JP6241203B2 - ビスβ−ジケトン誘導体及びピラゾール誘導体の製造方法 - Google Patents
ビスβ−ジケトン誘導体及びピラゾール誘導体の製造方法 Download PDFInfo
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2.前記塩基の水中で25℃におけるpKaが、15〜38の範囲内であることを特徴とする第1項に記載のビスβ−ジケトン誘導体の製造方法。
5.前記ケトンが芳香族ケトンであり、前記カルボン酸誘導体が、カルボン酸ジエステルであることを特徴とする第1項から第4項までのいずれか一項に記載のビスβ−ジケトン誘導体の製造方法。
本発明のビスβ−ジケトン誘導体の製造方法は、ケトンとカルボン酸誘導体とを塩基の存在下で反応させて、前記一般式(1)で表される構造を有するビスβ−ジケトン誘導体を製造する製造方法であって、当該反応を、ドナー数が25.0〜35.0の範囲内の溶媒である、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリジノン又は1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンを用いて、反応の開始から終了までを−10〜20℃の範囲内の一定温度で行うことを特徴とする。
本発明において、ケトンとカルボン酸誘導体を原料として、下記一般式(1)で表される構造を有するビスβ−ジケトン誘導体を製造することができる。
次に、前記一般式(1)で表される構造を有する化合物の合成方法について説明する。
反応工程では、前記一般式(1)で表される構造を有するビスβ−ジケトン誘導体を製造する際、ドナー数が25.0〜35.0の範囲内の溶媒である、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリジノン又は1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンを用いて、反応の開始から終了までを−10〜20℃の範囲内の一定温度でケトンとカルボン酸誘導体とを塩基の存在下で反応させる。
前記一般式(1)で表される構造を有する合成に用いる溶媒は、前記ドナー数が25.0〜35.0の溶媒である。ここでドナー数について説明する。
ケトンとカルボン酸誘導体を反応させる場合、反応を加速させるために塩基を用いることが好ましい。塩基としては、無機塩基(炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、ナトリウムアミド、水素化ナトリウム、LDA等)及び有機塩基(ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、ナトリウムブトキシド、カリウムブトキシド、ジイソプロピルエチルアミン、N,N′−ジメチルアミノピリジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、N−メチルモルホリン、イミダゾール、N−メチルイミダゾール、ピリジン、リチウムジイソプロピルアミド等)のいずれを用いて良い。
反応中の溶液温度は、生産性の観点から、反応の開始から終了までを−10〜20℃の範囲内の一定温度で行う。
前記一般式(1)で表される構造を有する化合物の取り出し方法としては、再結晶法、晶析、再沈殿、カラムクロマトグラフィー法等を用いることができる。なかでも、大量生産に好ましい取り出し方法としては、再結晶法、晶析、再沈殿が好ましい。
前記一般式(1)で表される構造を有する化合物は、種々の反応中間体として用いることができ、好ましくはピラゾール誘導体の前駆体、又は金属錯体の原料として用いることが好ましい。
本発明においてピラゾール母核を2個有するピラゾール誘導体の製造方法は、本発明の製造方法で製造された前記一般式(1)で表される構造を有するビスβ−ジケトン誘導体とヒドラジンを反応させる工程を含む。一般式(1)で表される構造を有する化合物は上記工程を経た反応液のままヒドラジンと反応させても良く、上記工程の後に粗結として取り出した後にヒドラジンと反応させても良く、粗結を再結晶、懸濁精製などの手段により精製した後にヒドラジンと反応させても良い。用いるヒドラジンとしてはヒドラジンの濃度が40〜80%であることが好ましく、50〜60%であることがさらに好ましい。
前記一般式(1)で表される構造を有する化合物を前駆体として用いたピラゾール誘導体は、医薬品、電子材料、樹脂添加剤などに用いることができる。
<製造例1>
(例示化合物A−001の合成)
例示化合物A−001を以下のスキームによって合成した。
<製造例2〜製造例36>
表1に記載した溶媒、塩基、反応温度に変更し、当量を合わせた以外は製造例1と同様の方法で、各種ケトンと各種カルボン酸ジメチルを反応させ、表1に記載の例示化合物の製造例2〜43の製造を行った。
DMF:N,N−ジメチルホルムアミド
DMSO:ジメチルスルホキシド
DMAc:N,N−ジメチルアセトアミド
NMP:N−メチル−2−ピロリジノン
DMI:1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン
LDA:リチウムジイソプロピルアミド
<ピラゾール誘導体の製造例P−1>
ピラゾール母核を2個有するピラゾール誘導体C−001を以下のスキームによって合成した。
<ピラゾール誘導体の製造例P−2〜製造例P−43>
表2に記載の、実施例1で製造した原料に変更し、当量を合わせた以外はピラゾール母核を2個有するピラゾール誘導体の製造例P−1と同様の方法で、各ピラゾール母核を2個有するピラゾール誘導体を合成した。
Claims (6)
- ケトンとカルボン酸誘導体とを塩基の存在下で反応させて、下記一般式(1)で表される構造を有するビスβ−ジケトン誘導体を製造する製造方法であって、当該反応を、ドナー数が25.0〜35.0の範囲内の溶媒である、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリジノン又は1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンを用いて、反応の開始から終了までを−10〜20℃の範囲内の一定温度で行うことを特徴とするビスβ−ジケトン誘導体の製造方法。
- 前記塩基の水中で25℃におけるpKaが、15〜38の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のビスβ−ジケトン誘導体の製造方法。
- 前記塩基がナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムアミド又は水素化ナトリウムであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のビスβ−ジケトン誘導体の製造方法。
- 前記ケトンが芳香族ケトンであり、前記カルボン酸誘導体が、カルボン酸ジエステルであることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載のビスβ−ジケトン誘導体の製造方法。
- ピラゾール母核を2個有するピラゾール誘導体の製造方法であって、ケトンとカルボン酸誘導体との反応を塩基の存在下、ドナー数が25.0〜35.0の範囲内の溶媒である、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリジノン又は1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンを用いて、反応の開始から終了までを−10〜20℃の範囲内の一定温度で行うことにより下記一般式(1)で表される構造を有するビスβ−ジケトン誘導体を製造したのち、当該ビスβ−ジケトン誘導体とヒドラジンとを反応させる工程を経て製造することを特徴とするピラゾール母核を2個有するピラゾール誘導体の製造方法。
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