JP6215099B2 - メサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、メサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置に関する。

図１４は、メサ型半導体装置８００を説明するために示す図である。メサ型半導体装置８００は、図１４に示すように、ｎ^＋＋型シリコン基板（第１半導体層）８１２と、ｎ⁻型エピタキシャル層（第２半導体層）８１４と、ｐ^＋型アノード層（第３半導体層）８１６とを有し、これらがこの順序で積層された半導体基体８１０と、メサ領域８２８を囲む領域に、ｐ^＋型アノード層８１６からｐｎ接合（ｎ⁻型エピタキシャル層８１４とｐ^＋型アノード層８１６との境界面８４２）を超える深さ位置に至る領域に形成された外周テーパー領域８３０とを備える。そして、メサ型半導体装置８００においては、外周テーパー領域８３０には、ｐｎ接合を保護するためのガラス層８３２が形成されている。なお、図１４中、符号８３８はカソード電極層を示し、符号８４０はアノード電極層を示す。

メサ型半導体装置８００は、外周テーパー領域８３０にｐｎ接合を保護するためのガラス層８３２が形成されていることから、高信頼性の半導体装置となる。

なお、上記のようなメサ型半導体装置８００には、ｎ⁻型シリコン基板の本体（第２半導体層）と、ｎ⁻型シリコン基板の第２主面側に形成されたｎ^＋型カソード層（第１半導体層）と、ｎ⁻型シリコン基板の第１主面側に形成されたｐ^＋型アノード層（第３半導体層）とを有し、ｎ^＋型カソード層、ｎ⁻型シリコン基板本体及びｐ^＋型アノード層がこの順序で積層された半導体基体を備えるものもある（例えば、特許文献１参照。）。本明細書において、ｐ^＋型アノード層を形成する側の主面を第１主面とし、当該第１主面とは反対側の主面を第２主面とする。

ところで、このようなメサ型半導体装置８００のスイッチング特性を向上させるために、半導体基体の内部に重金属を拡散させることが考えられる。このようにして半導体基体の内部に重金属が拡散されたメサ型半導体装置を、この明細書では、従来のメサ型半導体装置と呼ぶこととする。図１５は、従来のメサ型半導体装置９００を説明するために示す図である。

従来のメサ型半導体装置９００は、図１５に示すように、ｎ^＋＋型シリコン基板（第１半導体層）９１２と、ｎ⁻型エピタキシャル層（第２半導体層）９１４と、ｐ^＋型アノード層（第３半導体層）９１６とを有し、これらがこの順序で積層された半導体基体９１０と、メサ領域９２８を囲む領域に、ｐ^＋型アノード層９１６からｐｎ接合（ｎ⁻型エピタキシャル層９１４とｐ^＋型アノード層９１６との境界面９４２）を超える深さ位置に至る領域に形成された外周テーパー領域９３０とを備え、当該外周テーパー領域９３０には、ｐｎ接合を保護するためのガラス層９３２が形成されている。そして、従来のメサ型半導体装置９００においては、半導体基体９１０の内部に、重金属（例えばＰｔ）９２２が拡散されている。すなわち、従来のメサ型半導体装置は、メサ型のファストリカバリダイオードである。なお、図１５中、符号９３８はカソード電極層を示し、符号９４０はアノード電極層を示す。

従来のメサ型半導体装置９００は、半導体基体９１０の内部に重金属９２２が拡散されていることから、半導体基体９１０の内部にキャリアの再結合中心が形成される結果、逆回復時間ｔｒｒが短くスイッチング特性に優れたメサ型半導体装置となるものと考えられる。

従来のメサ型半導体装置９００は、例えば特許文献２に記載の重金属拡散技術を適用して製造することができる。このように特許文献２に記載の重金属拡散技術を適用してメサ型半導体装置９００を製造する方法を、この明細書では、従来のメサ型半導体装置の製造方法と呼ぶこととする。図１６及び図１７は、従来のメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１６（ａ）は半導体基体準備工程を示し、図１６（ｂ）は重金属含有ペースト層形成工程を示し、図１６（ｃ）は重金属拡散工程を示し、図１６（ｄ）は溝形成工程を示し、図１７（ａ）はガラス層形成工程を示し、図１７（ｂ）は酸化膜除去工程を示し、図１７（ｃ）は電極形成工程を示し、図１７（ｄ）は半導体基体切断工程を示す。

従来のメサ型半導体装置の製造方法は、図１６〜図１７に示すように、半導体基体準備工程と、重金属含有ペースト層形成工程と、重金属拡散工程と、溝形成工程と、ガラス層形成工程と、酸化膜除去工程と、電極形成工程と、半導体基体切断工程とをこの順序で実施する。以下、工程に沿って従来のメサ型半導体装置の製造方法を詳細に説明する。

（１）半導体基体準備工程
まず、ｎ^＋＋型シリコン基板（第１半導体層）９１２上にｎ⁻型エピタキシャル層（第２半導体層）９１４を形成した後、当該ｎ⁻型エピタキシャル層９１４の表面からのｐ型不純物の拡散によりｐ^＋型アノード層（第３半導体層）９１６を形成して、ｎ^＋＋型シリコン基板９１２と、ｎ⁻型エピタキシャル層９１４と、ｐ^＋型アノード層９１６とを有し、これらがこの順序で積層された半導体基体９１０を形成する（図１６（ａ）参照。）。

（２）重金属含有ペースト層形成工程
次に、半導体基体９１０の第１主面側の表面に、シリコン酸化膜のマスク９２０を形成した後、半導体基体９１０の第２主面側の表面に、重金属（例えばＰｔ）９２２を含有する重金属含有ペーストを塗布して、半導体基体９１０の第２主面側の表面に、重金属拡散源となる重金属含有ペースト層９１８を形成する（図１６（ｂ）参照。）。

（３）重金属拡散工程
次に、半導体基体９１０に熱処理を施すことにより、重金属含有ペースト層９１８から半導体基体９１０の内部に重金属９２２を拡散させる。これにより、半導体基体９１０のほぼ全体に重金属９２２が拡散された状態となる（図１６（ｃ）参照。）。熱処理の条件としては、例えば、９５０℃、３０分とする。

