JPH11260676A

JPH11260676A - 半導体ウエハ、露光装置、露光方法及び半導体ウエハの位置決め方法

Info

Publication number: JPH11260676A
Application number: JP10082562A
Authority: JP
Inventors: Naomasa Shiraishi; 直正白石; Nobutaka Umagome; 伸貴馬込
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-03-13
Filing date: 1998-03-13
Publication date: 1999-09-24

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウエハのプリアライメントを高効率的
に行うことである。【解決手段】略円形状の半導体ウエハＷであって、そ
の側面の複数箇所にそれぞれ結晶方位を表す識別コード
Ｍ１，Ｍ２を有している。このウエハＷによると、複数
の識別コードＭ１，Ｍ２のうちの一つを検出することに
より、該ウエハＷの結晶方位を判別することができる。
従って、識別コードの検出に際し、該ウエハをコード検
出装置等に対して相対的に一周回させることなくその検
出が可能となり、検出時間や位置決めに要する時間を短
縮できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハ等の半
導体ウエハ、露光装置、露光方法及び半導体ウエハの位
置決め方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程の一つである
フォトリソグラフィ工程においては、マスク（レチクル
を含む）に形成されているパターンをフォトレジストが
塗布された半導体ウエハ（例えば、シリコンウエハ）上
に転写するための露光装置として、パターンの像をウエ
ハ上のショット領域に縮小投影するステッパーが多く用
いられている。

【０００３】ステッパーとしては、パターンをウエハ上
のショット領域に一括転写し、順次ウエハを移動して他
のショット領域に対して一括転写を繰り返すステップ・
アンド・リピート方式のもの、あるいは最近では露光範
囲の拡大や露光性能の向上等の観点から、マスクとウエ
ハとを同期移動して、矩形その他の形状のスリット光で
走査・照明してウエハ上のショット領域にパターンを逐
次転写し、順次ウエハを移動して他のショット領域に対
して走査・露光を繰り返すステップ・アンド・スキャン
方式のものも開発され、実用に供されるようになってい
る。

【０００４】このような露光装置により全てのショット
領域に対して露光処理が行われたウエハは、現像、エッ
チング、ドーピング等の工程を経た後、再度フォトレジ
ストが塗布され、他のマスクを用いた露光処理を含む同
様の工程が十数回から数十回繰り返され、該ウエハ上に
種々の素子が形成される。

【０００５】このように、ウエハ上には、複数のパター
ンが重ね合わされて形成されるが、これらは相互に正確
に位置合わせされている必用がある。高い位置合わせ精
度を実現するために、ウエハ表面にパターンの転写と同
時にアライメントマーク（ファインアライメントマー
ク）を転写し、次工程ではそのマーク位置を精密な位置
検出センサで検出して既存のパターンの位置を求め、そ
れに正しく整合するように新たなパターンを転写露光す
る。

【０００６】ところで、このようなアライメントマーク
の検出による高精度なアライメント（ファインアライメ
ント）の前には、その姿勢を大まかに所定の基準に整合
させる比較的低精度な位置決めとしてのプリアライメン
トが必要である。

【０００７】プリアライメントは、以下のようになされ
る。ウエハには、ウエハの外周の一部に形成されたフラ
ットな面であるオリエンテーションフラット（オリフ
ラ）又はウエハの外周の一部に形成された切り欠きであ
るノッチ等の外形的な特徴を持たせてなる基準が設けら
れている。そして、このオリエンテーションフラット又
はノッチを、撮像装置やレーザービーム位置センサ等に
より検出し、その検出結果に基づいて、ＸＹ方向の２次
元的な移動（該ウエハの表面に略平行な面内での移動）
及びウエハの面内回転（該ウエハの表面に略直交する軸
線周りの回転）を行い、所定の基準に整合させるように
している。

【０００８】また、ウエハの表面（上面）の周辺近傍の
部分には、当該ウエハを他のウエハから識別するための
ウエハＩＤが、レーザーマーカー等を用いて刻印されて
おり、このウエハＩＤに基づいて、その製造工程中のウ
エハの製造履歴を管理することも行なわれている。この
ウエハＩＤの記述には、一般にアルファベット文字や数
字が使用されている。半導体装置の製造ラインを構成す
る露光装置を含む各種の装置や検査装置によっては、ウ
エハに刻印されたウエハＩＤを読み取り、その露光処理
や検査処理に、ウエハの製造履歴を利用することもあ
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
はウエハに形成されたオリエンテーションフラットやノ
ッチ等の切り欠きを基準にしてウエハのプリアライメン
ト（外形基準による位置合わせ）を行なっていたた。こ
のため、ウエハからこのような切り欠きをなくすことは
できず、このような切り欠きを設けたウエハでは、デバ
イス製造に伴う熱処理や応力の強い膜の成膜時にウエハ
内で生じる応力歪みがこの切欠部に集中し、切欠部周辺
の平面性を悪化させるとともに、ウエハに湾曲や反り等
の変形を生じせしめ、製造されるデバイスの特性を悪化
させる場合があるという問題があった。また、プリアラ
イメントに要する時間の短縮等の処理の高効率化の要請
に十分応えることができないという問題もあった。

【００１０】さらに、従来技術では、ウエハＩＤはウエ
ハの表面（上面）に刻印されているため、ウエハ表面の
「平坦化」を目的に導入されつつあるＣＭＰ（ケミカル
メカニカルポリッシュ）プロセスによる表面の研磨によ
り、消失してしまうことがあるという問題もあった。

【００１１】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであり、その目的とするところは、処理
時間の短縮等のプリアライメントの高効率化を実現する
ことである。また、優れた特性を有する半導体装置の製
造を実現することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】以下、この項に示す説明
では、理解の容易化のため、本発明の各構成要件に実施
形態の図に示す参照符号を付して説明するが、本発明の
各構成要件は、これら参照符号によって限定されるもの
ではない。

【００１３】上記目的を達成するため、以下に示すよう
な半導体ウエハ、露光装置、露光方法及び半導体ウエハ
の位置決め方法を提供する。

【００１４】半導体ウエハ請求項１記載の半導体ウエハは、略円形状の半導体ウエ
ハ（Ｗ）であって、その側面の複数箇所にそれぞれ結晶
方位を表す識別コード（Ｍ１，Ｍ２）を有することを特
徴とする。この半導体ウエハによると、その側面の複数
箇所にそれぞれの結晶方位を示す識別コードを有してい
るから、これらの複数の識別コードのうちの一つを検出
することにより、該半導体ウエハの結晶方位を判別する
ことができる。従って、識別コードの検出に際し、該半
導体ウエハをコードの検出装置等に対して一周回させ、
あるいは該検出装置等を該半導体ウエハに対して一周回
させることなくその検出が可能となり、検出時間や位置
決めに要する時間を短縮することが可能となる。

