JP6643834B2 - ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 - Google Patents
ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6643834B2 JP6643834B2 JP2015173271A JP2015173271A JP6643834B2 JP 6643834 B2 JP6643834 B2 JP 6643834B2 JP 2015173271 A JP2015173271 A JP 2015173271A JP 2015173271 A JP2015173271 A JP 2015173271A JP 6643834 B2 JP6643834 B2 JP 6643834B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- equation
- expression
- shape
- displacement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lens Barrels (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
z=C00+C10x+C01y+C20x2+C11xy+C02y2+C30x3+C21x2y+C12xy2+C03y3 ・・・(1)
Δx=A00+A10x+A01y+A20x2+A11xy+A02y2+A30x3+A21x2y+A12xy2+A03y3
Δy=B00+B10x+B01y+B20x2+B11xy+B02y2+B30x3+B21x2y+B12xy2+B03y3 ・・・(2)
δx(x、y)=Sx−Ry+Mx+Ax+By
δy(x、y)=Sy+Rx+My−Ay+Bx
Ω=Σi=1〜n(Δxi−δx(xi、yi))2+Σi=1〜n(Δyi−δy(xi、yi))2
z=C1Z1(r,θ)+C2Z2(r,θ)+・・・+C9Z9(r,θ) ・・・(4)
Z1(r,θ)=1
Z2(r,θ)=rcosθ
Z3(r,θ)=rsinθ
Z4(r,θ)=2r2−1
Z5(r,θ)=r2cos2θ
Z6(r,θ)=r2sin2θ
Z7(r,θ)=(3r3−2r)cosθ
Z8(r,θ)=(3r3−2r)sinθ
Z9(r,θ)=6r4−6r2+1
Δr=A1Z1(r,θ)+A2Z2(r,θ)+・・・+A9Z9(r,θ)
Δθ=B1Z1(r,θ)+B2Z2(r,θ)+・・・+B9Z9(r,θ)
・・・(5)
z=C0+C1cosθ+S1sinθ+C2cos2θ+S2sin2θ+C3cos3θ+S3sin3θ ・・・(7)
次に、前述の露光装置を利用したデバイス(半導体IC素子、液晶表示素子等)の製造方法を説明する。デバイスは、前述の露光装置を使用して、感光剤が塗布された基板(ウエハ、ガラス基板等)を露光する工程と、その基板(感光剤)を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本デバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
Claims (22)
- チャックに吸着される前の基板の反り形状の情報を用いて、前記基板の形状を表す式としての第1の式を求め、
前記チャックに吸着される前の基板の反り形状の情報と前記チャックに吸着された前記基板の位置ずれの情報とを用いて求められた変換手段によって、前記第1の式を前記基板面上の各位置における2方向に関する位置ずれ量を表す式としての第2の式に変換し、
前記第2の式を用いて前記基板面上の複数位置における2方向に関する位置ずれ量を計算し、前記複数位置における2方向に関する位置ずれ量に基づいて、前記基板のショット領域に関する複数種のディストーション成分を求める
ことを特徴とするディストーション検出方法。 - 基板を露光する露光装置であって、
マスクのパターンを基板に投影する投影部と、
基板を吸着して移動する移動部と、
制御部と、を有し、
前記制御部が、前記移動部に吸着される前の前記基板の反り形状の情報を用いて、前記基板の形状を表す式としての第1の式を求め、
前記移動部に吸着される前の基板の反り形状の情報と前記移動部に吸着された前記基板の位置ずれの情報とを用いて求められた変換手段によって、前記第1の式を前記基板面上の複数位置における前記位置ずれ量を表す式としての第2の式に変換し、
前記第2の式を用いて前記基板面上の複数位置における位置ずれ量を計算し、前記複数位置における位置ずれ量に基づいて前記基板のショット領域に関するディストーション成分を求め、
前記ディストーション成分に応じて、前記マスクのパターンの像が前記ショット領域に重なるように前記投影部と前記移動部の一方または両方を制御する
ことを特徴とする露光装置。 - 前記第2の式は基板面上の2方向に関するものであり、前記複数位置における位置ずれ量は基板面上の2方向に関するものである
ことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - 前記ディストーション成分は複数種のディストーション成分である
ことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の露光装置。 - 前記変換手段は、前記第1の式の複数の係数の値から前記第2の式の複数の係数の値を求めるための変換行列である
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記変換行列は、前記第1の式の一般式と前記基板とは別の基板の前記移動部により吸着される前の反り形状の情報とを用いて得られた前記別の基板の形状を表す式と、前記第2の式の一般式と前記別の基板を前記移動部により吸着したときの前記別の基板面上の複数位置における2方向の位置ずれ量とを用いて得られた前記別の基板面上の各位置における2方向の位置ずれ量を表す式とから、求められたものである
ことを特徴とする請求項5に記載の露光装置。 - 前記投影部は、投影光学系と倍率調整機構を有し、
前記制御部は、前記倍率調整機構により前記投影光学系のレンズを光軸に平行に移動させることにより前記マスクのパターンの投影倍率を変える
ことを特徴とする、請求項2乃至請求項6のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記第1の式は、少なくとも2次以上の高次多項式で表される式である
ことを特徴とする、請求項2乃至請求項7のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記第1の式は、Zernike多項式または三角多項式で表される式である