（４）溝形成工程
次に、フッ酸系エッチング液により、半導体基体９１０における第１主面側の表面のマスク９２０及び第２主面側の表面の重金属含有ペースト層９１８の酸化変質層を除去した後、熱酸化によりｎ^＋＋型シリコン基板９１２及びｐ^＋型アノード層９１６の表面に酸化膜９２４を形成する。その後、フォトエッチング法によって第１主面側の酸化膜９２４の所定部位に所定の開口部を形成した後、半導体基体９１０のエッチングを行い、半導体基体９１０の第１主面側の表面からｐｎ接合（ｎ⁻型エピタキシャル層９１４とｐ^＋型アノード層９１６の境界面９４２）を超える深さの溝（メサ領域形成用の溝）９２６を形成するとともに、当該溝９２６に囲まれた領域にメサ領域９２８を形成する（図１６（ｄ）参照。）。

（５）ガラス層形成工程
次に、電気泳動法により溝９２６の内面及びその近傍の半導体基体９１０の第１主面側の表面に半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層９３２を形成する（図１７（ａ）参照。）。

（６）酸化膜除去工程
次に、ガラス層９３２の表面を覆うようにガラス層保護膜（例えばフォトレジスト）９３４を形成した後、当該ガラス層保護膜９３４をマスクとして酸化膜９２４のエッチングを行い、電極形成領域９３６における酸化膜９２４及び半導体基体９１０の第２主面側の表面に形成されていた酸化膜９２４を除去する（図１７（ｂ）参照。）。その後、ガラス層保護膜９３４を除去する。

（７）電極形成工程
次に、半導体基体９１０にＮｉめっきを施し、半導体基体９１０の第２主面側の表面にカソード電極層９３８を形成するとともに、半導体基体９１０の第１主面側の表面における電極形成領域９３６にアノード電極層９４０を形成する（図１７（ｃ）参照。）。なお、Ｎｉめっきに代えて蒸着、スパッタ等の気相法によりカソード電極層９３８及びアノード電極層９４０を形成してもよい。

（８）半導体基体切断工程
次に、ダイシング等により、ガラス層９３２の中央部において半導体基体９１０を切断して半導体基体をチップ化して、メサ型半導体装置９００を作製する（図１７（ｄ）参照。）。

以上の工程を実施することにより、従来のメサ型半導体装置（ｐｎダイオード）９００を製造することができる。

特開２００４−８７９５５号公報 特開２００５−７９２３３号公報

しかしながら、従来のメサ型半導体装置の製造方法においては、半導体材料（シリコン）中では重金属（例えばＰｔ）が侵入型の不純物となることから拡散が極めて速く、そのため、半導体基体９１０の全領域に重金属（例えばＰｔ）が拡散されることとなる。その結果、半導体基体９１０の全領域にわたって深い準位が生成されて特性劣化（例えば、逆方向漏れ電流ＩＲの増加、順方向電圧降下ＶＦの増加。）を招いてしまうという問題がある。

そこで、本発明は、上記した問題を解決するためになされたもので、半導体基体の全領域にわたって深い準位が生成されて特性劣化を招いてしまうということのない、メサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置を提供することを目的とする。

［１］本発明のメサ型半導体装置の製造方法は、高濃度のｎ型不純物又は高濃度のｐ型不純物を含有する第１半導体層と、低濃度のｎ型不純物を含有する第２半導体層とを少なくとも有し、前記第１半導体層と前記第２半導体層とが第２主面側から第１主面側に向けてこの順序で積層された半導体基体を準備する半導体基体準備工程と、メサ領域を囲む領域に、前記半導体基体の前記第１主面側の表面から少なくとも前記第２半導体層に達する深さのメサ領域形成用の溝を形成する溝形成工程と、前記溝の内面に重金属含有ペースト層を形成する重金属含有ペースト層形成工程と、前記半導体基体の主面に立てた法線に対して所定の傾斜角をもって、かつ、前記溝の全周にわたって、前記溝の表面から前記半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射して当該半導体基体の内部を加熱することにより前記半導体基体の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域を形成する重金属拡散工程とをこの順序で含むことを特徴とする。

［２］本発明のメサ型半導体装置の製造方法において、前記重金属拡散工程においては、前記溝の全周を走査しながら前記レーザ光を照射することが好ましい。

［３］本発明のメサ型半導体装置の製造方法において、前記重金属拡散工程においては、前記溝の表面から前記半導体基体の内部に至る重金属拡散領域が、平面的に見て前記半導体基体の中央部で重畳するような条件で前記レーザ光を照射することが好ましい。

［４］本発明のメサ型半導体装置の製造方法においては、前記所定の傾斜角は、４５°〜７５°の角度であることが好ましい。

［５］本発明のメサ型半導体装置の製造方法において、前記重金属拡散工程においては、グリーンレーザを用いて前記レーザ光を照射することが好ましい。

［６］本発明のメサ型半導体装置の製造方法においては、前記半導体基体は、高濃度のｐ型不純物を含有する第３半導体層をさらに有し、前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記第３半導体層とが前記第２主面側から前記第１主面側に向けてこの順序で積層された半導体基体であり、前記溝形成工程においては、前記第３半導体層の表面から前記第１半導体層に達する深さの溝を形成し、前記重金属拡散工程においては、溝に露出している前記第１半導体層と前記第２半導体層との境界近傍から前記第１半導体層の内部に向けてレーザ光を照射することが好ましい。

［７］本発明のメサ型半導体装置の製造方法においては、前記半導体基体は、高濃度のｐ型不純物を含有する第３半導体層をさらに有し、前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記第３半導体層とが前記第２主面側から前記第１主面側に向けてこの順序で積層された半導体基体であり、前記溝形成工程においては、前記第３半導体層の表面から前記第１半導体層に達しない深さの溝を形成し、前記重金属拡散工程においては、溝に露出している前記第２半導体層の表面から前記第２半導体層の内部に向けてレーザ光を照射することが好ましい。

［８］本発明のメサ型半導体装置の製造方法において、前記溝形成工程においては、前記第２半導体層の表面から前記第１半導体層に達しない深さの溝を形成し、前記重金属拡散工程においては、溝に露出している前記第２半導体層の表面から前記第２半導体層の内部に向けてレーザ光を照射することが好ましい。

［９］本発明のメサ型半導体装置の製造方法において、前記重金属拡散工程においては、前記レーザ光として、平面的に見て前記溝に対する入射角度の異なる２以上のレーザ光を重畳して照射することが好ましい。

