JP2010212316A - メサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することが可能なメサ型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１幅ｄ１を有する溝を形成する溝形成工程Ｓ２０と、酸化性雰囲気中で、第１幅ｄ１よりも狭い第２幅ｄ２を有する所定領域にレーザ光Ｌを照射することにより、所定領域に酸化層２０を形成するレーザ光照射工程Ｓ３０と、電気泳動法を用いて溝１８の内部にパッシベーション層２２を形成するパッシベーション層形成工程Ｓ４０と、第２幅ｄ２よりも小さい値の厚さを有するダイシングソーＤＳを用いて半導体基体Ｗを分断してメサ型半導体装置１００を製造するダイシング工程とをこの順序で含むことを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、メサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置に関する。

メサ型半導体装置は、高耐圧の半導体装置として知られている。図６及び図７は、従来のメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図６（ａ）〜図６（ｄ）及び図７（ａ）〜図７（ｄ）は各工程図である。

従来のメサ型半導体装置の製造方法は、図６及び図７に示すように、ｎ⁻層７１０と、ｎ⁻層７１０の第１主面側に位置するｐ^＋層７１２と、ｎ⁻層７１０の第２主面側に位置するｎ^＋層７１４とを備えるウェハ状の半導体基体Ｗを準備する半導体基体準備工程（図６（ａ）参照。）と、半導体基体Ｗにおける第１主面側から、ダイシング予定ラインＤＬ（後述する図５（ｂ）参照。）に沿って溝７１８を形成する溝形成工程（図６（ｂ）及び図６（ｃ）参照。）と、電気泳動法を用いて溝７１８の内部にパッシベーション層７２２を形成するパッシベーション層形成工程（図７（ａ）参照。）と、ダイシング予定ラインＤＬに沿ってダイシングソーを用いて半導体基体Ｗを分断してメサ型半導体装置７００を製造するダイシング工程（図７（ｄ）参照。）とを含み、これらの工程をこの順序で実施することによりメサ型半導体装置を製造している（例えば、特許文献１参照。）。

このため、従来のメサ型半導体装置の製造方法によれば、高耐圧のメサ型半導体装置を製造することが可能となる。なお、従来のメサ型半導体装置の製造方法においては、溝形成工程中、ｐ^＋層７１２の表面に酸化層７１６、溝形成用マスクＭを順次形成した後、フォトリソグラフィによって溝底部形成マスクＭ及び酸化層７１６における所定箇所に開口部を形成し（図６（ｂ）参照。）、その後、溝底部形成マスクＭ及び酸化層７１６を介して溝７１８を形成する。また、従来のメサ型半導体装置の製造方法においては、溝形成工程とパッシベーション層形成工程との間に、溝形成用マスクＭを除去する工程（図６（ｄ）参照。）を実施し、パッシベーション層形成工程とダイシング工程との間に、Ｐ^＋層７１２の表面に形成された酸化層７１６を除去する工程（図７（ｂ）参照。）と、Ｐ^＋層７１２の表面に電極７２４を形成するとともにｎ^＋層７１４の表面に電極７２６を形成する工程（図７（ｃ）参照。）とを実施している。

ところで、従来のメサ型半導体装置の製造方法においては、半導体基体Ｗ（シリコン）とパッシベーション層７２２（ガラス）が異種材料からなるため、ダイシング工程中に半導体基体Ｗとパッシベーション層７２２との界面からクラックが入り易いという問題がある。また、これに起因してメサ型半導体装置のもれ電流特性や信頼性が低下してしまうという問題がある。

そこで、このような問題を解決することが可能なメサ型半導体装置の製造方法が知られている。図８は、このようなメサ型半導体装置の製造方法のうち、従来の第２のメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図であり、図９は、従来の第３のメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図８（ａ）〜図８（ｄ）及び図９（ａ）〜図９（ｄ）は各工程図である。

