JPH02110914A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH02110914A JPH02110914A JP63264366A JP26436688A JPH02110914A JP H02110914 A JPH02110914 A JP H02110914A JP 63264366 A JP63264366 A JP 63264366A JP 26436688 A JP26436688 A JP 26436688A JP H02110914 A JPH02110914 A JP H02110914A
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- Japan
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- shape
- detector
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- LJAOOBNHPFKCDR-UHFFFAOYSA-K chromium(3+) trichloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cr+3] LJAOOBNHPFKCDR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 241000282693 Cercopithecidae Species 0.000 description 1
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本１Ｎ明は、す゛−マルヘッド、ハイブリッドＩＣのよ
うにヒラミック基板、ホーロー基板などの平坦性の良く
ない基板に、パターンを形成するための投影式の露光装
−に関するものである。
うにヒラミック基板、ホーロー基板などの平坦性の良く
ない基板に、パターンを形成するための投影式の露光装
−に関するものである。
従来の技術
従来のサーマルヘッド、ハイブリッドＩＣ用の露光装置
は、第５図に示づようなものである。第５図において、
基板１の上には電極膜、抵抗躾などの被エツチング材料
２ Ｊ３よびフォトレジスト３の２層が、−様に順次積
層形成されている。そして、フォトレジスト３に対する
露光は、クロム４およびクロムマスク５に平行光線６を
照射して行っていた。
は、第５図に示づようなものである。第５図において、
基板１の上には電極膜、抵抗躾などの被エツチング材料
２ Ｊ３よびフォトレジスト３の２層が、−様に順次積
層形成されている。そして、フォトレジスト３に対する
露光は、クロム４およびクロムマスク５に平行光線６を
照射して行っていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来の露光装置では、クロム
４と７オトレジスト３との距離が反りにより場所によっ
て異なり、−様でなくなる。このために、フォトレジス
ト３の表面に投影されるパターンは、光の回折によりパ
ターン幅が不均一なしのとなっていた。
４と７オトレジスト３との距離が反りにより場所によっ
て異なり、−様でなくなる。このために、フォトレジス
ト３の表面に投影されるパターンは、光の回折によりパ
ターン幅が不均一なしのとなっていた。
本発明は上記問題点を解決するもので、投影されたパタ
ーンの幅の不揃いを抑制することができる露光装置を提
供することを目的とする。
ーンの幅の不揃いを抑制することができる露光装置を提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明は、被露光基板の反
り形状を検出する反り検出装置と、前記被露光基板を保
持し、前記反り検出ｖｔ置で検出された反り形状に応じ
て前記被露光基板を焦点面に接近離間させる基板保持装
置とを備えた構成としたしのである。
り形状を検出する反り検出装置と、前記被露光基板を保
持し、前記反り検出ｖｔ置で検出された反り形状に応じ
て前記被露光基板を焦点面に接近離間させる基板保持装
置とを備えた構成としたしのである。
作用
上記構成により、反り検出装置によって被露光基板の反
り形状を検出して被露光基板の表面の及りの中心、つま
り焦魚面に＾・１して平（ｊをなり、平均的な被露光基
板の仮想表面をわ出ヅる。そして、基根保１、〜菰首に
より被露光基板を移動させて１１Ｌ記仮想表面を焦５ユ
面に一致させる。このことにより、被露光基板の表面と
焦点面の間にｔ； Ｉする距離の不均一がｂ］小のもの
に抑制される。
り形状を検出して被露光基板の表面の及りの中心、つま
り焦魚面に＾・１して平（ｊをなり、平均的な被露光基
板の仮想表面をわ出ヅる。そして、基根保１、〜菰首に
より被露光基板を移動させて１１Ｌ記仮想表面を焦５ユ
面に一致させる。このことにより、被露光基板の表面と
焦点面の間にｔ； Ｉする距離の不均一がｂ］小のもの
に抑制される。
実施例
木ｙｔ明の一実施例を図面に基づいて説明づる。
第１図・〜第４図において、木体枠１１の１一部には、
ノ４］へ一ンスク１２が配置され−でおり、フォト７ス
ク１２の上Ｉｊにはレンズ系１３Ｊ３よひ光ｘ１１４が
設けられ（いる。まｌこ、）Ａ１〜ンスク１２のトｈに
は、第１士面鏡１５、凹面ｆｆ）１１６、凸面鏡１７、