［１０］本発明のメサ型半導体装置の製造方法において、前記重金属拡散工程においては、補助熱源を用いて前記半導体基体を加熱しながらレーザ光を照射することが好ましい。

［１１］本発明のメサ型半導体装置の製造方法において、前記重金属含有ペースト層形成工程においては、前記溝の内面に重金属含有ペースト層を形成するのに加えて、前記半導体基体における前記第２主面側の表面にも重金属含有ペースト層を形成し、前記重金属拡散工程においては、前記溝の表面から前記半導体基体の内部に向けて前記レーザ光を照射するのに加えて、前記半導体基体における前記第２主面側の表面からも前記半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射して当該半導体基体の内部を加熱することにより、平面的に見て少なくとも前記半導体基体の中央部においては、前記半導体基体における前記第２主面側の表面からも前記重金属拡散領域に達するように、重金属を拡散させることが好ましい。

［１２］本発明のメサ型半導体装置は、高濃度のｎ型不純物又は高濃度のｐ型不純物を含有する第１半導体層と、低濃度のｎ型不純物を含有する第２半導体層とを有し、前記第１半導体層と前記第２半導体層とが第２主面側から第１主面側に向けてこの順序で積層された半導体基体と、メサ領域を囲む領域に、前記半導体基体の前記第１主面側の表面から少なくとも前記第２半導体層に達する深さ位置まで形成された外周テーパ領域と、前記外周テーパ領域から、前記半導体基体の主面に立てた法線に対して所定の傾斜角をもって、かつ、前記外周テーパ領域の全周にわたって、前記外周テーパ領域の表面から前記半導体基体の内部に向けて重金属が拡散された重金属拡散領域とを備えることを特徴とする。

本発明のメサ型半導体装置においては、前記半導体基体は、高濃度のｐ型不純物を含有する第３半導体層をさらに有し、前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記第３半導体層とが前記第２主面側から前記第１主面側に向けてこの順序で積層された半導体基体であり、前記外周テーパ領域は、メサ領域を囲む領域に、前記第３半導体層の表面から前記第１半導体層に達する深さ位置まで形成されてなるものであってもよい。

本発明のメサ型半導体装置においては、前記半導体基体は、高濃度のｐ型不純物を含有する第３半導体層をさらに有し、前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記第３半導体層とが前記第２主面側から前記第１主面側に向けてこの順序で積層された半導体基体であり、前記外周テーパ領域は、メサ領域を囲む領域に、前記第３半導体層の表面から前記第１半導体層に達しない深さ位置まで形成されてなるものであってもよい。

本発明のメサ型半導体装置においては、前記外周テーパ領域は、メサ領域を囲む領域に、前記第２半導体層の表面から前記第１半導体層に達しない深さ位置まで形成されてなるものであってもよい。

本発明のメサ型半導体装置の製造方法によれば、溝の内面に重金属含有ペースト層を形成する重金属含有ペースト層形成工程と、溝の表面から半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射して当該半導体基体の内部を加熱することにより半導体基体の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域を形成する重金属拡散工程とを実施することによって半導体基体の内部に重金属を拡散することとしていることから、従来のメサ型半導体装置の製造方法の場合とは違って、半導体基体の内部に、平面的に見れば全面ではあるが、断面的に見れば部分的に重金属拡散領域を形成することが可能となり、その結果、半導体基体の全領域にわたって深い準位が生成されて特性劣化を招いてしまうという問題がなくなる。

本発明のメサ型半導体装置によれば、外周テーパ領域の表面から半導体基体の内部に向けて重金属が拡散された重金属拡散領域を備えることから、従来のメサ型半導体装置の場合とは違って、半導体基体の内部に、平面的に見れば全面ではあるが、断面的に見れば部分的に重金属拡散領域が形成され、その結果、半導体基体の全領域にわたって深い準位が生成されて特性劣化を招いてしまうという問題がなくなる。

実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態１において半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射する様子を示す図である。 実施形態１の変形例において半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射する様子を示す図である。 実施形態２に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態２に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態３に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態３に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態４に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態４に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 変形例１に係るメサ型半導体装置４００の断面図である。 変形例２に係るメサ型半導体装置５００の断面図である。 変形例３に係るメサ型半導体装置６００を説明するために示す図である。 メサ型半導体装置８００を説明するために示す図である。 従来のメサ型半導体装置９００を説明するために示す図である。 従来のメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 従来のメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。

以下、本発明のメサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置を、図に示す実施形態を参照しながら詳細に説明する。

［実施形態１］
図１及び図２は、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１（ａ）は半導体基体準備工程を示し、図１（ｂ）は溝形成工程を示し、図１（ｃ）は重金属含有ペースト層形成工程を示し、図１（ｄ）は重金属拡散工程を示し、図２（ａ）はガラス層形成工程を示し、図２（ｂ）は酸化膜除去工程を示し、図２（ｃ）は電極形成工程を示し、図２（ｄ）は半導体基体切断工程を示す。
図３は、実施形態１において半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射する様子を示す図である。図４は、実施形態１の変形例において半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射する様子を示す図である。図３（ａ）及び図４（ａ）はレーザ光を照射する様子を示す斜視図であり、図３（ｂ）及び図４（ｂ）はレーザ光を照射する様子を示す平面図である。

実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法は、図１及び図２に示すように、半導体基体準備工程と、溝形成工程と、重金属含有ペースト層形成工程と、重金属拡散工程と、ガラス層形成工程と、酸化膜除去工程と、電極形成工程と、半導体基体切断工程とをこの順序で実施する。以下、工程に沿って、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法を詳細に説明する。

（１）半導体基体準備工程
まず、ｎ^＋＋型シリコン基板（第１半導体層）１１２上に、当該ｎ^＋＋型シリコン基板１１２の不純物濃度より低濃度のｎ⁻型エピタキシャル層（第２半導体層）１１４を形成した後、当該ｎ⁻型エピタキシャル層１１４の表面からのｐ型不純物の拡散によりｐ^＋型アノード層（第３半導体層）１１６を形成して、ｎ^＋＋型シリコン基板１１２と、ｎ⁻型エピタキシャル層１１４と、ｐ^＋型アノード層１１６とを有し、これらがこの順序で積層された半導体基体１１０を形成する（図１（ａ）参照。）。

（２）溝形成工程
次に、熱酸化によりｎ^＋＋型シリコン基板１１２及びｐ^＋型アノード層１１６の表面に酸化膜１２４を形成する。その後、フォトエッチング法によって第１主面側の酸化膜１２４の所定部位に所定の開口部を形成した後、半導体基体１１０のエッチングを行い、半導体基体１１０の第１主面側の表面から「ｎ^＋＋型シリコン基板１１２とｎ⁻型エピタキシャル層１１４の境界面１４４」を超える深さの溝（メサ領域形成用の溝）１２６を形成するとともに、当該溝１２６に囲まれた領域にメサ領域１２８を形成する（図１（ｂ）参照。）。

