히 증가시키는 것이 유용하다. 예를 들어, 36 항을 포함하는 제르니케 다항식의 이용이 자주 사용된다. 한편, 대상 휨 형상이 어떠한 높은 차원의 굴곡 성분도 포함하지 않고, 계산 시간을 감소시키는 것이 요망되는 경우, 식 (4)의 차수 및/또는 항의 수를 감소시키는 것이 유용하다.
또한, 식 (4)에 의해 정의되는 휨 형상 계수 세트(C)는 제1 예시적인 실시예와 마찬가지의 방법을 사용하여 구해질 수 있다. 구한 휨 형상 계수 세트(C)를 식 (4)에 적용함으로써 휨 형상 표현 식을 구할 수 있다.
이어서, 도 2의 단계 S05에서 구해지는 위치 어긋남량 표현 식을 이하에서 상세하게 설명한다.
이하의 식 (5)는 위치 어긋남량을 표현하기 위해 채용될 수 있다.
Δr = A1Z1(r, θ) + A2Z2(r, θ) + ... + A9Z9(r, θ)
Δθ = B1Z1(r, θ) + B2Z2(r, θ) + ... + B9Z9(r, θ) ... (5)
본 예시적인 실시예에서, 좌표 데이터 (r, θ)은 식 (4)와 마찬가지로 웨이퍼 표면 상의 임의의 점을 나타낸다. 또한, Δr은 점(r, θ)에서의 위치 어긋남량의 r 성분을 나타낸다. 마찬가지로, Δθ은 점(r, θ)에서의 위치 어긋남량의 θ 성분을 나타낸다. 웨이퍼 상의 (r, θ) 좌표면을 웨이퍼 반경에 의해 규격화하는 것이 유용하다. 식은 위치 어긋남량 계수 세트(A)인 복수의 계수(A1, A2, ..., A9, B1, B2, ..., 및 B9)를 포함한다. 또한, 함수(Z1, Z2, ..., 및 Z9)는 식 (4)와 동일한 방식으로 표현될 수 있는 제르니케 다항식을 구성한다.
표현될 대상 왜곡 형상이 상술한 식을 사용하여 충분히 표현될 수 없는 높은 차원의 굴곡 성분을 포함하는 경우, 식 (5)의 차수 및/또는 항의 수를 적절히 증가시키는 것이 유용하다. 예를 들어, 36 항을 포함하는 제르니케 다항식의 이용이 자주 사용된다. 한편, 대상 휨 형상이 어떠한 높은 차원의 굴곡 성분도 포함하지 않고, 계산 시간을 감소시키는 것이 요망되는 경우, 식 (5)의 차수 및/또는 항의 수를 감소시키는 것이 유용하다.
또한, 식 (5)에 의해 규정되는 위치 어긋남량 계수 세트(A)는 제1 예시적인 실시예에 기재된 것과 마찬가지 방식을 사용하여 구해질 수 있다. 구한 위치 어긋남량 계수 세트(A)를 식(5)에 적용함으로써, 위치 어긋남량 표현 식을 구할 수 있다.
이어서, 도 2의 단계 S06에서 구해지는 변환 행렬(M)에 대해서 이하에서 상세하게 설명한다.
이하의 식 (6)은, 휨 형상 표현 식, 위치 어긋남량 표현 식(제3 식), 휨 형상 계수 세트(C), 및 위치 어긋남량 계수 세트(A)에 기초하여 변환 행렬(M)을 구하기 위해 사용된다.
식 6
Figure 112018031763698-pct00002
식 (6)에서, 변환 행렬(M)은 다양한 요소(M11, M12, ..., 및 M189)를 포함한다. 본 예시적인 실시예에서, 휨 형상 계수의 총 수는 9개이고, 위치 어긋남량 계수의 총 수는 18개이다. 그러므로, 변환 행렬(M)은 18개의 행과 9개의 열로 구성된다. 즉, 변환 행렬(M)은 162개의 요소를 포함한다.
또한, 식 (6)에 의해 규정되는 변환 행렬(M)의 요소는 제1 예시적인 실시예에 기재된 것과 마찬가지 방법을 사용하여 구해질 수 있다.