第２重面１１１８が配置されてＪｊす、これら番よ、光
源１４からレンズ系１３を通−）でフォト７スク１２に
照Ｑ・１された光により第１平面鏡１５に投影された像
が、四面鏡１６に反ｑ１され、さらに凸面鏡１７に反射
され、さらに再度凹面鏡１６に反射され、最後に第２平
面鏡１８に反（ト）されるように形成されている。そし
て、被露光基板１９は、表面に第２平面鏡１８′Ｃ反射
された像が結件するように配置されており、被露光基板
１９は入を板保持装置２０のデープル２１上に載置され
ている。
ノ４］へ一ンスク１２が配置され−でおり、フォト７ス
ク１２の上Ｉｊにはレンズ系１３Ｊ３よひ光ｘ１１４が
設けられ（いる。まｌこ、）Ａ１〜ンスク１２のトｈに
は、第１士面鏡１５、凹面ｆｆ）１１６、凸面鏡１７、
第２重面１１１８が配置されてＪｊす、これら番よ、光
源１４からレンズ系１３を通−）でフォト７スク１２に
照Ｑ・１された光により第１平面鏡１５に投影された像
が、四面鏡１６に反ｑ１され、さらに凸面鏡１７に反射
され、さらに再度凹面鏡１６に反射され、最後に第２平
面鏡１８に反（ト）されるように形成されている。そし
て、被露光基板１９は、表面に第２平面鏡１８′Ｃ反射
された像が結件するように配置されており、被露光基板
１９は入を板保持装置２０のデープル２１上に載置され
ている。
被露光基板１９は、基板２２上に電極鋭、抵抗膜などの
被エツチング材料２３およびフォトレジスト２４の２層
を、−様に順次積層形成したものである。
被エツチング材料２３およびフォトレジスト２４の２層
を、−様に順次積層形成したものである。
そして、テーブル２１の下部には、テーブル２１をデー
降駆動するモータ２５が連結されている。さらに、被露
光基板１９の上方には、反り検出装置２６１メ設ｃｔら
れており、この反り検出装置２６は、フォトレジスト２
４を感光させない波長のレーザ光を基板２２に向けて照
射するレーザ光源２７と、基板２２からの反射光を検出
する検出装置２８とで形成され、被露光基板１９の長手
方向に移ｖＪするように形成されている。
降駆動するモータ２５が連結されている。さらに、被露
光基板１９の上方には、反り検出装置２６１メ設ｃｔら
れており、この反り検出装置２６は、フォトレジスト２
４を感光させない波長のレーザ光を基板２２に向けて照
射するレーザ光源２７と、基板２２からの反射光を検出
する検出装置２８とで形成され、被露光基板１９の長手
方向に移ｖＪするように形成されている。
以−ド、上記４１Ｉｌ成における作用について説明する
。
。
まず、第２図に示すように、露光を行う前に、レーザ光
源２７から被露光基板１９に照射し、ぞの反ｑ１光を検
出装置２８′Ｃ検知しながら、反り検出装置２６をＩＪ
板の長−１方向に移動させ、被露光基板１９の縦り形状
を検出俳る。そして、第４図に示−リように、検出され
た肢ｉ１尤Ｊ、【板１９の表面、すなわもフォトレジス
ト２４の表面２４ａの反り形状から、フィトレジスト２
４の表面２４ａの反りの中心、つまり焦魚面にス４して
平（ｉをなり、平均的な）４トレジスト２４の仮想表面
２４ｂｌ）出する。そして、このデータをしとに、［−
タ２５を駆仙してテーブル２１を冒時駆仙させ、フォト
レジスト２４の仮想表面２４ｂを）／ｌトンスク１２の
焦ｔ〉面に一致させる。次に、光源１４の光をレンズ系
１３を通ってフォトマスク１２に照０４ Ｌ、その像を
、第１平面鏡１５、凹面鏡１６、凸面鏡１７の順にそれ
ぞれ反ｆＡ４させ、さらに再度凹面鏡１６にＭＱＪされ
た像を第２平面鎖１８で反ｎ嶋して、被露光基板１９の
フィトレジスト２４の表面２４ａ上に役彰する。このと
さ、フィトレジスト２４の平均的な仮想表面２４ｂとフ
ォト７スク１２の焦魚面とが一致しているので、フィト
レジスト２４の表面２４ａと焦魚面の間における距離の
不均一が最小のものに抑制される。このため、７４１−
レジスト２４の表面２４ａに投影された像に、光の回折
によって、現われる影響が最小のものとなり、フォトレ
ジスト２４の表面２４ａに投影された像のパターン幅の
不揃いが最小の−ｂのとなる。
源２７から被露光基板１９に照射し、ぞの反ｑ１光を検
出装置２８′Ｃ検知しながら、反り検出装置２６をＩＪ
板の長−１方向に移動させ、被露光基板１９の縦り形状
を検出俳る。そして、第４図に示−リように、検出され
た肢ｉ１尤Ｊ、【板１９の表面、すなわもフォトレジス
ト２４の表面２４ａの反り形状から、フィトレジスト２
４の表面２４ａの反りの中心、つまり焦魚面にス４して
平（ｉをなり、平均的な）４トレジスト２４の仮想表面
２４ｂｌ）出する。そして、このデータをしとに、［−
タ２５を駆仙してテーブル２１を冒時駆仙させ、フォト
レジスト２４の仮想表面２４ｂを）／ｌトンスク１２の
焦ｔ〉面に一致させる。次に、光源１４の光をレンズ系
１３を通ってフォトマスク１２に照０４ Ｌ、その像を
、第１平面鏡１５、凹面鏡１６、凸面鏡１７の順にそれ
ぞれ反ｆＡ４させ、さらに再度凹面鏡１６にＭＱＪされ
た像を第２平面鎖１８で反ｎ嶋して、被露光基板１９の
フィトレジスト２４の表面２４ａ上に役彰する。このと
さ、フィトレジスト２４の平均的な仮想表面２４ｂとフ
ォト７スク１２の焦魚面とが一致しているので、フィト
レジスト２４の表面２４ａと焦魚面の間における距離の
不均一が最小のものに抑制される。このため、７４１−
