JP6188281B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態による光電変換装置の一部の拡大図である。図1の水平方向が主走査方向(第1の方向)であり、図1の垂直方向が副走査方向(第2の方向)である。副走査方向は、主走査方向に対して異なる方向(垂直方向)である。光電変換装置は、複数の画素1、2及び3が配された画素アレイ領域と、読み出し回路領域5とを有する。複数の画素1、2及び3は、光電変換素子11、21及び31と、ゲート電極12、22及び32と、ゲート制御線13、23及び33と、不純物拡散領域10とを有する。ゲート制御線13、23及び33は、主走査方向に延在している。ゲート制御線は金属配線で形成され、ゲート制御線13、23及び33はコンタクトプラグ14、24及び34によりゲート電極12、22及び32とそれぞれ電気的に接続されている。複数の画素1、2及び3の不純物拡散領域10は、全部が相互に共通接続されている。例えば、全部が相互に共通接続された構成とは、複数の画素1、2及び3の不純物拡散領域10の全部もしくはいくつかが、同一の活性領域に配された構成である。5は画素1、2及び3の読み出し回路が配される読み出し回路領域である。読み出し回路領域5は、ゲート電極51をゲートとする増幅トランジスタと、ゲート電極55をゲートとするリセットトランジスタとが配される。読み出し回路領域5は、複数の画素1、2及び3の中で副走査方向に対して最も外側に配置されている画素3よりも外側に配置されている。増幅トランジスタのゲート電極51は、画素アレイ領域外で、金属配線52及びコンタクトプラグにより不純物拡散領域10と電気的に接続され、ドレインは画素アレイ領域外に配された金属配線で形成された電源線53と電気的に接続されている。増幅トランジスタのソースは、画素アレイ領域外に配された金属配線54により不図示の周辺回路と電気的に接続される。周辺回路としてはノイズ除去回路、増幅回路などである。リセットトランジスタのゲート電極55は画素アレイ領域外に配された金属配線で形成されたリセット制御線56と電気的に接続され、ドレインは画素アレイ領域外に配された電源線53と電気的に接続されている。また、リセットトランジスタのソースは、不純物拡散領域10と共通接続されている。例えば、リセットトランジスタのソースと、不純物拡散領域10とが共通接続された構成とは、リセットトランジスタのソースと不純物拡散領域10の一部が同一の活性領域に配された構造である。
図4は、本発明の第2の実施形態による光電変換装置の撮像領域範囲の構成例を示す図である。図4において、図1と同じ番号で示した部位は、図1と同様である。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。コンタクトプラグ15、25、35及び57は、不純物拡散領域10、20、30及びリセットトランジスタのドレイン領域40と、増幅トランジスタのゲート電極51から延在するポリシリコン配線とが、それぞれ接触するように形成され、電気的に導通する。即ち、複数の画素1、2及び3の不純物拡散領域10、20及び30は、コンタクトプラグ15、25及び35を介して、増幅トランジスタのゲート電極51から延在するポリシリコン配線により相互に電気的に接続される。これにより、画素1、2及び3の不純物拡散領域10、20及び30と読み出し回路領域5とが、互いに共通接続されている。コンタクトプラグ15、25、35及び57は複数の部材に対して共有されているため、シェアードコンタクトとよぶ。
図6は、本発明の第3の実施形態による光電変換装置の撮像領域範囲の構成例を示す図である。本実施形態では、副走査方向に4つの画素1〜4を配置し、画素1、2と読み出し回路領域5とが不純物拡散領域10で共通接続され、画素3、4と読み出し回路領域6とが不純物拡散領域40で共通接続された構成を示している。複数の画素1〜4の不純物拡散領域10及び40は、一部が相互に接続される。複数の画素1〜4は、副走査方向に対して4個配される。2個ずつの画素1,2及び画素3,4の不純物拡散領域10及び40は、それぞれ相互に接続されている。図4において、図1と同じ番号で示した部位は、図1と同様である。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。図6において、画素4は、光電変換素子41と、ゲート電極42と、ゲート制御線43と、不純物拡散領域40とを有する。ゲート制御線43は金属配線で形成され、コンタクト44によりゲート電極42と電気的に接続されている。ゲート制御線43は、主走査方向に配列された画素(不図示)のゲート制御線と共通接続されている。6は画素3及び4の読み出し回路領域であり、ゲート電極61をゲートとする増幅トランジスタと、ゲート電極65をゲートとするリセットトランジスタとを有する。読み出し回路領域6は、副走査方向に対して最も外側に配置されている画素4より更に外側に配置されている。増幅トランジスタのゲート電極61は、金属配線62により不純物拡散領域40と電気的に接続され、ドレインは金属配線で形成された電源線63と電気的に接続されている。リセットトランジスタのゲート電極65は金属配線で形成されたリセット制御線66と電気的に接続され、ドレインは電源線63と電気的に接続されている。また、リセットトランジスタのソースは、不純物拡散領域40と共通接続されている。更に、増幅トランジスタのソースに電気的に接続されている金属配線64は、周辺回路領域と電気的に接続される。
Claims (7)
- 複数の画素が配された画素アレイ領域と前記画素アレイ領域外に配された読み出し回路領域とを有する撮像領域と、
周辺回路を有する周辺回路領域とを有し、
前記複数の画素の各々は、
光電変換により電荷を生成する光電変換素子と、
不純物拡散領域と、
前記光電変換素子の電荷を前記不純物拡散領域へ転送するゲート電極と、
前記ゲート電極に電気的に接続され、第1の方向に延在し、第1の配線層に配された複数のゲート制御線とを有し、
前記第1の方向に沿って配された複数の第1の画素には、第1のゲート制御線が接続され、
前記第1の方向に沿って配された複数の第2の画素には、第2のゲート制御線が接続され、
前記第1の方向とは異なる第2の方向に沿って、前記第1の画素、前記第2の画素、前記読み出し回路領域、前記周辺回路領域が、この順で配され、
前記読み出し回路領域には、
前記不純物拡散領域の電圧変化に基づく信号を増幅する増幅部と、
前記不純物拡散領域にリセット電圧を供給するリセット部と、が配され、
前記増幅部のソースと前記周辺回路とを電気的に接続し、前記第2の方向に延在した金属配線が第2の配線層に配され、
前記第1の配線層と前記第2の配線層とが、同一の高さの配線層であることを特徴とする光電変換装置。 - 前記複数の画素の前記不純物拡散領域は、半導体基板に形成された活性化領域で相互に接続されていることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記複数の画素の前記不純物拡散領域は、ポリシリコン配線により相互に接続されていることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記不純物拡散領域及び前記ポリシリコン配線は、シェアードコンタクトにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項3記載の光電変換装置。
- 撮像領域は、前記複数の画素及び前記読み出し回路領域を有し、
前記撮像領域の金属配線層は、前記ゲート制御線の金属配線を含む一層のみであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記複数の画素は、前記第2の方向に対して4個配され、
2個ずつの前記画素の前記不純物拡散領域は相互に接続されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換装置は、前記周辺回路領域と、前記周辺回路に配される複数の金属配線層とをさらに有し、
前記撮像領域と前記周辺回路領域は半導体基板に形成され、
前記複数の金属配線層のうちの前記半導体基板に最近接する金属配線層と、前記画素アレイ領域に配される金属配線層の高さが同一であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の光電変換装置。
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