（３）重金属含有ペースト層形成工程
次に、溝１２６の内面に、重金属（例えばＰｔ）を含有する重金属含有ペーストを塗布して、溝１２６の内面に重金属拡散源となる重金属含有ペースト層１１８を形成する（図１（ｃ）参照。）。

（４）重金属拡散工程
次に、半導体基体１１０の主面に立てた法線に対して所定の傾斜角θをもって、かつ、溝１２６の全周にわたって、溝１２６の表面から半導体基体１１０の内部に向けてレーザ光Ｌ１を照射して半導体基体１１０の内部を加熱することにより半導体基体１１０の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域１２２を形成する（図１（ｄ）参照。）。このとき、溝に露出している、ｎ^＋＋型シリコン基板１１２とｎ⁻型エピタキシャル層１１４の境界近傍からｎ^＋＋型シリコン基板１１２の内部に向けてレーザ光を照射する。

このように、半導体基体１１０の内部に向けてレーザ光Ｌ１を照射することによって、レーザ光Ｌ１が照射された領域（溝の表面から半導体基体の内部に至る領域）が加熱され（例えば７７０℃以上）、この領域に沿って重金属が拡散し、重金属拡散領域１２２となる。

所定の傾斜角は、４５°〜７５°の角度である。傾斜角を４５°〜７５°としたのは、傾斜角が４５°よりも小さい場合には、角度が急すぎてレーザ光Ｌ１が半導体基体（チップ）の中央部まで到達しないうちにレーザ光Ｌ１が半導体基体１１０の裏面から射出してしまうため好ましくないからであり、傾斜角が７５°よりも大きい場合には、レーザ光を半導体基体の溝の内面から半導体基体１１０に入射させるのが困難となるため好ましくないからである。

重金属拡散工程においては、溝１２６の全周を走査しながらレーザ光Ｌ１を照射する。この場合、例えば、図３に示すように、ウェーハ単位で縦横にレーザ光Ｌ１を走査するのが効率的である。

なお、重金属拡散工程においては、図４に示すように、レーザ光として、平面的に見て溝１２６に対する入射角度の異なる２以上のレーザ光Ｌ１，Ｌ２を重畳して照射することとしてもよい。このようにすれば、出力が高くなることから、白金が効率よく拡散するようになる。また、レーザ光が重畳して照射される領域には白金が拡散し、レーザ光が重畳して照射されない領域には白金が拡散しないようにすることができ、必要な部分だけに白金を拡散することが容易となる。

重金属拡散工程においては、図１（ｄ）に示すように、溝１２６の表面から半導体基体１１０の内部に至る重金属拡散領域１２２が、平面的に見て半導体基体１１０の中央部で重畳するような条件でレーザ光Ｌ１を照射する。言い換えれば、メサ型半導体装置１００の使用時にアノード電極層１４０とカソード電極層１３８との間に流れる電流が必ず重金属拡散領域１２２を通過するような位置に重金属拡散領域１２２が形成されるような条件でレーザ光Ｌ１を照射する。なお、図１（ｄ）中、符号１２２ａは重金属拡散領域１２２が重畳している部分を示す。

重金属拡散工程においては、グリーンレーザを用いてレーザ光を照射する。グリーンレーザを用いるのは、半導体基体（シリコン）に対する吸収性のよい緑色のレーザ光を照射することができるからである。グリーンレーザとしては、例えば、ビーム径が８０μｍ、走査速度が５００ｍｍ／ｓ、パワー（加工点出力）が４００〜１０００ｍＷ、パルスレーザ周波数が８〜１５ｋＨｚ、波長が５３２ｎｍのグリーンレーザ（１０６４ｎｍの赤外線レーザを第２次高調波発生装置ＳＨＧで波長変換した波長５３２ｎｍのグリーンレーザ）を用いる。そして、グリーンレーザを、アッテネータ、エキスパンダ、アパーチャを介してウェハに照射する。レーザ光のパワーは、シリコン表面が溶融せず、かつ、シリコンへの重金属の拡散が起こる範囲のパワーとする。

（５）ガラス層形成工程
次に、電気泳動法により溝１２６の内面及びその近傍の半導体基体１１０の第１主面側の表面に半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層１３２を形成する（図２（ａ）参照。）。

（６）酸化膜除去工程
次に、ガラス層１３２の表面を覆うようにガラス層保護膜（例えばフォトレジスト）１３４を形成した後、当該ガラス層保護膜１３４をマスクとして酸化膜１２４のエッチングを行い、電極形成領域１３６における酸化膜１２４及び半導体基体１１０の第２主面側の表面に形成されていた酸化膜１２４を除去する（図２（ｂ）参照。）。

（７）電極形成工程
次に、半導体基体１１０にＮｉめっきを施し、半導体基体１１０の第２主面側の表面にカソード電極層１３８を形成するとともに、半導体基体１１０の第１主面側の表面における電極形成領域１３６にアノード電極層１４０を形成する（図２（ｃ）参照。）。なお、Ｎｉめっきに代えて蒸着、スパッタ等の気相法によりカソード電極層１３８及びアノード電極層１４０を形成してもよい。

（８）半導体基体切断工程
次に、ダイシング等により、ガラス層１３２の中央部において半導体基体１１０を切断して半導体基体をチップ化して、メサ型半導体装置１００を作製する（図２（ｄ）参照。）。

以上の工程を実施することにより、実施形態１に係るメサ型半導体装置（ファストリカバリダイオード）１００、すなわち、ｎ^＋＋型シリコン基板（第１半導体層）１１２と、ｎ⁻型エピタキシャル層（第２半導体層）１１４と、ｐ^＋型アノード層（第３半導体層）１１６とを有し、ｎ^＋＋型シリコン基板１１２と、ｎ⁻型エピタキシャル層１１４と、ｐ^＋型アノード層１１６とがこの順序で積層された半導体基体１１０と、メサ領域１２８を囲む領域に、ｐ^＋型アノード層１１６の表面からｎ⁻型エピタキシャル層１１４とｐ^＋型アノード層１１６との境界面を少なくとも超える深さ位置に至る領域に形成された外周テーパ領域１３０と、外周テーパ領域１３０から、半導体基体１１０の主面に立てた法線に対して所定の傾斜角をもって、かつ、外周テーパ領域１３０の全周にわたって、外周テーパ領域１３０の表面から半導体基体１１０の内部に向けて重金属が拡散された重金属拡散領域１２２とを備えるメサ型半導体装置、を製造することができる。