従来の第２のメサ型半導体装置の製造方法においては、図８に示すように、ダイシングソーＤＳ１を用いて、ダイシング予定ラインＤＬに沿ってパッシベーション層８２２を越える深さまでダイシング溝ＤＴを形成する第１ダイシング工程（図８（ａ）〜図８（ｃ）参照。）と、ダイシングソーＤＳ１よりも薄いダイシングソーＤＳ２を用いて、ダイシング溝ＤＴの中央部に沿って半導体基体Ｗをダイシングして、半導体基体Ｗを分断する第２ダイシング工程（図８（ｃ）及び図８（ｄ）参照。）とをこの順序で実施することとしている（ダイシング工程を２回行うことについては、例えば、特許文献２参照。）。

このため、従来の第２のメサ型半導体装置の製造方法によれば、ダイシングソーＤＳ１を用いてパッシベーション層８２２を除去し、その後、ダイシングソーＤＳ１よりも薄いダイシングソーＤＳ２を用いて半導体基体Ｗのみをダイシングすることとしているため、半導体基体Ｗとパッシベーション層８２２との界面からクラックが入り易いという問題をある程度のレベルで解決することが可能となる。

従来の第３のメサ型半導体装置の製造方法においては、図９に示すように、レーザ光を用いて、ダイシング予定ラインＤＬに沿ってパッシベーション層９２２を除去することによりレーザ溝ＬＴを形成するレーザ光照射工程（図９（ａ）〜図９（ｃ）参照。）と、ダイシングソーＤＳを用いて、レーザ溝ＬＴの中央部に沿って半導体基体Ｗをダイシングして、半導体基体Ｗを分断するダイシング工程（図９（ｃ）及び図９（ｄ）参照。）とをこの順序で実施することとしている（例えば、特許文献３参照。）。

このため、従来の第３のメサ型半導体装置の製造方法によれば、レーザ光を用いてパッシベーション層９２２を除去し、その後、ダイシングソーＤＳを用いて半導体基体Ｗのみをダイシングすることとしているため、半導体基体Ｗとパッシベーション層９２２との界面からクラックが入り易いという問題をある程度のレベルで解決することが可能となる。

特許第４０２２１１３号公報 (図３) 特開２００６−４９４１９号公報 (図３) 特開平６−１２０３３８号公報 (図１)

しかしながら、従来の第２のメサ型半導体装置の製造方法においては、ダイシングソーＤＳ１を用いてパッシベーション層８２２を越える深さまでダイシング溝ＤＴを形成することとしているため、半導体基体Ｗとパッシベーション層８２２との界面からクラックが入り易いという問題を完全に解決することはできない。

また、従来の第３のメサ型半導体装置の製造方法においては、パッシベーション層９２２を完全に除去するためには高エネルギーのレーザ光を照射することが必要となるため、半導体基体Ｗが大きくえぐれてしまったり、残存するパッシベーション層９２２の側面部分に凹凸が生成したり組成が不均一になったりすることとなり、いずれにしてもメサ型半導体装置の信頼性が低下してしまうという問題が新たに発生する。

そこで、本発明は、上記した課題に鑑みてなされたもので、半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することが可能なメサ型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、そのような方法により製造されたメサ型半導体装置を提供することを目的とする。

（１）本発明のメサ型半導体装置の製造方法は、ウェハ状の半導体基体を準備する半導体基体準備工程と、前記半導体基体における前記第１主面側から、ダイシング予定ラインに沿い、かつ、第１幅を有する溝を形成する溝形成工程と、酸化性雰囲気中で、前記ダイシング予定ラインに沿い、かつ、前記第１幅よりも狭い第２幅を有する所定領域にレーザ光を照射することにより、前記所定領域に酸化層を形成するレーザ光照射工程と、電気泳動法を用いて前記溝の内部にパッシベーション層を形成するパッシベーション層形成工程と、前記ダイシング予定ラインに沿って、かつ、前記第２幅よりも小さい値の厚さを有するダイシングソーを用いて前記半導体基体を分断してメサ型半導体装置を製造するダイシング工程とをこの順序で含むことを特徴とする。

本発明のメサ型半導体装置の製造方法においては、酸化層が絶縁物であることから、パッシベーション層形成工程中にパッシベーション層が酸化層上に形成されないため、その後のダイシング工程中にダイシングソーがパッシベーション層と接触することがなくなる。その結果、本発明のメサ型半導体装置の製造方法によれば、半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能となる。