휨 형상 표현 식 및 위치 어긋남량 표현 식은 예를 들어 제1 예시적인 실시예에서 채용되는 고차 다항식(예를 들어, 식 (1) 및 식 (2)) 및 제르니케 다항식(예를 들어, 식 (4) 및 식 (5))를 자유롭게 조합함으로써 구해질 수 있다. 또한, 휨 형상 표현 식 및 위치 어긋남량 표현 식은 고차 다항식 및 제르니케 다항식으로 제한되지 않고, 임의의 다른 함수 식일 수 있다.
따라서, 제2 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치는 웨이퍼 그리드 및 샷 형상을 보정할 수 있고 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있다.
제3 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치에 대해에 이하에서 상세하게 설명한다. 이하의 설명에서 구체적으로 언급되지 않는 사항은 제1 및 제2 예시적인 실시예에서 이미 설명된 것과 마찬가지이다.
본 예시적인 실시예에서는, 임프린트 장치(1)의 사전정렬 유닛(30)이 도 2의 단계 S01에서 취득되는 휨 형상 정보를 계측 및 취득한다. 도 8은 사전정렬 유닛(30)을 도시한다. 웨이퍼(11)는 로봇 핸드에 의해 웨이퍼 카세트로부터 취출되고 후속하여 사전정렬 유닛(30)에 반송된다. 사전정렬 유닛(30)은 반송된 웨이퍼(11)를 회전시키도록 회전가능하게 구성된다. 사전정렬 유닛(30) 상에 제공되는 관찰 카메라(31)가 회전하는 웨이퍼(11)의 주연부(예를 들어, 에지 영역)를 관찰할 수 있다. 이 경우, 회전 중심이 웨이퍼(11)의 중심으로부터 벗어나면, 웨이퍼(11)가 회전하는 상태에서 웨이퍼(11)의 에지가 변동한다. 그러므로, 회전 중심의 보정은 회전 중심이 웨이퍼(11)의 중심에 일치하도록 행해진다. 또한, 웨이퍼(11)에는 방위 기준 마크(예를 들어, 노치 또는 배향 플랫)가 제공된다. 관찰 카메라(31)는 웨이퍼(11)에 대한 방위 정렬을 행하기 위해서 방위 기준 마크를 검출할 수 있다.
웨이퍼(11)에 대한 회전 중심 정렬 및 방위 정렬이 종료되면, 사전정렬 유닛(30) 상에 제공된 z 방향 변위 계측 유닛(32)이 웨이퍼(11)의 에지 부근의 z 방향 변위를 계측한다. z 방향 변위 계측 유닛(32)은 계측 포인트에 광을 투사하고, 반사된 광의 위치를 판독함으로써 z 방향 변위를 계측한다. z 방향 변위를 계측하기 위해서 레이저 변위 계측 기기 또는 다른 적절한 계측 기기가 채용될 수 있다. 웨이퍼(11)를 회전시키면서 z 방향 변위 계측을 행함으로써, 웨이퍼(11)에 대한 z 방향 변위 정보를 전체 둘레방향 주연부를 따라 구할 수 있다. 웨이퍼(11)에 대한 휨 형상 정보(즉, z 방향 변위 및 방위)는 제어 유닛(7)에 보내진다. 제어 유닛(7)은 취득된 휨 형상 정보를 최소 제고법에 따라 이하의 삼각 다항식 (7)에 피팅하는 처리를 행한다.
z = C0 + C1cosθ + S1sinθ + C2cos2θ + S2sin2θ + C3cos3θ + S3sin3θ ... (7)
본 예시적인 실시예에서, θ 좌표면은 웨이퍼 중심에 위치되는 원점으로부터 웨이퍼 표면 상에 세팅되고, z 축은 웨이퍼 표면에 수직인 방향으로 연장된다. 식 (7)에서, "z"는 웨이퍼(11)의 에지 부근의 좌표 점(θ)에서의 웨이퍼의 높이를 나타낸다. 더 구체적으로는, "z"는 휨량을 나타낸다. 식 (7)은 휨 형상 계수 세트(C)인 복수의 계수(C0, C1, ..., S3)를 포함한다. 표현될 대상 휨 형상이 상술한 식 (7)에 의해 충분히 표현될 수 없는 높은 차원의 굴곡 성분을 포함하는 경우, 식(7)의 차수 및/또는 항의 수를 적절히 증가시키는 것이 유용하다. 한편, 대상 휨 형상이 임의의 높은 차원의 굴곡 성분을 포함하지 않고 계산 시간을 감소시키는 것이 요망되는 경우, 식 (7)의 차수 및/또는 항의 수를 감소시키는 것이 유용하다.
