JP2010153620A - ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のダイオードは、第1の導電型をもつ半導体基板と、半導体基板の一方の面に設けられて半導体基板との間に接合を形成する第1の導電型と同じ導電型でかつ不純物濃度が半導体基板より高い第1の半導体層と、第1の半導体層の中央領域における表面に形成され、第1の導電型と反対の第2の導電型の第2の半導体層と、第1の半導体層の表面における第2の半導体層の外周部に形成された、第2の導電型の第3の半導体層とを有し、第3の半導体層の厚さが、第2の半導体層より厚く形成されている。
【選択図】図1
Description
従来の定電圧ダイオードにおいては、図4に示すように、エピ層102と半導体層103との界面においてより空乏層を伸ばし、エピ層102に伸びる空乏層が半導体基板101に達し、リーチスルー降伏を起こすことにより耐圧を得ている。
また、メサ溝部分Mのベベル角θmが負(θm>90°)であるため、メサ溝部分Gの耐圧VRBGがエピ層102及び半導体層103の界面Aの耐圧VRBAより低い。
また、上述した従来の定電圧ダイオードにおいては、エピ層102の厚さによる主接合部分の耐圧のバラツキと、メサ溝部分Gの耐圧VRBGのバラツキとにより、設計上の耐圧が安定して得られない問題がある。
また、メサ溝部分Gにおいて先にブレークダウンを起こした場合、メサ溝部分Gの領域のみに降伏による電流が流れるため、電流量を多く取ることができずに、クランピング電圧が低くならず、回路を十分に保護することができない場合がある。
この図において、n型の半導体基板1(カソード側)の上(上面)に、半導体基板1と同一の導電型であり、半導体基板1より不純物濃度が低い第1の半導体層2がエピタキシャル層にて形成されている。
第1の半導体層2の上に、上記半導体基板1及び第1の半導体層2(カソード側)と異なる導電型、すなわちP型の第2の半導体層3(アノード側)が形成されている。
ここで、第2の半導体層3に比較して第3の半導体層4は厚く形成されている。すなわち、第3の半導体層4と平面視にて重なる直下の第1の半導体層2の厚さは、第2の半導体層3と平面視で重なる直下の第1の半導体層2の厚さに比較して薄く形成されている。
また、第2の半導体層3と第3の半導体層4とにおける不純物(pチャネル型)濃度の関係は、第3の半導体層4の不純物濃度<第2の半導体層3の不純物濃度の関係となっている。
定電圧ダイオードの図1における横方向の端部(側部)において、第1の半導体層2と第3の半導体層4との接続部(界面)は、メサ溝50の側壁100における位置Qで終端されている。
このメサ溝50の側壁100上には、酸化膜などの絶縁性の保護膜(ガラス、酸化膜、窒化膜など)200が形成されている。
また図示しないが、半導体基板1の下面と、第2の半導体層3の上面とには、それぞれ電極が構成されている。
また、第1のベベル角θmは、従来例において説明したように、上記接合部6と第1の半導体層2の側部とのなす角度、すなわち接合部6と第1の半導体層2におけるメサ溝50の側壁100とが、第1の半導体層2内においてなす角度とする。
また、第2のベベル角θiは、第1の主接合部5と、第1の半導体層2及び第3の半導体層4の接合部とが、第1の半導体層2内においてなす角度とする。
このため、図2に示すように、メサ溝50の側壁100にて終端する接合部6の位置Qと、メサ溝50の側壁100の表面において終端する空乏層の境界面における位置Pとの距離、すなわちメサ溝50の側壁100に沿った空乏層の厚さが、接合部6に垂直な方向における空乏層の境界面までの厚さに比較して短くなる。すなわち、定電圧半導体の側部における厚さが薄くなることにより、メサ溝部分Gにおける第1の半導体層2内の領域に電界が集中して、降伏が起こるため、接合部6における耐圧が低下してしまう。
上述した理由により、第1のベベル角θmが負(θm>90°)である場合、第1のベベル角θmが正(θm<90)の場合に比較して、定電圧ダイオードの逆方向バイアスに対する耐圧が低下する。
しかしながら、定電圧ダイオードの製造方法は、図3に示すように、ウェハ上に複数の定電圧ダイオード領域Dを形成し、各定電圧ダイオード領域Dを分離するように、定電圧ダイオード領域Dの外周部にメサ溝50を形成し、第1の半導体層2及び第3の半導体層4の接合部を保護するため、メサ溝の側壁100上に酸化膜などの絶縁性の保護膜200を形成する。
そして、矢印Cにてウェハを切断し、各定電圧ダイオード領域Dを分離することにより、定電圧ダイオードを作成する。上述した簡易な製造方法により、定電圧ダイオードの製造原価を低下させている。この製造方法によるため、ベベル角θmは負として形成されることになる。
したがって、第1のベベル角θmを正とするためには、さらなる工程を必要とすることになるので、製造原価が上昇してしまう。
そして、このベベル角θiが上記ベベル角θmの角度より小さくなるように形成することにより、以下に示す理由により、定電圧ダイオードの逆バイアスに対する耐圧を安定化させることができる。
このため、第3の半導体層4に比較して不純物濃度の高い第2の半導体層3と、第1の半導体層2との界面である第1の主接合部5において電界集中を起こさせ、電界集中を分散させることにより、メサ溝部分Gにおける電界集中の一極集中が起こらないようにし、メサ溝部分Gにおける電界集中を緩和させる。