【００１５】この場合において、請求項２に記載のよう
に、前記複数の識別コード（Ｍ１，Ｍ２）は、前記側面
に不等間隔で設けることができる。複数の識別コードが
不等間隔で設けられたウエハを検出装置等に対して相対
的に一周回させると、各識別コードの詳細（内容）を読
み取らなくても、これらの識別コードの間隔からその結
晶方位を判別することができる。

【００１６】露光装置及び露光方法請求項３に記載の露光装置は、露光対象としての半導体
ウエハ（Ｗ）の側面に設けられた位置検出用のマーク
（Ｍ１，Ｍ２）を検出して、該検出結果に基づき該半導
体ウエハを所定の基準に整合させるプリアライメント装
置（１１９等）を備えたことを特徴とする。この場合に
おいて、請求項４に記載のように、前記半導体ウエハの
前記マークは、該マークの位置とウエハの結晶方位との
関係を示す位置情報又は当該半導体ウエハを他の半導体
ウエハから識別するための識別情報（ウエハＩＤ）を含
み、前記プリアライメント装置は前記マークの位置及び
内容に基づき該半導体ウエハを所定の基準に整合させる
ようにできる。また、請求項５に記載のように、前記半
導体ウエハの前記マークは、バーコード又はマトリック
スコードで表示することができる。

【００１７】請求項６に記載の露光装置は、請求項３乃
至５のいずれかに記載の露光装置において、前記プリア
ライメント装置は、前記半導体ウエハを移動するウエハ
ステージ上に載置された又は載置される前の半導体ウエ
ハを所定の基準に整合させる装置であることを特徴とす
る。この場合において、請求項７に記載のように、前記
プリアライメント装置は、前記半導体ウエハを該ウエハ
の表面に略直交する軸線周りに回転させるウエハ回転装
置（１１８）と、前記半導体ウエハの前記マークを検出
するマーク検出装置（１２１）と、前記マーク検出装置
により検出された前記マークの位置及び内容に基づき、
前記半導体ウエハが所定の基準に整合するように前記ウ
エハ回転装置を制御する制御装置（１２２）と、を備え
て構成することができる。

【００１８】また、請求項８に記載の露光方法は、その
側面に位置検出用のマークが形成された半導体ウエハを
搬送し、該半導体ウエハの側面に形成されたマークを検
出して、該検出結果に基づき該半導体ウエハを所定の基
準に整合させ、その後に、ステージ上に前記半導体ウエ
ハを載置して、露光処理を行うことを特徴とする。この
場合において、請求項９に記載のように、前記半導体ウ
エハの搬送路（１０４，１０５）に配置されるプリアラ
イメント装置（１１９）にて前記マークの検出を行うよ
うにすることができる。

【００１９】本発明の露光装置又は露光方法によると、
半導体ウエハの側面に設けられた位置検出用のマークの
位置及び／又は内容を検出して、そのマークを基準とし
て、プリアライメントを行うようにしたから、従来のよ
うに、ウエハにオリエンテーションフラットやノッチ等
の外形的な基準としての切欠部を形成する必用がなくな
る。従って、デバイス製造に伴う熱処理や応力の強い膜
の成膜時にウエハ内で生じる応力歪みが切欠部に集中す
る等により生じる平面性の悪化や変形等が少なくなり、
優れた特性を有するデバイス（半導体装置）を製造する
ことができるようになる。

【００２０】また、ウエハ側面に設けられるマークを、
請求項５に記載のように、バーコードやマトリックスコ
ードにより表示し、あるいはその他のコードにより表示
するようにして、マーク自体に意味を持たせることがで
き、例えば、請求項４に記載のように、該マークの位置
とウエハの結晶方位との関係を示す位置情報を含めるこ
とで、例えば、複数のマークを設けた場合のそれぞれの
マークの結晶方位を判別でき、プリアライメントに要す
る時間を短縮できる等、処理の高効率化を図ることがで
きる。あるいは他のウエハから識別するための識別情報
（ウエハＩＤ）を含ませることにより、従来はウエハの
表面に刻印していたウエハＩＤをウエハの側面に表示す
ることができ、ウエハ表面の「平坦化」を目的に導入さ
れつつあるＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）プ
ロセスによる表面の研磨により、ウエハＩＤが消失して
しまうことを防止することができる。

【００２１】半導体ウエハの位置決め方法請求項１０記載の半導体ウエハの位置決め方法は、半導
体ウエハ（Ｗ）上に位置整合してパターンを転写する露
光装置に使用する位置決め方法であって、前記半導体ウ
エハのエッジの位置及び該側面に形成された位置検出用
のマーク（Ｍ１，Ｍ２）を検出し、その検出結果に基づ
いて、該半導体ウエハを位置決めすることを特徴とす
る。この場合において、請求項１１に記載のように、前
記マークは、当該半導体ウエハを他の半導体ウエハから
識別するための識別コードを含み、該識別コードを認識
し、該識別コードより判別される該半導体ウエハの製造
履歴データに基づいて、該半導体ウエハの位置決めを行
うようにすることができる。

【００２２】本発明の半導体ウエハの位置決め方法によ
ると、半導体ウエハのエッジ位置とその側面のマーク位
置の両方を使って半導体ウエハの位置決めを行うように
しており、該エッジ位置に基づきウエハの面内移動（該
ウエハの表面に略平行な面内での移動）を行い、マーク
位置に基づきウエハの面内回転（該ウエハの表面に略直
交する軸線周りの回転）を行うことができ、特に、ウエ
ハ側面の識別コードを認識してウエハの製造履歴データ
に基づき位置決めを行うことにより、位置決めの高効率
化を図ることが可能となる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００２４】半導体ウエハの構成図１は本発明の実施形態の半導体ウエハの外観を示す図
であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。同図
において、Ｗはシリコン単結晶からなる略円板状のウエ
ハであり、その表面（上面）の結晶面方位は、＜１００
＞面であるものとする。

