JP5306016B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
従って、半導体基体310表面の酸化膜330に、アバランシェ降伏による電荷が移動し難く、電荷の移動による影響を低減することができ、もってツェナー電圧の安定化を図ることができる。
この半導体装置は、第1導電型であるn型の半導体基体410と、該半導体基体410の表面に設けられた絶縁膜としての酸化膜430と、n型の半導体基体410の表面近傍に該半導体基体410より高濃度のn型の第1半導体領域(カソード)470と、n型の半導体基体410の表面近傍に第2導電型であるp型の第2半導体領域(アノード)460と、を備えており、前記第1半導体領域470を覆うように第2半導体領域460が設けられている。
特許文献1では、降伏時に流れる電流は第2半導体領域360において表面降伏防止領域373の底部を迂回して流れる。
低抵抗領域が、表面降伏防止領域よりも深い位置まで形成してもよい。
電流経路領域は、表面降伏防止領域を取囲むように形成してもよい。
低抵抗領域の周縁は前記表面降伏防止領域によって取囲まれ、当該表面降伏防止領域は前記電流経路領域によって取囲まれるように形成してもよい。
これにより、降伏時の電流経路を短くすることが出来るため、高い電流密度が得られると共に、降伏時の電流が半導体基体の表面を保護する酸化膜に注入されることが避けられ酸化膜中の電荷の影響によるツェナー電圧の経時変化を防止できる。
本発明の半導体装置100は、ツェナーダイオードであり、図1および図2に示すように導電型が第2導電型(p型)のp型半導体基板121上にp型不純物および第1導電型(n型)不純物を拡散し、その後更にn型不純物をエピタキシャル成長により積層させた半導体基体120に形成されている。
半導体基体120は、p型半導体基板121上に濃度の異なるn型不純物導入されており、(例えば濃度が1.5E14cm−3の)p型半導体基板121から近い順に高濃度(例えば2E19cm−3)の下層n型半導体領域122および低濃度(例えば1E15cm−3)の上層n型半導体領域123が形成されている。
上層n型半導体領域123の表面近傍には、図1および図2に示すように上層n型半導体領域123より高い不純物濃度(例えば2E19cm−3)のn型の第1半導体領域160と、該第1半導体領域160に隣接して取り囲まれたp型の第2半導体領域170を備えている。第1半導体領域160はカソード、第2半導体領域170はアノードとしてそれぞれ機能し、これら第1半導体領域160および第2半導体領域170によって、プレーナジャンクションを形成している。
カソード電極には、プラスの電圧を印加し、アノード電極は接地する。
この状態では、表面降伏防止領域172をアノードとし第1半導体領域160をカソードとする第1のジャンクションと、電流経路領域173をアノードとし第1半導体領域160をカソードとする第2のジャンクションとに逆方向電圧が印加される。
しかし、一方のアノードである表面降伏防止領域172の不純物濃度と、他方のアノードである電流経路領域173の不純物濃度との差によってそれぞれのジャンクションに広がる空乏層に生じる電界強度が異なってくる。これは、空乏層に生じる電界強度が半導体の不純物濃度に反比例することによる。
電子と正孔が高い電界により運動エネルギを得て半導体原子間の結合から離れ別の電子と正孔の対を発生する。更には、運動エネルギを得た電子が衝突することより伝導帯に電子を送り込み電流を生じ、同時に新たな電子と正孔の対ができることになる。
この現象が連続して生じることをアバランシェ降伏と呼び、連続して現象が生じる電界が臨界電界強度と呼ばれている。
カソード電極にプラスの電圧を印加しアノード電極を接地すると、第1のジャンクションが臨界電界強度に達するよりも低い電圧で第2のジャンクションが臨界電界強度に達し、該第2のジャンクションで降伏が生じてカソード電極からアノード電極への電流経路が形成される。
次に、カソードとアノードがストライプ状に形成された半導体装置を説明する。
実施例2の半導体装置200は図3〜図7に示すように、p型半導体基板121上にp型不純物およびn型不純物を拡散し、その後更にn型不純物をエピタキシャル成長により積層させた半導体基体120に形成されており、半導体基体120は、p型半導体基板121上に高濃度の下層n型半導体領域122および低濃度の上層n型半導体領域123が順に形成されている。