そして、第1の半導体層2の不純物濃度は上記工程にて設定されるため、第3の半導体層4の不純物濃度と厚さとは、第1の主接合部5にて高耐圧降伏が先に起こるように設定されている必要がある。
ここで、第1の主接合部5において高耐圧降伏が起こる電圧において、第3の半導体層4の不純物濃度及び接合部6における第1の半導体層2の厚さは、接合部6において、第1の半導体層2内の空乏層が半導体基板1に達しない数値に設定されている必要があることを意味する。
d>(Na/Nb){2ε・(Na+Nb)・(Vd+V)/(e・(Na・Nb))}
左辺のdが接合部6における第1の半導体層2の厚さであり、右辺が第1の半導体層2にて伸びる空乏層の距離を示しており、ここで、Naが第3の半導体層4の不純物濃度であり、Nbが第1の半導体層2の不純物濃度であり、εが半導体の誘電率、eが電荷量、Vが逆方向電圧、Vdが拡散電位である。
この構造により、領域Gのみにおいて電界集中が起こらず、第1の半導体層2と第2の半導体層3とが接合している第1の主接合面5にも電界集中が分担され、かつ第1の主接合部5において高耐圧降伏を起こすようにしているため、第1の半導体層2と第2の半導体層3との不純物濃度により、高耐圧降伏の電圧を制御することができ、安定した高耐圧降伏の電圧を得ることができる。
この任意に設定された上記電圧により、接合部6における第3の半導体層4の不純物濃度及び厚さ、第1の半導体層2の厚さを設定することになる。
上述した構成によれば、第1の主接合部5における耐圧のバラツキを抑制することが可能となる。
このため、接合部6における第1の半導体層2内での空乏層の伸びが減少、すなわち半導体基板1方向(下部方向)に伸びる長さが、第1の主接合部5における第1の半導体層2内における長さに比較して減少し、空乏層が半導体基板1に対して接するまえに、第1の主接合部5において高耐圧降伏することになる。
2…第1の半導体層
3…第2の半導体層
4…第3の半導体層
5…第1の主接合部
6…接合部
50…メサ溝
100…側壁
200…保護膜
θm…第1のベベル角
θi…第2のベベル角
Claims (5)
- 第1の導電型をもつ半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面に設けられて前記半導体基板との間に接合を形成する第1の導電型と同じ導電型でかつ不純物濃度が前記半導体基板より高い第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の中央領域における表面に形成され、第1の導電型と反対の第2の導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層の表面における前記第2の半導体層の外周部に形成された、前記第2の導電型の第3の半導体層と
を有し、
前記第3の半導体層の厚さが、前記第2の半導体層より厚く形成されていることを特徴とするダイオード。 - 前記第1の半導体層及び前記第3の半導体層側面に形成されたダイオードを分離するメサ溝と、前記第1の半導体層及び前記第3の半導体層の界面とのなす第1のベベル角が、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の界面と、前記第1の半導体層及び前記第3の半導体層の界面とのなす第2のベベル角より大きいことを特徴とするダイオード。
- 前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の界面下の第1の半導体層の厚さが、ダイオードのアバランシェ降伏する際の空乏層の厚さより厚いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のダイオード。
- 前記第2の半導体層の不純物濃度が、前記第3の半導体層の不純物濃度より高いことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のダイオード。
- 前記第1の半導体層の不純物濃度が、前記半導体基板の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載のダイオード。
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JP2013149926A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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JP2002541682A (ja) * | 1999-04-08 | 2002-12-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | パンチスルーダイオード及び同ダイオードを製造する方法 |
-
2008
- 2008-12-25 JP JP2008330644A patent/JP5271694B2/ja active Active
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