【００２５】この実施形態におけるシリコンウエハＷの
厚さは、６００〜８００μｍ程度であるが、その側面に
は、図１（Ｂ）に示す如く、位置検出用のマーク（コー
ドを含む）Ｍ１，Ｍ２が設けられている。この実施形態
では、マークＭ１は、ウエハＷの中心Ｃを通り且つシリ
コン結晶の［０１１］方向と平行な直線Ｌ１がウエハＷ
のエッジ（側縁部）と交差する点近傍に配置されてい
る。また、マークＭ２は、ウエハＷの中心Ｃを通り且つ
直線Ｌ１に対して所定の角度θ（例えば、４５度）で交
差する直線Ｌ２とウエハＷのエッジと交差する点近傍に
配置されている。

【００２６】ウエハＷには、従来のウエハのように、ウ
エハの外周の一部に形成されたフラットな面であるオリ
エンテーションフラット（オリフラ）やウエハの外周の
一部に形成された切り欠きであるノッチ等の外形的な特
徴を持たせてなる基準は設けられておらず、その代わり
に、マークＭ１，Ｍ２が設けられている。なお、マーク
Ｍ１，Ｍ２の位置とウエハＷの結晶方位との関係は、上
記に限定されず、他の関係を有する位置に設けることが
できる。

【００２７】また、この実施形態では、マークの数をＭ
１とＭ２の二つとしているが、マークＭ２は必ずしも形
成する必用はなく、マークＭ１のみとしても良い。但
し、複数のマークを形成しておけば、そのうちの一つが
何らかの原因で損傷した場合にも他のマークを使用する
ことができるので好都合である。

【００２８】さらに、側面に形成するマークは、三つ以
上とすることもできる。マークの数を複数とする場合に
は、それぞれのマークの位置とウエハＷの中心を結ぶ線
のなす角度が互いに異なるように、即ち、互いの角度間
隔を「不等間隔」とすることができる。このようにする
ことにより、ウエハＷをマーク検出装置等に対して相対
的に一周回させると、各マークＭ１，Ｍ２の内容を読み
取らなくても、これらのマークＭ１，Ｍ２の間隔からそ
れぞれのマークの意味（そのマークと結晶方位との関
係）を認識（判別）することができるので高効率的であ
る。

【００２９】このようなマークＭ１，Ｍ２の形成は、レ
ーザーマーカー（レーザ記録装置）を用い、レーザービ
ーム（例えば、ＹＡＧレーザ等）をウエハＷの側面に照
射して、熱でその表面にコード等を記録（刻印）するこ
とにより行なうことができる。

【００３０】図２は位置検出用のマークＭ１，Ｍ２の具
体例を示す図である。この実施形態におけるマークＭ
１，Ｍ２は、それぞれ４つのマークブロックＭａ，Ｍ
ｂ，Ｍｃ，Ｍｄから構成されている。そして、各マーク
ブロックＭａ，Ｍｂ，Ｍｃ，Ｍｄは、バーコードパター
ンよりなり、各線の太さ及び間隔を変更することで、以
下の情報が書き込まれる。バーコードの各線間の平均間
隔は、数十μｍから数百μｍ程度である。

【００３１】マークブロックＭａは、マークＭ１，Ｍ２
の左端を表すスタートマーク（シンクロコード）であ
り、マークブロックＭｄは、マークＭ１，Ｍ２の右端を
表すエンドマークである。中間に存在するマークブロッ
クＭｂは、このウエハＷ内でのこのマークＭ１の方向
（結晶方位との回転関係）を表すマークブロックであ
る。即ち、図１に示した２つのマークＭ１，Ｍ２は、こ
の方向が異なるので、それぞれマークブロックＭｂの形
状（コード）が異なる。これによって、ウエハＷの側面
に複数のマークＭ１，Ｍ２を形成した場合にあっても、
そのうちの１つだけを位置検出し、マーク（マークブロ
ックＭｂ）の内容を読み込む（解読する）ことで、ウエ
ハＷの回転方向を判断することができる。

【００３２】もう一方のマークブロックＭｃは、このウ
エハＷに固有のＩＤ番号（ウエハＩＤ：当該ウエハを他
のウエハから識別するための識別情報）を表すマークで
ある。異なるウエハでは、このマークブロックＭｃ部分
がそれぞれ異なることになる。従って、このマークブロ
ックＭｃの内容を解読することで、ウエハＷの個体認識
が可能となる。そしてこれによってウエハ毎の製造履歴
の厳密な管理が可能になる。

【００３３】ウエハＷの回転方向の姿勢を所定の基準に
整合させるための位置基準としては、これらのマークブ
ロックＭａ，Ｍｂ，Ｍｃ，Ｍｄのうちのどのマークブロ
ックを使用しても良いが、後述するマーク検出の手順、
即ち、マーク検出装置によりウエハＷの側面のマーク以
外の部分から走査しつつマークを探すことを考慮する
と、スタートマークＭａ又はエンドマークＭｄを使用す
ることが望ましい。但し、勿論これらのマークブロック
のみしか使用できないわけではなく、他のマークブロッ
クを使用しても良い。

【００３４】このように、この実施形態におけるウエハ
Ｗは、その側面に位置検出用のマークＭ１，Ｍ２を有し
ているから、このマークＭ１又はＭ２の位置を検出し
て、このマークＭ１又はＭ２を基準として、プリアライ
メント等の処理を行うことができ、従来のように、ウエ
ハにオリエンテーションフラットやノッチ等の外形的な
基準としての切欠部を形成する必用がなくなる。従っ
て、デバイス製造に伴う熱処理や応力の強い膜の成膜時
にウエハ内で生じる応力歪みが切欠部に集中する等によ
り生じる平面性の悪化や変形等が少なくなる。

【００３５】また、この実施形態におけるウエハＷの側
面に形成されたマークＭ１，Ｍ２は、バーコードで記述
されており、マークＭ１，Ｍ２のウエハＷの結晶方位と
の関係（位置情報）やウエハＩＤ等の情報（識別情報）
を含ませている。位置情報により当該マークと結晶方位
との関係が認識できるから、マークと結晶方位との関係
を一義的に決めておく必用がなく、柔軟に対応すること
ができるとともに、複数のマークがその側面に形成され
ている場合に、検出したマークと結晶方位との関係が認
識できるから、マークの検出を開始してから、最初に検
出したマークに基づきウエハの位置決めを行うことがで
き高効率的である。即ち、マークの検出に際し、ウエハ
Ｗをマーク検出装置等に対して一周回させ、あるいは該
検出装置等をウエハＷに対して一周回させることなくそ
の検出が可能となり、検出時間や位置決めに要する時間
を短縮することができる。