また、本発明のメサ型半導体装置の製造方法によれば、従来の第３のメサ型半導体装置の製造方法のように高エネルギーのレーザ光を照射する必要もないため、半導体基体Ｗが大きくえぐれてしまったり、残存するパッシベーション層の側面部分に凹凸が生成したり組成が不均一になったりすることもなく、メサ型半導体装置の信頼性が低下してしまうという問題が新たに発生することもない。

その結果、本発明のメサ型半導体装置の製造方法は、半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することが可能なメサ型半導体装置の製造方法となる。

なお、この明細書において、第１主面とは、溝を形成する側の面をいう。また、第２主面とは、第１主面とは反対側の面をいう。

（２）本発明のメサ型半導体装置の製造方法においては、酸素を含む雰囲気中で前記レーザ光照射工程を行うことが好ましい。

このような方法とすることにより、第１幅よりも狭い第２幅を有する所定領域に酸化層を形成することができる。

（３）本発明のメサ型半導体装置の製造方法においては、水蒸気を含む雰囲気中で前記レーザ光照射工程を行うことが好ましい。

このような方法とすることによっても、第１幅よりも狭い第２幅を有する所定領域に酸化層を形成することができる。

（４）本発明のメサ型半導体装置の製造方法においては、前記第２幅は、３０μｍ〜２００μｍの範囲内にあることが好ましい。

ダイシングソーの厚さは、２０μｍ〜１００μｍであるため、上記のような方法とすることにより、ダイシングソーがパッシベーション層と接触することがない状態でダイシング工程を実施することができる。

（５）本発明のメサ型半導体装置の製造方法においては、前記酸化層の層厚は、１００ｎｍ〜３μｍの範囲内にあることが好ましい。

酸化層の層厚を１００ｎｍ以上としたのは、酸化層の層厚が１００ｎｍ未満である場合には、酸化層の絶縁性が低下して、パッシベーション層形成工程中に酸化層上にパッシベーション層が形成されてしまう場合があるからである。また、酸化層の層厚を３μｍ以下としたのは、酸化層の層厚が３μｍを超える場合には、レーザ光照射工程を行う時間が長くなりすぎて生産性が低下するからである。

（６）本発明のメサ型半導体装置の製造方法においては、前記半導体基体は、主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体基体であり、前記溝形成工程においては、前記ｐｎ接合を越える深さの溝を形成することが好ましい。

このような方法とすることにより、高耐圧のメサ型半導体装置を製造することができる。

（７）本発明のメサ型半導体装置は、メサ型半導体装置の製造方法により製造されたメサ型半導体装置であって、前記溝の外周部には酸化層が形成され、前記溝の内周部にはパッシベーション層が形成されていることを特徴とする。

本発明のメサ型半導体装置は、半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置となる。

（８）本発明のメサ型半導体装置においては、前記酸化層の幅は、１５μｍ〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。

酸化層の幅を１５μｍ以上としたのは、酸化層の幅が１５μｍ未満である場合には、ダイシングソーがパッシベーション層と接触することがない状態でダイシング工程を行うことが困難となる場合があるからである。また、酸化層の幅を１００μｍ以下としたのは、酸化層の幅が１００μｍを超える場合には、チップ面積に占める酸化層の幅が必要以上に広くなりすぎるからである。

（９）本発明のメサ型半導体装置においては、前記半導体基体は、主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体基体であり、前記溝は、前記ｐｎ接合を越える深さを有することが好ましい。

このような構成とすることにより、高耐圧のメサ型半導体装置となる。

本発明のメサ型半導体装置としては、ダイオード、バイポーラトランジスタ、サイリスタを例示することができる。

実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。 実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態に係るメサ型半導体装置１００を説明するために示す図である。 従来のメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 従来のメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 従来の第２のメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。 従来の第３のメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。

以下、本発明のメサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。

[実施形態]
１．実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法
本実施形態においては、ｐｎダイオードを例にとって本発明のメサ型半導体装置の製造方法及び本発明のメサ型半導体装置を説明する。

図１は、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
図２〜図４は、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図２（ａ）〜図２（ｄ）及び図３（ａ）〜図３（ｄ）は各工程図である。図４（ａ）は図３（ｃ）に対応する平面図であり、図４（ｂ）は図３（ｄ）に対応する平面図である。