実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法によれば、溝の内面に重金属含有ペースト層を形成する重金属含有ペースト層形成工程と、溝の表面から半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射して当該半導体基体の内部を加熱することにより半導体基体の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域を形成する重金属拡散工程とを実施することによって半導体基体の内部に重金属を拡散することとしていることから、従来のメサ型半導体装置の製造方法の場合とは違って、半導体基体の内部に、平面的に見れば全面ではあるが、断面的に見れば部分的に重金属拡散領域を形成する（具体的には第１主面と第２主面との間を横切るように層状に選択的に重金属拡散領域を形成する）ことが可能となり、その結果、半導体基体の全領域にわたって深い準位が生成されて特性劣化を招いてしまうという問題がなくなる。

実施形態１に係るメサ型半導体装置によれば、外周テーパ領域の表面から半導体基体の内部に向けて重金属が拡散された重金属拡散領域を備えることから、従来のメサ型半導体装置の場合とは違って、半導体基体の内部に、平面的に見れば全面ではあるが、断面的に見れば部分的に（具体的には第１主面と第２主面との間を横切るように層状に選択的に）重金属拡散領域が形成され、その結果、半導体基体の全領域にわたって深い準位が生成されて特性劣化を招いてしまうという問題がなくなる。

［実施形態２］
図５及び図６は、実施形態２に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図５（ａ）は重金属含有ペースト層形成工程を示し、図５（ｂ）は重金属拡散工程を示し、図５（ｃ）は第２の重金属含有ペースト層形成工程を示し、図５（ｄ）は第２の重金属拡散工程を示し、図６（ａ）はガラス層形成工程を示し、図６（ｂ）は酸化膜除去工程を示し、図６（ｃ）は電極形成工程を示し、図６（ｄ）は半導体基体切断工程を示す。

実施形態２に係るメサ型半導体装置の製造方法は、図５及び図６に示すように、基本的には実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、図５（ａ）〜図５（ｄ）に示すように、溝形成工程及び重金属拡散工程の内容が実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合とは異なる。以下、溝形成工程及び重金属拡散工程を中心として、実施形態２に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明する。

（１）まず、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様にして、「半導体基体準備工程」及び「溝形成工程」を実施する。

（２）重金属含有ペースト層形成工程（第１の重金属含有ペースト層形成工程）
次に、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様にして、溝１２６の内面に重金属拡散源となる重金属含有ペースト層１１８を形成する（図５（ａ）参照。）。

（３）重金属拡散工程（第１の重金属拡散工程）
次に、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様にして、半導体基体１１０の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域１２２を形成する（図５（ｂ）参照。）。

（４）第２の重金属含有ペースト層形成工程
次に、半導体基体１１０における第２主面側の表面に形成されていた酸化膜１２４を除去した後、半導体基体１１０における第２主面側の表面に重金属含有ペースト層１４８を形成する（図５（ｃ）参照。）。

（５）第２の重金属拡散工程
次に、半導体基体１１０における第２主面側の表面から半導体基体１１０の内部に向けてレーザ光Ｌ２を照射して当該半導体基体１１０の内部を加熱することにより、平面的に見て少なくとも半導体基体１１０の中央部においては、半導体基体１１０における第２主面側の表面からも重金属拡散領域１２２に達するように重金属を拡散させて第２の重金属拡散領域１５０を形成する（図５（ｄ）参照。）。第２の重金属拡散領域１５０は半導体基体１１０の中央部において、重金属拡散領域１２２と重畳している。

（６）次に、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様にして、「ガラス層形成工程（図６（ａ）参照。）」、「酸化膜除去工程（図６（ｂ）参照。）」、「電極形成工程（図６（ｃ）参照。）」及び「半導体基体切断工程（図６（ｄ）参照。）」を実施する。

以上の工程を実施することにより、実施形態２に係るメサ型半導体装置（ファストリカバリダイオード）１０２を製造することができる。

このように、実施形態２に係るメサ型半導体装置の製造方法は、重金属含有ペースト層形成工程及び重金属拡散工程の内容が実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様に、溝の内面に重金属含有ペースト層を形成する重金属含有ペースト層形成工程と、溝の表面から半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射して当該半導体基体の内部を加熱することにより半導体基体の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域を形成する重金属拡散工程とを実施することによって半導体基体の内部に重金属を拡散することとしていることから、従来のメサ型半導体装置の製造方法の場合とは違って、半導体基体の内部に、平面的に見れば全面ではあるが、断面的に見れば部分的に重金属拡散領域を形成する（具体的には第１主面と第２主面との間を横切るように層状に選択的に重金属拡散領域を形成する）ことが可能となり、その結果、半導体基体の全領域にわたって深い準位が生成されて特性劣化を招いてしまうという問題がなくなる。

また、実施形態２に係るメサ型半導体装置の製造方法によれば、重金属含有ペースト層形成工程及び重金属拡散工程に加えて、上記した第２の重金属含有ペースト層形成工程と第２の重金属拡散工程とを実施することによって半導体基体の内部に重金属を拡散することとしていることから、半導体基体中央部においても確実に重金属拡散領域を形成することができるという効果がある。従って、比較的大きなチップサイズのメサ型半導体装置を製造する場合において、重金属拡散領域１２２の重畳領域１２２ａの形成が困難な場合に特に効果を発揮する。

なお、実施形態２に係るメサ型半導体装置の製造方法は、重金属含有ペースト層形成工程及び重金属拡散工程以外の内容については実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様の工程を含むため、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法が有する効果のうち同様の効果を有する。

［実施形態３］
図７及び図８は、実施形態３に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図７（ａ）は半導体基体準備工程を示し、図７（ｂ）は溝形成工程を示し、図７（ｃ）は重金属含有ペースト層形成工程を示し、図７（ｄ）は重金属拡散工程を示し、図８（ａ）はガラス層形成工程を示し、図８（ｂ）は酸化膜除去工程を示し、図８（ｃ）は電極形成工程を示し、図８（ｄ）は半導体基体切断工程を示す。