【００３６】また、ウエハＷの側面は、ウエハの平坦度
を向上するために導入されつつあるＣＭＰ（ケミカルメ
カニカルポリッシュ）プロセスによるウエハ表面の研磨
によって影響を受けることはほとんど無いから、ＣＭＰ
プロセスによってマークが消失するという心配はない。
従って、マークにＩＤ番号をも含ませることにより、ウ
エハＷの表面にウエハＩＤを形成（刻印）する必用がな
くなり、ＩＤ番号がＣＭＰプロセスによって消失してし
まうという従来の問題を解消することもできる。

【００３７】なお、上記の説明では、位置検出用のマー
クＭ１，Ｍ２は、バーコードを使用して記述するように
したが、例えば、図３に示すように、マトリックスコー
ドを使用しても良く、その他のコード（文字、数字等）
を使用しても勿論良い。

【００３８】露光装置の構成次に、上述したような側面に位置検出用のマークＭ１，
Ｍ２を有するウエハＷの処理に好適な露光装置を、図４
及び図５を参照して説明する。図４は本発明の実施形態
の露光装置の露光系の構成を示す図、図５は同じく露光
装置のウエハの搬送系をも含む平面断面図である。

【００３９】図４において、露光装置３０ａは、いわゆ
るステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であり、
マスクとしてのレチクル１１上のパターンの一部を投影
光学系１３を介して感光基板としてのレジストが塗布さ
れたウエハＷ上に縮小投影露光した状態で、レチクル１
１とウエハＷとを、投影光学系１３に対して同期移動さ
せることにより、レチクル１１上のパターンの縮小像を
逐次ウエハＷの各ショット領域に転写し、ウエハＷの上
に半導体装置を製造するようになっている。

【００４０】本実施形態の露光装置３０ａは、露光用光
源１としてＫｒＦエキシマレーザ（発振波長２４８ｎ
ｍ）を有する。露光用光源１からパルス発光されたレー
ザビームＬＢは、ビーム整形・変調光学系２へ入射する
ようになっている。本実施形態では、ビーム整形・変調
光学系２は、ビーム整形光学系２ａと、エネルギー変調
器２ｂとから成る。ビーム整形光学系２ａは、シリンダ
レンズやビームエキスパンダ等で構成してあり、これら
により、後続のフライアイレンズ５に効率よく入射する
ようにビームの断面形状が整形される。

【００４１】図４に示すエネルギー変調器２ｂは、エネ
ルギー粗調器及びエネルギー微調器等で構成してあり、
エネルギー粗調器は、回転自在なレボルバ上に透過率
（＝（１−減光率）×１００（％））の異なる複数個の
ＮＤフィルタを配置したものであり、そのレボルバを回
転することにより、入射するレーザビームＬＢに対する
透過率を１００％から複数段階で切り換えることができ
るようになっている。なお、そのレボルバと同様のレボ
ルバを２段配置し、２組のＮＤフィルタの組み合わせに
よってより細かく透過率を調整できるようにしてもよ
い。一方、エネルギー微調器は、ダブル・グレーティン
グ方式、又は傾斜角可変の２枚の平行平板ガラスを組み
合わせた方式等で、所定範囲内でレーザビームＬＢに対
する透過率を連続的に微調整するものである。ただし、
このエネルギー微調器を使用する代わりに、エキシマレ
ーザ光源１の出力変調によってレーザビームＬＢのエネ
ルギーを微調整してもよい。

【００４２】図４において、ビーム整形・変調光学系２
から射出されたレーザビームＬＢは、光路折り曲げ用の
ミラーＭを介してフライアイレンズ５に入射する。

【００４３】フライアイレンズ５は、後続のレチクル１
１を均一な照度分布で照明するために多数の２次光源を
形成する。図４に示すように、フライアイレンズ５の射
出面には照明系の開口絞り（いわゆるσ絞り）６が配置
してあり、その開口絞り６内の２次光源から射出される
レーザビーム（以下、「パルス照明光ＩＬ」と呼ぶ）
は、反射率が小さく透過率の大きなビームスプリッタ７
に入射し、ビームスプリッタ７を透過した露光用照明光
としてのパルス照明光ＩＬは、リレーレンズ８を介して
コンデンサレンズ１０へ入射するようになっている。

【００４４】リレーレンズ８は、第１リレーレンズ８Ａ
と、第２リレーレンズ８Ｂと、これらレンズ８Ａ，８Ｂ
間に配置される固定照明視野絞り（固定レチクルブライ
ンド）９Ａ及び可動照明視野絞り９Ｂとを有する。固定
照明視野絞り９Ａは、矩形の開口部を有し、ビームスプ
リッタ７を透過したパルス照明光ＩＬは、第１リレーレ
ンズ８Ａを経て固定照明視野絞り９Ａの矩形の開口部を
通過するようになっている。また、この固定照明視野絞
り９Ａは、レチクルのパターン面に対する共役面の近傍
に配置してある。可動照明視野絞り９Ｂは、走査方向の
位置及び幅が可変の開口部を有し、固定照明視野絞り９
Ａの近くに配置してあり、走査露光の開始時及び終了時
にその可動照明視野絞り９Ｂを介して照明視野フィール
ドをさらに制限することによって、不要な部分（レクチ
ルパターンが転写されるウエハ上のショット領域以外）
の露光が防止されるようになっている。

【００４５】図４に示すように、固定照明視野絞り９Ａ
及び可動照明視野絞り９Ｂを通過したパルス照明光ＩＬ
は、第２リレーレンズ８Ｂ及びコンデンサレンズ１０を
経て、レチクルステージ１５上に保持されたレチクル１
１上の矩形の照明領域１２Ｒを均一な照度分布で照明す
る。レチクル１１上の照明領域１２Ｒ内のパターンを投
影光学系１３を介して投影倍率α（αは例えば１／４，
１／５等）で縮小した像が、フォトレジストが塗布され
たウエハ（感光基板）１４上の照明視野フィールド１２
Ｗに投影露光される。以下、投影光学系１３の光軸ＡＸ
に平行にＺ軸を取り、その光軸ＡＸに垂直な平面内で照
明領域１２Ｒに対するレチクル１１の走査方向（即ち、
図４の紙面に平行な方向）をＹ方向、その走査方向に垂
直な非走査方向をＸ方向として説明する。

【００４６】このとき、レチクルステージ１５はレチク
ルステージ駆動部１８によりＹ方向に走査される。外部
のレーザ干渉計１６により計測されるレチクルステージ
１５のＹ座標がステージコントローラ１７に供給され、
ステージコントローラ１７は供給された座標に基づいて
レチクルステージ駆動部１８を介して、レチクルステー
ジ１５の位置及び速度を制御する。