実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法は、図１に示すように、半導体基体準備工程Ｓ１０と、溝形成工程Ｓ２０と、レーザ光照射工程Ｓ３０と、パッシベーション層形成工程Ｓ４０と、ダイシング工程Ｓ５０とをこの順序で含む。以下、各工程に沿って、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法を詳細に説明する。

１．半導体基体準備工程Ｓ１０
まず、図２（ａ）に示すように、ｎ⁻層１０と、ｎ⁻層１０の第１主面側に位置するｐ^＋層１２と、ｎ⁻層１０の第２主面側に位置するｎ^＋層１４とを備え、主面に平行なｐｎ接合が形成されたウェハ状の半導体基体Ｗを準備する。

ｎ⁻層１０の不純物濃度は例えば３×１０^１８ｃｍ^−３であり、ｐ^＋層１２の不純物濃度は例えば２×１０^１９ｃｍ^−３であり、ｎ^＋層１４の不純物濃度は例えば２×１０^１９ｃｍ^−３である。また、ｎ⁻層１０の厚さは例えば１５０μｍであり、ｐ^＋層１２の厚さは３０μｍであり、ｎ^＋層１４の厚さは３０μｍである。

２．溝形成工程Ｓ２０
次に、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、半導体基体Ｗにおける第１主面側から、ダイシング予定ラインＤＬ（図４（ｂ）参照。）に沿い、かつ、第１幅ｄ１（図４参照。）を有する溝１８を形成する。溝形成工程Ｓ２０においては、ｐｎ接合を越える深さの溝１８を形成する。なお、図２（ｂ）において、符号Ｍは溝形成用のマスクである。第１幅ｄ１は例えば３００μｍであり、溝１８の深さは例えば９０μｍである。溝形成は、例えばエッチングにより行う。エッチング液としては、フッ酸、硝酸及び酢酸の混合液（例えば、ＨＦ：ＨＮＯ_３：ＣＨ_３ＣＯＯＨ＝１：４：１。）を用いる。

３．レーザ光照射工程Ｓ３０
次に、図２（ｄ）に示すように、酸化性雰囲気中で、ダイシング予定ラインＤＬに沿い、かつ、第１幅ｄ１よりも狭い第２幅ｄ２（図４参照。）を有する所定領域にレーザ光Ｌを照射することにより、所定領域に酸化層２０を形成する。

レーザ光としては、可視光レーザ（例えば、波長５３２ｎｍのグリーンレーザ。）を用いる。例えば３０ｋＨｚでパルス発振させ、３００ｍｍ／秒の速度で、溝１８の内面をｘ方向及びｙ方向に沿って走査する。

レーザ光照射工程Ｓ３０においては、半導体基体Ｗの第１主面に対して垂直な方向に沿ってレーザ光を照射する。

レーザ光照射工程Ｓ３０においては、例えば、酸素ガスを用いて酸化性雰囲気とした状態でレーザ光照射を行う。

実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法においては、レーザ光Ｌのビーム幅は、例えば８０μｍであり、第２幅ｄ２は、例えば８０μｍである。

実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法においては、酸化層の層厚が例えば１μｍとなるような条件でレーザ光のパワーを設定する。

４．パッシベーション層形成工程Ｓ４０
次に、図３（ａ）に示すように、電気泳動法を用いて溝１８の内部にパッシベーション層２２を形成する。パッシベーション層形成工程Ｓ４０の終了後、図３（ｂ）に示すように、Ｐ^＋層１２の表面に形成された酸化層１６をエッチングにより除去する。その後、図３（ｃ）に示すように、Ｐ^＋層１２の表面にアルミニウム膜及びニッケル膜等の積層膜からなる電極２４を形成するとともにｎ^＋層１４の表面にチタン膜、ニッケル膜及び銀膜の積層膜からなる電極２６を形成する。なお、図３（ａ）〜図３（ｃ）において、符号Ｔは、パッシベーション層２２が形成されていないパッシベーション層非形成領域を示す。

５．ダイシング工程Ｓ５０
次に、図３（ｄ）及び図４（ｂ）に示すように、ダイシング予定ラインＤＬに沿って、かつ、第２幅ｄ２よりも小さい値の厚さ（例えば、４０μｍ。）を有するダイシングソーＤＳを用いて半導体基体Ｗを分断してメサ型半導体装置を製造する。