以上の構成については、前記した実施例1と同様である。
第1半導体領域260は、図3に示すように平面視で矩形状に形成されており、その表面に所定間隔でカソード電極261が設けられている。
第2半導体領域270は、濃度の異なる3つの領域から成り、所定濃度の電流経路領域273と、該電流経路領域273より高濃度の低抵抗領域271と、前記電流経路領域273より低濃度の表面降伏防止領域272とで構成されている。
この現象が連続して生じることをアバランシェ降伏と呼び、連続して現象が生じる電界が臨界電界強度と呼ばれている。
カソード電極には、プラスの電圧を印加し、アノード電極は接地する。
この状態では、表面降伏防止領域272をアノードとし第1半導体領域260をカソードとする第1のジャンクションと、電流経路領域273をアノードとし第1半導体領域260をカソードとする第2のジャンクションとに逆方向電圧が印加される。
カソード電極にプラスの電圧を印加しアノード電極を接地すると、第1のジャンクションが臨界電界強度に達するよりも低い電圧で第2のジャンクションが臨界電界強度に達し、該第2のジャンクションで降伏が生じてカソード電極からアノード電極への電流経路が形成される。
120 半導体基体
121 p型半導体基板
122 下層n型半導体領域
123 上層n型半導体領域
124 素子分離領域
125 p型半導体埋め込み領域
126 p型半導体分離領域
131、132 酸化膜
160、260 第1半導体領域(カソード)
170、270 第2半導体領域(アノード)
171、271 低抵抗領域
172、272 表面降伏防止領域
173、273 電流経路領域
Claims (6)
- 第1導電型の半導体基体の表面近傍に、該半導体基体より高い不純物濃度の第1導電型の第1半導体領域および該第1半導体領域に隣接する第2導電型で所定の不純物濃度の領域を有する第2半導体領域を備えたプレーナジャンクション構造の半導体装置において、
前記第2半導体領域は、前記所定の不純物濃度よりも高い不純物濃度で前記半導体基体の表面から所定の深さに形成された低抵抗領域と、
前記所定の不純物濃度よりも低い不純物濃度で前記低抵抗領域の周縁で第1半導体領域との間に形成された表面降伏防止領域と、
前記所定の不純物濃度で、前記表面降伏防止領域および前記低抵抗領域に接する電流経路領域と、を有し、
前記第1半導体領域は、当該領域の底部において前記電流経路領域の周縁が接しており、
平面視において、前記第1半導体領域および前記低抵抗領域が間隔を有して対向するストライプ状に形成され、前記第1半導体領域および前記低抵抗領域間に表面降伏防止領域が形成されており、
前記ストライプの対向している間における断面視において、前記表面降伏防止領域が前記第1半導体領域の底部に接し、前記電流経路領域が前記第1半導体領域の底面および前記低抵抗領域の底面に亘って前記表面降伏防止領域を囲むように接しており、
前記ストライプの終端における断面視において、前記半導体基体内部では、前記第1半導体領域が前記電流経路領域の周縁に接することなく、前記電流経路領域が表面降伏防止領域に接することを特徴とする半導体装置。 - 前記低抵抗領域が、表面降伏防止領域よりも浅く形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記低抵抗領域が、前記表面降伏防止領域よりも深い位置まで形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記電流経路領域は、前記表面降伏防止領域を取囲むことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記低抵抗領域の周縁は前記表面降伏防止領域によって取囲まれ、当該表面降伏防止領域は前記電流経路領域によって取囲まれることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体基体には、電気回路が構成されており、該電気回路のためのサブ電位と前記第1半導体領域のための電位とが共通に用いられていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。
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