JP6255997B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態による半導体装置の構成例を示す図である。第1の電界効果トランジスタS1は、並列接続の電界効果トランジスタ105〜107と、寄生インダクタ108〜110と、寄生ダイオード111と、寄生抵抗112を有する。第1の電界効果トランジスタS1は、ドレインがノードN4に接続され、ゲートがノードN2に接続され、ソースがノードN3に接続される。電界効果トランジスタ105は、ドレインが寄生インダクタ108を介してノードN4に接続され、ゲートがノードN2に接続され、ソースがノードN3に接続される。電界効果トランジスタ106は、ドレインが寄生インダクタ109を介してノードN4に接続され、ゲートがノードN2に接続され、ソースがノードN3に接続される。電界効果トランジスタ107は、ドレインが寄生インダクタ110を介してノードN4に接続され、ゲートがノードN2に接続され、ソースがノードN3に接続される。寄生ダイオード111は、アノードがノードN3に接続され、カソードが寄生抵抗112を介してノードN4に接続される。例えば、寄生インダクタ108〜110は、それぞれ、0.2nHである。寄生抵抗112は、1μΩである。
図6は、第2の実施形態による半導体装置の構成例を示す図である。本実施形態(図6)は、第1の実施形態(図1)に対して、スイッチ回路124の具体例を示したものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。なお、図6の半導体装置では、図1の半導体装置に対して、寄生インダクタ116を削除することができる。
図8(A)は、第3の実施形態による3端子パッケージの半導体装置の構成例を示す図である。3端子パッケージ801は、ドレイン端子D、ゲート端子G及びソース端子Sを有する。また、3端子パッケージ801は、図6の半導体装置(ゲート信号生成器101、ドレインバイアス電源118及び負荷119を除く)を内蔵する。ドレイン端子DはノードN5に接続され、ゲート端子GはノードN1に接続され、ソース端子SはノードN3に接続される。また、3端子パッケージ801は、図6の半導体装置に対して、寄生インダクタ114,116,117及び抵抗115が削除されている。高電子移動度トランジスタ601のゲートは、ノードN3に接続されている。3端子パッケージ801は、通常の3端子電界効果トランジスタを置き換えて使用でき、高耐圧及び高速化を実現できる利点がある。
102 ゲートダンピング回路
103,112,115,120,125 抵抗
104,108〜110,113,114,116,117,121,123 インダクタ
105〜107 電界効果トランジスタ
111 ダイオード
118 ドレインバイアス電源
119 負荷
122 容量
124 スイッチ回路
S1 第1の電界効果トランジスタ
S2 第2の電界効果トランジスタ
A1 スイッチ
Claims (4)
- ソースが基準電位ノードに接続される第1の電界効果トランジスタと、
ソースが前記第1の電界効果トランジスタのドレインに接続され、ゲートが前記第1の電界効果トランジスタのソースに接続される第2の電界効果トランジスタと、
ゲート信号を入力するゲート信号ノードと、
前記ゲート信号ノード及び前記第1の電界効果トランジスタのゲート間に接続される第1の抵抗と、
前記第2の電界効果トランジスタのドレイン及び前記第1の電界効果トランジスタのゲート間に接続される第1の容量及びスイッチ回路とを有し、
前記スイッチ回路は、前記第1の容量に対して直列に接続され、
前記スイッチ回路は、
ドレインが前記第1の容量に接続され、ゲートが前記基準電位ノードに接続され、ソースが前記ゲート信号ノードに接続される第3の電界効果トランジスタと、
前記第3の電界効果トランジスタのソース及び前記第1の電界効果トランジスタのゲート間に接続される第2の容量とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第3の電界効果トランジスタは、高電子移動度トランジスタであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第3の電界効果トランジスタは、ノーマリオンのトランジスタであることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記第3の電界効果トランジスタは、ノーマリオンの高電子移動度トランジスタであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
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