【００４７】一方、ウエハＷはウエハホルダＷＨを介し
てウエハステージ２８上に載置される。ウエハステージ
２８は、Ｚチルトステージ１９と、Ｚチルトステージ１
９が載置されるＸＹステージ２０とを有する。ＸＹステ
ージ２０は、Ｘ方向及びＹ方向にウエハＷの位置決めを
行うと共に、Ｙ方向にウエハＷを走査する。また、Ｚチ
ルトステージ１９は、ウエハＷのＺ方向の位置（フォー
カス位置）を調整すると共に、ＸＹ平面に対するウエハ
Ｗの傾斜角を調整する機能を有する。Ｚチルトステージ
１９上に固定された移動鏡、及び外部のレーザ干渉計２
２により計測されるＸＹステージ２０（ウエハＷ）のＸ
座標、及びＹ座標がステージコントローラ１７に供給さ
れ、ステージコントローラ１７は、供給された座標に基
づいてウエハステージ駆動部２３を介してＸＹステージ
２０の位置及び速度を制御する。

【００４８】また、ステージコントローラ１７の動作
は、不図示の装置全体を統轄制御する主制御系によって
制御されている。そして、走査露光時には、レチクル１
１がレチクルステージ１５を介して＋Ｙ方向（又は−Ｙ
方向）に速度Ｖ_Rで走査されるのに同期して、ＸＹステ
ージ２０を介してウエハＷは照明視野フィールド１２Ｗ
に対して−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に速度α・Ｖ_R（α
はレチクル１１からウエハＷに対する投影倍率）で走査
される。

【００４９】また、Ｚチルトステージ１９上のウエハＷ
の近傍に光変換素子からなる照度むらセンサ２１が常設
され、照度むらセンサ２１の受光面はウエハＷの表面と
同じ高さに設定されている。照度むらセンサ２１として
は、遠紫外で感度があり、且つパルス照明光を検出する
ために高い応答周波数を有するＰＩＮ型のフォトダイオ
ード等が使用できる。照度むらセンサ２１の検出信号が
不図示のピークホールド回路、及びアナログ／デジタル
（Ａ／Ｄ）変換器を介して露光コントローラ２６に供給
されている。

【００５０】なお、図４に示すビームスプリッタ７で反
射されたパルス照明光ＩＬは、集光レンズ２４を介して
光変換素子よりなるインテグレータセンサ２５で受光さ
れ、インテグレータセンサ２５の光電変換信号が、不図
示のピークホールド回路及びＡ／Ｄ変換器を介して出力
ＤＳとして露光コントローラ２６に供給される。インテ
グレータセンサ２５の出力ＤＳと、ウエハＷの表面上で
のパルス照明光ＩＬの照度（露光量）との相関係数は予
め照度計を用いて求められて露光コントローラ２６内に
記憶されている。露光コントローラ２６は、制御情報Ｔ
Ｓを露光用光源１に供給することによって、露光用光源
１の発光タイミング、及び発光パワー等を制御する。露
光コントローラ２６は、さらにエネルギー変調器２ｂで
の減光率を制御し、ステージコントローラ１７はステー
ジ系の動作情報に同期して可動照明視野絞り９Ｂの開閉
動作を制御する。

【００５１】次に、図５を参照して、この露光装置のウ
エハの搬送系及びプリアライメント系について説明す
る。図４に示したような露光装置の露光系１００は、空
調された第１の独立チャンバ１０１内に収納・設置され
ている。ウエハステージ２８（Ｚチルトステージ１９）
上にはウエハホルダＷＨが真空吸着により保持されてお
り、露光対象としてのウエハＷはウエハホルダＷＨ上に
真空吸着により保持される。

【００５２】ウエハＷの側面に形成されている位置検出
用のマークＭ１，Ｍ２が所定の方向を向くように、且つ
ウエハＷの中心がウエハホルダＷＨに対して所定の位置
関係になるように、ウエハホルダＷＨ上にウエハＷをロ
ードする。本実施形態では、そのウエハホルダＷＨ上へ
の搬入（ロード）、及びそのウエハホルダＷＨからのウ
エハの搬出（アンロード）を行うためのウエハ自動搬送
装置（搬送系）１０３を、第１の独立チャンバ１０１に
隣接する第２の独立チャンバ１０２内に設置している。

【００５３】ウエハ自動搬送装置１０３のガイド部を、
Ｘ方向に延びた横スライダ本体１０４、及びＹ方向に延
びた縦スライダ本体１０５より構成し、横スライダ本体
１０４上にＸ方向に摺動自在にスカラー型ロボットハン
ド１０６を配置する。スカラー型ロボットハンド１０６
は、ウエハＷを真空吸着する吸着部を有するハンド部１
０７を備えた多関節ロボットであり、横スライダ本体１
０４に沿ってＸ方向に移動されるとともに、ハンド部１
０７をθ及びＲ方向に自在に移動できる。

【００５４】横スライダ本体１０４の近傍には、ウエハ
Ｗを保管するための保管棚１０８，１０９が固定されて
いる。また、ウエハＷを一次的に載置するための仮置き
台１１０，１１１が設置されている。仮置き台１１０，
１１１上には、ウエハ載置用の複数個（４個）のピンが
装着されている。保管棚１０８，１０９の近傍、並びに
仮置き台１１０，１１１の近傍の独立チャンバ１０２の
側面には、それぞれ外部から保管棚１０８，１０９等を
交換するための開口１１２，１１３が設けられている。
これら開口１１２，１１３には、図示省略してある開閉
扉が装着された扉枠ユニットが装着される。

【００５５】スカラー型ロボットハンド１０６のハンド
部１０７を独立チャンバ１０２の左側面の開口１１４か
ら突き出すことにより、外部装置（外部のフォトレジス
トのコータ、又は現像装置等）に対するウエハＷの受け
渡しを行うことができ、別の位置Ｑ１でもウエハＷの受
け渡しを行うことができる。さらに、スカラー型ロボッ
トハンド１０６を位置Ｑ７に移動させて、独立チャンバ
１０２の右側面の開口１１５からハンド部１０７を突き
出すことにより、外部装置とウエハＷの受け渡しを行う
ことができ、別の位置Ｑ８でもウエハＷの受け渡しを行
うことができる。同様に、スカラー型ロボットハンド１
０６を位置Ｑ３、Ｑ５又はＱ６に移動させることによ
り、それぞれの保管棚１０８、仮置き台１１０又は仮置
き台１１１に対するウエハＷの受け渡しを行うことがで
きる。

