JP2012235171A - 炭化珪素ショットキダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の炭化珪素ショットキダイオードは、炭化珪素半導体基板1の表面に形成されるショットキ電極2と、その周囲を取囲むべく、炭化珪素半導体基板の表面に不純物が導入されて成るガードリング3と、該ガードリング上に延在すると共に当該ガードリングの周囲を取囲むように前記炭化珪素半導体基板の表面上に延在する絶縁膜4と、を備え、ショットキ電極は炭化珪素半導体基板の表面上においてガードリングに接し、かつ絶縁膜上にも延在し、ガードリングの幅寸法比を10、ショットキ電極がガードリングに接する幅寸法比を1、絶縁膜上に延在するショットキ電極の先端からガードリングの外周端までの離間距離比をXとするとき、離間距離比Xは、3〜9内に設定されている。
【選択図】図1
Description
そこで発明者は、耐圧変動を招き難い炭化珪素ショットキダイオードの条件を求めるべく、実験を繰り返した。
先ず、裏面電極5を接地し、ショットキ電極2に正電圧を印加すると、順バイアスとなり、ショットキ電極2から裏面電極5方向へ電流が流れる。
図1(a)には、条件の異なる複数の半導体装置の耐圧特性がグラフに纏められており、図1(b)には、好適条件を説明するためのガードリング3周辺の拡大図が示されている。
図1(b)に示すように、ガードリング3の幅寸法比を10とし、ショットキ電極2がガードリング3に接する幅寸法比を1とし、絶縁膜4上に延在するショットキ電極2の先端からガードリング3の外周端までの離間距離比をXとするとき、離間距離比Xが3〜9内に設定されている。この設定は、図1(a)に示す耐圧特性がグラフに基づいている。
2 ショットキ電極
3 ガードリング
4 絶縁膜
5 裏面電極
6 半田
10 炭化珪素ショットキダイオード
11 バルク基板
12 エピタキシャル層
Claims (3)
- 炭化珪素半導体基板の表面に形成されるショットキ電極と、該ショットキ電極の周囲を取囲むべく、炭化珪素半導体基板の表面に不純物が導入されて成るガードリングと、該ガードリング上に延在すると共に当該ガードリングの周囲を取囲むように前記炭化珪素半導体基板の表面上に延在する絶縁膜と、を備え、前記ショットキ電極は前記炭化珪素半導体基板の表面上において前記ガードリングに接し、かつ前記絶縁膜上にも延在する炭化珪素ショットキダイオードにおいて、
前記ガードリングの幅寸法比を10、前記ショットキ電極が前記ガードリングに接する幅寸法比を1、前記絶縁膜上に延在する前記ショットキ電極の先端から前記ガードリングの外周端までの離間距離比をXとするとき、
前記離間距離比Xは、3〜9内に設定されていることを特徴とする炭化珪素ショットキダイオード。 - 前記絶縁膜は、下から熱酸化膜、PSGおよび窒化膜の順に積層された構造であることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素ショットキダイオード。
- 前記熱酸化膜は乾燥酸素で形成されていることを特徴とする請求項2記載の炭化珪素ショットキダイオード。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014207444A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-30 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | 炭化珪素装置および炭化珪素装置の形成方法 |
US9412808B2 (en) | 2013-03-26 | 2016-08-09 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide device and a method for manufacturing a silicon carbide device |
CN112470038A (zh) * | 2018-07-12 | 2021-03-09 | 深圳帧观德芯科技有限公司 | 辐射检测器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09307120A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Rohm Co Ltd | ショットキーバリア半導体装置およびその製法 |
JP2005276978A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Nissan Motor Co Ltd | オーミック電極構造体の製造方法、オーミック電極構造体、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2006047382A2 (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-04 | International Rectifier Corporation | Solderable top metal for sic device |
JP2006324585A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP2008053291A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Rohm Co Ltd | SiC半導体素子およびその製造方法 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09307120A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Rohm Co Ltd | ショットキーバリア半導体装置およびその製法 |
JP2005276978A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Nissan Motor Co Ltd | オーミック電極構造体の製造方法、オーミック電極構造体、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2006047382A2 (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-04 | International Rectifier Corporation | Solderable top metal for sic device |
JP2006324585A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP2008053291A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Rohm Co Ltd | SiC半導体素子およびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014207444A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-30 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | 炭化珪素装置および炭化珪素装置の形成方法 |
US9412808B2 (en) | 2013-03-26 | 2016-08-09 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide device and a method for manufacturing a silicon carbide device |
US9496346B2 (en) | 2013-03-26 | 2016-11-15 | Infineon Technology Ag | Silicon carbide device and a method for forming a silicon carbide device |
CN107658216A (zh) * | 2013-03-26 | 2018-02-02 | 英飞凌科技股份有限公司 | 碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法 |
CN112470038A (zh) * | 2018-07-12 | 2021-03-09 | 深圳帧观德芯科技有限公司 | 辐射检测器 |
US11784194B2 (en) | 2018-07-12 | 2023-10-10 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | Radiation detector |
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