JP6215152B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
実施形態に係る半導体装置100は、ツェナーダイオードであり、図1に示すように、n−型半導体領域120と、n−型半導体領域120の表面の所定領域に形成されたp型アノード領域130と、n−型半導体領域120の表面において、n−型半導体領域120とp型アノード領域130との境界部分が必ず含まれるように、かつ、p型アノード領域130よりも浅く形成された環状のn+型カソード領域121と、p型アノード領域130の表面において、平面視でn+型カソード領域121の内周側に、かつ、p型アノード領域130よりも浅く形成されたp+型アノード領域131と、n−型半導体領域120の表面において、n+型カソード領域121の底面のうち平面視でp型アノード領域130の内部にある部分の少なくとも一部が含まれ、かつ、n+型カソード領域121の内周側周縁部が少なくとも含まれないように、かつ、n+型カソード領域121よりも深く形成され、かつ、n+型カソード領域121が含有するn型不純物よりも低濃度のp型不純物を含有し、かつ、平面視でp型アノード領域130の外周縁に沿って環状に形成された第2のp型アノード領域132とを備える。
すなわち、実施形態に係る半導体装置100によれば、p型アノード領域130の不純物濃度をN1とし、n+型カソード領域121の不純物濃度をN2とし、第2のp型アノード領域132の不純物濃度をN3としたとき、「(1/10)×N1」≦「N3」≦「(1/2)×N2」の関係を満たすこととした場合には、アバランシェ降伏が半導体基体110の表面近傍で起こる可能性が極めて小さくなり、かつ、n+型カソード領域121の不純物濃度が低下して、その部分の抵抗が大きくなることがなくなる。
第1変形例〜第4変形例に係る半導体装置101〜104は、基本的には実施形態に係る半導体装置100と同様の構成を有するが、第2のp型アノード領域132の構成が実施形態に係る半導体装置100の場合とは異なる。すなわち、第1変形例に係る半導体装置101は、図2に示すように、第2のp型アノード領域132がp型アノード領域130と同じ深さに形成されている。また、第2変形例に係る半導体装置102は、図3に示すように、第2のp型アノード領域132がp型アノード領域130よりも浅い深さに形成されている。また、第3変形例に係る半導体装置103は、図4に示すように、第2のp型アノード領域132が、外周端がp型アノード領域130の外周端と重なるように形成されている。また、第4変形例に係る半導体装置104は、図5に示すように、第2のp型アノード領域132が、外周端がp型アノード領域130の外周端よりも内周側になるように形成されている。
Claims (5)
- n−型半導体領域と、
前記n−型半導体領域の表面の所定領域に形成されたp型アノード領域と、
前記n−型半導体領域の表面において、前記n−型半導体領域と前記p型アノード領域との境界部分が必ず含まれるように、かつ、前記p型アノード領域よりも浅く形成された環状のn+型カソード領域と、
前記p型アノード領域の表面において、平面視で前記n+型カソード領域の内周側に、かつ、前記p型アノード領域よりも浅く形成されたp+型アノード領域と、
前記n−型半導体領域の表面において、前記n+型カソード領域の底面のうち平面視で前記p型アノード領域の内部にある部分の少なくとも一部が含まれ、かつ、前記n+型カソード領域の内周側周縁部が少なくとも含まれないように、かつ、前記n+型カソード領域よりも深く形成され、かつ、前記n+型カソード領域が含有するn型不純物よりも低濃度のp型不純物を含有し、かつ、平面視で前記p型アノード領域の外周縁に沿って環状に形成された第2のp型アノード領域とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記p型アノード領域の不純物濃度をN1とし、前記n+型カソード領域の不純物濃度をN2とし、前記第2のp型アノード領域の不純物濃度をN3としたとき、「(1/10)×N1」≦「N3」≦「(1/2)×N2」の関係を満たすことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記第2のp型アノード領域は、平面視で前記p型アノード領域の内周側から外周側にかけて形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記n+型カソード領域は、前記n−型半導体領域の表面に露出している部分を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、
前記n−型半導体領域の表面を覆うように形成された酸化膜と、
前記酸化膜上に互いに離隔して形成されたカソード電極及びアノード電極とをさらに備え、
前記カソード電極は、前記酸化膜に設けられた複数の開口部を介して前記n+型カソード領域に接続され、
前記アノード電極は、前記酸化膜に設けられた複数の開口部を介して前記p+型アノード領域に接続されていることを特徴とする半導体装置。
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JP2014157401A JP6215152B2 (ja) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | 半導体装置 |
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JP2014157401A JP6215152B2 (ja) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | 半導体装置 |
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JP2016035950A JP2016035950A (ja) | 2016-03-17 |
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JP2014157401A Active JP6215152B2 (ja) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | 半導体装置 |
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