또한, 식 (7)에 의해 규정되는 휨 형상 표현 식은 제1 예시적인 실시예에서 기재된 것과 마찬가지의 방법을 사용하여 구해질 수 있다. 또한, 위치 어긋남량 표현 식은 제1 예시적인 실시예에 기재된 식 (2) 또는 제2 예시적인 실시예에 기재된 식 (5)와 마찬가지일 수 있다. 그러므로, 위치 어긋남량 표현 식은 마찬가지로 구해질 수 있다.
이하의 식 (8)은 제1 예시적인 실시예와 마찬가지로 변환 행렬(M)을 사용하여 휨 형상 표현 식에 기초하여 위치 어긋남량을 계산하기 위해 채용될 수 있다. 위치 어긋남량 계수 세트(A)는 제1 예시적인 실시예에 기재된 것과 마찬가지이다.
식 8
Figure 112018031763698-pct00003
또한, 식 (8)에 의해 규정되는 변환 행렬(M)의 요소는 제1 예시적인 실시예에 기재된 것과 마찬가지의 방법을 사용하여 구해질 수 있다.
또한, 도 6의 단계 S08에서 취득되는 휨 형상 정보는 임프린트 장치(1)의 사전정렬 유닛(30)에 의해 계측 및 취득될 수 있다.
본 예시적인 실시예에서, 장치는 각각의 웨이퍼의 주연부에서의 z 방향 변위를 계측하도록 구성된다. 그러나, z 방향 변위 계측 유닛이 반경 방향으로 이동하도록 구성되는 경우, 웨이퍼의 z 방향 변위는 반경 방향으로 웨이퍼의 복수의 점에서 계측될 수 있기 때문에 휨 형상을 효과적으로 계측할 수 있다. 이 경우, 휨 형상 표현 식은 제1 및 제2 예시적인 실시예에 기재된 방법을 사용하여 구해질 수 있다.
따라서, 제3 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치는 웨이퍼 그리드 및 샷 형상을 보정할 수 있고 따라서 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 사전정렬 유닛(30)은 처리 대상 웨이퍼의 휨 형상에 대한 정보를 취득할 수 있다. 그러므로, 처리량이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
<물품 제조 방법>
디바이스(예를 들어, 반도체 디바이스, 자기 저장 디바이스, 또는 액정 표시 소자), 컬러 필터, 또는 하드 디스크 등의 물품의 제조 방법에 대해서 이하에서 상세하게 설명한다. 상기 제조 방법은, 임프린트 장치가 패턴을 기판(예를 들어, 웨이퍼, 유리 플레이트, 또는 필름 기판)에 형성하게 하는 공정을 포함한다. 상기 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 공정을 더 포함한다. 처리 단계는 패턴으로서 사용되지 않는 잔막을 제거하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제조 방법은 패턴을 마스크로서 사용하여 기판을 에칭하는 공정 같은 전통적으로 알려진 공정을 포함할 수 있다. 본 예시적인 실시예에 따른 물품 제조 방법은 종래의 방법에 비해 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
본 발명은 상술한 예시적인 실시예로 한정되지 않으며 그 사상 및 범위 내에서 다양한 방식으로 변형 또는 변경될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치는 독립적으로 동작될 수 있을 뿐만 아니라, 이들 임프린트 장치는 적절하게 조합될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있는 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명을 예시적인 실시예를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.
본 출원은 그 전문이 참조로 본원에 통합되는 2015년 9월 2일에 출원된 일본 특허 출원 번호 2015-173272의 이점을 청구한다.

