JPH0385771A - 埋込ツェナーダイオードの製造方法 - Google Patents
埋込ツェナーダイオードの製造方法Info
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- JPH0385771A JPH0385771A JP1221771A JP22177189A JPH0385771A JP H0385771 A JPH0385771 A JP H0385771A JP 1221771 A JP1221771 A JP 1221771A JP 22177189 A JP22177189 A JP 22177189A JP H0385771 A JPH0385771 A JP H0385771A
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Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電源ＩＣなどで基準電圧の電圧源として使用
されているツェナーダイオードの製造方法に関するもの
である。
されているツェナーダイオードの製造方法に関するもの
である。
第２図は従来のＩＣ中の通常のツェナーダイオードの一
例の構造を示す。
例の構造を示す。
図において１はＰサブストレート、２はＮ〜埋込層、３
はＮエピタキシャル層、４はＰアイソレーション拡散層
、５はＰ゛拡散層、７はＮ＋拡散層、８は５ｉ０２膜で
ある。
はＮエピタキシャル層、４はＰアイソレーション拡散層
、５はＰ゛拡散層、７はＮ＋拡散層、８は５ｉ０２膜で
ある。
Ｐサブストレート１表面にＮエピタキシャル層３を成長
させ、該ＮエピタキシャルＮ３をアイソレーションｔｕ
ｆｔ層４で分離したエビクキシャルアイランド内に、バ
イポーラトランジスタのベース拡散でＰ°拡散層５を形
成し、エミッタ、コレクタコンタクト拡散でＮ“拡散層
７を形成したものである。
させ、該ＮエピタキシャルＮ３をアイソレーションｔｕ
ｆｔ層４で分離したエビクキシャルアイランド内に、バ
イポーラトランジスタのベース拡散でＰ°拡散層５を形
成し、エミッタ、コレクタコンタクト拡散でＮ“拡散層
７を形成したものである。
上記構造のツェナーダイオードでは、ツェナー電圧はＮ
゛拡散層７とＰ゛拡散層５の接合位置で決まり、Ｐ゛拡
散層５とＮ°拡散層７の濃度をコントロールすることで
電圧をコントロールすることができる。しかし、ブレー
クダウンが表面近傍で発生するため、表面保護膜による
ストレス、組立て時の樹脂のストレスなどの影響を受け
、電圧がシフトすることがわかっており、基準電圧の電
圧源として使うためには、通電等の安定化工程が必要で
あった。
゛拡散層７とＰ゛拡散層５の接合位置で決まり、Ｐ゛拡
散層５とＮ°拡散層７の濃度をコントロールすることで
電圧をコントロールすることができる。しかし、ブレー
クダウンが表面近傍で発生するため、表面保護膜による
ストレス、組立て時の樹脂のストレスなどの影響を受け
、電圧がシフトすることがわかっており、基準電圧の電
圧源として使うためには、通電等の安定化工程が必要で
あった。
この欠点を解消するために、埋込ツェナーダイオードが
提案された。
提案された。
第３図、第４図はそれぞれ従来の埋込ツェナーダイオー
ドの一例の構造を示す。
ドの一例の構造を示す。
図において１．２，３，４，５．７．８は第２図の同一
符号と同一または相当する部分を示し、６はＰ拡散層、
９はＰ−拡散層である。
符号と同一または相当する部分を示し、６はＰ拡散層、
９はＰ−拡散層である。
これらは、表面近傍にＮ’ Ｐ＋接合ができない構造と
したもので、ブレークダウンの発生する位置は、シリコ
ン層内部となるため、ツェナー電圧は安定化する。
したもので、ブレークダウンの発生する位置は、シリコ
ン層内部となるため、ツェナー電圧は安定化する。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来構造の埋込ツェナーダイオードでは、上記のように
、ツェナー電圧は安定化するが、Ｎ”Ｐ”の接合位置が
深くなるため、５．５Ｖ程度の低いツェナー電圧を得る
ことが困難になるという問題があった。
、ツェナー電圧は安定化するが、Ｎ”Ｐ”の接合位置が
深くなるため、５．５Ｖ程度の低いツェナー電圧を得る
ことが困難になるという問題があった。
本発明は上記問題を解消するためになされたもので、５
．５Ｖ程度の低いツェナー電圧が得られる埋込ツェナー
ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
．５Ｖ程度の低いツェナー電圧が得られる埋込ツェナー
ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
Ｎ１拡散層をポリシリコン層を通して拡散させることに
より、Ｎ’ Ｐ”接合の位置を浅くする方法である。
より、Ｎ’ Ｐ”接合の位置を浅くする方法である。
上記の方法によると、ポリシリコン層の厚みによってＮ
゛拡散層の接合位置が他のＮ゛拡散層の接合位置より浅
くなり、Ｐ゛拡散濃度の高い位置でブレークダウンが発
生することになり、ポリシリコン層を適当な厚みに設定
することにより、より低いブレークダウン電圧を実現す
ることができる。
゛拡散層の接合位置が他のＮ゛拡散層の接合位置より浅
くなり、Ｐ゛拡散濃度の高い位置でブレークダウンが発
生することになり、ポリシリコン層を適当な厚みに設定
することにより、より低いブレークダウン電圧を実現す
ることができる。
以下、第１図により本発明の製造方法について説明する
。
。
Ｐサブストレート１にＮ”埋込層２を形成し表面にＮエ
ピタキシャル層３を成長させ、該エピタキシャル層３を
アイソレーション拡散層４で分離したエピタキシャルア
イランド内に、Ｐ゛拡散層５と該Ｐ゛拡散層５に対する
電極のコンタクトをとるためのＰ拡散層６を形成し、次
に、表面の５ｉ０２膜８にＮ３拡散層７を拡散させるた
めの開口を設け（この工程までは従来の方法と全く同し
である）、表面にポリシリコン層１０を形成し、そして
、ポリシリコン１１０の上記開口を覆う部分以外をエツ
チング除去し、残ったポリシリコン層１０を通してＮ゛
拡散層７を拡散させ、拡散が終るとポリシリコン層１０
をエツチング除去し、以下、従来と同し方法で電極コン
タクトなどを形成してゆく。
ピタキシャル層３を成長させ、該エピタキシャル層３を
アイソレーション拡散層４で分離したエピタキシャルア
イランド内に、Ｐ゛拡散層５と該Ｐ゛拡散層５に対する
電極のコンタクトをとるためのＰ拡散層６を形成し、次
に、表面の５ｉ０２膜８にＮ３拡散層７を拡散させるた
めの開口を設け（この工程までは従来の方法と全く同し
である）、表面にポリシリコン層１０を形成し、そして