ことを特徴とする、請求項2乃至請求項7のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記第2の式は、少なくとも2次以上の高次多項式で表される式である
ことを特徴とする、請求項2乃至請求項9のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記第2の式は、Zernike多項式で表される式である
ことを特徴とする、請求項2乃至請求項9のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記制御部は、外部から入力された、前記反り形状の情報を保持する
ことを特徴とする、請求項2乃至請求項11のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記反り形状を測定する測定部を有し、
該測定部を用いて前記反り形状の情報を得る
ことを特徴とする、請求項2乃至請求項11のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記基板面上の位置ずれ量を計測する計測部を有し、
前記制御部は、前記計測部により計測された、基板面上の位置ずれ量の情報から前記第2の式を求める
ことを特徴とする、請求項2乃至請求項13のいずれか1項に記載の露光装置。 - 基板を露光する露光装置であって、
マスクのパターンを基板に投影する投影部と、
基板を吸着して移動する移動部と、
制御部と、を有し、
前記制御部が、前記移動部に吸着する前の前記基板の反り形状の情報を用いて、前記基板の形状を表す式としての第1の式を求め、
前記第1の式を、変換手段によって、前記基板面上の複数位置における前記位置ずれ量を表す式としての第2の式に変換し、
前記第2の式を用いて前記基板面上の複数位置における位置ずれ量を計算し、前記複数位置における位置ずれ量に基づいて前記基板のショット領域に関するディストーション成分を求め、
前記ディストーション成分に応じて、前記マスクのパターンの像が前記ショット領域に重なるように前記投影部と前記移動部の一方または両方を制御し、
前記変換手段は、前記第1の式の複数の係数の値から前記第2の式の複数の係数の値を求めるための変換行列であり、
前記変換行列は、前記第1の式の一般式と前記基板とは別の基板の前記移動部により吸着される前の反り形状の情報とを用いて得られた前記別の基板の形状を表す式と、前記第2の式の一般式と前記別の基板を前記移動部により吸着したときの前記別の基板面上の複数位置における2方向の位置ずれ量とを用いて得られた前記別の基板面上の各位置における2方向の位置ずれ量を表す式とから、求められたものである
ことを特徴とする露光装置。 - 基板を露光する露光方法であって、
移動部に吸着される前の前記基板の反り形状の情報を用いて、前記基板の形状を表す式としての第1の式を求める工程と、
前記移動部に吸着される前の基板の反り形状の情報と前記移動部に吸着された前記基板の位置ずれの情報とを用いて求められた変換手段によって、前記第1の式を前記基板面上の複数位置における前記位置ずれ量を表す式としての第2の式に変換する工程と、
前記第2の式を用いて前記基板面上の複数位置における位置ずれ量を計算し、前記複数位置における位置ずれ量に基づいて前記基板のショット領域に関するディストーション成分を求める工程と、
前記ディストーション成分に応じて、基板に投影するマスクのパターンの像が前記ショット領域に重なるように、前記パターンを投影する投影部と前記移動部の一方又は両方を制御する工程と、を有する
ことを特徴とする露光方法。 - 前記位置ずれ量を表す式は基板面上の2方向に関するものであり、前記複数位置における位置ずれ量は基板面上の2方向に関するものである
ことを特徴とする請求項16に記載の露光方法。 - 前記ディストーション成分は複数種のディストーション成分である
ことを特徴とする請求項16または請求項17に記載の露光方法。 - 前記変換する工程は、前記第1の式の複数の係数の値から前記第2の式の複数の係数の値を求めるための変換行列を用いて行う
ことを特徴とする請求項16乃至請求項18のいずれか1項に記載の露光方法。 - 前記変換行列は、前記第1の式の一般式と前記基板とは別の基板の前記移動部により吸着される前の反り形状の情報とを用いて得られた前記別の基板の形状を表す式と、前記第2の式の一般式と前記別の基板を前記移動部により吸着したときの前記別の基板面上の複数位置における2方向の位置ずれ量とを用いて得られた前記別の基板面上の各位置における2方向の位置ずれ量を表す式とから、求められたものである
ことを特徴とする請求項19に記載の露光方法。 - 基板を露光する露光方法であって、
移動部に吸着する前の前記基板の反り形状の情報に基づいて前記基板の形状を表す式としての第1の式を求める工程と、
前記第1の式を、前記基板面上の複数位置における前記位置ずれ量を表す式としての第2の式に変換する工程と、
前記第2の式を用いて前記基板面上の複数位置における位置ずれ量を計算し、前記複数位置における位置ずれ量に基づいて前記基板のショット領域に関するディストーション成分を求める工程と、
前記ディストーション成分に応じて、基板に投影するマスクのパターンの像が前記ショット領域に重なるように、前記パターンを投影する投影部と前記移動部の一方又は両方を制御する工程と、を有し、
前記変換する工程は、前記第1の式の複数の係数の値から前記第2の式の複数の係数の値を求めるための変換行列を用いて行い、
前記変換行列は、前記第1の式の一般式と前記基板とは別の基板の前記移動部により吸着される前の反り形状の情報とを用いて得られた前記別の基板の形状を表す式と、前記第2の式の一般式と前記別の基板を前記移動部により吸着したときの前記別の基板面上の複数位置における2方向の位置ずれ量とを用いて得られた前記別の基板面上の各位置における2方向の位置ずれ量を表す式とから、求められたものである
ことを特徴とする露光方法。 - 請求項2乃至15のいずれか1項に記載の露光装置を用いて被処理基板を露光する工程と、
露光された前記被処理基板を現像する工程と、
を含み、現像された前記被処理基板からデバイスを製造するデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015173271A JP6643834B2 (ja) | 2015-09-02 | 2015-09-02 | ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