以上の工程を実施することによって、実施形態に係るメサ型半導体装置１００を製造することができる。

２．実施形態に係るメサ型半導体装置１００
図５は、実施形態に係るメサ型半導体装置１００を説明するために示す図である。図５（ａ）はメサ型半導体装置１００の断面図であり、図５（ｂ）はメサ型半導体装置１００の要部を示す断面図であり、図５（ｃ）はメサ型半導体装置１００の平面図である。なお、図５（ｃ）においては、図５（ａ）に示す３つのメサ型半導体装置１００のうち中央のメサ型半導体装置１００のみを示している。

実施形態に係るメサ型半導体装置１００は、図５に示すように、ｎ⁻層１０と、ｎ⁻層１０の第１主面側に位置するｐ^＋層１２と、ｎ⁻層１０の第２主面側に位置するｎ^＋層１４とを備えるｐｎダイオードである。そして、メサ型半導体装置１００の第１主面には、ｐｎ接合を越える深さの溝１８が形成され、当該溝１８の内部には、電気泳動法を用いてパッシベーション層２２が形成されている。但し、図５に示すように、平面的に見て、溝１８の外周部に酸化層２０が形成されているため、パッシベーション層２２は、溝１８の外周部には形成されず、溝１８の内周部のみに形成されている。酸化層２０の幅ｄ３は、例えば、２０μｍである。

３．実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法の効果
実施形態１に係るメサ型半導体装置の製造方法によれば、レーザ光照射工程Ｓ３０で形成する酸化層２０が絶縁物であることから、パッシベーション層形成工程Ｓ４０中にパッシベーション層２２が酸化層２０上に形成されないため、その後のダイシング工程Ｓ５０中にダイシングソーＤＳがパッシベーション層２２と接触することがなくなる。その結果、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法によれば、半導体基体Ｗとパッシベーション層２２との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能となる。

また、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法によれば、従来の第３のメサ型半導体装置の製造方法の場合のように高エネルギーのレーザ光を照射する必要もないため、半導体基体Ｗが大きくえぐれてしまったり、残存するパッシベーション層の側面部分に凹凸が生成したり組成が不均一になったりすることもなく、メサ型半導体装置の信頼性が低下してしまうという問題が新たに発生することもない。

その結果、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法は、半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することが可能なメサ型半導体装置の製造方法となる。

また、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法によれば、酸素を含む雰囲気中でレーザ光照射工程Ｓ３０を行うこととしているため、第１幅ｄ１よりも狭い第２幅ｄ２を有する所定領域に酸化層２０を形成することができる。

また、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法によれば、第２幅ｄ２が３０μｍ〜２００μｍの範囲内にあるため、ダイシングソーＤＳがパッシベーション層２２と接触することがない状態でダイシング工程を実施することができる。

また、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法によれば、酸化層２０の層厚が１００ｎｍ〜３μｍの範囲内にあるため、絶縁性を有する酸化層を高い生産性で形成することができる。

さらにまた、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法によれば、半導体基体Ｗは、主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体基体であり、溝形成工程Ｓ２０においては、ｐｎ接合を越える深さの溝１８を形成することとしているため、高耐圧のメサ型半導体装置を製造することができる。

４．実施形態に係るメサ型半導体装置１００の効果
実施形態に係るメサ型半導体装置１００によれば、実施形態に係るメサ型半導体装置の製造方法により製造されたメサ型半導体装置であって、さらには、溝１８の外周部には酸化層２０が形成され、溝１８の内周部にはパッシベーション層２２が形成されているため、半導体基体Ｗとパッシベーション層２２との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置となる。

また、実施形態に係るメサ型半導体装置１００によれば、酸化層２０の幅が１５μｍ〜１００μｍの範囲内にあるため、メサ型半導体装置を製造する過程でダイシングソーがパッシベーション層と接触することがない状態でダイシング工程を行うことが可能となり、さらには、チップ面積に占める酸化層の幅が必要以上に広くなりすぎることもない。

さらにまた、実施形態に係るメサ型半導体装置１００によれば、半導体基体Ｗは、主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体基体であり、溝１８は、ｐｎ接合を越える深さを有するため、高耐圧のメサ型半導体装置となる。