、ポリシリコン１１０の上記開口を覆う部分以外をエツ
チング除去し、残ったポリシリコン層１０を通してＮ゛
拡散層７を拡散させ、拡散が終るとポリシリコン層１０
をエツチング除去し、以下、従来と同し方法で電極コン
タクトなどを形成してゆく。
以上説明したように、本発明によれば、ツェナー電圧が
シフトすることのない埋込ツェナーダイオードで５．５
Ｖ程度の低いツェナー電圧を容易に実現することができ
るという効果がある。
シフトすることのない埋込ツェナーダイオードで５．５
Ｖ程度の低いツェナー電圧を容易に実現することができ
るという効果がある。
第１図は本発明の製造方法の一例を示す説明図第２図は
従来のＩＣ中の通常のツェナーダイオードの一例の構造
を示す説明図、第３図、第４図はそれぞれ従来の埋込ツ
ェナーダイオードの一例の構造を示す説明図である。 １・・・Ｐサブストレート、２・・・Ｎ”埋込層、３・
・Ｎエピタキシャル層、４・・・Ｐアイソレーション拡
散層、５・・・Ｐ゛拡散層、６・・・Ｐ拡散層、７・・
・Ｎ゛拡散層、８・・・ＳｉＯ□膜、１０・・・ポリシ
リコン層。 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。
従来のＩＣ中の通常のツェナーダイオードの一例の構造
を示す説明図、第３図、第４図はそれぞれ従来の埋込ツ
ェナーダイオードの一例の構造を示す説明図である。 １・・・Ｐサブストレート、２・・・Ｎ”埋込層、３・
・Ｎエピタキシャル層、４・・・Ｐアイソレーション拡
散層、５・・・Ｐ゛拡散層、６・・・Ｐ拡散層、７・・
・Ｎ゛拡散層、８・・・ＳｉＯ□膜、１０・・・ポリシ
リコン層。 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。
Claims (1)
- 集積回路中の埋込ツェナーダイオードの製造方法におい
て、ＰサブストレートにＮ＾＋＾＋埋込層を形成し表面
にＮエピタキシャル層を成長させて該Ｎエピタキシャル
層をＰアイソレーション拡散層で分離したツェナーダイ
オードアイランドに、Ｐ＾＋拡散層と該Ｐ＾＋拡散層に
対する電極のコンタクトをとるためのＰ拡散層を形成し
、表面のＳｉＯ＿２膜に開口を設けＮ＾＋拡散層を拡散
させる際、表面全面にポリシリコン層を形成し該ポリシ
リコン層の上記開口を覆う部分以外をエッチング除去し
、ポリシリコン層を通してＮ＾＋拡散層を拡散させるこ
とを特徴とする埋込ツェナーダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1221771A JPH0385771A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 埋込ツェナーダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1221771A JPH0385771A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 埋込ツェナーダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385771A true JPH0385771A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16771946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1221771A Pending JPH0385771A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 埋込ツェナーダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0385771A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095826A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008237808A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Iba Kahe | 消火器具箱 |
| JP2010232490A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016035950A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5271974A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
| JPS57202786A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of zener diode |
| JPS5826671A (ja) * | 1982-07-29 | 1983-02-17 | 彌榮精機株式会社 | ホイ−ルド−リ− |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1221771A patent/JPH0385771A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5271974A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
| JPS57202786A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of zener diode |
| JPS5826671A (ja) * | 1982-07-29 | 1983-02-17 | 彌榮精機株式会社 | ホイ−ルド−リ− |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095826A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008237808A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Iba Kahe | 消火器具箱 |
| JP2010232490A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016035950A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
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