US15/247,481 US10191394B2 (en) | 2015-09-02 | 2016-08-25 | Distortion detection method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
KR1020160108259A KR102105491B1 (ko) | 2015-09-02 | 2016-08-25 | 왜곡 검출 방법, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015173271A JP6643834B2 (ja) | 2015-09-02 | 2015-09-02 | ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017049456A JP2017049456A (ja) | 2017-03-09 |
JP6643834B2 true JP6643834B2 (ja) | 2020-02-12 |
Family
ID=58097980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015173271A Active JP6643834B2 (ja) | 2015-09-02 | 2015-09-02 | ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10191394B2 (ja) |
JP (1) | JP6643834B2 (ja) |
KR (1) | KR102105491B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6653572B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2020-02-26 | 川崎重工業株式会社 | 変形加工支援システムおよび変形加工支援方法 |
JP6462614B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-01-30 | 東芝メモリ株式会社 | パターン精度検出装置及び加工システム |
TWI782169B (zh) * | 2018-01-23 | 2022-11-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 接合系統及接合方法 |
JP7463154B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2024-04-08 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置、データ処理装置、描画方法、および描画データ生成方法 |
CN112967965B (zh) * | 2021-03-12 | 2023-11-07 | 长江存储科技有限责任公司 | 对准方法、对准装置、对准设备及计算机存储介质 |
KR102650914B1 (ko) * | 2021-11-17 | 2024-03-26 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 |
JP2023158946A (ja) | 2022-04-19 | 2023-10-31 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ方法、物品製造方法、情報処理方法およびプログラム |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6144429A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPH02110914A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
US5525808A (en) * | 1992-01-23 | 1996-06-11 | Nikon Corporaton | Alignment method and alignment apparatus with a statistic calculation using a plurality of weighted coordinate positions |
JP3393947B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2003-04-07 | 株式会社東芝 | 半導体回路パターンの評価方法と評価システム及び描画方法及び描画システム |
JPH10106928A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Hitachi Ltd | 露光方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
US6888620B2 (en) * | 2001-11-29 | 2005-05-03 | Nikon Corporation | System and method for holding a device with minimal deformation |
JP2004296939A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Toshiba Corp | 位置歪み補正装置、露光システム、露光方法及び位置歪み補正プログラム |
JP4794882B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-10-19 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置、走査型露光方法 |
KR20070043280A (ko) * | 2005-10-20 | 2007-04-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판용 이송 시스템 및 이를 포함하는 반도체기판의 연마 장치 |
US20090042139A1 (en) * | 2007-04-10 | 2009-02-12 | Nikon Corporation | Exposure method and electronic device manufacturing method |
JP5411464B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2014-02-12 | 株式会社アドバンテスト | 電子線描画装置 |