実施形態３に係るメサ型半導体装置の製造方法は、図７及び図８に示すように、基本的には実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、図７（ｂ）〜図７（ｄ）に示すように、溝形成工程及び重金属拡散工程の内容が実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合とは異なる。以下、溝形成工程及び重金属拡散工程を中心として、実施形態３に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明する。

（１）まず、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様にして、「半導体基体準備工程」を実施する（図７（ａ）参照。）。

（２）溝形成工程
次に、熱酸化によりｎ^＋＋型シリコン基板２１２及びｐ^＋型アノード層２１６の表面に酸化膜２２４を形成する。その後、フォトエッチング法によって第１主面側の酸化膜２２４の所定部位に所定の開口部を形成した後、半導体基体２１０のエッチングを行い、半導体基体２１０の第１主面側の表面から「ｎ⁻型エピタキシャル層２１４とｐ^＋型アノード層２１６の境界面２４２」を超える深さの溝（メサ領域形成用の溝）２２６を形成するとともに、当該溝２２６に囲まれた領域にメサ領域２２８を形成する（図７（ｂ）参照。）。

（３）次に、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様にして、「重金属含有ペースト層形成工程」を実施する（図７（ｃ）参照。）。

（４）重金属拡散工程
次に、半導体基体２１０の主面に立てた法線に対して所定の傾斜角をもって、かつ、溝２２６の全周にわたって、溝２２６の表面から半導体基体２１０の内部に向けてレーザ光Ｌ１を照射して半導体基体２１０の内部を加熱することにより半導体基体２１０の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域２２２を形成する（図７（ｄ）参照。）。このとき、溝に露出している、ｎ⁻型エピタキシャル層２１４の表面からｎ⁻型エピタキシャル層２１４の内部に向けてレーザ光を照射する。

（５）次に、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様にして、「ガラス層形成工程（図８（ａ）参照。）」、「酸化膜除去工程（図８（ｂ）参照。）」、「電極形成工程（図８（ｃ）参照。）」及び「半導体基体切断工程（図８（ｄ）参照。）」を実施する。

以上の工程を実施することにより、実施形態３に係るメサ型半導体装置（ファストリカバリダイオード）２００を製造することができる。

このように、実施形態３に係るメサ型半導体装置の製造方法は、溝形成工程及び重金属拡散工程の内容が実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様に、溝の内面に重金属含有ペースト層を形成する重金属含有ペースト層形成工程と、溝の表面から半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射して当該半導体基体の内部を加熱することにより半導体基体の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域を形成する重金属拡散工程とを実施することによって半導体基体の内部に重金属を拡散することとしていることから、従来のメサ型半導体装置の製造方法の場合とは違って、半導体基体の内部に、平面的に見れば全面ではあるが、断面的に見れば部分的に重金属拡散領域を形成する（具体的には第１主面と第２主面との間を横切るように層状に選択的に重金属拡散領域を形成する）ことが可能となり、その結果、半導体基体の全領域にわたって深い準位が生成されて特性劣化を招いてしまうという問題がなくなる。

なお、実施形態３に係るメサ型半導体装置の製造方法は、溝形成工程及び重金属拡散工程以外の内容については実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様の工程を含むため、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法が有する効果のうち同様の効果を有する。

［実施形態４］
図９及び図１０は、実施形態４に係るメサ型半導体装置（片阻止サイリスタ）の製造方法を説明するために示す図である。図９（ａ）は半導体基体準備工程を示し、図９（ｂ）は溝形成工程を示し、図９（ｃ）は重金属含有ペースト層形成工程を示し、図９（ｄ）は重金属拡散工程を示し、図１０（ａ）はガラス層形成工程を示し、図１０（ｂ）は酸化膜除去工程を示し、図１０（ｃ）は電極形成工程を示し、図１０（ｄ）は半導体基体切断工程を示す。

実施形態４に係るメサ型半導体装置の製造方法は、図９及び図１０に示すように、基本的には実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、図９及び図１０に示すように、製造するメサ型半導体装置の種類が実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合とは異なる。すなわち、実施形態４に係るメサ型半導体装置の製造方法は、メサ型半導体装置としてメサ型のサイリスタを製造するためのものである。以下、実施形態４に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明する。

（１）半導体基体準備工程
まず、ｐ^＋＋型シリコン基板（第１半導体層）３１２上にｎ⁻型エピタキシャル層（第２半導体層）３１４を形成した後、当該ｎ⁻型エピタキシャル層３１４の表面からのｐ型不純物の拡散によりｐ^＋型ゲート層（第３半導体層）３１６を形成し、さらにはｐ^＋型ゲート層（第３半導体層）３１６の表面からの選択的なｎ型不純物の拡散によりｎ^＋型カソード層３１７を形成し、ｐ^＋＋型シリコン基板３１２と、ｎ⁻型エピタキシャル層３１４と、ｐ^＋型ゲート層３１６と、ｎ^＋型カソード層３１７を有する半導体基体３１０を形成する（図９（ａ）参照。）。

（２）溝形成工程
次に、熱酸化によりｐ^＋＋型シリコン基板３１２及びｐ^＋型ゲート層３１６の表面に酸化膜３２４を形成する。その後、フォトエッチング法によって第１主面側の酸化膜３２４の所定部位及び第２主面側の酸化膜３２４に所定の開口部を形成した後、半導体基体３１０のエッチングを行い、半導体基体３１０の第１主面側の表面から「ｎ⁻型エピタキシャル層３１４とｐ^＋型ゲート層３１６の境界面３４２」を超える深さの溝（メサ領域形成用の溝）３２６を形成し、半導体基体３１０の第２主面側の表面から「ｐ^＋＋型シリコン基板３１２とｎ⁻型エピタキシャル層３１４との境界面３４３」を超える深さの溝（メサ領域形成用の溝）３２７を形成するとともに、当該溝３２６，３２７に囲まれた領域にメサ領域３２８，３２５を形成する（図９（ｂ）参照。）。

（３）重金属含有ペースト層形成工程
次に、溝３２６，３２７のうち溝３２６の内面に、重金属（例えばＰｔ）を含有する重金属含有ペーストを塗布して、溝３２６の内面に重金属拡散源となる重金属含有ペースト層３１８を形成する（図９（ｃ）参照。）。

（４）重金属拡散工程
次に、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様に、半導体基体３１０の主面に立てた法線に対して所定の傾斜角をもって、かつ、溝３２６の全周にわたって、溝３２６の表面から半導体基体３１０の内部に向けてレーザ光Ｌ１を照射して半導体基体３１０の内部を加熱することにより半導体基体３１０の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域３２２を形成する（図９（ｄ）参照。）。このとき、ｐ^＋＋型シリコン基板３１２とｎ⁻型エピタキシャル層３１４との境界面に形成されるｐｎ接合にかからないように重金属拡散領域３２２を形成する。

