JP7204538B2 - 半導体集積回路と半導体集積回路の調整方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態の半導体集積回路を示す図である。本実施形態の半導体集積回路はノーマリオン型のスイッチング素子Q1を有する。スイッチング素子Q1は、例えば、GaNを材料とするNチャネル型のMOSトランジスタで構成される。例えば、GaNを材料とするMOSトランジスタは、ドレイン・ソース間の主電流路がGaNで構成される。以降、GaNトランジスタと呼ぶ場合がある。
図4は、第2の実施形態の半導体集積回路を示す図である。既述した実施形態に対応する構成には、同一符号を付し、重複した記載は必要な場合にのみ行う。以降、同様である。
図5は、第3の実施形態の半導体集積回路を示す図である。本実施形態は、スイッチング素子Q1のゲートとスイッチング素子Q2のソース間に、可変抵抗R11が接続され、可変容量C11が可変抵抗R11に並列に接続される。
図7は、半導体集積回路の調整方法のフローチャートを示す図である。例えば、図5に示す実施形態において用いられる。可変抵抗R11、可変容量C11を初期値に設定する(ステップS101)。容量C2は、固定の容量を有する。
前記抵抗の値を調整するステップを有することを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路の調整方法。
前記第1のスイッチング素子がオフ状態となった後に、前記抵抗の値を増加させるステップを有することを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路の調整方法。
前記第1のスイッチング素子がオン状態となった後に、前記抵抗の値を減少させるステップを有することを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路の調整方法。
Claims (4)
- ソース、ドレイン、及びゲートを有するノーマリオン型の第1のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子のソースに接続されるドレインと、駆動信号が供給されるゲートと、ソースを有するノーマリオフ型の第2のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子のゲートと前記第2のスイッチング素子のソース間に接続される抵抗と、
前記抵抗に並列に接続される第1の容量と、
前記第1のスイッチング素子のゲートとソース間に接続され、前記第1のスイッチング素子のゲート電圧を前記第1のスイッチング素子のしきい値より低い値に下げる第2の容量と
を具備することを特徴とする半導体集積回路。 - 前記第1の容量は、可変容量を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記抵抗は、可変抵抗を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体集積回路。
- ソース、ドレイン、及びゲートを有するノーマリオン型の第1のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子のソースに接続されるドレインと、駆動信号が供給されるゲートと、ソースを有するノーマリオフ型の第2のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子のゲートと前記第2のスイッチング素子のソース間に接続される抵抗と、
前記抵抗に並列に接続される第1の容量と、
前記第1のスイッチング素子のゲートとソース間に接続され、前記第1のスイッチング素子のゲート電圧を前記第1のスイッチング素子のしきい値より低い値に下げる第2の容量と
を具備する半導体集積回路の調整方法であって、
前記第2のスイッチング素子のゲートに前記第2のスイッチング素子をオンにする駆動信号を印加した時の前記第1のスイッチング素子のゲート・ソース間電圧が、前記第1のスイッチング素子のしきい値付近の値または前記しきい値より低い値になる様に前記第1の容量の値を調整するステップを有することを特徴とする半導体集積回路の調整方法。
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