以上、本発明のメサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

（１)上記実施形態においては、レーザとして、グレーンレーザを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。レーザとしては、グリーンレーザ以外の可視光レーザや近赤外光レーザ（例えば、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ。）をも好ましく用いることができる。

（２）上記実施形態においては、酸素中でレーザ光照射工程を行うこととしているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、酸素ガスを１０体積％含む窒素ガスの雰囲気中でレーザ光照射工程を行うこともできるし、水蒸気を含む雰囲気中でレーザ光照射工程を行うこともできる。

（３）上記実施形態においては、溝１８の内面をｘ方向及びｙ方向に沿って間欠的に走査することにより、酸化層２０を形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。溝１８の内面をｘ方向及びｙ方向に沿って連続的に走査することにより、酸化層を形成してもよい。

（４）上記実施形態においては、ｐｎダイオードを例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。ｐｎダイオード以外のダイオ−ド（例えば、ｐｉｎダイオード、ショットキバリアダイオード。）、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴなど。）、サイリスタ、トライアックその他の電力用半導体装置に本発明を適用することもできる。

１００，７００，８００，９００…メサ型半導体装置、１０，７１０，８１０，９１０…ｎ⁻層、１２，７１２，８１２，９１２…ｐ^＋層、１４，７１４，８１４，９１４…ｎ^＋層、１６…保護酸化層、１８…溝、２０…酸化層、２２，７２２，８２２，９２２…パッシベーション層、２４，２６，７２４，７２６，８２４，８２６，９２４，９２６…電極、ｄ１…溝の幅、ｄ２…第２幅、ｄ３…酸化層の幅、ＤＬ…ダイシングライン、ＤＳ，ＤＳ１、ＤＳ２…ダイシングソー、ＤＴ…ダイシング溝、Ｌ…レーザ光、ＬＴ…レーザ溝、Ｍ…溝形成用マスク、Ｔ…パッシベーション層非形成領域、Ｗ…半導体基体

Claims (9)

1. ウェハ状の半導体基体を準備する半導体基体準備工程と、
   前記半導体基体における前記第１主面側から、ダイシング予定ラインに沿い、かつ、第１幅を有する溝を形成する溝形成工程と、
   酸化性雰囲気中で、前記ダイシング予定ラインに沿い、かつ、前記第１幅よりも狭い第２幅を有する所定領域にレーザ光を照射することにより、前記所定領域に酸化層を形成するレーザ光照射工程と、
   電気泳動法を用いて前記溝の内部にパッシベーション層を形成するパッシベーション層形成工程と、
   前記ダイシング予定ラインに沿って、かつ、前記第２幅よりも小さい値の厚さを有するダイシングソーを用いて前記半導体基体を分断してメサ型半導体装置を製造するダイシング工程とをこの順序で含むことを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載のメサ型半導体装置の製造方法において、
   酸素を含む雰囲気中で前記レーザ光照射工程を行うことを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
3. 請求項１に記載のメサ型半導体装置の製造方法において、
   水蒸気を含む雰囲気中で前記レーザ光照射工程を行うことを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法において、
   前記第２幅は、３０μｍ〜２００μｍの範囲内にあることを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法において、
   前記酸化層の層厚は、１００ｎｍ〜３μｍの範囲内にあることを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載のメサ型半導体装置の製造方法において、
   前記半導体基体は、主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体基体であり、
   前記溝形成工程においては、前記ｐｎ接合を越える深さの溝を形成することを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
7. 請求項１に記載のメサ型半導体装置の製造方法により製造されたメサ型半導体装置であって、
   前記溝の外周部には酸化層が形成され、
   前記溝の内周部にはパッシベーション層が形成されていることを特徴とするメサ型半導体装置。
8. 請求項７に記載のメサ型半導体装置において、
   前記酸化層の幅は、１５μｍ〜１００μｍの範囲内にあることを特徴とするメサ型半導体装置。
9. 請求項７又は８に記載のメサ型半導体装置において、
   前記半導体基体は、主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体基体であり、
   前記溝は、前記ｐｎ接合を越える深さを有することを特徴とするメサ型半導体装置。

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