（５）ガラス層形成工程
次に、電気泳動法により溝３２６，３２７の内面及びその近傍の半導体基体３１０における第１主面側の表面及び第２主面側の表面に半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層３３２，３３３を形成する（図１０（ａ）参照。）。

（６）酸化膜除去工程
次に、ガラス層３３２，３３３の表面を覆うようにガラス層保護膜（例えばフォトレジスト）３３４，３３５を形成した後、当該ガラス層保護膜３３４，３３５をマスクとして酸化膜３２４のエッチングを行い、電極形成領域における酸化膜３２４を除去する（図１０（ｂ）参照。）。

（７）電極形成工程
次に、半導体基体３１０にＮｉめっきを施し、半導体基体３１０の第２主面側の表面にアノード電極層３３８を形成するとともに、半導体基体３１０の第１主面側の表面における電極形成領域にゲート電極層３４０及びカソード電極層３４１を形成する（図１０（ｃ）参照。）。なお、Ｎｉめっきに代えて蒸着、スパッタ等の気相法によりアノード電極層３３８、ゲート電極層３４０及びカソード電極層３４１を形成してもよい。

（８）半導体基体切断工程
次に、ダイシング等により、ガラス層３３２，３３３の中央部において半導体基体３１０を切断して半導体基体をチップ化して、メサ型半導体装置３００を作製する（図１０（ｄ）参照。）。

以上の工程を実施することにより、実施形態４に係るメサ型半導体装置（片阻止サイリスタ）３００を製造することができる。

このように、実施形態４に係るメサ型半導体装置の製造方法は、製造するメサ型半導体装置の種類が実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様に、溝の内面に重金属含有ペースト層を形成する重金属含有ペースト層形成工程と、溝の表面から半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射して当該半導体基体の内部を加熱することにより半導体基体の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域を形成する重金属拡散工程とを実施することによって半導体基体の内部に重金属を拡散することとしていることから、従来のメサ型半導体装置の製造方法の場合とは違って、半導体基体の内部に、平面的に見れば全面ではあるが、断面的に見れば部分的に重金属拡散領域を形成する（具体的には第１主面と第２主面との間を横切るように層状に選択的に重金属拡散領域を形成する）ことが可能となり、その結果、半導体基体の全領域にわたって深い準位が生成されて特性劣化を招いてしまうという問題がなくなる。

なお、実施形態４に係るメサ型半導体装置の製造方法は、メサ型半導体装置の種類以外の内容については実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法の場合と同様の工程を含むため、実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法が有する効果のうち同様の効果を有する。

以上、本発明のメサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

（１）上記した各実施形態においては、ファストリカバリダイオード及び片阻止サイリスタを用いて本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。図１１は、変形例１に係るメサ型半導体装置（片導通サイリスタ）４００の断面図である。図１２は、変形例２に係るメサ型半導体装置（バイポーラトランジスタ）５００の断面図である。図１３は、変形例３に係るメサ型半導体装置（ＩＧＢＴ）６００を説明するために示す図である。図１３（ａ）はメサ型半導体装置６００の断面図であり、図１３（ｂ）はメサ型半導体装置６００のＭＯＳ構造の部分を拡大して示す図である。

なお、図１１において、符号４１０は半導体基体を示し、符号４１２はｐ^＋＋型シリコン基板を示し、符号４１４はｎ⁻型エピタキシャル層を示し、符号４１６はｐ^＋型ゲート層を示し、符号４１７はｎ^＋型カソード層を示し、符号４２２は重金属拡散領域を示し、符号４２２ａは重金属拡散領域が重畳した部分を示し、符号４２８はメサ領域を示し、符号４３０は外周テーパ領域を示し、符号４３２はガラス層を示し、符号４３８はアノード電極層を示し、符号４４０はゲート電極層を示し、符号４４１はカソード電極層を示す。

また、図１２において、符号５１０は半導体基体を示し、符号５１２はｎ^＋＋型シリコン基板を示し、符号５１４はｎ⁻型エピタキシャル層を示し、符号５１６はｐ^＋型べース層を示し、符号５１７はｎ^＋型エミッタ層を示し、符号５２２は重金属拡散領域を示し、符号５２２ａは重金属拡散領域が重畳した部分を示し、符号５２８はメサ領域を示し、符号５３０は外周テーパ領域を示し、符号５３２はガラス層を示し、符号５３８はコレクタ電極層を示し、符号５４０はベース電極層を示し、符号５４１はエミッタ電極層を示す。

また、図１３において、符号６１０は半導体基体を示し、符号６１２はｐ^＋＋型シリコン基板を示し、符号６１３はｎ^＋型フィールドストップ層を示し、符号６１４はｎ⁻型エピタキシャル層を示し、符号６２２は重金属拡散領域を示し、符号６２２ａは重金属拡散領域が重畳した部分を示し、符号６２８はメサ領域を示し、符号６３０は外周テーパ領域を示し、符号６３２はガラス層を示し、符号６３８はコレクタ電極層を示し、符号６４６はＭＯＳ構造を示し、符号６４８はｐ⁻型チャネル形成領域を示し、符号６５０はｐ^＋型コンタクト領域を示し、符号６５２はｎ^＋型エミッタ領域を示し、符号６５４はゲート絶縁膜を示し、符号６５６はゲート電極層を示し、符号６５８は層間絶縁膜を示し、符号６６０はエミッタ電極層を示す。

図１１〜図１３に示すように、本発明は、片導通サイリスタ、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴその他のメサ型半導体装置に適用することもできる。

（２）各実施形態においては、重金属拡散工程において、レーザ光を照射して半導体基体の内部を加熱することにより半導体基体の内部に重金属を拡散したが、本発明はこれに限定されるものではない。重金属拡散工程において、補助熱源を用いて半導体基体を加熱しながらレーザ光を照射して半導体基体の内部を加熱することにより半導体基体の内部に重金属を拡散してもよい。補助熱源としては、赤外線加熱炉、ランプアニール炉、ＲＴＡ炉などを用いることができる。

（３）上記した各実施形態においては、重金属としてＰｔ（白金）を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、Ａｕ（金）を用いることもできる。