JP5264406B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法およびデバイスの製造方法 |
JP5312058B2 (ja) | 2009-01-19 | 2013-10-09 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2011087129A1 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
CN103365124B (zh) * | 2012-03-31 | 2015-01-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 曝光对准方法 |
KR20140069941A (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-10 | 삼성전기주식회사 | 기판의 휨 측정장치 및 이를 이용한 측정방법 |
JP6732419B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2020-07-29 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 |
-
2015
- 2015-09-02 JP JP2015173271A patent/JP6643834B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-25 US US15/247,481 patent/US10191394B2/en active Active
- 2016-08-25 KR KR1020160108259A patent/KR102105491B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102105491B1 (ko) | 2020-05-29 |
US10191394B2 (en) | 2019-01-29 |
KR20170027660A (ko) | 2017-03-10 |
JP2017049456A (ja) | 2017-03-09 |
US20170060000A1 (en) | 2017-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6643834B2 (ja) | ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
US8954899B2 (en) | Contour alignment system | |
US20190148202A1 (en) | Systems and methods for wafer alignment | |
WO2017038026A1 (en) | Imprint apparatus, imprint method, and product manufacturing method | |
KR101988084B1 (ko) | 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 | |
JP5428671B2 (ja) | 露光方法、デバイス製造方法、及び露光システム | |
TW202102949A (zh) | 檢測裝置、曝光裝置和物品製造方法 | |
JP2013247258A (ja) | アライメント方法、露光方法、及びデバイス製造方法、並びにデバイス製造システム | |
KR20160026683A (ko) | 투영 노광 장치, 투영 노광 방법, 투영 노광 장치용 포토마스크, 및 기판의 제조 방법 | |
US20170351180A1 (en) | Reticle transmittance measurement method, projection exposure method using the same, and projection exposure device | |
JP5084432B2 (ja) | 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP5554906B2 (ja) | 露光装置のアライメント方法 | |
JP5668999B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP6399739B2 (ja) | 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法 | |
JP2001085321A (ja) | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 | |
JP2006148013A (ja) | 位置合わせ方法及び露光方法 | |
JP6343525B2 (ja) | フォトマスクおよび投影露光装置 | |
JP2019090885A (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、決定方法及び物品の製造方法 | |
JP2004193171A (ja) | 基準ウエハ、較正方法、位置検出方法、露光方法及びプログラム | |
US20220276570A1 (en) | Device manufacturing method | |
JP6853700B2 (ja) | 露光装置、露光方法、プログラム、決定方法及び物品の製造方法 | |
JP4184983B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
TWI758281B (zh) | 曝光裝置、平台校正系統、平台校正方法以及校正治具 | |
WO2022179739A1 (en) | Novel interface definition for lithographic apparatus | |
JP2024025164A (ja) | 露光装置、露光方法及び物品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180827 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190625 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200107 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6643834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |