JPS63309023A - プログラマブル論理回路装置 - Google Patents
プログラマブル論理回路装置Info
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- JPS63309023A JPS63309023A JP62144010A JP14401087A JPS63309023A JP S63309023 A JPS63309023 A JP S63309023A JP 62144010 A JP62144010 A JP 62144010A JP 14401087 A JP14401087 A JP 14401087A JP S63309023 A JPS63309023 A JP S63309023A
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- 238000012795 verification Methods 0.000 abstract description 7
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 30
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 22
- 230000006870 function Effects 0.000 description 21
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 101100322582 Streptomyces coelicolor (strain ATCC BAA-471 / A3(2) / M145) add1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/3185—Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning
- G01R31/318516—Test of programmable logic devices [PLDs]
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
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- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、プログラム可能なセルアレイと、該セルアレ
イにデータを書込むための回路と、咳書込まれたデータ
を読出すための回路を備えたプログラマブル論理回路装
置であって、該データ続出し用回路を通して読出された
データを上述の書込まれたデータと比較する回路を備え
、この比較結果に基づき書込み用データが正常に書込ま
れたか否かを指示する信号を外部に出力することにより
、書込まれたデータ(論理パターン)の保護、すなわち
信頼性の高い機密保持を可能にすると共に、ベリファイ
・チェックの効率化を図るものである。
イにデータを書込むための回路と、咳書込まれたデータ
を読出すための回路を備えたプログラマブル論理回路装
置であって、該データ続出し用回路を通して読出された
データを上述の書込まれたデータと比較する回路を備え
、この比較結果に基づき書込み用データが正常に書込ま
れたか否かを指示する信号を外部に出力することにより
、書込まれたデータ(論理パターン)の保護、すなわち
信頼性の高い機密保持を可能にすると共に、ベリファイ
・チェックの効率化を図るものである。
本発明は、プログラマブル論理回路装置に関し、より詳
細には、プログラム可能なセルアレイを有し、このセル
アレイに書込まれたデータ(論理パターン)の読出しを
行なって該データが正常に書込まれたか否かをチェック
(ベリファイ・チェッり)する技術に関する。
細には、プログラム可能なセルアレイを有し、このセル
アレイに書込まれたデータ(論理パターン)の読出しを
行なって該データが正常に書込まれたか否かをチェック
(ベリファイ・チェッり)する技術に関する。
プログラム可能な論理デバイス(Progra++++
++ableLogic Device; P L D
) 、例えばPI、A (Progra−mmable
Logic Array) 、P A L (Pro
grammableArray Logic) C登録
商標名〕等においては、成る論理を実現するための論理
パターンは設計者の財産であり、それ故、その論理パタ
ーンすなわちデータが設計者以外の他人に容易にコピー
されないように、デバイス自体にデータ保護機能(セキ
ュリティ機能)を持たせる必要がある。
++ableLogic Device; P L D
) 、例えばPI、A (Progra−mmable
Logic Array) 、P A L (Pro
grammableArray Logic) C登録
商標名〕等においては、成る論理を実現するための論理
パターンは設計者の財産であり、それ故、その論理パタ
ーンすなわちデータが設計者以外の他人に容易にコピー
されないように、デバイス自体にデータ保護機能(セキ
ュリティ機能)を持たせる必要がある。
このセキュリティ機能を実現するために、従来のPL、
Dにおいては不揮発性のメモリ素子、例えばラスト・ヒ
ユーズ(Last Fuse)を用いた読出し禁止回路
が設けられている。この読出し禁1F回路は、ラスト・
ヒユーズを外部から大電流を供給することによって溶断
することにより活性化され、それによって、セルアレイ
に書込まれたデータの読出しを不可能にするものである
。その一方で、読出し禁止回路は、該回路内の一部分に
レーザスポット等を当てることにより不活性化され、そ
れによって、セルアレイに書込まれたデータの読出しを
可能にする。このデータの読出しは、デバイスの出荷時
にデータ保護機能を試験する場合、論理パターンの設計
者が書込んだデータを千−、ツタする場合等に行われる
もので、特別の目的がない限り、設計者以外の他人によ
って容易にコピーされないようにする観点から禁止され
ている。
Dにおいては不揮発性のメモリ素子、例えばラスト・ヒ
ユーズ(Last Fuse)を用いた読出し禁止回路
が設けられている。この読出し禁1F回路は、ラスト・
ヒユーズを外部から大電流を供給することによって溶断
することにより活性化され、それによって、セルアレイ
に書込まれたデータの読出しを不可能にするものである
。その一方で、読出し禁止回路は、該回路内の一部分に
レーザスポット等を当てることにより不活性化され、そ
れによって、セルアレイに書込まれたデータの読出しを
可能にする。このデータの読出しは、デバイスの出荷時
にデータ保護機能を試験する場合、論理パターンの設計
者が書込んだデータを千−、ツタする場合等に行われる
もので、特別の目的がない限り、設計者以外の他人によ
って容易にコピーされないようにする観点から禁止され
ている。
しかしながら、データを書込んだ後で読出し禁止回路の
活性化を行なった場合でも、読出しが可能になることが
あり得る。例えば、セキュリティ機能を実現するための
不揮発性のメモリ素子として消去およびプログラム可能
な読出し専用メモリ(Erasable and Pr
ogrammable Read 0nly Memo
ry;EPROM)を用いたPLDの場合には、セルに
情報が書込まれている時は論理パターン続出し禁止状態
になり、セルに情報が書込まれていない時は論理パター
ン読出し許可状態になる。しかじながら、EPROMセ
ル内の絶縁膜の劣化等に起因してセル・リークが生じ、
それによって、読出し禁止状態を解除していないにもか
かわらず等価的に読出し許可状態となっている場合があ
る。このような状態で設計者以外の他人が読出し操作を
行えば、設計者本人が意図していないにもかかわらず、
書込まれている論理パターンは容易に読出されてしまう
。つまり、データの機密保持を図ることができない。
活性化を行なった場合でも、読出しが可能になることが
あり得る。例えば、セキュリティ機能を実現するための
不揮発性のメモリ素子として消去およびプログラム可能
な読出し専用メモリ(Erasable and Pr
ogrammable Read 0nly Memo
ry;EPROM)を用いたPLDの場合には、セルに
情報が書込まれている時は論理パターン続出し禁止状態
になり、セルに情報が書込まれていない時は論理パター
ン読出し許可状態になる。しかじながら、EPROMセ
ル内の絶縁膜の劣化等に起因してセル・リークが生じ、
それによって、読出し禁止状態を解除していないにもか
かわらず等価的に読出し許可状態となっている場合があ
る。このような状態で設計者以外の他人が読出し操作を
行えば、設計者本人が意図していないにもかかわらず、
書込まれている論理パターンは容易に読出されてしまう
。つまり、データの機密保持を図ることができない。
ところで、論理パターンの読出しは、書込み確認(ベリ
ファイ・チェック)やコピーのために行われることが多
い。現在、PLAへの書込みはソフトウェアの下で行わ
れるので、コピーの場合はそのソフトウェアの下で行え
ばよい。そして、ヘリファイ・チェックについては、セ
ルに書込んだデータと該書込まれたデータが一致するか
どうかを確認、するだけであるので、書込まれたデータ
をチップの外に読出す必要はない。
ファイ・チェック)やコピーのために行われることが多
い。現在、PLAへの書込みはソフトウェアの下で行わ
れるので、コピーの場合はそのソフトウェアの下で行え
ばよい。そして、ヘリファイ・チェックについては、セ
ルに書込んだデータと該書込まれたデータが一致するか
どうかを確認、するだけであるので、書込まれたデータ
をチップの外に読出す必要はない。
本発明は、上述した従来技術における問題点に鑑み創作
されたもので、書込まれたデータ(論理パターン)の保
護、すなわち信軌性の高い機密保持を可能にすると共に
、ヘリファイ・チェックの効率化を図ることができるプ
ログラマブル論理回路装置を堤供することを目的として
いる。
されたもので、書込まれたデータ(論理パターン)の保
護、すなわち信軌性の高い機密保持を可能にすると共に
、ヘリファイ・チェックの効率化を図ることができるプ
ログラマブル論理回路装置を堤供することを目的として
いる。
上述した従来技術における問題点は、セルアレイに書込
んだデータと、書込まれてセルアレイから読出されたデ
ータとが一致するかどうかのlII E’2をチップの
内部で行わせ、チップの外にはその確認結果のみを出力
させるように構成することにより、解決され得る。
んだデータと、書込まれてセルアレイから読出されたデ
ータとが一致するかどうかのlII E’2をチップの
内部で行わせ、チップの外にはその確認結果のみを出力
させるように構成することにより、解決され得る。
すなわち、本発明によるプログラマブル論理回路装置は
、プログラム可能なセルアレイと、所定レベルのプログ
ラム信号に応答し、データをアドレス指定に基づき選択
された該セルアレイ内のセルに書込むデータ書込み用回
路と、所定レベルの出力イネーブル信号に応答し、該選
択されたセルに書込まれたデータをアドレス指定に基づ
き読出ずデータ読出し用回路と、該データ読出し用回路
を通して読出されたデータを前記書込まれたデータと比
較する回路とを備え、該比較回路における比較結果に基
づき前記データが正常に書込まれたか否かを指示する信
号を外部に出力するようにした、ことを特徴としている
。
、プログラム可能なセルアレイと、所定レベルのプログ
ラム信号に応答し、データをアドレス指定に基づき選択
された該セルアレイ内のセルに書込むデータ書込み用回
路と、所定レベルの出力イネーブル信号に応答し、該選
択されたセルに書込まれたデータをアドレス指定に基づ
き読出ずデータ読出し用回路と、該データ読出し用回路
を通して読出されたデータを前記書込まれたデータと比
較する回路とを備え、該比較回路における比較結果に基
づき前記データが正常に書込まれたか否かを指示する信
号を外部に出力するようにした、ことを特徴としている
。
〔作 用]
上述した構成によれば、比較回路において、データ読出
し用回路を通して読出されたデータとセルに書込まれた
データとが比較され、その比較結果、すなわちセルにデ
ータが正常に書込まれたか否かを指示する信号が外部に
出力されるようになっている。つまり、セルに書込まれ
たデータはチップの外には読出されず、単に、ベリファ
イ・チェックの結果のみがチップの外に出力されるよう
になっている。これによって、設計者の財産であるデー
タ(論理パターン)の保護を厳密な意味で実現すること
が可能となる。
し用回路を通して読出されたデータとセルに書込まれた
データとが比較され、その比較結果、すなわちセルにデ
ータが正常に書込まれたか否かを指示する信号が外部に
出力されるようになっている。つまり、セルに書込まれ
たデータはチップの外には読出されず、単に、ベリファ
イ・チェックの結果のみがチップの外に出力されるよう
になっている。これによって、設計者の財産であるデー
タ(論理パターン)の保護を厳密な意味で実現すること
が可能となる。
また、書込んだデータと、書込まれ、そして続出された
データとが一致するか、あるいは一致しないかを逐一比
較する必要がなく、単に、チップの外に出力された信号
のレベルを見るだけでベリファイ・チェックを行うこと
ができ、その効率化を図ることができる。
データとが一致するか、あるいは一致しないかを逐一比
較する必要がなく、単に、チップの外に出力された信号
のレベルを見るだけでベリファイ・チェックを行うこと
ができ、その効率化を図ることができる。
〔実施例]
第1図には本発明の一実施例としてのプログラマブル論
理回路装置の全体的な構成がブロック的に示される。
理回路装置の全体的な構成がブロック的に示される。
同図において、1はPLAであって、後述されるように
、所定の論理を実現するためのプログラム可能なセルア
レイ、すなわちANDアレイおよびORアレイを有して
いる。2はデータ書込み用回路であって、データ入力ハ
ッファ、デコーダ等を有し、データ書込み用のロー・ア
クティブのプログラム信号PGMと、データが書込まれ
るべきセルを選択するのに用いられるアドレス信号AD
旧とに応答し、該選択されたセルにデータDIを書込む
機能を有している。同様に、3はデータ読出し用回路で
あって、データ出カバソファ、デコーダ等を有し、デー
タ読出し用のロー・アクティブの出力イネーブル信号面
と、謹書体まれたデータを読出すのに用いられるアドレ
ス信号ADDoとに応答し、謹書体まれたデータを続出
しデータDOとして出力する機能を有している。
、所定の論理を実現するためのプログラム可能なセルア
レイ、すなわちANDアレイおよびORアレイを有して
いる。2はデータ書込み用回路であって、データ入力ハ
ッファ、デコーダ等を有し、データ書込み用のロー・ア
クティブのプログラム信号PGMと、データが書込まれ
るべきセルを選択するのに用いられるアドレス信号AD
旧とに応答し、該選択されたセルにデータDIを書込む
機能を有している。同様に、3はデータ読出し用回路で
あって、データ出カバソファ、デコーダ等を有し、デー
タ読出し用のロー・アクティブの出力イネーブル信号面
と、謹書体まれたデータを読出すのに用いられるアドレ
ス信号ADDoとに応答し、謹書体まれたデータを続出
しデータDOとして出力する機能を有している。
4はデータ・ランチ回路を示し、上述のプログラム信号
面に応答し、データ端子D1〜D6を通して人力された
データDIをラッチしてデータ書込み用回路2に供給す
る。このデータ書込み用回路2に入力されるデータは、
プログラム信号PGMがL”レベルから1lH1lレベ
ルに変化した時にデータ・ランチ回路4においてラッチ
されたデータDIである。このデータDIは比較回路5
にも供給される。
面に応答し、データ端子D1〜D6を通して人力された
データDIをラッチしてデータ書込み用回路2に供給す
る。このデータ書込み用回路2に入力されるデータは、
プログラム信号PGMがL”レベルから1lH1lレベ
ルに変化した時にデータ・ランチ回路4においてラッチ
されたデータDIである。このデータDIは比較回路5
にも供給される。
比較回路5は、データ読出し用回路3から読出されたデ
ータDoをデータ・ラッチ回路4からのデータDIと比
較し、その比較に基づく結果を出力イネーブル信号面に
応答して端子Cに出力する機能を有している。この比較
回路5からの出力信号(VPとする)は、出力イネーブ
ル信号OEが“L”レベルに変化した時点からH”レベ
ルに変化する時点までの間に出力されるものであり、そ
の内容は、データDIがセルアレイに正常に書込まれた
か否かを指示している。
ータDoをデータ・ラッチ回路4からのデータDIと比
較し、その比較に基づく結果を出力イネーブル信号面に
応答して端子Cに出力する機能を有している。この比較
回路5からの出力信号(VPとする)は、出力イネーブ
ル信号OEが“L”レベルに変化した時点からH”レベ
ルに変化する時点までの間に出力されるものであり、そ
の内容は、データDIがセルアレイに正常に書込まれた
か否かを指示している。
従って、第1図に示されるデバイスの構成によれば、デ
ータ端子D1〜D8を通して入力したデータがセルアレ
イに正常に書込まれ、しかもそのデータを正常に読出す
ことができるか否かをチェックする(ベリファイ・チェ
’7り)場合に、単に、端子Cより出力される信号vP
が所定のレベルにあるか否かを確認するだけでよい。こ
れは、ベリファイ・チェックの効率化を促進するもので
ある。
ータ端子D1〜D8を通して入力したデータがセルアレ
イに正常に書込まれ、しかもそのデータを正常に読出す
ことができるか否かをチェックする(ベリファイ・チェ
’7り)場合に、単に、端子Cより出力される信号vP
が所定のレベルにあるか否かを確認するだけでよい。こ
れは、ベリファイ・チェックの効率化を促進するもので
ある。
しかも、書込まれたデータ自体はチップの外には読出さ
れないので、データの機密保持という観点から極めて有
効である。
れないので、データの機密保持という観点から極めて有
効である。
第2図には第1図のPLAおよびその周辺回路の一構成
例がブロック的に示される。
例がブロック的に示される。
第2図の各回路を第1図の各回路と対応付けると、P
L A 1は、ANDアレイ21とORアレイ22と積
項線バッファ28とに対応し、データ書込み用回路2は
、デコーダ24およびデータ人力バッファ24八、また
はOR書込み用コラムデコーダ25およびデータ人力バ
ッファ25Aに対応し、データ読出し用回路3は、AN
D読出し用コラムデコーダ26およびデータ出カバソフ
ァ26へ、またはOR読出し用コラムデコーダ27およ
びデータ出力バッファ27Aに対応している。
L A 1は、ANDアレイ21とORアレイ22と積
項線バッファ28とに対応し、データ書込み用回路2は
、デコーダ24およびデータ人力バッファ24八、また
はOR書込み用コラムデコーダ25およびデータ人力バ
ッファ25Aに対応し、データ読出し用回路3は、AN
D読出し用コラムデコーダ26およびデータ出カバソフ
ァ26へ、またはOR読出し用コラムデコーダ27およ
びデータ出力バッファ27Aに対応している。
第2図において、ANDアレイ21は、44本の入力項
線Eと128本の積項線PAとの交差部にそれぞれ記憶
セルとしてEPROMセル(図示せず)を有し、該入力
項線が選択された時に論理積演算を行うものである。O
Rアレイ22は、128木の積項線POと62本の出力
項綿Aとの交差部にEPROMセルを有し、上述の入力
項線が選択された時に論理和演算を行うものである。
線Eと128本の積項線PAとの交差部にそれぞれ記憶
セルとしてEPROMセル(図示せず)を有し、該入力
項線が選択された時に論理積演算を行うものである。O
Rアレイ22は、128木の積項線POと62本の出力
項綿Aとの交差部にEPROMセルを有し、上述の入力
項線が選択された時に論理和演算を行うものである。
ANDアレイ21の入力項線Eには入力バッファ23が
接続されており、該入カバソファは、アドレス人力AD
D、に基づいて入力項線Eのいずれかを選択するロウデ
コーダとして機能する。さらに入力バッファ23は、デ
ータ書込み時には該入力項線をデータ書込み用の高い電
圧(Vpp; 12.5V)に駆動する機能を有してい
る。
接続されており、該入カバソファは、アドレス人力AD
D、に基づいて入力項線Eのいずれかを選択するロウデ
コーダとして機能する。さらに入力バッファ23は、デ
ータ書込み時には該入力項線をデータ書込み用の高い電
圧(Vpp; 12.5V)に駆動する機能を有してい
る。
ANDアレイ21の積項線PAにはデコーダ24が接続
され、さらに該デコーダにはデータ人力バッファ24A
が接続され、このデータ人力バッファ24Aは、プログ
ラム信号PGHに応答し、データ・ラッチ回路からの入
力データDiのバッファリングを行なってデコーダ24
に供給する機能を有している。
され、さらに該デコーダにはデータ人力バッファ24A
が接続され、このデータ人力バッファ24Aは、プログ
ラム信号PGHに応答し、データ・ラッチ回路からの入
力データDiのバッファリングを行なってデコーダ24
に供給する機能を有している。
デコーダ24は、ANDアレイ21とORアレイ22の
双方に対して適用されるもので、前者に適用される時は
アドレス人力ADD7に基づき、後者に適用される時は
アドレス人力ADD 3に基づいて、積項線PAのいず
れかを選択する機能を有している。
双方に対して適用されるもので、前者に適用される時は
アドレス人力ADD7に基づき、後者に適用される時は
アドレス人力ADD 3に基づいて、積項線PAのいず
れかを選択する機能を有している。
ORアレイ22の出力項線Aにはデコーダ25が接続さ
れ、さらに該デコーダにはデータ人力バッファ25Aが
接続され、このデータ入力バッファ25Aは、プログラ
ム信号PGHに応答し、データ・ランチ回路からの入力
データ旧のバッファリングを行なってデコーダ25に供
給する機能を有している。
れ、さらに該デコーダにはデータ人力バッファ25Aが
接続され、このデータ入力バッファ25Aは、プログラ
ム信号PGHに応答し、データ・ランチ回路からの入力
データ旧のバッファリングを行なってデコーダ25に供
給する機能を有している。
デコーダ25は、ORアレイ22へのデータ書込み時に
アドレス人力ADD4に基づいて出力項線Aのいずれか
を選択する機能を有している。
アドレス人力ADD4に基づいて出力項線Aのいずれか
を選択する機能を有している。
ORアレイ22の積項線POにはデコーダ26が接続さ
れ、さらに該デコーダにはデータ出カバ゛ツファ26A
が接続され、このデータ出カバソファ26八は、出力イ
ネーブル信号01Eに応答し、デコーダ26から出力さ
れたデータのバッファリングを行なった後で読出しデー
タDOとして比較回路に供給する機能を有している。デ
コーダ26は、ANDアレイ2Iからのデータ読出し時
にアドレス人力ADD5に基づいて積項線poのいずれ
かを選択する機能を有している。
れ、さらに該デコーダにはデータ出カバ゛ツファ26A
が接続され、このデータ出カバソファ26八は、出力イ
ネーブル信号01Eに応答し、デコーダ26から出力さ
れたデータのバッファリングを行なった後で読出しデー
タDOとして比較回路に供給する機能を有している。デ
コーダ26は、ANDアレイ2Iからのデータ読出し時
にアドレス人力ADD5に基づいて積項線poのいずれ
かを選択する機能を有している。
ORアレイ22の出力項vAAには、該出力項線上のデ
ータをセンスするために該出ツノ項線のそれぞれに対応
して設けられた複数のセンス増幅器からなるセンス増幅
回路(S/A)29が接続され、さらにis/Aにはデ
コーダ27が接続されている。
ータをセンスするために該出ツノ項線のそれぞれに対応
して設けられた複数のセンス増幅器からなるセンス増幅
回路(S/A)29が接続され、さらにis/Aにはデ
コーダ27が接続されている。
このデコーダ27にはデータ出カバソファ27八が接続
され、このデータ出力バッファ27Aは、出力イネーブ
ル信号OEに応答し、デコーダ27から出力されたデー
タのバッファリングを行なった後で読出しデータDOと
して比較回路に供給する機能を有している。デコーダ2
7は、アドレス人力ADD6に基づいて出力項線Aのい
ずれかを選択する機能を有している。
され、このデータ出力バッファ27Aは、出力イネーブ
ル信号OEに応答し、デコーダ27から出力されたデー
タのバッファリングを行なった後で読出しデータDOと
して比較回路に供給する機能を有している。デコーダ2
7は、アドレス人力ADD6に基づいて出力項線Aのい
ずれかを選択する機能を有している。
最後に、28は積項線バッファであって、ANDアレイ
21の積項線PAとORアレイ22の積項線POの間に
接続されている。このバッファ28は、■PLAとして
の通常動作の場谷、およびANDアレイにデータをプロ
グラムしてそれを読出す場合にはANDアレイ21の積
項IPA上のデータをセンスすると共に、ORアレイ2
2の対応する積項′5apoを駆動するセンスアンプお
よびドライバとして機能し、■ORアレイ22にデータ
をプログラムしてそれを読出す場合にはORアレイ22
の積項線POを駆動するドライバとして機能する。
21の積項線PAとORアレイ22の積項線POの間に
接続されている。このバッファ28は、■PLAとして
の通常動作の場谷、およびANDアレイにデータをプロ
グラムしてそれを読出す場合にはANDアレイ21の積
項IPA上のデータをセンスすると共に、ORアレイ2
2の対応する積項′5apoを駆動するセンスアンプお
よびドライバとして機能し、■ORアレイ22にデータ
をプログラムしてそれを読出す場合にはORアレイ22
の積項線POを駆動するドライバとして機能する。
第3図には第1図の比較回路の一構成例が示される。同
図に示される比較回路は、データ・ラッチ回路4からの
データ01とデータ読出し用回路3からの読出しデータ
DOとの排他的論理和を演算するゲート(8個の排他的
論理和ゲート51〜58)と、該ゲートの各出力信号の
論理和を演算するオアゲート59と、該オアゲートの出
力信号を出力イネーブル信号OEが“し”レベルの時に
通過させるトライステートバッファ50とから構成され
ている。
図に示される比較回路は、データ・ラッチ回路4からの
データ01とデータ読出し用回路3からの読出しデータ
DOとの排他的論理和を演算するゲート(8個の排他的
論理和ゲート51〜58)と、該ゲートの各出力信号の
論理和を演算するオアゲート59と、該オアゲートの出
力信号を出力イネーブル信号OEが“し”レベルの時に
通過させるトライステートバッファ50とから構成され
ている。
この構成によれば、データDIと読出しデータDOとが
すべてのビットにおいて一致した時は、各排他的論理和
ゲート51〜58の出力はL”レベルとなるので、それ
故、オアゲート59およびバッファ50を介して、出力
vPは1L“レベルの信号となる。逆に、いずれか1ビ
ツトでも両者のデータに不一致が生じた場合には、当該
排他的論理和ゲートの出力は“H”レベルとなり、出力
vPは“II”レベルの信号となる。
すべてのビットにおいて一致した時は、各排他的論理和
ゲート51〜58の出力はL”レベルとなるので、それ
故、オアゲート59およびバッファ50を介して、出力
vPは1L“レベルの信号となる。逆に、いずれか1ビ
ツトでも両者のデータに不一致が生じた場合には、当該
排他的論理和ゲートの出力は“H”レベルとなり、出力
vPは“II”レベルの信号となる。
従って、端子Cに“L”レベルの信号vPが現れた時は
、ベリファイ・チェックの結果が「良」であるものと判
定し、逆に、端子Cに″H″レベルの信号vPが現れた
時は、ベリファイ・チェックの結果が「不良」であるも
のと判定することができる。
、ベリファイ・チェックの結果が「良」であるものと判
定し、逆に、端子Cに″H″レベルの信号vPが現れた
時は、ベリファイ・チェックの結果が「不良」であるも
のと判定することができる。
−例として、第1図装置における各信号の動作タイミン
グを第4図(a)〜(d)に示す。同図において、H−
1はハイ・インピーダンス状態(信号が“1”でもなく
、“0”でもない状態)を表わしている。
グを第4図(a)〜(d)に示す。同図において、H−
1はハイ・インピーダンス状態(信号が“1”でもなく
、“0”でもない状態)を表わしている。
従来のベリファイ・チェックは、セルアレイに書込んだ
データをデータ出力端子を通してチップの外に読出すこ
とにより、行われていた。従って、データ読出し禁止回
路を活性化した後で、何らかの原因によりデータの読出
しが可能な状態になっている場合には、設計者以外の他
人によって、チップの外から出力イネーブル信号を印加
して適当にアドレス指定を行うことにより、本来保護さ
れるべきデータが容易に読出される。これは、セギユリ
ティ機能という観点から好ましくない。
データをデータ出力端子を通してチップの外に読出すこ
とにより、行われていた。従って、データ読出し禁止回
路を活性化した後で、何らかの原因によりデータの読出
しが可能な状態になっている場合には、設計者以外の他
人によって、チップの外から出力イネーブル信号を印加
して適当にアドレス指定を行うことにより、本来保護さ
れるべきデータが容易に読出される。これは、セギユリ
ティ機能という観点から好ましくない。
しかしながら、上述した本実施例の構成によれば、書込
まれたデータがチップの外に読出されることはなく、単
に、その書込まれたデータが正常に続出されるか否かを
指示する信号のみがチップの外に出力されるので、厳密
な意味でのデータ保護を実現することができる。
まれたデータがチップの外に読出されることはなく、単
に、その書込まれたデータが正常に続出されるか否かを
指示する信号のみがチップの外に出力されるので、厳密
な意味でのデータ保護を実現することができる。
以上説明したように本発明のプログラマブル論理回路装
置によれば、書込まれたデータ(論理パターン)の保護
、すなわち信顛性の高い機密保持が可能となり、同時に
、ベリファイ・チェックの効率化を図ることができる。
置によれば、書込まれたデータ(論理パターン)の保護
、すなわち信顛性の高い機密保持が可能となり、同時に
、ベリファイ・チェックの効率化を図ることができる。
第1図は本発明の一実施例としてのプログラマブル論理
回路装置の全体的な構成を示すブロック図、 第2図は第1図のPLAおよびその周辺回路の一構成例
を示すブロック図、 第3図は第1図の比較回路の一構成例を示す回路図、 第4図(a)〜(d)は第1図装置の動作タイミング図
、 である。 (符号の説明) 1・・・PLA。 2・・・データ書込み用回路、 3・・・データ読出し用回路、 4・・・データ・ラッチ回路、 5・・・比較回路、 ADDi、ADDo ・・・アドレス信号、DI・・・
書込み用データ、 DO・・・読出しデータ、 OE・・・出力イネーブル信号、 Fd治・・・プログラム信号、 vp・・・比較結果信号。
回路装置の全体的な構成を示すブロック図、 第2図は第1図のPLAおよびその周辺回路の一構成例
を示すブロック図、 第3図は第1図の比較回路の一構成例を示す回路図、 第4図(a)〜(d)は第1図装置の動作タイミング図
、 である。 (符号の説明) 1・・・PLA。 2・・・データ書込み用回路、 3・・・データ読出し用回路、 4・・・データ・ラッチ回路、 5・・・比較回路、 ADDi、ADDo ・・・アドレス信号、DI・・・
書込み用データ、 DO・・・読出しデータ、 OE・・・出力イネーブル信号、 Fd治・・・プログラム信号、 vp・・・比較結果信号。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 プログラム可能なセルアレイ(1)と、 所定レベルのプログラム信号(@PGM@)に応答し、
データ(DI)をアドレス(ADDi)指定に基づき選
択された該セルアレイ内のセルに書込むデータ書込み用
回路(2)と、 所定レベルの出力イネーブル信号(@OE@)に応答し
、該選択されたセルに書込まれたデータをアドレス(A
DDo)指定に基づき読出すデータ読出し用回路(3)
と、 該データ読出し用回路を通して読出されたデータ(DO
)を前記書込まれたデータ(DI)と比較する回路(5
)とを備え、 該比較回路における比較結果に基づき前記データが正常
に書込まれたか否かを指示する信号(VP)を外部に出
力するようにした、プログラマブル論理回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62144010A JPS63309023A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | プログラマブル論理回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62144010A JPS63309023A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | プログラマブル論理回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63309023A true JPS63309023A (ja) | 1988-12-16 |
Family
ID=15352219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62144010A Pending JPS63309023A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | プログラマブル論理回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63309023A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014200082A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
-
1987
- 1987-06-11 JP JP62144010A patent/JPS63309023A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014200082A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
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