JP5607120B2 - 炭化珪素ショットキダイオード - Google Patents
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Description
そこで発明者は、耐圧変動を招き難い炭化珪素ショットキダイオードの条件を求めるべく、実験を繰り返した。
先ず、裏面電極5を接地し、ショットキ電極2に正電圧を印加すると、順バイアスとなり、ショットキ電極2から裏面電極5方向へ電流が流れる。
図1(a)には、条件の異なる複数の半導体装置の耐圧特性がグラフに纏められており、図1(b)には、好適条件を説明するためのガードリング3周辺の拡大図が示されている。
図1(b)に示すように、ガードリング3の幅寸法比を10とし、ショットキ電極2がガードリング3に接する幅寸法比を1とし、絶縁膜4上に延在するショットキ電極2の先端からガードリング3の外周端までの離間距離比をXとするとき、離間距離比Xが3〜9内に設定されている。この設定は、図1(a)に示す耐圧特性がグラフに基づいている。
2 ショットキ電極
3 ガードリング
4 絶縁膜
5 裏面電極
6 半田
10 炭化珪素ショットキダイオード
11 バルク基板
12 エピタキシャル層
Claims (4)
- 炭化珪素半導体基板の表面に形成されるショットキ電極と、該ショットキ電極の周囲を取囲むべく、炭化珪素半導体基板の表面に不純物が導入されて成るガードリングと、該ガードリング上に延在すると共に当該ガードリングの周囲を取囲むように前記炭化珪素半導体基板の表面上に延在する絶縁膜とを備え、
前記ショットキ電極は、前記炭化珪素半導体基板の表面上において前記ガードリングに接し、かつ、前記絶縁膜上にも延在し、
前記ガードリング、前記絶縁膜及び前記ショットキ電極により構成される周辺耐圧構造を有する炭化珪素ショットキダイオードにおいて、
前記絶縁膜は、下から順に熱酸化膜、PSGおよび窒化膜の順に積層された構造を有することを特徴とする炭化珪素ショットキダイオード。 - 前記PSGの厚さ寸法は、1μmより厚く2μm以下に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素ショットキダイオード。
- 前記熱酸化膜は乾燥酸化膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化珪素ショットキダイオード。
- 前記窒化膜は、前記熱酸化膜の端から4μm内側で終端するように形成されてなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素ショットキダイオード。
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