レジスト２４の表面２４ａに投影された像に、光の回折
によって、現われる影響が最小のものとなり、フォトレ
ジスト２４の表面２４ａに投影された像のパターン幅の
不揃いが最小の−ｂのとなる。
なお、被露光基板１９の姿ｙ５ｎｉｌ ｔｉｌｌは、−
トモ初のみならず水平軸を中心とする上上回転も加える
方が、より精度の良いパターンがｊ！７られる。また、
反り検出装置２６と光源１４とミラー系とがフォトマス
ク１２と相対的に同位相で移動し、反り検出情報に基づ
いて刻々と被露光基板１９を」二下させ、常に被露光基
板１９の表面にフォトマスク１２の焦点面を−・致させ
ること６可能である。
トモ初のみならず水平軸を中心とする上上回転も加える
方が、より精度の良いパターンがｊ！７られる。また、
反り検出装置２６と光源１４とミラー系とがフォトマス
ク１２と相対的に同位相で移動し、反り検出情報に基づ
いて刻々と被露光基板１９を」二下させ、常に被露光基
板１９の表面にフォトマスク１２の焦点面を−・致させ
ること６可能である。
発明の効果
以上述べたように、本光明によれば、被露光基板の表面
における反りの中心を求め、この中心に焦魚面が一致す
るように被露光基板の位置を制御して露光することによ
り、被露光基板の表面と焦点面の間にＪｊける距離の不
均一を最小のしのとして、投影された作のパターン幅の
不揃いを最小のものに抑１ｔ、ＩＪ ７＃ることがでさ
る。
における反りの中心を求め、この中心に焦魚面が一致す
るように被露光基板の位置を制御して露光することによ
り、被露光基板の表面と焦点面の間にＪｊける距離の不
均一を最小のしのとして、投影された作のパターン幅の
不揃いを最小のものに抑１ｔ、ＩＪ ７＃ることがでさ
る。
第１図番よ木光明の一実施例を承り全体もη成田、第２
図は第１図の反り検出装置の原理を承り図、第３図は本
発明の露光装置の１皇即を示７図、第４図は反り中心と
７４トレジスト表面との関係を示す図、第５図６ま従来
の露光装置の原理を２１．９図で・ある。 １９・・・被露光基板、２０・・・１．」根保持）Ａ
Ｈ、２６，、、反り検出装置。 代理人 森 木 八 弘 第 図 第３ 図 ２４ｚ 第４図 第Ｓ図
図は第１図の反り検出装置の原理を承り図、第３図は本
発明の露光装置の１皇即を示７図、第４図は反り中心と
７４トレジスト表面との関係を示す図、第５図６ま従来
の露光装置の原理を２１．９図で・ある。 １９・・・被露光基板、２０・・・１．」根保持）Ａ
Ｈ、２６，、、反り検出装置。 代理人 森 木 八 弘 第 図 第３ 図 ２４ｚ 第４図 第Ｓ図
Claims (1)
- １、被露光基板の反り形状を検出する反り検出装置と、
前記被露光基板を保持し、前記反り検出装置で検出され
た反り形状に応じて前記被露光基板を焦点面に接近離間
させる基板保持装置とを備えた露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264366A JPH02110914A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264366A JPH02110914A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110914A true JPH02110914A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17402155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63264366A Pending JPH02110914A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110914A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100302228B1 (ko) * | 1995-08-07 | 2001-11-30 | 순페이 야마자끼 | 반도체장치의제작방법 |
| JP2017049456A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | キヤノン株式会社 | ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63264366A patent/JPH02110914A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100302228B1 (ko) * | 1995-08-07 | 2001-11-30 | 순페이 야마자끼 | 반도체장치의제작방법 |
| US6593216B1 (en) | 1995-08-07 | 2003-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| JP2017049456A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | キヤノン株式会社 | ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
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