【００５６】また、縦スライダ本体１０５は、独立チャ
ンバ１０１の側面の開口及び独立チャンバ１０２の側面
の開口を通して独立チャンバ１０１内に突き出してお
り、縦スライダ本体１０５の側面に長手方向に摺動自在
に、ウエハＷの接触部がコの字型の２個のスライダ（搬
送アーム）１１６，１１７が取り付けられている。これ
らの２個のスライダ１１６，１１７は、それぞれの真空
吸着部によりウエハＷを保持した状態で、独立チャンバ
１０１内と独立チャンバ１０２内との間を独立に移動す
る。そして、スカラー型ロボットハンド１０６は、例え
ば、保管棚１０８からウエハＷを取り出した後、位置Ｑ
４において、上下動可能なターンテーブル１１８を有す
るプリアライメント装置１１９を介してスライダ１１６
又は１１７にウエハＷを渡す。その後、スライダ１１６
又は１１７から露光後のウエハＷを同様にターンテーブ
ル１１８の上下動を介して受け取ったスカラー型ロボッ
トハンド１０６は、そのウエハＷを例えば保管棚１０８
に戻す。

【００５７】また、スカラー型ロボットハンド１０６の
ハンド部１０７、スライダ１１６、スライダ１１７のよ
うにウエハＷと接触する部分は、表面が緻密な導電性セ
ラミック等で形成する。ただし、そのウエハＷとの接触
部の表面に緻密な導電性セラミックをコーティング等に
より被着してもよい。

【００５８】第１プリアライメント装置横スライダ本体１０４と縦スライダ本体１０５とが交差
する領域付近、即ち位置Ｑ４の近傍には、ウエハＷの姿
勢を所定の基準にほぼ整合（一致）させるプリアライメ
ントを行うための第１プリアライメント装置（プリアラ
イメント・ステーション）１１９が設置されている。こ
のプリアライメント装置１１９は、スカラー型ロボット
ハンド１０６からウエハＷを受け取り、該ウエハＷの姿
勢を所定の基準に予備的に整合させるプリアライメント
を行う装置であり、ウエハＷはこの装置によりプリアラ
イメントされた後に、スライダ１１６又は１１７により
ウエハステージ２８の近傍まで搬送される。

【００５９】このプリアライメント装置１１９は、図６
に示されているように、ウエハＷを真空吸着する吸着部
を有するターンテーブル１１８を備え、このターンテー
ブル１１８は、真空吸着したウエハＷを該ウエハＷの表
面に概略直交する軸（Ｚ軸：投影光学系１３の光軸に平
行な軸）周りに回転させるとともに、その表面に概略沿
う平面内で２軸方向（ＸＹ方向）に及びＺ軸方向に移動
する機能を有している。

【００６０】また、このプリアライメント装置１１９
は、図７にも示されているように、ターンテーブル１１
８に吸着保持されたウエハＷのエッジ（周縁部）を光学
的に検出する一対のエッジ検出装置１２０及びウエハＷ
の側面に形成されている位置検出用のマークＭ１，Ｍ２
を光学的に検出するマーク検出装置１２１を備えてい
る。これらのエッジ検出装置１２０及びマーク検出装置
１２１は、この露光装置の不動部分に固定的に取り付け
られている。

【００６１】これらのエッジ検出装置１２０やマーク検
出装置１２１としては、この実施形態では、ＣＣＤ等の
固体撮像素子により撮影して、これを画像処理するよう
にしたものを採用している。なお、これらのエッジ検出
装置１２０やマーク検出装置１２１としては、発光素子
からの出射光又は対象物での反射光を受光素子で検出す
ることにより、あるいはレーザービームスキャン方式に
より、マークの位置又はウエハエッジを検出するように
したものを採用することもできる。なお、図７に示した
位置関係は、位置決め（プリアライメント）が完了した
時点のものを示しており、ウエハＷがターンテーブル１
１８上に吸着された時点では、通常はこれと異なる位置
関係にある。

【００６２】エッジ検出装置１２０及びマーク検出装置
１２１による検出信号は、主制御装置１２２に入力さ
れ、主制御装置１２２により画像認識等の所定の処理が
なされ、プリアライメント装置１１９によるウエハＷの
回転や移動が制御される。なお、主制御装置１２２は上
位のホストコンピュータ１２３に接続されている。

【００６３】スカラー型ロボットハンド１０６は、ウエ
ハＷの中心位置がターンテーブル１１８の回転中心にほ
ぼ合致するように、ターンテーブル１１８上にウエハＷ
を載置する。この際にウエハＷの裏面にスライダ１１６
又は１１７を移動させておく。ターンテーブル１１８上
でウエハＷは真空吸着される。

【００６４】ターンテーブル１１８にウエハＷを真空吸
着したならば、マーク検出装置１２１がウエハＷの側面
を画像認識している状態で、ターンテーブル１１８を回
転して、マーク検出装置１２１によりウエハＷの側面の
位置検出用のマークＭ１（Ｍ２でも良い）を検出する。

【００６５】次に、このマークＭ１の回転基準位置（例
えば、前述の如くスタートマークブロックＭａ）を、マ
ーク検出装置１２１の所定の基準に整合するようにター
ンテーブル１１８を回転制御しつつ、ウエハＷのエッジ
がエッジ検出装置１２０，１２０の所定の基準に整合す
るようにウエハＷをＸＹ方向（ウエハ面内方向）に移動
制御する。これにより、ウエハＷのプリアライメントが
完了する。

【００６６】その後、ターンテーブル１１８によるウエ
ハＷの吸着を解除し、ターンテーブル１１８を下降し、
スライダ１１６又は１１７の上面にウエハＷを真空吸着
する。次いで、そのスライダ１１６又は１１７を縦スラ
イダ本体１０５に沿って独立チャンバ１０１側に移動さ
せ、複数の上下動可能なピン等から構成されるウエハ受
渡し装置（不図示）によりそのスライダ１１６又は１１
７からウエハホルダＷＨ上にウエハＷを移す。この際
に、ウエハＷの中心及びマークＭ１の位置がほぼ正確に
所定の状態になってウエハＷがウエハホルダＷＨの上に
載置される。