Claims (26)

  1. 기판 상의 임프린트재를 몰드와 접촉시킴으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 장치이며, 상기 임프린트 장치는,
    상기 기판을 보유지지하고 이동시키도록 구성되는 이동 유닛; 및
    제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 상기 기판이 아직 상기 이동 유닛에 의해 보유지지되지 않은 상태에서의 상기 기판의 휨 형상에 대한 정보를 참조하여, 상기 이동 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 표면 상의 각 위치에서의 위치 어긋남량을 표현하는 위치 어긋남량 표현 식을 구하고,
    상기 구해진 위치 어긋남량 표현 식을 참고하여 상기 기판 표면 상의 복수의 위치에서의 위치 어긋남량을 계산하고, 상기 복수의 위치에서 구한 위치 어긋남량에 기초하여 상기 기판의 샷 영역에 관한 왜곡 성분을 구하며,
    상기 구해진 왜곡 성분에 따라 상기 몰드와 상기 기판 중 적어도 하나의 형상 또는 위치를 제어하는 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위치 어긋남량 표현 식은 상기 기판 표면 상의 2개의 방향에 관한 것이고, 상기 복수의 위치에서의 위치 어긋남량은 상기 기판 표면 상의 2개의 방향에 관한 것인 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 왜곡 성분은 복수의 유형의 왜곡 성분인 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 휨 형상에 대한 정보에 기초하여 상기 기판의 형상을 표현하는 식으로서의 제1 식을 구하고,
    변환 유닛이 상기 제1 식을 상기 기판 표면 상의 복수의 위치에서의 상기 위치 어긋남량을 표현하는 제2 식으로 변환하게 하며,
    상기 제2 식에 따라 상기 복수의 위치에서의 상기 위치 어긋남량을 계산하고,
    상기 제1 식은 기판 표면 상의 위치를 나타내는 변수와 복수의 제1 계수값의 다항식이고,
    상기 제2 식은 기판 표면 상의 위치를 나타내는 변수와 복수의 제2 계수값의 다항식이고,
    상기 변환 유닛은, 상기 복수의 제1 계수값으로부터 상기 복수의 제2 계수값을 구하기 위해 변환 행렬을 사용하는, 임프린트 장치.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서, 상기 변환 행렬은, 상기 기판과 상이한 참조용 기판이 아직 이동 유닛에 의해 보유지지되지 않은 상태에서의 상기 참조용 기판에 대한 휨 형상 정보 및 상기 제1 식의 일반식으로부터 구해질 수 있는 상기 참조용 기판의 형상을 표현하는 식과, 상기 참조용 기판이 상기 이동 유닛에 의해 보유지지된 상태에서의 상기 참조용 기판의 표면 상의 복수의 위치에서의 2개의 방향의 위치 어긋남량 및 상기 제2 식의 일반식으로부터 구해지는 상기 참조용 기판의 표면 상의 각 위치에서의 2개의 방향의 위치 어긋남량을 표현하는 식으로부터 구해지는 임프린트 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은 상기 몰드의 패턴 영역을 상기 샷 영역에 중첩시키도록 상기 기판을 이동시키기 위해 상기 이동 유닛을 제어하는 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 몰드의 패턴 영역의 형상을 변화시키도록 구성되는 몰드 변형 유닛을 더 포함하며,
    상기 제어 유닛은 상기 몰드의 패턴 영역을 상기 샷 영역에 중첩시키도록 상기 몰드의 형상을 변화시키기 위해 상기 몰드 변형 유닛을 제어하는 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판 상의 상기 샷 영역의 형상을 변화시키도록 구성되는 기판 변형 유닛을 더 포함하며,
    상기 제어 유닛은 상기 몰드의 패턴 영역을 상기 샷 영역에 중첩시키도록 상기 기판의 형상을 변화시키기 위해 상기 기판 변형 유닛을 제어하는 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 몰드를 이동시키도록 구성되는 구동 유닛을 더 포함하며,
    상기 제어 유닛은 상기 몰드의 패턴 영역을 상기 샷 영역에 중첩시키도록 상기 몰드의 위치를 이동시키기 위해 상기 구동 유닛을 제어하는 임프린트 장치.
  11. 제4항에 있어서, 상기 제1 식은 적어도 2차의 고차 다항식에 의해 표현될 수 있는 임프린트 장치.
  12. 제4항에 있어서, 상기 제1 식은 제르니케 다항식 또는 삼각 다항식에 의해 표현될 수 있는 임프린트 장치.
  13. 제4항에 있어서, 상기 제2 식은 적어도 2차의 고차 다항식에 의해 표현될 수 있는 임프린트 장치.