（４）上記した各実施形態においては、ガラス層保護膜としてフォトレジストを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ピッチ系ワックス類からなるガラス層保護膜を用いることもできる。

（５）上記した各実施形態においては、半導体基体として、ｎ^＋＋型シリコン基板又はｐ^＋＋型シリコン基板（第１半導体層）と、ｎ⁻型エピタキシャル層（第２半導体層）と、ｐ^＋型拡散層（第３半導体層）とを有する半導体基体を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ｎ⁻型シリコン基板の本体（第２半導体層）と、ｎ⁻型シリコン基板の第２主面側に形成されたｎ^＋型拡散層又はｐ^＋型拡散層（第１半導体層）と、ｎ⁻型シリコン基板の第１主面側に形成されたｐ^＋型拡散層（第３半導体層）とを有する半導体基体を用いることもできる。

１０８…半導体ウェーハ、１００，１０２，２００，３００，８００，９００…メサ型半導体装置、１１０，２１０，３１０，８１０，９１０…半導体基体、１１２，２１２，８１２，９１２…ｎ^＋＋型シリコン基板、１１４，２１４，３１４，８１４，９１４…ｎ⁻型エピタキシャル層、１１６，２１６，８１６，９１６…ｐ^＋型アノード層、１１８，１４８，２１８，３１８，９１８…重金属含有ペースト層、１２０，２２０，３２０，９２０…酸化膜、１２２，１５０，２２２，３２２…重金属拡散領域、１２２ａ，２２２ａ，３２２ａ…重金属拡散領域が重畳した部分、１２４，２２４，３２４，９２４…酸化膜、１２６，２２６，３２６，３２７，９２６…溝、１２８，２２８，３２５，３２８，８２８，９２８…メサ領域、１３０，２３０，３３０，３３１，９３０…外周テーパ領域、１３２，２３２，３３２，３３３，８３２，９３２…ガラス層、１３４，２３４，３３４、９３２…ガラス層保護膜、１３６，２３６，３３６，９３６…電極形成領域、１３８，２３８，８３８，９３８…カソード電極層、１４０，２４０，３４０，８４０，９４０…アノード電極層、１４２，２４２，３４２，８４２，９４２…第２半導体層と第３半導体層との境界面、１４４，２４４，３４４…第１半導体層と第２半導体層との境界面、１５２…スクライブライン、１５４…レーザ光照射ライン、１５６，１５６ａ，１５６ｂ…グリーンレーザ、３１２…ｐ^＋＋型シリコン基板、３１６…ｐ^＋型ゲート層、３１７…ｎ^＋型カソード層、３３８…アノード電極層、３４０…ゲート電極層、３４１…カソード電極層、９２２…重金属、Ｌ，Ｌ１，Ｌ２…レーザ光

Claims (11)

1. 高濃度のｎ型不純物又は高濃度のｐ型不純物を含有する第１半導体層と、低濃度のｎ型不純物を含有する第２半導体層とを少なくとも有し、前記第１半導体層と前記第２半導体層とが第２主面側から第１主面側に向けてこの順序で積層された半導体基体を準備する半導体基体準備工程と、
   メサ領域を囲む領域に、前記半導体基体の前記第１主面側の表面から少なくとも前記第２半導体層に達する深さのメサ領域形成用の溝を形成する溝形成工程と、
   前記溝の内面に重金属含有ペースト層を形成する重金属含有ペースト層形成工程と、
   前記半導体基体の主面に立てた法線に対して所定の傾斜角をもって、かつ、前記溝の全周にわたって、前記溝の表面から前記半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射して当該半導体基体の内部を加熱することにより前記半導体基体の内部に重金属を拡散して重金属拡散領域を形成する重金属拡散工程とをこの順序で含むことを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
2. 前記重金属拡散工程においては、前記溝の全周を走査しながら前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１に記載のメサ型半導体装置の製造方法。
3. 前記重金属拡散工程においては、前記溝の表面から前記半導体基体の内部に至る重金属拡散領域が、平面的に見て前記半導体基体の中央部で重畳するような条件で前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１又は２に記載のメサ型半導体装置の製造方法。
4. 前記所定の傾斜角は、４５°〜７５°の角度であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
5. 前記重金属拡散工程においては、グリーンレーザを用いて前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
6. 前記半導体基体は、高濃度のｐ型不純物を含有する第３半導体層をさらに有し、前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記第３半導体層とが前記第２主面側から前記第１主面側に向けてこの順序で積層された半導体基体であり、
   前記溝形成工程においては、前記第３半導体層の表面から前記第１半導体層に達する深さの溝を形成し、
   前記重金属拡散工程においては、溝に露出している前記第１半導体層と前記第２半導体層との境界近傍から前記第１半導体層の内部に向けてレーザ光を照射することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
7. 前記半導体基体は、高濃度のｐ型不純物を含有する第３半導体層をさらに有し、前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記第３半導体層とが前記第２主面側から前記第１主面側に向けてこの順序で積層された半導体基体であり、
   前記溝形成工程においては、前記第３半導体層の表面から前記第１半導体層に達しない深さの溝を形成し、
   前記重金属拡散工程においては、溝に露出している前記第２半導体層の表面から前記第２半導体層の内部に向けてレーザ光を照射することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
8. 前記溝形成工程においては、前記第２半導体層の表面から前記第１半導体層に達しない深さの溝を形成し、
   前記重金属拡散工程においては、溝に露出している前記第２半導体層の表面から前記第２半導体層の内部に向けてレーザ光を照射することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
9. 前記重金属拡散工程においては、前記レーザ光として、平面的に見て前記溝に対する入射角度の異なる２以上のレーザ光を重畳して照射することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
10. 前記重金属拡散工程においては、補助熱源を用いて前記半導体基体を加熱しながらレーザ光を照射することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
11. 前記重金属含有ペースト層形成工程においては、前記溝の内面に重金属含有ペースト層を形成するのに加えて、前記半導体基体における前記第２主面側の表面にも重金属含有ペースト層を形成し、
    前記重金属拡散工程においては、前記溝の表面から前記半導体基体の内部に向けて前記レーザ光を照射するのに加えて、前記半導体基体における前記第２主面側の表面からも前記半導体基体の内部に向けてレーザ光を照射して当該半導体基体の内部を加熱することにより、平面的に見て少なくとも前記半導体基体の中央部においては、前記半導体基体における前記第２主面側の表面からも前記重金属拡散領域に達するように、重金属を拡散させることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法。

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