【００６７】第２プリアライメント装置ウエハステージ２８のウエハホルダＷＨ上にウエハ受渡
し装置により載置されたウエハＷはウエハホルダＷＨに
真空吸着により保持され、この状態で、再度プリアライ
メントが実施される。このため、この実施形態では、第
２プリアライメント装置が設けられている。この第２プ
リアライメント装置は、図６及び図８に示されているよ
うに、ウエハステージ２８上のウエハホルダＷＨに吸着
保持されたウエハＷのエッジ（周縁部）を光学的に検出
する一対のエッジ検出装置１３０及びウエハＷの側面に
形成されている位置検出用のマークＭ１，Ｍ２を光学的
に検出するマーク検出装置１３１を備えている。これら
のエッジ検出装置１３０及びマーク検出装置１３１は、
この露光装置の不動部分（投影光学系が固定されている
コラム等）に取り付けられている。

【００６８】これらのエッジ検出装置１３０やマーク検
出装置１３１としては、この実施形態では、上述したエ
ッジ検出装置１２０やマーク検出装置１２１と同様に、
ＣＣＤ等の固体撮像素子により撮影して、これを画像処
理するようにしたものを採用している。これらのエッジ
検出装置１３０やマーク検出装置１３１としては、発光
素子からの出射光又は対象物での反射光を受光素子で検
出することにより、あるいはレーザービームスキャン方
式により、マークの位置又はウエハエッジを検出するよ
うにしたものを採用することもできる。なお、図８に示
した位置関係は、位置決め（プリアライメント）が完了
した時点のものを示しており、ウエハＷがウエハホルダ
ＷＨ上に吸着された時点では、通常はこれと異なる位置
関係にある。

【００６９】なお、この実施形態では、上述の第１プリ
アライメント装置１１９のマーク検出装置１２１及びこ
の第２プリアライメント装置のマーク検出装置１３１
は、両方ともＩＤ番号等の読み取りのため、画像認識機
能を有するものを採用しているが、どちらか一方は画像
認識機能を有しない構成がより簡略な検出装置を使用す
ることができる。

【００７０】エッジ検出装置１３０及びマーク検出装置
１３１による検出信号は、主制御装置１２２に入力さ
れ、主制御装置１２２により画像認識等の所定の処理が
なされ、ウエハステージ２８によるウエハＷの回転や移
動がステージコントローラ１７を介して制御される。

【００７１】ウエハホルダＷＨにウエハＷを真空吸着し
たならば、マーク検出装置１３１がウエハＷの側面を画
像認識している状態で、ウエハステージ２８を回転し
て、マーク検出装置１３１によりウエハＷの側面の位置
検出用のマークＭ１（Ｍ２でも良い）を検出する。

【００７２】次に、このマークＭ１の回転基準位置（例
えば、前述の如くスタートマークブロックＭａ）を、マ
ーク検出装置１３１の所定の検出基準に整合するように
ウエハステージ２８を回転制御しつつ、ウエハＷのエッ
ジがエッジ検出装置１３０，１３０の所定の基準に整合
するようにウエハＷをＸＹ方向（ウエハ面内方向）に移
動制御する。これにより、ウエハＷのプリアライメント
が完了する。ウエハステージ２８によるウエハＷの回転
と移動は通常はわずかでよく、これは第１プリアライメ
ント装置１１９により既にプリアライメントされている
ためである。

【００７３】なお、第１プリアライメント装置１１９に
よりウエハＷの完全なプリアライメントを行うようにす
れば、第２プリアライメント装置によるプリアライメン
トは行わないようにすることもできるが、スライダ１１
６又は１１７によるウエハＷの搬送に伴うウエハＷの位
置ズレが発生する恐れもあるため、ウエハステージ２８
上でもプリアライメントを行うようにすることが望まし
い。

【００７４】また、このように第１及び第２プリアライ
メント装置により２回のプリアライメントを行うように
すれば、第１プリアライメント装置１１９によるプリア
ライメントの精度をある程度緩和することができるか
ら、第１プリアライメント装置１１９の構成を簡略化す
ることができるとともに、第２プリアライメント装置に
よるプリアライメントにおいても、ウエハＷの調整範囲
（回転、移動）が小さくて済むため、例えばウエハホル
ダＷＨの回転角度範囲を小さくできる等、その構成を簡
略化することができる。

【００７５】第２プリアライメント装置によるプリアラ
イメントの完了後、続いてファインアライメントを実行
する。このファインアライメントは、ファインアライメ
ント顕微鏡１３３により、ウエハＷの表面に回路パター
ンと共に形成されたファインアライメントマークを位置
検出するものである。この位置検出値より、既存の回路
パターンの位置を推定することができるので、レチクル
１１上のパターンを、その既存パターン上に正確に重ね
合わせて転写露光することが可能となる。

【００７６】なお、ウエハＷの側面の位置検出用のマー
クＭ１，Ｍ２にＩＤ番号を含ませた場合には、このＩＤ
番号を読み込み、そのウエハＷの過去の製造履歴を利用
して、ファインアライメントを行うようにでき、これに
より、パターンの重ね合わせ精度をさらに向上すること
ができる。

【００７７】例えば、各露光工程毎に、使用した露光装
置の主制御装置１２２を介して、これらの露光装置、あ
るいはさらに他の製造装置を管理するホストコンピュー
タ１２３に、各ウエハ毎（各ＩＤ番号毎）に、使用した
露光装置、各種露光条件等を伝達及び記憶させておく。

【００７８】そして、次工程で、この工程で露光（形
成）したパターンに位置合わせする必要が生じた際に
は、その装置（先の工程とは別の装置であっても良い）
の主制御装置を介して、ホストコンピュータ１２３が記
憶している、このウエハＷ（このＩＤ番号）の過去の露
光条件データを照会する。そして、露光装置間の装置間
オフセット（投影光学系１３のディストーション差や、
ウエハステージ２８の違いによる露光ショットの配列の
差等）を照会し、それに基づいて、ファインアライメン
ト顕微鏡１３３によるマーク検出結果に補正を加えて露
光処理を実施することにより、パターンの重ね合わせ精
度をさらに向上させることができる。なお、図６におい
て、１３４は照明光学系を示し、１３５は定盤を示して
いる。

【００７９】アライメントマーク検出専用装置上述の露光装置には図示は省略するが、アライメントマ
ーク検出専用装置を付属せしめる場合があるが、このア
ライメントマーク検出専用装置に上述の第１又は第２プ
リアライメント装置と同様な装置を具備させることがで
きる。

【００８０】このアライメントマーク検出専用装置は、
露光装置（ステッパー）の一般的なファインアライメン
ト顕微鏡（１３３）と、それより性能の優れた高精度顕
微鏡（ファインアライメント顕微鏡よりも大きな開口数
を有する）の両者を備えている。高精度顕微鏡等による
アライメントマークの検出処理の前に、まず、ウエハＷ
のプリアライメントを行うとともに、ＩＤ番号を検出
し、検出したＩＤ番号をホストコンピューター１２３に
転送等することにより、以下のような露光方法を、容易
に実現することが可能となる。

