JP6262574B2 - プログラマブルロジックデバイス - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の一例について説明する。本発明の一態様に係る半導体装置は、プログラマブルロジックデバイス(以下、「PLD」ともいう)に適用可能である。
本実施の形態では、実施の形態1の半導体装置を適用したPLDの一例を示す。
本実施の形態では、トランジスタの半導体層に適用可能な酸化物半導体について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置又はPLDに適用可能なトランジスタ及び容量素子の一例について説明する。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明したトランジスタで構成される回路を電子部品に適用する例、及び該電子部品を具備する電子機器に適用する例について、図13、図14を用いて説明する。
20 ロジックエレメント部
40 部
60 ドライバ
70 駆動回路
80 駆動回路
100 セル
101 トランジスタ
102 トランジスタ
103 トランジスタ
104 容量素子
110 メモリ回路
111 インバータ回路
112 インバータ回路
200 ロジックエレメント
210 イネーブルバッファ
300 リセット回路
301 トランジスタ
400 回路
401 排他的論理和回路
500 回路
600 ラッチ回路
601 トランジスタ
602 インバータ回路
700 電子部品
701 リード
702 プリント基板
703 半導体装置
704 実装基板
800 半導体基板
801 素子分離用絶縁膜
802 不純物領域
803 不純物領域
804 ゲート電極
805 ゲート絶縁膜
809 絶縁膜
810 配線
811 配線
812 配線
815 配線
816 配線
817 配線
820 絶縁膜
821 配線
830 半導体膜
830a 酸化物半導体層
830b 酸化物半導体層
830c 酸化物半導体層
831 ゲート絶縁膜
832 導電膜
833 導電膜
834 ゲート電極
835 導電膜
841 絶縁膜
843 導電膜
901 筐体
902 筐体
903a 表示部
903b 表示部
904 選択ボタン
905 キーボード
910 電子書籍
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 軸部
916 電源
917 操作キー
918 スピーカー
920 テレビジョン装置
921 筐体
922 表示部
923 スタンド
924 リモコン操作機
930 本体
931 表示部
932 スピーカー
933 マイク
934 操作ボタン
941 本体
942 表示部
943 操作スイッチ
BLINE 配線
COMP 配線
CONTEXT 配線
EN 配線
IN 配線
WLINE 配線
OUT 配線
CK 配線
INIT 配線
Claims (4)
- 第1の配線に入力されたコンフィギュレーションデータを格納するメモリ回路と、
前記メモリ回路に格納された前記コンフィギュレーションデータに応じて、第2の配線と第3の配線との導通又は非導通を制御するスイッチと、
ロジックエレメントの出力信号の前記第2の配線への出力の有無を制御する第1の回路と、
前記第1の配線の電位と前記第2の配線の電位とを比較し、前記第1の配線の電位と前記第2の配線の電位との比較結果に基づいた信号を出力する第2の回路と、
前記第3の配線に所定の電位を供給する第3の回路と、を有することを特徴とするプログラマブルロジックデバイス。 - 第1の配線に入力されたコンフィギュレーションデータを格納するメモリ回路と、
前記メモリ回路に格納された前記コンフィギュレーションデータに応じて、第2の配線と第3の配線との導通又は非導通を制御するスイッチと、
ロジックエレメントの出力信号の前記第2の配線への出力の有無を制御する第1の回路と、
前記第2の配線の電位を検出し、前記第2の配線の電位に応じた信号を出力する第2の回路と、
前記第3の配線に所定の電位を供給する第3の回路と、を有することを特徴とするプログラマブルロジックデバイス。 - 請求項1又は請求項2において、
前記メモリ回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記スイッチの制御端子と電気的に接続されることを特徴とするプログラマブルロジックデバイス。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第2の配線と電気的に接続されたプルアップ回路を有することを特徴とするプログラマブルロジックデバイス。
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