  14. 제4항에 있어서, 상기 제2 식은 제르니케 다항식에 의해 표현될 수 있는 임프린트 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은 외부로부터 입력된 상기 휨 형상에 관한 정보를 유지하는 임프린트 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 휨 형상을 계측하도록 구성되는 계측 유닛을 더 포함하며,
    상기 계측 유닛은 상기 휨 형상에 대한 정보를 취득하기 위해 사용되는 임프린트 장치.
  17. 제4항에 있어서, 상기 기판 표면 상의 위치 어긋남량을 계측하도록 구성되는 계측 유닛을 더 포함하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 계측 유닛에 의해 계측된 상기 기판 표면 상의 위치 어긋남량에 대한 정보를 참조하여 상기 제2 식을 구하는 임프린트 장치.
  18. 이동 유닛에 의해 보유지지되는 기판 상의 임프린트재를 몰드와 접촉시킴으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 장치이며, 상기 임프린트 장치는,
    상기 기판 상에 임프린트재를 도포하도록 구성되는 도포 유닛; 및
    제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은,
    상기 기판이 아직 상기 이동 유닛에 의해 보유지지되지 않은 상태에서의 상기 기판의 휨 형상에 대한 정보를 참조하여, 상기 이동 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 표면 상의 각 위치에서의 위치 어긋남량을 표현하는 위치 어긋남량 표현 식을 구하고,
    상기 구해진 위치 어긋남량 표현 식을 참고하여 상기 기판 표면 상의 복수의 위치에서의 위치 어긋남량을 계산하며,
    상기 복수의 위치에서의 위치 어긋남량에 기초하여 상기 기판의 샷 영역에 관한 왜곡 성분을 구하고,
    상기 구해진 왜곡 성분에 따라 상기 임프린트재의 도포 위치 및 도포량 중 적어도 하나를 변화시키도록 상기 도포 유닛을 제어하는 임프린트 장치.
  19. 기판 상의 임프린트재를 몰드와 접촉시킴으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며, 상기 방법은,
    상기 기판이 아직 이동 유닛에 의해 보유지지되지 않은 상태에서의 상기 기판의 휨 형상에 대한 정보를 참고하여 상기 이동 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 표면 상의 각각의 위치에서의 위치 어긋남량을 표현하는 위치 어긋남량 표현 식을 구하는 단계;
    상기 구해진 위치 어긋남량 표현 식을 참고하여 상기 기판 표면 상의 복수의 위치에서의 위치 어긋남량을 계산하고, 상기 복수의 위치에서 구한 상기 위치 어긋남량에 기초하여 상기 기판의 샷 영역에 관한 왜곡 성분을 구하는 단계; 및
    상기 구해진 왜곡 성분에 따라 상기 몰드와 상기 기판 중 적어도 하나의 형상 또는 위치를 제어하는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 위치 어긋남량 표현 식은 상기 기판 표면 상의 2개의 방향에 관한 것이고, 상기 복수의 위치에서의 위치 어긋남량은 상기 기판 표면 상의 2개의 방향에 관한 것인 임프린트 방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 왜곡 성분은 복수의 유형의 왜곡 성분인 임프린트 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 휨 형상에 대한 정보에 기초하여 상기 기판의 형상을 표현하는 식으로서 제1 식을 구하는 단계;
    상기 제1 식을, 상기 기판 표면 상의 복수의 위치에서의 상기 위치 어긋남량 표현 식으로서의 제2 식으로 변환하는 단계; 및
    상기 제2 식에 따라 상기 복수의 위치에서의 위치 어긋남량을 계산하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 식은 기판 표면 상의 위치를 나타내는 변수와 복수의 제1 계수값의 다항식이고,
    상기 제2 식은 기판 표면 상의 위치를 나타내는 변수와 복수의 제2 계수값의 다항식이고,
    상기 변환하는 단계는, 상기 복수의 제1 계수값으로부터 상기 복수의 제2 계수값을 구하기 위한 변환 행렬을 사용하여 행해지는, 임프린트 방법.
  23. 삭제
  24. 제22항에 있어서, 상기 변환 행렬은, 상기 기판과 상이한 참조용 기판이 아직 이동 유닛에 의해 보유지지되지 않은 상태에서의 상기 참조용 기판에 대한 휨 형상 정보 및 상기 제1 식의 일반식으로부터 구해질 수 있는 상기 참조용 기판의 형상을 표현하는 식과, 상기 참조용 기판이 상기 이동 유닛에 의해 보유지지된 상태에서의 상기 참조용 기판의 표면 상의 복수의 위치에서의 2개의 방향의 위치 어긋남량 및 상기 제2 식의 일반식으로부터 구해지는 상기 참조용 기판의 표면 상의 각 위치에서의 2개의 방향의 위치 어긋남량을 표현하는 식으로부터 구해지는 임프린트 방법.