【００８１】即ち、露光装置で露光する前のウエハＷ
を、アライメントマーク検出専用装置にかけ、高精度顕
微鏡でゆっくり時間をかけて、ウエハ上に形成されてい
るファインアライメントマークを検出し、それと同時に
露光装置に具備されているファインアライメント顕微鏡
１３３と同じ顕微鏡を使用しての検出も行ない、両者の
検出結果の差を補正値として求めておく。

【００８２】続いて、このウエハＷを露光装置に送り、
露光装置のファインアライメント顕微鏡１３３でウエハ
Ｗ上のファインアライメントマークを検出して、この検
出結果を前記アライメントマーク検出専用装置で求めて
おいた補正値で補正してアライメントを行う。ファイン
アライメント顕微鏡１３３は、その開口数が小さい等の
理由でそれほど高精度は望めないが、アライメントマー
ク検出専用装置で求めておいた補正値で補正することに
より、前記高精度顕微鏡でゆっくり時間をかけて精密に
アライメントマークの検出を行った場合に近い高精度の
アライメントが可能となり、しかもそのアライメントに
要する時間を短くすることができる。

【００８３】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。上述した実施形態では、いわゆるステッ
プ・アンド・スキャン方式の露光装置を一例として説明
したが、本発明は、この方式の露光装置に限定されず、
いわゆるステップ・アンド・リピート方式の露光装置及
びその他の方式の露光装置にも適用することができる。

【００８４】本発明が適用される露光装置での露光用照
明光は、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザなどに限ら
れるものではなく、例えばＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ₂
レーザ（波長１５７ｎｍ）、あるいはＹＡＧレーザなど
の高調波などを用いてもよい。また、例えば５〜１５ｎ
ｍ（軟Ｘ線領域）に発振スペクトルを持つＥＵＶ（Ｅｘ
ｔｒｅｍｅＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を用いる縮
小投影型走査露光装置、あるいは硬Ｘ線領域、例えば波
長が１ｎｍ程度の露光用照明光を用いるプロキシミティ
ー方式の露光装置などにも本発明を適用できる。さらに
本発明は、露光装置だけでなく、半導体ウエハを取り扱
う全ての装置、例えば検査装置、レーザリペア装置にも
適用できる。

【００８５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
半導体ウエハの結晶方位の判別や位置決めに要する時間
を短縮でき、プリアライメントの高効率化を実現するこ
とができる。また、ウエハの変形等やウエハＩＤの消失
ということもなくなり、優れた特性を有する半導体装置
の製造を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の半導体ウエハの構成を示
す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。

【図２】本発明の実施形態の半導体ウエハの側面に形
成されるバーコードにより表示されたマークの例を示す
図である。

【図３】本発明の実施形態の半導体ウエハの側面に形
成されるマトリックスコードにより表示されたマークの
例を示す図である。

【図４】本発明の実施形態の露光装置の露光系の構成
を示す側面図である。

【図５】本発明の実施形態の露光装置の全体構成を示
す平面断面図である。

【図６】本発明の実施形態の露光装置の要部構成を示
す側面図である。

【図７】本発明の実施形態の第１プリアライメント装
置の要部構成を示す平面図である。

【図８】本発明の実施形態の第２プリアライメント装
置の要部構成を示す平面図である。

【符号の説明】

Ｗ… ウエハＷＨ… ウエハホルダＭ１，Ｍ２… マーク（コード）２８… ウエハステージ１１８… ターンテーブル１１９… プリアライメント装置１２０，１３０… エッジ検出装置１２１，１３１… マーク検出装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/30 ５２５Ｅ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】略円形状の半導体ウエハであって、その
側面の複数箇所にそれぞれ結晶方位を表す識別コードを
有することを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項２】前記複数の識別コードは、前記側面に不
等間隔で設けられていることを特徴とする請求項１に記
載の半導体ウエハ。
【請求項３】露光対象としての半導体ウエハの側面に
設けられた位置検出用のマークを検出して、該検出結果
に基づき該半導体ウエハを所定の基準に整合させるプリ
アライメント装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項４】前記半導体ウエハの前記マークは、該マ
ークの位置とウエハの結晶方位との関係を示す位置情報
又は当該半導体ウエハを他の半導体ウエハから識別する
ための識別情報を含み、前記プリアライメント装置は前
記マークの位置及び内容に基づき該半導体ウエハを所定
の基準に整合させることを特徴とする請求項３に記載の
露光装置。
【請求項５】前記半導体ウエハの前記マークは、バー
コード又はマトリックスコードで表示されていることを
特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項６】前記プリアライメント装置は、前記半導
体ウエハを移動するウエハステージ上に載置された又は
載置される前の半導体ウエハを所定の基準に整合させる
装置であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか
に記載の露光装置。
【請求項７】前記プリアライメント装置は、前記半導
体ウエハを該ウエハの表面に略直交する軸線周りに回転
させるウエハ回転装置と、前記半導体ウエハの前記マー
クを検出するマーク検出装置と、前記マーク検出装置に
より検出された前記マークの位置及び内容に基づき、前
記半導体ウエハが所定の基準に整合するように前記ウエ
ハ回転装置を制御する制御装置と、を備えて構成される
ことを特徴とする請求項６記載の露光装置。
【請求項８】その側面に位置検出用のマークが形成さ
れた半導体ウエハを搬送し、該半導体ウエハの側面に形成されたマークを検出して、
該検出結果に基づき該半導体ウエハを所定の基準に整合
させ、その後に、ステージ上に前記半導体ウエハを載置して、
露光処理を行うことを特徴とする露光方法。
【請求項９】前記半導体ウエハの搬送路に配置される
プリアライメント装置にて前記マークの検出を行うこと
を特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】半導体ウエハ上に位置整合してパター
ンを転写する露光装置に使用する位置決め方法であっ
て、前記半導体ウエハのエッジの位置及び該側面に形成され
た位置検出用のマークを検出し、その検出結果に基づい
て、該半導体ウエハを位置決めすることを特徴とする半
導体ウエハの位置決め方法。
【請求項１１】前記マークは、当該半導体ウエハを他
の半導体ウエハから識別するための識別コードを含み、
この識別コードを認識し、該識別コードより判別される
該半導体ウエハの製造履歴データに基づいて、該半導体
ウエハの位置決めを行うことを特徴とする請求項１０に
記載の半導体ウエハの位置決め方法。