  25. 물품 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용하여 패턴을 기판에 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는, 상기 기판 상의 임프린트재를 몰드와 접촉시킴으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하도록 구성되고, 상기 기판을 보유지지하고 이동시키도록 구성되는 이동 유닛 및 제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 상기 기판이 아직 상기 이동 유닛에 의해 보유지지되지 않은 상태에서의 상기 기판의 휨 형상에 대한 정보를 참조하여, 상기 이동 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 표면 상의 각 위치에서의 위치 어긋남량을 표현하는 위치 어긋남량 표현 식을 구하고,
    상기 구해진 위치 어긋남량 표현 식을 참고하여 상기 기판 표면 상의 복수의 위치에서의 위치 어긋남량을 계산하고, 상기 복수의 위치에서의 위치 어긋남량에 기초하여 상기 기판의 샷 영역에 관한 왜곡 성분을 구하며,
    상기 구해진 왜곡 성분에 따라 상기 몰드와 상기 기판 중 적어도 하나의 형상 또는 위치를 제어하는 물품 제조 방법.
  26. 삭제
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6643834B2 (ja) * 2015-09-02 2020-02-12 キヤノン株式会社 ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
US11175598B2 (en) * 2017-06-30 2021-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP7022615B2 (ja) * 2018-02-26 2022-02-18 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法
JP6983091B2 (ja) * 2018-03-19 2021-12-17 キヤノン株式会社 インプリント装置、および、物品の製造方法
JP7233174B2 (ja) * 2018-05-17 2023-03-06 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品製造方法、平坦化層形成装置、情報処理装置、及び、決定方法
JP7116605B2 (ja) * 2018-06-28 2022-08-10 キヤノン株式会社 インプリント材のパターンを形成するための方法、インプリント装置、インプリント装置の調整方法、および、物品製造方法
JP7256684B2 (ja) * 2019-05-14 2023-04-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP7451141B2 (ja) * 2019-10-30 2024-03-18 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
US20230236495A1 (en) * 2022-01-25 2023-07-27 Kioxia Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040036850A1 (en) 1999-08-19 2004-02-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
US20060216025A1 (en) 2005-03-25 2006-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US20070278712A1 (en) 2006-05-31 2007-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method and pattern forming apparatus
US20130037981A1 (en) 2011-08-11 2013-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and article manufacturing method
US20140065735A1 (en) 2012-09-04 2014-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Imprint apparatus, imprint method, and manufacturing method of semiconductor device
US20140199635A1 (en) 2013-01-15 2014-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Processing apparatus and device manufacturing method
US20150146207A1 (en) 2013-11-26 2015-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Detection apparatus, imprint apparatus, and method of manufacturing article

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4298078B2 (ja) * 1999-08-20 2009-07-15 キヤノン株式会社 基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイスの製造方法
JP2004335808A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Sony Corp パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
JP4185941B2 (ja) 2006-04-04 2008-11-26 キヤノン株式会社 ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
US8310031B2 (en) 2010-07-30 2012-11-13 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor and solar wafers
JP5983218B2 (ja) * 2012-09-11 2016-08-31 大日本印刷株式会社 ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040036850A1 (en) 1999-08-19 2004-02-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
US20060216025A1 (en) 2005-03-25 2006-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US20070278712A1 (en) 2006-05-31 2007-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method and pattern forming apparatus
US20130037981A1 (en) 2011-08-11 2013-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and article manufacturing method
US20140065735A1 (en) 2012-09-04 2014-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Imprint apparatus, imprint method, and manufacturing method of semiconductor device
US20140199635A1 (en) 2013-01-15 2014-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Processing apparatus and device manufacturing method
US20150146207A1 (en) 2013-11-26 2015-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Detection apparatus, imprint apparatus, and method of manufacturing article

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Publication number Publication date
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JP2017050428A (ja) 2017-03-09
WO2017038026A1 (en) 2017-03-09

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